JPH0638467B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

Info

Publication number
JPH0638467B2
JPH0638467B2 JP60191943A JP19194385A JPH0638467B2 JP H0638467 B2 JPH0638467 B2 JP H0638467B2 JP 60191943 A JP60191943 A JP 60191943A JP 19194385 A JP19194385 A JP 19194385A JP H0638467 B2 JPH0638467 B2 JP H0638467B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
analog
circuit section
digital
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60191943A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6252955A (ja
Inventor
史郎 黛
幸則 北村
節生 小倉
日出夫 宮崎
和幸 亀垣
幸一 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60191943A priority Critical patent/JPH0638467B2/ja
Priority to KR1019860007067A priority patent/KR940007465B1/ko
Publication of JPS6252955A publication Critical patent/JPS6252955A/ja
Publication of JPH0638467B2 publication Critical patent/JPH0638467B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、半導体集積回路装置技術さらにはアナログ
/デジタル混在型半導体集積回路装置に適用して特に有
効な技術に関するもので、例えばデジタル素子としての
IIL(インテグレーテッド・インジェクション・ロジ
ック)がリニア素子とともに形成されたアナログ/デジ
タル混在型LSI(大規模半導体集積回路装置)に利用
して有効な技術に関するものである。
〔背景技術〕
半導体集積回路装置、特に民生用のLSIには、例え
ば、日経マグロウヒル社刊行「日経エレクトロニクス
1982年3月29日号No.287」120〜151頁
(論文:民生用アナログLSIの集積度を高める)に記
載されているように、同一の半導体回路基板にデジタル
回路部とアナログ回路部とが一緒に形成された、いわゆ
るアノログ/デジタル混合型のものが多い。
ところで、このアナログ/デジタル混在型半導体集積回
路装置では、アナログとデジタルの2種類の回路が一緒
に形成されているために、その構成に不規則な要因が多
く、このことが、この種の半導体集積回路装置の構成を
複雑にし、かつその設計を面倒かつ困難なものにしてい
た。特に、この種のアナログ/デジタル混在型半導体集
積回路装置では、主電源(Vcc:一般には約5V)の
ほかに、各種の基準電源あるいはバイアス電源が使用さ
れる。このため、その複数種類の電源をそれぞれに必要
箇所に供給するための電源配線は、非常に不規則な状態
を呈していた。この不規則性は半導体集積回路装置にお
けるレイアウトの最適化を困難にする。そして、このこ
とが半導体集積回路装置の実質的な集積度の向上を妨げ
る大きな阻害要因の一つとなる、という問題点が本発明
者らによって明らかとされた。
また、規則性を欠いた電源配線は、例えば直列に寄生す
るインピーダンスが大きくなったり、あるいはその電源
配線が一種のアンテナとなって無用な雑音を拾ったりす
るなど、予想外のトラブルの原因にもなりやすい、とい
う問題点があることも本発明者らによって明らかとされ
た。
〔発明の目的〕
この発明の目的は、アナログ/デジタル混在型の半導体
集積回路装置にあって、その電源配線の規則性を高める
ことにより、レイアウトの最適化をはかれるようにし、
これにより、集積度の向上、設計の高能率、高信頼化、
低コスト化などを可能にする技術を提供することにあ
る。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものを簡単
に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、デジタル部の回りにアナログ部を配置すると
ともに、デジタル部とアナログ部の間に沿って電源幹線
を配置することにより、電源関係の配線の基礎性を高
め、これによりレイアウトの最適化をはかれるようにし
て、集積度の向上、設計の高能率化、高信頼化、低コス
ト化などを行えるようにする、という目的を達成するも
のである。
〔実施例〕
以下、この発明の代表的な実施例を図面を参照しながら
説明する。
なお、図面において同一符号は同一あるいは相当部分を
示す。
第1図はこの発明が適用された半導体集積回路装置の一
実施例を示す。
同図に示す半導体集積回路装置は、同一の半導体基板1
にデジタル回路部3とアナログ回路部4とが一緒に形成
されたアナログ/デジタル混在型の半導体集積回路装置
であって、上記半導体基板1の中央部にデジタル回路部
3が、その周辺部にアナログ回路部4がそれぞれ配置さ
れている。さらに、アナログ部4の外側には多数の端子
パッド2が配置されている。
これとともに、デジタル回路部3とアナログ回路部4と
の間の環状部分に沿って、複数の電源幹線L1,L2,
L3が同心環状に配設されている。そして、この電源幹
線L1,L2,L3を通して、デジタル部3とアナログ
部4にそれぞれ電源が分配されるようになっている。
ここで、上記電源幹線L1,L2,L3には、約+5V
の主電源Vcc、この主電源Vccに対して1/2の電
圧をもつ副電源Vcc/2、および基準バイアス電源V
Bが接続される。主電源Vccおよび副電源Vcc/2
はそれぞれ端子パッド2,2を介して外部から与えられ
る。基準バイアス電源VBは、アナログ部4に形成され
た基準バイアス電源発生回路41から与えられる。さら
に、上記複数の電源幹線L1,L2,L3は、主電源V
ccが接続される電源幹線L1、副電源Vcc/2が接
続される電源幹線L2、基準バイアス電源VBが接続さ
れる電源幹線L3の順で、内側から外側に配置されてい
る。つまり、通過電流が多くて最も低インピーダンスで
あることを要求される電源幹線L1が最内側に配置さ
れ、以下通過電流の多い順に内側に配置されている。こ
れにより、低インピーダンスを要求されるものほど、そ
の配線距離を短くして直列の寄生インピーダンスが少な
くなるようにしている。
第2図は上記電源幹線L1,L2,L3の部分を取り出
して示す。
同図に示すように、上記複数の電源幹線L1,L2,L
3はそれぞれ多層配線の2層目に形成される。そして、
それぞれにスルーホールTHを介してデジタル部3ある
いはアナログ部4の電源必要箇所への分岐配線(第3図
参照)が形成されるようになっている。また、外側から
2列目の電源幹線L2は、スルーホールTHと1層目の
配線L21によって、最外側の電源幹線L3をくぐって
端子パッド2に接続されている。
第3図は上記電源幹線の一つ(L1)を取り出して示
す。
例えば同図に示す電源幹線L1には、ところどころにス
ルーホールTHが設けられ、このスルーホールTHを介
して1層目の配線L12,L13が接続されている。そ
して、この1層目の配線L12,L13によって、デジ
タル部3およびアナログ部4への分岐配線が、スルーホ
ールTHごとにそれぞれに構成されている。これによ
り、その電源幹線L1から、デジタル部3およびアナロ
グ部4のそれぞれの電源必要箇所に対して、電源の供給
を整然と行わせることができるようになっている。他の
電源幹線L2,L3についても同様である。
以上のように、電源幹線L1,L2,L3をデジタル部
3とアナログ部4の間に沿って同心環状に配置すること
により、電源関係の配線がレイアウト的に規則化され、
これによって電源配線の整然化および設計の高能率化が
達成されるようになる。
また、その電源幹線L1,L2,L3は、デジタル部3
とアナログ部4の間に沿って環状に配置されているか
ら、いずれの側にも最短距離で電源を供給することがで
きる。これにより、直列に寄生するインピーダンスによ
るトラブルを未然に予防するための対策がとりやすくな
って、信頼性の向上がはかれるようになる。
さらに、それらの電源幹線L1,L2,L3が配置され
る環状の領域の下地部分は、デジタル部3とアナログ部
4との間の動作干渉を防ぐための緩衝帯として有効に利
用することができる。これらにより、実質的な集積度が
高められて、低コスト化が可能になる。
〔効 果〕
(1)デジタル部の回りにアナログ部を配置するととも
に、デジタル部とアナログ部の間に沿って電源幹線を配
置することにより、電源関係の配線の規則性を高め、こ
れによりレイアウトの最適化をはかることができるよう
になって、集積度の向上、設計の高能率化、高信頼化、
低コスト化などが可能になる、という効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、上記の複数の
電源幹線L1,L2,L3は、互いに異なる配線層に上
下に重なり合って配置される構成であってもよい。
〔利用分野〕
以上、本発明者によってなされた発明をその背景となっ
た利用分野であるバイポーラ型のアナログ/デジタル混
在型半導体集積回路装置に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、例えばMOS型
のアナログ/デジタル混在型半導体集積回路装置あるい
はバイポーラ/MOS混在型の半導体集積回路装置など
にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明が適用された半導体集積回路装置のレ
イアウト構成の一実施例を示す図、 第2図は電源幹線部分を取り出して示す図、 第3図は電源幹線の一つを取り出して示す図である。 1……半導体基板、2……端子パッド、3……デジタル
部、4……アナログ部、1,L2,L3……電源幹線、
TH……スルーホール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小倉 節生 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会社 日立製作所高崎工場内 (72)発明者 宮崎 日出夫 東京都千代田区丸の内1丁目5番1号 株 式会社日立製作所内 (72)発明者 亀垣 和幸 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会社 日立製作所高崎工場内 (72)発明者 山崎 幸一 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会社 日立製作所高崎工場内 (56)参考文献 特開 昭56−137666(JP,A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】同一の半導体基板にデジタル回路部とアナ
    ログ回路部とが形成された半導体集積回路装置であっ
    て、上記半導体基板の中央部にデジタル回路部が、その
    周辺部にアナログ回路部がそれぞれ配置されるととも
    に、デジタル回路部とアナログ回路部との間にこのデジ
    タル回路部の周囲に沿って複数の電源幹線が、同心環状
    に低インピーダンスを要求されるものを内側に配置し、
    この電源幹線からデジタル回路部とアナログ回路部にそ
    れぞれ、電源幹線よりも下層の配線層で、電源が分配さ
    れたことを特徴とする半導体集積回路装置。
JP60191943A 1985-09-02 1985-09-02 半導体集積回路装置 Expired - Lifetime JPH0638467B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60191943A JPH0638467B2 (ja) 1985-09-02 1985-09-02 半導体集積回路装置
KR1019860007067A KR940007465B1 (ko) 1985-09-02 1986-08-26 반도체장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60191943A JPH0638467B2 (ja) 1985-09-02 1985-09-02 半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6252955A JPS6252955A (ja) 1987-03-07
JPH0638467B2 true JPH0638467B2 (ja) 1994-05-18

Family

ID=16283036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60191943A Expired - Lifetime JPH0638467B2 (ja) 1985-09-02 1985-09-02 半導体集積回路装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH0638467B2 (ja)
KR (1) KR940007465B1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4926066A (en) * 1988-09-12 1990-05-15 Motorola Inc. Clock distribution circuit having minimal skew
JPH02137360A (ja) * 1988-11-18 1990-05-25 Nec Corp 半導体装置
US6219909B1 (en) 1990-11-28 2001-04-24 Hitachi, Ltd. Method of mounting disk drive apparatus

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56137666A (en) * 1980-03-31 1981-10-27 Hitachi Ltd Integrated circuit for combustion control

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6252955A (ja) 1987-03-07
KR870003570A (ko) 1987-04-18
KR940007465B1 (ko) 1994-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0638467B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP3137413B2 (ja) セミカスタム集積回路
KR930009022B1 (ko) 반도체장치
JP2917703B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH1098108A (ja) 半導体装置
JP2619119B2 (ja) 半導体集積回路
JPH04349640A (ja) アナログ・デジタル混在集積回路装置実装体
JP2890269B2 (ja) 半導体装置
JPH0590427A (ja) 半導体集積回路装置
JPS63143843A (ja) 半導体集積回路電源配線装置
JPH09246476A (ja) 半導体集積回路の電源線及びそのレイアウト方法
JPS6112056A (ja) 半導体装置
JP3464802B2 (ja) セミカスタム集積回路
JPH04239758A (ja) 半導体集積回路装置
JP3184384B2 (ja) 半導体装置
JPH01171262A (ja) 半導体集積回路
JPS6146050A (ja) 半導体集積回路装置
JP2878765B2 (ja) 半導体装置
JP3052374B2 (ja) Cmos集積回路のレイアウト方法
JPH09148545A (ja) 半導体装置
JPH0555531A (ja) 半導体集積回路装置
JPS61269354A (ja) 半導体集積回路装置
JPH02170461A (ja) 半導体集積回路装置
JPH05167014A (ja) 半導体集積回路
JPH05102310A (ja) 半導体集積回路における入出力バツフアーセル