JPH05235260A

JPH05235260A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH05235260A
Application number: JP27200992A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Yoda; 敏幸誉田; Masaki Waki; 政樹脇; Yukio Gomi; 幸雄五味
Original assignee: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd; Fujitsu Ltd
Current assignee: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd; Fujitsu Ltd
Priority date: 1991-12-27
Filing date: 1992-10-09
Publication date: 1993-09-10

Abstract

(57)【要約】【目的】複数の半導体チップを有する半導体装置に関
し、樹脂モールド時の半導体チップの変位を防止して半
導体チップとテープリードとが当接してショートするこ
とのない高密度化された半導体装置を得る。【構成】パッケージ（７）には第１及び第２の半導体チ
ップ（３ａ，３ｂ）が含まれている。導電部材（５ａ，
５ｂ，１５ａ，１５ｂ）は、第１及び第２の半導体チッ
プ（３ａ，３ｂ）夫々の所定の位置に電気的に接続され
てパッケージ（７）外部と導通する。絶縁部材（１２）
は第１の半導体チップ（３ａ）と第２の半導体チップ
（３ｂ）との間に介在する。これにより、第１の半導体
チップ（３ａ）と第２の半導体チップ（３ｂ）とが当接
することなく、かつ、導電部材（５ａ，５ｂ，１５ａ，
１５ｂ）が第１及び第２の半導体チップ（３ａ，３ｂ）
夫々の所定の位置以外の位置とは当接しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複数の半導体チップを
有する半導体装置に関する。

【０００２】近年、電子機器等の小型化の要求に伴い、
一つのパッケージ内に複数の半導体チップを搭載して高
密度化されたチップオンチップ構造の半導体装置があ
る。一方、半導体装置を軽量化、小型化するためには、
パッケージの薄型化が要求されている。そのため、パッ
ケージ内部に搭載された半導体チップを変位させずに樹
脂モールドする必要がある。

【０００３】

【従来の技術】図１２に、従来の半導体装置の構成図を
示す。

【０００４】図１２において、複数の半導体チップを有
する半導体装置１には、リードフレーム２の中央開口部
分に第１及び第２の半導体チップ３ａ，３ｂが、夫々回
路が形成された表面３ａ′，３ｂ′を上面として配設さ
れている。第１の半導体チップ３ａは足曲げ加工された
テープリード５ａ，５ｂの一端に、また、第２の半導体
チップ３ｂはテープリード５ｃ，５ｄの一端に夫々バン
プ４を介して接続（インナリードボンディング）されて
いる。

【０００５】この第１の半導体チップ３ａの裏面３
ａ′′は、第２の半導体チップ３ｂの回路が形成さた表
面３ｂ′と略平行に対向して離間するようテープリード
５ａ，５ｂが折り曲げ加工されている。テープリード５
ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄの夫々の他端はリードフレーム２
のアウタリード６に熱圧着（アウタリードボンディン
グ）され、モールド樹脂７によりトランスファーモール
ドによりパッケージングされる。例えば、回路基板に表
面実装するためには、アウタリード６はＬ字形状（Ｊ字
形状でも可）に折り曲げ加工される。

【０００６】また、第１の半導体チップ３ａの裏面３
ａ′′が上面となるように第１の半導体チップ３ａを配
設し、第１及び第２の半導体チップ３ａ、３ｂの各表面
３ａ′、３ｂ′が対向するように構成された半導体装置
もある。

【０００７】ここで、図１３に、図１２の製造方法の要
部を説明するための図を示す。

【０００８】図１３（Ａ）に示すように、上述の半導体
装置１は、リードフレーム２と半導体チップ３ａ，３ｂ
とをテープリード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄに夫々接続し
た後、各半導体チップ３ａ，３ｂ周辺部分を上金型８ａ
及び下金型８ｂで形成されるキャビティ９にセットされ
る。そして、ゲート１０よりモールド樹脂７を注入して
トランスファーモールドを行うものである。同図に示す
ように、モールド樹脂７の注入初期には半導体チップ３
ａ，３ｂがモールド樹脂７の注入圧力により変位するこ
とはない。

【０００９】ところで、半導体チップ３ａはテープリー
ド５ａ，５ｂによりアウタリード６に支持されているの
みであり、またテープリード５ａ，５ｂは例えば厚さ１
２５μｍ程度のポリイミドテープに厚さ３５μｍ程度の
銅箔パターンを接着した剛性の低いものであり、図示の
形状に折り曲げ加工されているために、樹脂モールド注
入時にモールド樹脂７の注入圧力によってテープリード
５ａ，５ｂが変形し、半導体チップ３ａが変位すること
がある。

【００１０】また、テープリード５ｃ，５ｄも同様の構
成とされていて剛性が低いため、半導体チップ３ｂも若
干は変位することがある。これらの変位を防ぐために、
半導体チップ３ａ，３ｂの位置やモールド樹脂７の粘
度、および注入圧力等をコントロールしてゲート１０か
ら注入されるモールド樹脂７が半導体チップ３ａ、３ｂ
を変位させないようにすることが考えられている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記従来の
半導体装置によれば、モールド樹脂７の注入圧力のバラ
ツキを十分にコントロールしても、各テープリードの製
造精度にバラツキがあると、図１３（Ｂ）に示すよう
に、モールド樹脂７がある程度注入された時に各テープ
リードが変形して半導体チップ３ａ，３ｂが変位するこ
とがある。これにより、図示のとおり半導体チップ３ａ
の裏面３ａ′′にテープリード５ｄが当接したり、半導
体チップ３ａの上部エッジ部分にテープリード５ａが当
接したりしてショートするという問題が発生することが
ある。

【００１２】そこで、本発明は上記の問題に鑑みなされ
たもので、樹脂モールド時の半導体チップの変位を防止
して、半導体チップとテープリードとが当接してショー
トすることなく複数の半導体チップを高密度実装可能な
半導体装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題は、少なくとも
第１及び第２の半導体チップを含んでなるパッケージ
と、第１及び第２の半導体チップ夫々の所定の位置に電
気的に接続されて該パッケージ外部と導通する導電部材
とを具備した半導体装置において、第１の半導体チップ
と第２の半導体チップとが当接することなく、かつ、導
電部材が第１及び第２の半導体チップ夫々の所定の位置
以外の位置と当接することがないよう第１の半導体チッ
プと第２の半導体チップとの間に介在する絶縁部材を具
備することにより解決される。

【００１４】

【作用】上述の絶縁部材を具備することにより、第１の
半導体チップと第２の半導体チップとが当接することな
く、かつ、導電部材が第１及び第２の半導体チップ夫々
の所定の位置以外の位置と当接することがないよう保持
されるため、金型内にセットしてトランスファーモール
ドにより第１の半導体チップと第２の半導体チップとを
封止する場合にも第１の半導体チップと第２の半導体チ
ップは夫々変位することなく保持されるよう作用し、ま
た、導電部材が電気的にショートすることもない。

【００１５】

【実施例】図１に、本発明の第１実施例の構成図を示
す。

【００１６】図１（Ａ）において、複数の半導体チップ
を有する半導体装置１１には、夫々導電部材である金メ
ッキされたテープリード１５ａ，１５ｂと、錫メッキさ
れて折り曲げ加工されたテープリード５ａ，５ｂとが熱
圧接され一体成形されており、その中央開口部分に第１
及び第２の半導体チップ３ａ，３ｂが、夫々回路が形成
された表面３ａ′，３ｂ′を上面として配設されてい
る。第１の半導体チップ３ａおよび第２の半導体チップ
３ｂはテープリード５ａ，５ｂ，１５ａ，１５ｂの一端
に夫々バンプ４を介して接続されている。

【００１７】テープリード１５ａ，１５ｂの上面には、
絶縁部材であるサポートリング１２が載置されている
（例えば、シリコン樹脂等の絶縁性の接着剤で接着もよ
い）。サポートリング１２は、図１（Ｂ）に示すとおり
の枠状形状とされており、内部に２つの突出部１２ａが
形成されている。サポートリング１２は、ポリイミド系
の樹脂であるカプトン（商品名）からなる。

【００１８】そして、サポートリング１２の夫々の突出
部１２ａの上面に第１の半導体チップ３ａの裏面３
ａ′′が当接し（例えば、シリコン樹脂等の絶縁性の接
着剤で接着もよい）、また、この裏面３ａ′′が第２の
半導体チップ３ｂの回路が形成さた表面３ｂ′と略平行
に対向して離間するようテープリード５ａ，５ｂが折り
曲げ加工されている。

【００１９】テープリード１５ａ，１５ｂの他端は、パ
ッケージとなるモールド樹脂７によりトランスファーモ
ールドされてパッケージングされ、回路基板に表面実装
するために、例えばＬ字形状（Ｊ字形状でも可）に折り
曲げ加工される。

【００２０】図２は本発明の第１実施例の一変形例の要
部の構成図であり、サポートリングの変形例を示してい
る。

【００２１】すなわち、同様にカプトン（商品名）から
なる絶縁部材であるサポートリング１３は、上記のサポ
ートリング１２の２つの突出部１２ａを夫々図中上下よ
り延出して連結させた橋部１３ａを有している。そし
て、図１（Ａ）と同様に、この橋部１３ａの上面に第１
の半導体チップ３ａの裏面３ａ′′が当接するよう構成
されるものである。

【００２２】これらのサポートリング１２、１３は、従
来のサポートリングがテープリードの上部に載置されて
各テープリードの先端部がたとえば半導体チップの所定
のボンディングパッドに当接するように各テープリード
の位置を規制していたのに加えて、上記のとおり第１の
半導体チップ３ａの裏面３ａ′′に当接し、これを保持
するよう構成されている。

【００２３】図３は、図１および図２に示した半導体装
置の製造方法の概略を説明するための図であり、ＴＡＢ
（Tape Amounted Bonding)方式によりインナリードボン
ディングする製造方法を示す。

【００２４】図３（Ａ）に示すように、テープリード１
５ａ，１５ｂ上面にサポートリング１２（１３）を載置
して、テープリード１５ａ，１５ｂの先端部をバンプ４
を介して第２の半導体チップ３ｂの図に現れない所定の
電極に接続する。このとき、サポートリング１２の突出
部１２ａまたはサポートリング１３の橋部１３ａは、テ
ープリード１５ａ，１５ｂの中央開口部の中心に位置し
ている。

【００２５】次に、図３（Ｂ）に示すように、テープリ
ード５ａ，５ｂの先端部をバンプ４を介して第１の半導
体チップ３ａの図に現れない所定の電極に接続した後
に、テープリード５ａ，５ｂを金型により所定の長さに
打ち抜いて切断した後、図示のとおりに折り曲げ加工す
る。

【００２６】しかる後に、図３（Ｃ）に示すように、テ
ープリード５ａ，５ｂの折り曲げ加工された先端部をテ
ープリード１５ａ，１５ｂに夫々当接させ、以下のとお
りに各テープリード同志を接合させる。

【００２７】すなわち、「コ」字に形成されて例えば約
４５０°Ｃの高温に加熱された接合治具１４の先端部１
４ａを、テープリード５ａ，５ｂの上部より各テープリ
ードの当接部に圧着して加圧することにより、各テープ
リード同志を接合させる。前述のとおりに、テープリー
ド５ａ，５ｂは金メッキ、テープリード１５ａ，１５ｂ
は錫メッキされているため各テープリードの接合部が加
熱された後冷却される過程において共晶が生じ易く、安
価な構成で実用上充分に確実な接合が行える。

【００２８】また、テープリード５ａ，５ｂ，１５ａ，
１５ｂを夫々金メッキすればさらに共晶が生じ易く、高
価であるが更に確実な接合が行える。あるいは、レーザ
を用いて各テープリードを接合させてもよい。

【００２９】最後に、従来のとおりトランスファーモー
ルドすることによりモールド樹脂７でパッケージングし
た結果、図３（Ｄ）に示すとおり、前述した半導体装置
１１が得られる。

【００３０】上記の第１実施例によれば、第１の半導体
チップ３ａはサポートリング１２または１３により保持
されているため、トランスファモールド工程においてモ
ールド樹脂７の注入圧力により変位することがない。但
し、直線状とされたテープリード１５ａ，１５ｂが僅か
に変形して第２の半導体チップ３ｂが僅かながら変位す
ることが考えられる。

【００３１】しかしながら、第１の半導体チップ３ａと
第２の半導体チップ３ｂとの間にサポートリング１２ま
たは１３の突出部１２ａまたは橋部１３ａが介在するた
めに、テープリード１５ａ，１５ｂが第１の半導体チッ
プ３ａの裏面３ａ′′やエッジ部分に当接して電気的に
ショートすることがない。

【００３２】したがって、１つのパッケージ内に２つの
半導体チップを配設して半導体装置を小型化、薄型化す
ることが可能となる。

【００３３】図４は本発明の第２実施例の構成図であ
り、同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付しそ
の説明は省略する。図４（Ａ）は断面図、図４（Ｂ）は
上部より透視した一部の平面図である。

【００３４】図４に示す半導体装置２１は、第１及び第
２の半導体チップ３ａ，３ｂの各回路形成面を対向させ
て配設し、各半導体チップ３ａ，３ｂ間の絶縁部材とし
てフィルム２４を使用したものである。

【００３５】すなわち、図４（Ａ）において、回路形成
面を図中下向きに配設された第１の半導体チップ３ａの
表面３ａ′（回路形成面）の所定位置に複数形成された
バンプ４に夫々テープリード２３ａ，２３ｂがインナリ
ードボンディングにより熱圧接されており、第１の半導
体チップ間３ａの下方にあるテープリード２３ａ，２３
ｂの一端の図中下面には、夫々フィルム２４が固着され
ている。

【００３６】フィルム２４は、後述するとおり、フィル
ムキャリヤのデバイスホール内に例えばポリイミド系の
樹脂によりロの字状に形成される（図４（Ｂ）にその一
部を示した）。このフィルム２４に各テープリードの先
端部が固着して形成されることにより、銅箔からなるテ
ープリードが保護されてその取扱いを容易にしている。

【００３７】一方、テープリード２３ａ，２３ｂの他端
は、モールド樹脂７より突出して所定形状にフォーミン
グされるリードフレーム２５ａ，２５ｂに熱圧接されて
アウタリードボンディングされ、外部回路基板と電気的
に接続可能とされている。

【００３８】また同様に、第１の半導体チップ３ａの表
面３ａ′と回路形成面を図中上向きに対向して配設され
た第２の半導体チップ３ｂの表面３ｂ′（回路形成面）
の所定位置に複数形成されたバンプ４に夫々テープリー
ド２２ａ，２２ｂの一端が熱圧接されてインナリードボ
ンディングされている。

【００３９】ここで、前記フィルム２４の下面は、第２
の半導体チップ３ｂの表面３ｂ′と僅かに離間して配設
されているが、フィルム２４は絶縁性を有するポリイミ
ド系の樹脂からなるため、当接しても構わない。また、
テープリード２２ａ，２２ｂの他端は、リードフレーム
２５ａ，２５ｂに熱圧接されてアウタリードボンディン
グされている。

【００４０】図５は図４の第２実施例の一変形例の構成
図であり、同図中、図４と同一構成部分には同一符号を
付しその説明は省略する。図５（Ａ）は断面図、図５
（Ｂ）は上部より透視した一部の平面図である。

【００４１】図５に示す半導体装置２６は、図４の半導
体装置２１のフィルム２４を直線状のフィルム２６ａ及
び２６ｂに替えたものである。フィルム２６ａはテープ
リード２３ａの一端の図中下面に、フィルム２６ｂはテ
ープリード２３ｂの一端の図中下面に夫々固着されてい
る。

【００４２】次に、図６は本発明の第２実施例の製造工
程図、図７乃至図８は本発明の第２実施例の製造工程を
説明するための図であり、ＴＡＢ方式によりインナリー
ドボンディングする製造方法を示す。但し、図７（Ａ）
では図４の半導体装置２１を製造するために使用するフ
ィルム２４が示されているが、その他の図は図４及び図
５の各実施例（半導体装置２１及び半導体装置２６）に
ついて共通に示してある。以下、図６乃至図８に基づい
て第２実施例の製造方法の概略を説明する。

【００４３】まず、図７（Ａ）に示すように、テープリ
ード２３ａ，２３ｂが形成されてその先端部をデバイス
ホール３０内の前記したフィルム２４に固着されたフィ
ルムキャリア３１を用意する。フィルム２４は、例えば
破線で示すように金型によりフィルムキャリア３１と一
体的に打ち抜き形成され、さらにテープリード２３ａ，
２３ｂが印刷形成された後に図示のロの字形状に打ち抜
き形成される。以下の図７（Ｂ）〜（Ｄ）は、図７
（Ａ）中Ｘ−Ｘ′線に沿う断面を示す。

【００４４】次に、工程１０１（図６）において、図７
（Ｃ）に示すとおりフィルム２４（２６ａ，２６ｂ）配
列方向に延在して各フィルムを内包する「コ」字状に形
成された溝３２を有し、例えば約４５０°Ｃの高温に加
熱された接合治具３３の先端部を、テープリード２３
ａ，２３ｂの上部より各テープリードと第１の半導体チ
ップ３ａに形成されたバンプ４との当接部に圧着して矢
印方向に加圧することにより、各テープリードと第１の
半導体チップ３ａとを接合させる（インナリードボンデ
ィング工程）。

【００４５】各テープリードを介してフィルムキャリア
３１に第１の半導体チップ３ａが接合されると、工程１
０２（図６）において、図７（Ｄ）に示すとおりフィル
ムキャリア３１を裏返してテープリード２３ａ，２３ｂ
を金型により所定の寸法に打ち抜いて切断してフィルム
キャリア３１より分離する。

【００４６】さらに、リードフレーム２５ａ，２５ｂの
各端部上面にテープリード２３ａ，２３ｂ夫々を当接さ
せ、第１の半導体チップ３ａを内包する溝３５が形成さ
れて加熱された接合治具３４の先端部を、テープリード
２３ａ，２３ｂの上部より各テープリードとリードフレ
ーム２５ａ，２５ｂとの当接部に圧着して矢印方向に加
圧することにより、各テープリードとリードフレーム２
５ａ，２５ｂとを接合させる（アウタリードボンディン
グ工程）。

【００４７】以上の工程と並行して、図８（Ａ）に示す
ように、先端部がデバイスホール３６内に突出して形成
されたテープリード２２ａ，２２ｂを有するフィルムキ
ャリア３７を用意する。これは、例えば前述のデバイス
ホール内のフィルムと共にテープリードの先端部をを金
型により打ち抜いて切断、除去したものである。以下の
図８（Ｂ）〜（Ｄ）は、図８（Ａ）中Ｙ−Ｙ′線に沿う
断面を示す。

【００４８】次に、工程１０３（図６）において、図８
（Ｃ）に示すとおり加熱された接合治具３８の平坦面と
された先端部を、テープリード２２ａ，２２ｂの上部よ
り各テープリードと第２の半導体チップ３ｂに形成され
たバンプ４との当接部に圧着して矢印方向に加圧するこ
とにより、各テープリードと第２の半導体チップ３ｂと
を接合させる（インナリードボンディング工程）。

【００４９】各テープリードを介してフィルムキャリア
３７に第２の半導体チップ３ｂが接合されると、工程１
０４（図６）において、図８（Ｄ）に示すとおりフィル
ムキャリア３７を裏返してテープリード２２ａ，２２ｂ
を所定の寸法に金型により打ち抜いて切断し、フィルム
キャリア３７より分離する。

【００５０】さらに、図７（Ｄ）で説明したとおり第１
の半導体チップ３ａがテープリード２３ａ，２３ｂを介
して接合されたリードフレーム２５ａ，２５ｂを再び裏
返し、その各端部上面にテープリード２２ａ，２２ｂを
夫々当接さる。そして、加熱された接合治具３４の先端
部を、テープリード２２ａ，２２ｂの上部よりテープリ
ード２２ａ，２２ｂとリードフレーム２５ａ，２５ｂと
の当接部に圧着して矢印方向に加圧することにより、テ
ープリード２２ａ，２２ｂとリードフレーム２５ａ，２
５ｂとを接合させる（アウタリードボンディング工
程）。

【００５１】続いて、図６に示すとおり、周知のトラン
スファモールド工程（工程１０６）においてリードフレ
ーム（２５ａ，２５ｂ）の一部を図示しない金型のキャ
ビティ部より突出させた状態で半導体チップ（３ａ，３
ｂ）を樹脂封止し、パッケージを形成する。

【００５２】そして、パッケージ外部に突出したリード
フレーム（２５ａ，２５ｂ）に外部リードメッキ工程
（工程１０７）において例えば錫メッキを施した後、外
部リード整形工程（工程１０８）においてパッケージ外
部のリードフレーム（２５ａ，２５ｂ）を例えばＬ字形
状にフォーミングすることにより、図４または図５に示
した半導体装置２１（２６）が得られる。

【００５３】上記の第２実施例によれば、第１の半導体
チップ３ａと第２の半導体チップ３ｂとの間にテープリ
ード２３ａ，２３ｂに固着された絶縁性のフィルム２４
（２６ａ，２６ｂ）が介在することにより、トランスフ
ァモールド工程においてモールド樹脂（７）の注入圧力
により各半導体チップはほとんど変位することがない。

【００５４】仮に、第１の半導体チップ３ａと第２の半
導体チップ３ｂとが接近する方向にテープリード２２
ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂのいずれかが僅かに変形し
た場合でも、フィルム２４（２６ａ，２６ｂ）が第２の
半導体チップ３ｂの表面３ｂ′に当接して各半導体チッ
プがそれ以上接近することがない。

【００５５】したがって、各テープリード同志、或いは
各半導体チップの表面（回路形成面）同志が電気的にシ
ョートすることなく１つのパッケージ内に２つの半導体
チップを配設することが出来、半導体装置の高密度実装
が可能となる。また。上記の第２実施例によれば、フィ
ルムキャリアのデバイスホールに形成される部分を絶縁
材として使用するため低コストで済み、且つ工程が複雑
になることがない利点がある。

【００５６】なお、絶縁用のフィルム２４，２６ａ及び
２６ｂは、テープリード２３ａ，２３ｂの全てに連続し
て固着する必要はない。すなわち、絶縁用のフィルムは
各テープリードが変形しても第２の半導体チップ３ｂと
テープリード２３ａ，２３ｂの間に介在してテープリー
ド２３ａ，２３ｂがテープリード２２ａ，２２ｂと接触
することのない形状寸法であれば良く、途中で切れてい
ても、或いは一部のテープリードにしか固着されていな
くとも良い。また、テープリード２２ａ，２２ｂの方に
絶縁用のフィルムを設けることも考えられる。

【００５７】図９は本発明の第３実施例の構成図であ
り、同図中、図４と同一構成部分には同一符号を付しそ
の説明は省略する。図９（Ａ）は断面図、図９（Ｂ）は
上部より透視した一部の平面図である。また、図１０
（Ａ）は、図９（Ａ）において破線Ｅで示す部分を拡大
して示す図である。

【００５８】図９に示す半導体装置４１は、前記半導体
装置２１及び２６と同様、第１及び第２の半導体チップ
の各回路形成面を図示の如く対向させて配設されてお
り、絶縁材を用いることなく各半導体チップ同志、或い
は各テープリード同志の電気的なショートを防ぐ構成と
されている。

【００５９】すなわち、図９（Ａ）及び図１０（Ａ）に
おいて、テープリード２２ａ、２２ｂの一端は図４及び
図５のそれと同様、第２の半導体チップ３ｂ上のバンプ
４に、また、他端はリードフレーム４３ａ，４３ｂの下
面に夫々熱圧接されている。

【００６０】また、テープリード２２ａ、２２ｂと略同
一の形状寸法とされたテープリード４２ａ，４２ｂの一
端は、第１の半導体チップ３ａ上のバンプ４に、他端は
リードフレーム４３ａ，４３ｂの上面に夫々熱圧接され
ている。

【００６１】ここで、図１０（Ａ）に詳細に示すとお
り、リードフレーム４３ａ（４３ｂ）のモールド樹と
（７）に封止される先端が各半導体チップに夫々形成さ
れたバンプ４の間に介在するよう、リードフレーム４３
ａ（４３ｂ）が各半導体チップ夫々の左右端部の下面ま
で延出している。また、テープリード２２ａ、４２ａ
（２２ｂ、４２ｂ）のバンプ４に熱圧接される部分が、
リードフレーム４３ａ（４３ｂ）の先端と僅かに離間す
るよう図示の如く形成されている。

【００６２】また、図１０（Ｂ）に要部を拡大して示す
本発明の第３実施例の一変形例では、上記のテープリー
ド２２ａ、４２ａ（２２ｂ、４２ｂ）とリードフレーム
４３ａ（４３ｂ）との間に接着剤４４を塗布することに
より、各テープリードとリードフレームを固定してい
る。

【００６３】次に示す図１１は上記第３実施例の一変形
例の製造工程図であり、ＴＡＢ方式によりインナリード
ボンディングする製造方法を示す。以下、図１１に基づ
いて第３実施例、及びその一変形例の製造方法について
簡単に説明する。

【００６４】まず、予め第１の半導体チップ３ａと、デ
バイスホール内にテープリード４２ａ，４２ｂが突出し
て形成された図８（Ａ）にて説明したものと同様なフィ
ルムキャリアを用意する。

【００６５】次に、工程１１１において、前述と同様に
してテープリード４２ａ，４２ｂと第１の半導体チップ
３ａとを、接合治具（３８）を用い熱圧接して接合させ
る（インナリードボンディング工程）。

【００６６】さらに、工程１１２に進み、第１の半導体
チップ３ａが接合されたフィルムキャリアを前述の図８
（Ｄ）と同様に裏返してテープリード４２ａ，４２ｂを
金型により所定の寸法に打ち抜き切断してフィルムキャ
リアより分離した後、リードフレーム４３ａ，４３ｂの
各端部にテープリード４２ａ，４２ｂを当接させ、これ
らを熱圧接して接合させる（アウタリードボンディング
工程）。

【００６７】以上の工程と並行して、第２の半導体チッ
プ３ｂと、デバイスホール内にテープリード２２ａ，２
２ｂが突出して形成された図８（Ａ）にて説明したもの
と同様なフィルムキャリアを用意し、工程１１３におい
て、前述と同様にしてテープリード２２ａ，２２ｂと第
２の半導体チップ３ｂとを、接合治具（３８）を用いて
熱圧接して接合させる（インナリードボンディング工
程）。

【００６８】各テープリードを介してフィルムキャリア
に第２の半導体チップ３ｂが接合されると、工程１１４
において、図８（Ｄ）に示したのと同様にしてフィルム
キャリアを裏返してテープリード２２ａ，２２ｂを金型
により所定の寸法に打ち抜いて切断し、フィルムキャリ
アより分離する。

【００６９】さらに、第１の半導体チップ３ａが接合さ
れたリードフレーム４３ａ，４３ｂを再び裏返してテー
プリード２２ａ，２２ｂをリードフレーム４３ａ，４３
ｂに夫々当接させ、接合治具（３４）を用い熱圧接して
接合させる（アウタリードボンディング工程）。

【００７０】これまでの工程により、第１及び第２の半
導体チップ３ａ，３ｂは、所定距離期間した状態でテー
プリード４２ａ，２２ａ（４２ｂ，２２ｂ）を介して各
リードフレーム４３ａ（４３ｂ）に接続される。

【００７１】続いて工程１１５において、図１０（Ｂ）
に示すとおり、テープリード４２ａ，２２ａ（４２ｂ，
４２ｂ）とリードフレーム４３ａ（４３ｂ）との間に接
着剤４４を塗布してこれらを固定する（接着剤塗布工
程）。接着剤４４としては、例えばポリイミド系、また
はエポキシ系の樹脂、或いはシリコン樹脂等からなるも
のが考えられるが、後に続くトランスファモールド工程
において加熱されても接着性が損なわれることのないも
のであれば良い。なお、図１０（Ａ）に示す実施例の場
合には、この接着剤塗布工程は省略される。

【００７２】以下に続くトランスファモールド工程（工
程１１６）、外部リードメッキ工程（工程１１７）、及
び外部リード整形工程（工程１１８）は前述の各工程１
０６，１０７，１０８と全く同様であり、ここではその
説明を省略する。以上の工程により、図９乃至図１０に
示す第３実施例の半導体装置４１が得られる。

【００７３】本実施例によれば、各半導体チップ３ａ，
３ｂ夫々の図中左右の端部の間に剛性の高いリードフレ
ーム４３ａ，４３ｂの一部が各テープリードと共に介在
する。このため、図１０（Ａ）の例では、トランスファ
モールド工程において各テープリードがモールド樹脂
（７）の注入圧力により各半導体チップが接近する方向
に変位しても、リードフレーム４３ａ（４３ｂ）の厚み
に規制されて各半導体チップが接触することがなく、ま
た各テープリードが他のテープリードに接触することも
ない。

【００７４】さらに、図１０（Ｂ）の例では、各テープ
リードはリードフレーム４３ａ（４３ｂ）に固定されて
いるため、トランスファモールド工程において各半導体
チップと各テープリードが変位することはなく、また、
剛性の高いリードフレーム４３ａ（４３ｂ）も変形する
ことがない。よって、各半導体チップ及び各テープリー
ドが互いに接触することがなく、電気的にショートする
ことがない。

【００７５】以上説明したように上記の各実施例によれ
ば、各半導体チップ及び各テープリードが電気的にショ
ートすることもなく１つのパッケージ内に２つの半導体
チップを配設して半導体装置の高密度実装が可能とな
る。また、パッケージ内に３つ以上の半導体チップを多
段に配設して封止することも考えられる。

【００７６】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、第１の半導
体チップと第２の半導体チップは、金型内にセットされ
てトランスファーモールドされても上記の各半導体チッ
プ間に介在する絶縁部材に保持されてモールド樹脂の注
入圧力によって変位することがないため導電部材、ある
いは各半導体チップが電気的にショートすることもな
く、半導体装置を高密度化できる特長がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の構成図である。

【図２】本発明の第１実施例の一変形例の要部の構成図
である。

【図３】図１及び図２の製造を説明するための図であ
る。

【図４】本発明の第２実施例の構成図である。

【図５】本発明の第２実施例の一変形例の構成図であ
る。

【図６】図４及び図５の製造工程図である。

【図７】図６を説明するための図（その１）である。

【図８】図６を説明するための図（その２）である。

【図９】本発明の第３実施例の構成図である。

【図１０】（Ａ）は本発明の第３実施例の要部の構成
図、（Ｂ）は本発明の第３実施例の一変形例の構成図で
ある。

【図１１】図１０（Ｂ）の製造工程図である。

【図１２】従来の半導体装置の一例の構成図である。

【図１３】図１２の製造を説明するための図である。

【符号の説明】

１，１１，２１，２６，４１半導体装置３ａ第１の半導体チップ３ａ′ 第１の半導体チップの表面３ａ′′ 第１の半導体チップの裏面３ｂ第２の半導体チップ３ｂ′ 第２の半導体チップの表面（一の面）５ａ，５ｂ，１５ａ，１５ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３
ａ，２３ｂ，４２ａ，４２ｂテープリード（導電部
材）７モールド樹脂（パッケージ）１２，１３サポートリング（絶縁部材）１２ａ突出部１３ａ橋部２４，２６ａ，２６ｂフィルム（絶縁部材）４３ａ，４３ｂリードフレーム（導電部材）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者五味幸雄神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも第１及び第２の半導体チップ
（３ａ，３ｂ）を含んでなるパッケージ（７）と、該第１及び第２の半導体チップ（３ａ，３ｂ）夫々の所
定の位置に電気的に接続されて該パッケージ（７）外部
と導通する導電部材（５ａ，５ｂ，１５ａ，１５ｂ，２
２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ）とを具備した半導体装
置において、該第１の半導体チップ（３ａ）と該第２の半導体チップ
（３ｂ）とが当接することなく、かつ、該導電部材（５
ａ，５ｂ，１５ａ，１５ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，
２３ｂ）が該第１及び第２の半導体チップ（３ａ，３
ｂ）夫々の前記所定の位置以外の位置と当接することが
ないよう該第１の半導体チップ（３ａ）と該第２の半導
体チップ（３ｂ）との間に介在する絶縁部材（１２，１
３，２４，２６ａ，２６ｂ）を具備したことを特徴とす
る半導体装置。
【請求項２】前記絶縁部材（１２，１３）は、前記第
１の半導体チップ（３ａ）と前記第２の半導体チップ
（３ｂ）との間に介在すると共に、前記導電部材（５
ａ，５ｂ，１５ａ，１５ｂ）が前記第１及び第２の半導
体チップ（３ａ，３ｂ）夫々の前記所定の位置に当接す
るよう前記導電部材（１５ａ，１５ｂ）に当接してこれ
を保持してなることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置。
【請求項３】前記第２の半導体チップ（３ｂ）の、前
記所定の位置を含み半導体回路が配設されてなる一の面
（３ｂ′）が、前記絶縁部材（１２，１３，２４，２６
ａ，２６ｂ）を介して前記第１の半導体チップ（３ａ）
のいずれかの面（３ａ′、３ａ′′）と対向するよう配
設されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。
【請求項４】前記絶縁部材（２４，２６ａ，２６ｂ）
はフィルム状の部材からなり、前記導電部材（２３ａ，
２３ｂ）の前記第１の半導体チップ（３ａ）と前記第２
の半導体チップ（３ｂ）との間に介在する部位に配設さ
れてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】少なくとも第１及び第２の半導体チップ
（３ａ，３ｂ）を含んでなるパッケージ（７）と、該第１及び第２の半導体チップ（３ａ，３ｂ）夫々の所
定の位置に電気的に接続されて該パッケージ（７）外部
と導通可能とされた導電部材（２２ａ，２２ｂ，４２
ａ，４２ｂ）とを具備した半導体装置において、該第１の半導体チップ（３ａ）と該第２の半導体チップ
（３ｂ）夫々の所定の位置に電気的に接続された該導電
部材（２２ａ，２２ｂ，４２ａ，４２ｂ）の一端を該第
１の半導体チップ（３ａ）と該第２の半導体チップ（３
ｂ）との間に介在させ、該第１の半導体チップ（３ａ）
と該第２の半導体チップ（３ｂ）とを該導電部材（２２
ａ，２２ｂ，４２ａ，４２ｂ）の厚さ寸法に応じた所定
距離離間させて配設したことを特徴とする半導体装置。