JPH06333988A - ボンディングツ−ルおよびボンディング方法 - Google Patents

ボンディングツ−ルおよびボンディング方法

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Publication number
JPH06333988A
JPH06333988A JP11824193A JP11824193A JPH06333988A JP H06333988 A JPH06333988 A JP H06333988A JP 11824193 A JP11824193 A JP 11824193A JP 11824193 A JP11824193 A JP 11824193A JP H06333988 A JPH06333988 A JP H06333988A
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JP
Japan
Prior art keywords
bonding
lead
guide grooves
bonding tool
pressing surface
Prior art date
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Application number
JP11824193A
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English (en)
Inventor
Tetsuo Ando
鉄男 安藤
Ikuo Mori
郁夫 森
Taizo Tomioka
泰造 冨岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 リ−ドと被ボンディング部位とが互いにずれ
ている場合であっても、両者を確実に接続することがで
きるボンディングツ−ルを提供することを目的とする。 【構成】 押圧面11aでリ−ドを一本ずつ被ボンディ
ング部位に押し付けて接合させるボンディングツ−ル1
0であって、上記押圧面11aには、互いに隣接して設
けられ上記リ−ドをこの押圧面10aの中央部に位置決
め保持するための円弧状の2本第1のガイド溝12と、
この第1のガイド溝12に直交して設けられ互いに隣接
する2本の第2のガイド溝14とが形成されているもの
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、半導体チッ
プの各電極パッドと、フィルムキャリアの各インナ−リ
−ドとを一組ずつ個別に接合するボンディングツ−ルお
よびボンディング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体回路の高密度化、高集積化
に伴い、半導体パッケ−ジに搭載される半導体チップは
ますます多端子、狭ピッチ化の傾向を強めている。この
ような傾向に対応するため、多数かつ狭ピッチで設けら
れたリ−ドと、これに対応する被ボンディング部位とを
確実かつ均一に接続するためのボンディング方法として
シングルポイントボンディング方法が考案されている。
【0003】このシングルポイントボンディング方法
は、具体的には、例えば図6に示すようなインナ−リ−
ドボンディング装置に適用される。このインナ−リ−ド
ボンディング装置は、針状のボンディングツ−ル1を用
いて、フィルムキャリア2からXY方向に延出された複
数のインナ−リ−ド3(リ−ド)と、半導体チップ4の
外周縁に設けられた複数の電極パッド5(被ボンディン
グ部位)とを一組ずつ個別に接続(シングルポイントボ
ンディング)していく。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したシ
ングルポイントボンディング方法では、半導体チップの
高機能化に対する対策として、ボンディングの温度を低
くして、代わりに上記ボンディングツ−ル1を超音波振
動させ、インナ−リ−ド3と電極パッド5の接合部に超
音波エネルギを印加するようにしている。
【0005】すなわち、図6に示すように、上記ボンデ
ィングツ−ル1は、図示しない超音波発振源に接続され
た超音波ホ−ン6の先端部に保持され、上記インナ−リ
−ド3と電極パッド5とを接合する際には、上記超音波
振動源を作動させることで上記インナ−リ−ド3を超音
波振動させ、接合部に超音波エネルギを印加するように
なっている。
【0006】ところが、このようなボンディング方法で
は、ボンディング中に上記ボンディングツ−ルが超音波
振動するために、この振動によって上記インナ−リ−ド
3が上記ボンディングツ−ル1の押圧面の中央部からず
れることがある。インナ−リ−ド3がずれると、接合強
度が弱くなったりそのインナ−リ−ド3が隣合うインナ
−リ−ド3や電極パッド5と接触して導電不良を起こす
恐れがある。
【0007】特に、上記インナ−リ−ド3と電極パッド
5との位置合わせが最初からずれていて、上記ボンディ
ングツ−ル1の押圧面の中央部で上記インナ−リ−ド3
を保持していない場合には、この恐れはさらに強くな
る。
【0008】この発明は、このような事情に鑑みて成さ
れたもので、リ−ドと被ボンディング部位とが互いにず
れている場合であっても、両者を確実に接続することが
できるボンディングツ−ルおよびボンディング方法を提
供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の手段
は、押圧面でリ−ドを一本ずつ被ボンディング部位に押
し付けて接合させるボンディングツ−ルであって、上記
押圧面には、互いに平行に形成された複数本のガイド溝
と、これら互いに隣接する複数本のガイド溝間に形成さ
れた凸部とを具備することを特徴とするボンディングツ
−ルである。
【0010】第2の手段は、押圧面でリ−ドを一本ずつ
被ボンディング部位に押し付けて接合させるボンディン
グツ−ルであって、上記押圧面には、互いに平行に形成
された複数本の第1のガイド溝と、この複数本の第1の
ガイド溝と交差しかつ互いに平行に形成された複数本の
第2のガイド溝と、これら互いに隣接する複数本の第
1、第2のガイド溝間に形成された凸部とを具備するこ
とを特徴とするボンディングツ−ルである。
【0011】第3の手段は、リ−ドをこのリ−ドに対応
する被ボンディング部位に押し付けて一本ずつ接合する
ボンディング方法において、上記リ−ドを押し付ける押
圧面に、互いに平行に形成された複数本のガイド溝と、
これらの互いに隣接するガイド溝間に形成された凸部と
を具備するボンディングツ−ルを用い、上記リ−ドを上
記ガイド溝でガイド保持すると共に上記凸部を用いて上
記リ−ドを被ボンディング部位に押圧することを特徴と
するボンディング方法である。
【0012】第4の手段は、リ−ドをこのリ−ドに対応
する被ボンディング部位に押し付けて一本ずつ接合する
ボンディング方法において、上記リ−ドを押し付ける押
圧面に、互いに平行に形成された複数本の第1のガイド
溝と、この複数本の第1のガイド溝と交差しかつ互いに
平行に形成された複数本の第2のガイド溝と、これら互
いに隣接する複数本の第1、第2のガイド溝間に形成さ
れた凸部とを具備するボンディングツ−ルを用い、上記
リ−ドを上記第1あるいは第2のガイド溝でガイド保持
すると共に上記凸部を用いて上記リ−ドを被ボンディン
グ部位に押圧することを特徴とするボンディング方法で
ある。
【0013】
【作用】このような構成によれば、隣接する複数本のガ
イド溝の内面で、リ−ドを押圧面の中央部に案内し、か
つ上記複数本のガイド溝間に設けられた凸部で上記リ−
ドを被ボンディング部位に対して効果的に押圧し接合す
ることができる。
【0014】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。なお、従来例と同一の構成要素には同一記号
を付してその説明は省略する。半導体パッケ−ジには、
X方向(Y方向)に沿う2方向にのみリ−ドが延出され
るものと、XY方向に沿う4方向にリ−ドが延出される
ものとがある。
【0015】第1の実施例では、XY方向に沿う4方向
にリ−ドが延出された半導体パッケ−ジを製造する場合
に用いるボンディングツ−ルについて説明する。図1
(b)は、このボンディングツ−ル10の下端部を下方
から見た状態を示す斜視図である。
【0016】このボンディングツ−ル10は、下端面を
押圧面11aとするツ−ル本体11を有する。このツ−
ル本体11は、断面正方形の角錐状のもので、上記押圧
面11aに向かって次第に細くなるように形成されてい
る。そして、このツ−ル本体11の押圧面11aには、
互いに直交する第1、第2のガイド溝12、14が形成
されている。
【0017】次に、このボンディングツ−ル10の詳細
な構成をその製造方法と共に説明する。まず、押圧面1
1aが略平坦に形成されてなるツ−ル本体11を用意す
る。そして、上記押圧面11aに、図1(a)に示すよ
うに、この押圧面11aのX方向中央部で互いに隣接す
る断面円弧状の2本の第1のガイド溝12、12をY方
向に沿って形成する。この第1のガイド溝12は、例え
ば放電加工の技術によって形成する。
【0018】図2に示すように、例えば、幅寸法LL
40μm、高さ寸法HL =35μm、ピッチPL =90
μmで設けられたリ−ド3をボンディングするボンディ
ングツ−ルを製造する場合には、例えばツ−ル本体11
として押圧面11aの幅LT が100μmであるものを
用いる。そして、上記第1のガイド溝12は直径R=5
0μmのワイヤを用いて、この押圧面11a内の幅LC
70μmの間に2本形成するようにする。
【0019】したがって、この押圧面11aのX方向中
央部には、上記2本の第1のガイド溝12同士が重なり
合うことによって、Y方向に沿う直線状の頂を有する突
起16(凸部)が形成される。このとき、この突起16
の高さ寸法HT は約20μmとなり、この第1のガイド
溝12の深さ寸法よりも小さくなる。
【0020】ついで、上記ツ−ル本体11の押圧面11
aに、図1(b)に示すように、この押圧面11aのY
方向中央部で互いに隣接する2本の第2のガイド溝1
4、14をX方向に沿って形成する。この第2のガイド
溝14は、上記第1のガイド溝12と略同じ形状および
寸法で、同様に例えば放電加工の技術により形成する。
【0021】このことで、同図(b)に示すような押圧
面11aを有するボンディングツ−ルを得ることができ
る。すなわち、上記第1、第2のガイド溝12、14の
円弧状の内面によって、リ−ドをガイド保持するガイド
面が構成されると共に、この押圧面11aの中心には横
断面十字状の高さ20μmの突起17(凸部)が形成さ
れることとなる。
【0022】次に、このボンディングツ−ル10を例え
ば図6を引用して示すインナ−リ−ドボンディング装置
に適用した例でその作用を説明する。上記ボンディング
ツ−ル10は、超音波ホ−ン6の先端部に、従来例のボ
ンディングツ−ル1と同様に、軸線を垂直にして取り付
けられる。このとき、上記ボンディングツ−ルは、上記
第1のガイド溝12をY方向に一致させ、上記第2のガ
イド溝14をX方向に一致させた状態で取り付けるよう
にする。
【0023】このことで、上記第1、第2のガイド溝1
2、14は、半導体チップ4にインナ−リ−ドボンディ
ングするインナリ−ド3の延出方向(XY方向)に一致
する。
【0024】次に、このインナ−リ−ドボンディング装
置の動作を説明する。まず、このインナ−リ−ドボンデ
ィング装置は、上記半導体チップ4をフィルムキャリア
2の下側に対向位置決めし、この半導体チップ4に設け
られた各電極パッド5…を上記フィルムキャリア2のイ
ンナ−リ−ド3…の下面に当接させる。
【0025】ついで、このインナ−リ−ドボンディング
装置は、図3(a)に示すように、上記ボンディングツ
−ル10の押圧面11aを例えばY方向に延出された所
定のインナ−リ−ド3の上方に対向位置決めする。そし
て、このボンディングツ−ル10を下降させる。
【0026】下降してきたボンディングツ−ル10は図
3(b)に示すように、上記電極パッド5上のインナ−
リ−ド3を、上記2本の第1のガイド溝12の内面で保
持する。
【0027】図3(a)、(b)に示すように、このイ
ンナ−リ−ド3と電極パッド5との位置合わせにずれが
ある場合は、このインナ−リ−ド3はボンディングツ−
ル10の下降にしたがって上記第1、第2のガイド溝1
2、13の円弧状の内面に沿って上記押圧面11aの中
央部に案内され、そのずれが修正される。
【0028】そして、さらに上記ボンディングツ−ル1
0を下降させると、図3(c)に示すように、上記加圧
面11aの中央に設けられた突起17が上記インナ−リ
−ド3の上面に当接し、食い込んで、このインナ−リ−
ド3を上記電極パッド5に効果的に押し付ける。
【0029】上記インナ−リ−ドボンディング装置は、
この状態で、図示しない超音波振動源を作動させ、上記
ボンディングツ−ル10に超音波振動を印加する。この
ことで、上記インナ−リ−ド3と上記電極パッド5は超
音波エネルギおよび熱エネルギによって互いに接合され
る。
【0030】上記突起17は横断面十字状であるから、
上記インナリ−ド3を確実に保持することができ、上記
インナ−リ−ド3と電極パッド5との接合部に超音波エ
ネルギを効果的に印加することができる。
【0031】1組のインナ−リ−ド3と電極パッド5が
接合されたならば、上記インナ−リ−ドボンディング装
置は、上記ボンディングツ−ル10を上昇させると共
に、このボンディングツ−ル10をX方向に移動させ、
隣に位置するインナリ−ド3および電極パッド5の上方
に対向位置決めする。ついで、このインナ−リ−ドボン
ディング装置は、図3(a)〜(c)に示す動作を繰り
返し、Y方向に沿って延出された各インナ−リ−ド3…
と各電極パッド5…とを1組ずつ個別に順次シングルポ
イントボンディングしていく。
【0032】ついで、このインナ−リ−ド装置は、X方
向に延出されたインナ−リ−ド3…についても同様の動
作により、各インナ−リ−ド3と電極パッド5とを一組
ずつ個別にシングルポイントボンディングしていく。
【0033】ただし、この場合、上記第1のガイド溝1
2と直交する第2のガイド溝14を用いて上記インナ−
リ−ド3をガイド保持し、シングルポイントボンディン
グを行うようにする。
【0034】このようにして、上記半導体チップ4の各
電極パッド5…とフィルムキャリア2の各インナ−リ−
ド3…とが接合されたならば、この半導体チップ4およ
びインナ−リ−ド3は上記フィルムキャリア2から打ち
ぬかれて、TAB部品19(図4に示す)としてアウタ
リ−ドボンディング装置に送られる。
【0035】このアウタリ−ドボンディング装置にも、
上記ボンディングツ−ル10を適用することができる。
すなわち、上記アウタリ−ドボンディング装置は、図4
に示すように、上記ボンディングツ−ル10を、超音波
ホ−ン20の先端部に保持する。
【0036】このボンディングツ−ル10の下方には、
上記TAB部品19が基板21上に載置された状態で供
給される。このアウタリ−ドボンディング装置は、上述
のインナ−リ−ドボンディング装置と同様の動作で、上
記TAB部品19の各アウタリ−ド22…(リ−ド)
と、基板21の各端子23…(被ボンディング部位)と
を一組ずつ個別に接合していくのである。
【0037】このような構成によれば、以下に説明する
効果がある。第1に、インナ−リ−ド3やアウタリ−ド
22(リ−ド)が、上記電極パッド5や端子23(被ボ
ンディング部位)からずれている場合であっても、押圧
面11aに設けられた第1、第2の11、14で上記イ
ンナ−リ−ド3やアウタリ−ド22をガイド保持し、上
記電極パッド5や端子23の中央部に案内することがで
きる。
【0038】このことにより、上記リ−ド(インナ−リ
−ド3、アウタリ−ド22)に加工誤差があったり、こ
のリ−ドと被ボンディング部位(電極パッド5、端子2
3)の位置決めに誤差がある場合でも、上記リ−ドの姿
勢を修正して上記被ボンディング部位に対向させること
ができると共に、ボンディング中に上記リ−ドがこのボ
ンディングツ−ル10の押圧面11aからずれることが
少ないという効果がある。
【0039】第2に、このボンディングツ−ル10は、
押圧面11aに互いに隣接、交差する第1、第2のガイ
ド溝12、14をXY方向に放電加工するのみで形成で
き、製造が容易である。
【0040】また、このような第1、第2のガイド溝1
2、14を成形することで、押圧面11aの中央に横断
面十字状の突起17を形成することができる。この突起
17は、横断面十字状であるから、上記リ−ドを確実に
捕え、このリ−ドと被ボンディング部位との接合部に超
音波エネルギを効果的に印加することができる。
【0041】このことにより、より良好なシングルポイ
ントボンディングを行える効果がある。次に、第2の実
施例について図5を参照して説明する。
【0042】このボンディングツ−ル10´は、上記第
1の実施例と同様にXY方向に沿う4方向にリ−ドが延
出されてなる半導体パッケ−ジを製造する場合に用いる
ツ−ルであり、同図(b)に示すようにツ−ル本体11
の押圧面11aには、互いに隣接する3本の第1のガイ
ド溝25…がY方向に、この第1のガイド溝と直交して
設けられかつ互いに隣接する3本の第2のガイド溝28
…がX方向にそれぞれ形成されている。
【0043】次に、このボンディングツ−ル10´の製
造方法について説明する。まず、上記第1の実施例と同
様に、押圧面11aが略平坦に形成されてなるツ−ル本
体11を用意する。ついで、図5(a)に示すように、
このツ−ル本体11の押圧面11aに、Y方向に沿う第
1のガイド溝25…を互いに隣接させた状態で形成す
る。この第1のガイド溝25は、上記第1の実施例の第
1のガイド溝12と略同じ寸法で例えば放電加工の技術
によって成形される。
【0044】また、この第1のガイド溝25…の隣接部
には、Y方向に沿う直線状の頂を有する2つ突起32
(凸部)が形成される。この突起32の高さ寸法は、上
記第1の実施例と同様に、上記第1のガイド溝25の深
さ寸法よりも小さく設定される。
【0045】ついで、上記押圧面11aにX方向に沿う
第2のガイド溝28…を互いに隣接させた状態で形成す
る。この第2のガイド溝28は、上記第1のガイド溝2
5と略同じ形状で、例えば放電加工により形成される。
このことで、図5(b)に示す押圧面11aを有するボ
ンディングツ−ル10´を得ることができる。
【0046】すなわち、この押圧面11aには、上記第
1、第2のガイド溝25…、28…の内面によってリ−
ドをガイドするガイド面が形成され、この押圧面11a
の中央部には、上記第1、第2のガイド溝25、28の
隣接部および直交部によって横断面十字状の突起33
(凸部)が4つ形成される。
【0047】このボンディングツ−ル10´を用いて、
インナ−リ−ドボンディングやアウタリ−ドボンディン
グを行う場合には、上記第1の実施例と同様の動作によ
って行うようにする。
【0048】そして、このようなボンディングツ−ル1
0´によれば、上記第1の実施例と略同様の効果を得る
ことができる。また、このボンディングツ−ル10´に
よれば、押圧面11aに複数の突起33が形成されるこ
とになるので、上記リ−ドをより均一に押圧することが
でき、上記リ−ドと被ボンディング部位との接合をより
確実かつ均一に行うことができる効果がある。
【0049】なお、この発明は、上記一実施例に限定さ
れるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々
変形可能である。例えば、上記一実施例では、互いに隣
接して設けられたガイド溝が2本あるいは3本のもので
あったが、これに限定されるものではなく、4本以上で
あっても良い。
【0050】また、上記一実施例では、ガイド溝は、製
造する半導体パッケ−ジが4方向に突出するリ−ドを持
つものであったため、互いに直交するガイド溝を設けて
いたが、製造する半導体パッケ−ジがX方向あるいはY
方向にのみ突出するリ−ドを持つものである場合は、図
1(a)および図5(a)に示す状態のボンディングツ
−ルを使用するようにしても良い。
【0051】また、上記ガイド溝の内面は円弧状であっ
たが、これに限定されるものではなく、上記リ−ド(イ
ンナ−リ−ド3、アウタリ−ド22)を上記ボンディン
グツ−ル10の押圧面11aの中央部に位置決め保持す
ることができる構成であれば、例えば内面がテ−パ状に
形成されたガイド溝を採用しても良い。
【0052】一方、上記ボンディングツ−ル10(10
´)は角錐形状であったが、これに限定されるものでは
なく、円錐形状であっても良い。要は、押圧面に2本以
上の互いに隣接するガイド溝を備えている構造であれば
良い。
【0053】
【発明の効果】以上述べたように、この発明の第1の構
成は、押圧面でリ−ドを一本ずつ被ボンディング部位に
押し付けて接合させるボンディングツ−ルであって、上
記押圧面には、互いに平行に形成された複数本のガイド
溝と、これら互いに隣接する複数本のガイド溝間に形成
された凸部とを具備するボンディングツ−ルである。
【0054】第2の構成は、押圧面でリ−ドを一本ずつ
被ボンディング部位に押し付けて接合させるボンディン
グツ−ルであって、上記押圧面には、互いに平行に形成
された複数本の第1のガイド溝と、この複数本の第1の
ガイド溝と交差しかつ互いに平行に形成された複数本の
第2のガイド溝と、これら互いに隣接する複数本の第
1、第2のガイド溝間に形成された凸部とを具備するボ
ンディングツ−ルである。
【0055】第3の構成は、リ−ドをこのリ−ドに対応
する被ボンディング部位に押し付けて一本ずつ接合する
ボンディング方法において、上記リ−ドを押し付ける押
圧面に、互いに平行に形成された複数本のガイド溝と、
これらの互いに隣接するガイド溝間に形成された凸部と
を具備するボンディングツ−ルを用い、上記リ−ドを上
記ガイド溝でガイド保持すると共に上記凸部を用いて上
記リ−ドを被ボンディング部位に押圧するボンディング
方法である。
【0056】第4の構成は、リ−ドをこのリ−ドに対応
する被ボンディング部位に押し付けて一本ずつ接合する
ボンディング方法において、上記リ−ドを押し付ける押
圧面に、互いに平行に形成された複数本の第1のガイド
溝と、この複数本の第1のガイド溝と交差しかつ互いに
平行に形成された複数本の第2のガイド溝と、これら互
いに隣接する複数本の第1、第2のガイド溝間に形成さ
れた凸部とを具備するボンディングツ−ルを用い、上記
リ−ドを上記第1あるいは第2のガイド溝でガイド保持
すると共に上記凸部を用いて上記リ−ドを被ボンディン
グ部位に押圧するボンディング方法である。
【0057】このような構成によれば、各リ−ドを各被
ボンディング部位に確実に接続することができるので、
製品の品質が向上すると共に、製品の歩留まりが向上す
るという効果がある。また、そのようなボンディングツ
−ルを容易に製造することができる効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)、(b)は、この発明の一実施例を示す
拡大斜視図。
【図2】同じく、寸法を示す側面図。
【図3】(a)〜(c)は、同じく、ボンディングの工
程を示す工程図。
【図4】同じく、アウタリ−ドボンディング装置の一部
を示す斜視図。
【図5】(a)、(b)は、第2の実施例を示す拡大斜
視図。
【図6】一般的なシングルポイント方式のインナ−リ−
ドボンディングを示す斜視図。
【符号の説明】
3…インナ−リ−ド(リ−ド)、5…電極パッド(被ボ
ンディング部位)、10…ボンディングツ−ル、11a
…押圧面、12…第1のガイド溝(ガイド溝)14…第
2のガイド溝(ガイド溝)、16…突起(凸部)、17
…突起(凸部)、18…アウタリ−ド(リ−ド)、19
…端子(被ボンディング部位)。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 押圧面でリ−ドを一本ずつ被ボンディン
    グ部位に押し付けて接合させるボンディングツ−ルであ
    って、 上記押圧面には、互いに平行に形成された複数本のガイ
    ド溝と、これら互いに隣接する複数本のガイド溝間に形
    成された凸部とを具備することを特徴とするボンディン
    グツ−ル。
  2. 【請求項2】 押圧面でリ−ドを一本ずつ被ボンディン
    グ部位に押し付けて接合させるボンディングツ−ルであ
    って、 上記押圧面には、互いに平行に形成された複数本の第1
    のガイド溝と、この複数本の第1のガイド溝と交差しか
    つ互いに平行に形成された複数本の第2のガイド溝と、
    これら互いに隣接する複数本の第1、第2のガイド溝間
    に形成された凸部とを具備することを特徴とするボンデ
    ィングツ−ル。
  3. 【請求項3】 リ−ドをこのリ−ドに対応する被ボンデ
    ィング部位に押し付けて一本ずつ接合するボンディング
    方法において、 上記リ−ドを押し付ける押圧面に、互いに平行に形成さ
    れた複数本のガイド溝と、これらの互いに隣接するガイ
    ド溝間に形成された凸部とを具備するボンディングツ−
    ルを用い、上記リ−ドを上記ガイド溝でガイド保持する
    と共に上記凸部を用いて上記リ−ドを被ボンディング部
    位に押圧することを特徴とするボンディング方法。
  4. 【請求項4】 リ−ドをこのリ−ドに対応する被ボンデ
    ィング部位に押し付けて一本ずつ接合するボンディング
    方法において、 上記リ−ドを押し付ける押圧面に、互いに平行に形成さ
    れた複数本の第1のガイド溝と、この複数本の第1のガ
    イド溝と交差しかつ互いに平行に形成された複数本の第
    2のガイド溝と、これら互いに隣接する複数本の第1、
    第2のガイド溝間に形成された凸部とを具備するボンデ
    ィングツ−ルを用い、上記リ−ドを上記第1あるいは第
    2のガイド溝でガイド保持すると共に上記凸部を用いて
    上記リ−ドを被ボンディング部位に押圧することを特徴
    とするボンディング方法。
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