JPH0638559B2 - 高周波回路基板の接続構造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は２枚の高周波回路基板を接続し、かつ高周波部
分をシールドする接続構造に関する。

〔従来の技術〕

従来、異なる寸法の高周波回路基板を接続し、かつその
高周波部分をシールドする構造として、第４図及び第５
図に示す構造が採用されている。この構造は、第４図の
ように、第１の高周波回路基板１上に第２の高周波回基
板２を搭載し、かつこの第２の高周波回路基板２の高周
波部分をシールドカバー３で遮蔽する構成となってい
る。そして、この構造では第４図のＢ−Ｂ線断面及びＣ
−Ｃ線断面を夫々第５図（ａ）及び第５図（ｂ）に示す
ように、シールドカバー３の四隅に内側突片３１を設
け、この内側突片３１において第１及び第２の高周波回
路基板１，２及びシールドカバー３をねじ４により一体
的に固定することにより、各基板１，２のグランドパタ
ーンを相互に接続させ、かつこのグランドパターンにシ
ールドカバー３を接続させる構成となっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の接続構造では、シールドカバー３の四隅
においては各基板１，２及びシールドカバー３がねじ４
により強固に接続されるが、中間の辺部においては、第
５図（ｂ）のように各基板１，２とシールドカバー３の
各縁部が単に接触するのみである。このため、これら辺
部における接続性が低下され、かつシールド効果が低下
され易いという問題がある。

これを改善するためには、各基板１，２やシールドカバ
ー３の接触部分に広い面積のグランドパターン部を設け
る対策、或いは接触部に半田を施す対策、更にはねじ４
の本数を増やして中間辺部においてもねじ固定を行う対
策等がとられている。しかしながら、この対策では、グ
ランドパターンを設けることにより回路基板のデッドス
ペースが増大し、高集積化に不利となる。また、半田を
施したり、ねじ数を増やすことは、上記デッドスペース
の増大とともに作業工数を増加して作業効率を低下させ
るという問題も生ずる。

本発明は上述した問題を解消し、シールド効果が高く、
しかも高集積化に有利な高周波回路基板の接続構造を提
供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の高周波回路基板の接続構造は、第１の高周波回
路基板と、この上に搭載される第２の高周波回路基板
と、この第２の高周波回路基板上に被せられ、かつその
四隅において前記第１及び第２の高周波回路基板を貫通
するねじによりこれら基板に締結固定されるシールドカ
バーと、このシールドカバーと第２の高周波回路基板と
の間に介挿される金属製のシールド板とを備えており、
シールド板はその四辺部を階段状に折曲げ加工するとと
もに、この四辺部をシールドカバーと第２の高周波回路
基板との間で挟持されるように配設し、かつ四辺部の先
端を第１の高周波回路基板に設けたグランドパターンに
接触させるように構成している。

〔作用〕

上述した構成では、シールド板の四辺部がシールドカバ
ーと第２の高周波回路基板との間に挟持されることでこ
れらの間の接触を良好にしてシールド効果を高め、かつ
シールド板の四辺部の先端を第１の高周波回路基板のグ
ランドパターンに接触させることで第１及び第２の高周
波回路基板の相互グランド接触をも改善する。

〔実施例〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の一部破断斜視図、第２図は
そのＡ−Ａ線に沿う断面図である。これらの図におい
て、１は比較的大きな寸法の第１の高周波回路基板であ
り、その中央部には穴１１が開設され、かつ上面には穴
１１の周辺位置にグランドパターン１２を形成してい
る。また、２はこれよりも小さい寸法をした第２の高周
波回路基板であり、その上面の周辺部にはグランドパタ
ーン２１を形成し、また図示は省略するが下面の周辺部
にもグランドパターン２２を形成している。更に、３は
金属等の導電性部材からなるシールドカバーであり、逆
容器状に形成され、その四隅には内側突片３１を有して
いる。そして、このシールドカバー３は、前記第１の高
周波回路基板１上に搭載された第２の高周波回路基板２
上に被せられ、四隅の内側突片３１において前記第１及
び第２の各高周波回路基板１，２を貫通するねじ４によ
って締結固定される。

ここで、前記シールドカバー３の内側には、第３図に示
すシールド板５が介挿されている。このシールド板５
は、若干のばね性を有する金属板を打抜き，折曲げ加工
して、略シールドカバー３に近い箱型形状とし、更にそ
の四隅部を削除するとともに、四辺部５１を階段状に曲
げ形成し、この四辺部５１を周辺方向及び下方に向けて
突出させている。

そして、このシールド板５を前記シールドカバー３と第
２の高周波回路基板２との間に介挿し、四辺部５１がシ
ールドカバー３の四辺部と第２の高周波回路基板２との
間に挟持されるようにして前記ねじ４により締結を行っ
ている。

この構成によれば、シールド板５は四辺部５１がシール
ドカバー３と第２高周波回路基板２との間に挟持される
ことにより、シールドカバー３と第２高周波回路基板２
のグランドパターン２１とをその四辺部５１に置いて電
気的に接触させ、シールド効果を高めることができる。
また、この四辺部５１の下側先端は第１の高周波回路基
板１のグランドパターン１２にも接触し、第１及び第２
の各高周波回路基板１，２間におけるグランド接触をも
良好なものとする。

したがって、ねじ４による締結がシールドかバー３の四
隅のみに限定されていても、周辺部において良好なグラ
ンド接触を確保でき、第１及び第２の高周波回路基板
１，２間はもとより、第２の高周波回路基板２とシール
ドカバー３との間のシールド効果を高めることができ
る。これにより、グランドパターンの拡大や半田付け、
更にはねじを増加する等の対策をとる必要はなく、高集
積化を可能としかつ作業効率の低下が防止できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、シールドカバーと第２の
高周波回路基板との間にシールド板を介挿し、このシー
ルド板の四辺部をシールドカバーと第２の高周波回路基
板との間で挟持させ、かつその先端を第１の高周波回路
基板のグランドパターンに接触させているので、シール
ドカバーと第２の高周波回路基板との間のシールド効果
を高めるとともに、第１及び第２の高周波回路基板の相
互グランド接触をも改善し、シールド効果を向上でき
る。また、シールドカバーを四隅でねじ締結するだけで
も十分なシールド効果が得られるので、グランドパター
ンの拡大や半田付け及びねじ数の増加を行う必要がな
く、作業効率を改善できる効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の一部破断斜視図、第２図は
第１図のＡ−Ａ線に沿う縦断面図、第３図はシールド板
の斜視図、第４図は従来の高周波回路基板接続構造の斜
視図、第５図（ａ）及び（ｂ）は夫々第４図のＢ−Ｂ
線，Ｃ−Ｃ線に沿う縦断面図である。 １……第１の高周波回路基板、２……第２の高周波回路
基板、３……シールドカバー、４……ねじ、５……シー
ルド板、１１……穴、１２……グランドパターン、２１
……グランドパターン、３１……内側突片、５１……四
辺部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１の高周波回路基板と、この上に搭載さ
   れる第２の高周波回路基板と、この第２の高周波回路基
   板上に被せられ、かつその四隅において前記第１及び第
   ２の高周波回路基板を貫通するねじによりこれら基板に
   締結固定されるシールドカバーと、このシールドカバー
   と第２の高周波回路基板との間に介挿される金属製のシ
   ールド板とを備え、このシールド板はその四辺部を階段
   状に折曲げ加工するとともに、この四辺部をシールドカ
   バーと第２の高周波回路基板との間で挟持されるように
   配設し、かつ四辺部の先端を第１の高周波回路基板に設
   けたグランドパターンに接触させるように構成したこと
   を特徴とする高周波回路基板の接続構造。