JPH01286450A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JPH01286450A JPH01286450A JP11720588A JP11720588A JPH01286450A JP H01286450 A JPH01286450 A JP H01286450A JP 11720588 A JP11720588 A JP 11720588A JP 11720588 A JP11720588 A JP 11720588A JP H01286450 A JPH01286450 A JP H01286450A
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- Japan
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- wire
- bump
- tools
- electrode
- circuit board
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は回路基板上に形成された電極に突起（以下バ
ンプと記す）を形成する方法に関するものである。
ンプと記す）を形成する方法に関するものである。
従来の技術
近年、ＩＣの基板への実装方法としてＩＣの電極にバン
プを形成し、このバンプと基板パターンやフィルム状の
キャリアとを一部ボンディングする方法が多く用いられ
てきた。
プを形成し、このバンプと基板パターンやフィルム状の
キャリアとを一部ボンディングする方法が多く用いられ
てきた。
、ＩＣにバンプをつける方法として、従来の技術につい
て説明する。第２図はＩＣ１１に蒸着、メツキによシバ
ンプを形成する工程を示したもので、まずＩＣ１１の電
極１２にＯｒ膜１３ 、 Ｃｕ膜１４゜Ａｕ膜１６を順
次蒸着によシ形成し、その後Ａｕメツキを行ない、ＩＣ
電極上に１３〜２６μｍのバンプ１６の形成を行なう（
日本マイクロエレクトロニクス協会ｒＩＣ化実装技術Ｊ
１９８４．２．２０Ｐ１０９）。
て説明する。第２図はＩＣ１１に蒸着、メツキによシバ
ンプを形成する工程を示したもので、まずＩＣ１１の電
極１２にＯｒ膜１３ 、 Ｃｕ膜１４゜Ａｕ膜１６を順
次蒸着によシ形成し、その後Ａｕメツキを行ない、ＩＣ
電極上に１３〜２６μｍのバンプ１６の形成を行なう（
日本マイクロエレクトロニクス協会ｒＩＣ化実装技術Ｊ
１９８４．２．２０Ｐ１０９）。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のようにＩＣ側にバンプを形成する
際、蒸着、メツキ等の複雑な処理があり、これにかかる
設備が高価であシ工程費が高くなるという課題を有して
いた。
際、蒸着、メツキ等の複雑な処理があり、これにかかる
設備が高価であシ工程費が高くなるという課題を有して
いた。
本発明は、上記問題点に鑑み、ＩＣ側にバンプを形成せ
ず、回路基板上に形成された電極にバンプを形成するこ
とにより、蒸着、メツキ等の処理工程のないバンプの形
成方法を提供するものである。
ず、回路基板上に形成された電極にバンプを形成するこ
とにより、蒸着、メツキ等の処理工程のないバンプの形
成方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明のバンプ形成方法は
、ワイヤ接合面に向かってワイヤを案内するガイド穴を
形成されたツールと、このツールと対向しかつワイヤ接
合面と同一平面上に先端のあるツールと、これらツール
に接続された溶接電源とを備えたワイヤ接合ツールを用
いたバンプ形成方法であって、バンプ形成用のワイヤを
繰り出す工程と、回路基板上に形成された電極とワイヤ
との相対位置決めを行ない両者をワイヤ接合ツールにて
接合する工程と、前記ワイヤを回路基板上に形成された
電極との接合部にその一部を残して切断する工程とから
なるものである。
、ワイヤ接合面に向かってワイヤを案内するガイド穴を
形成されたツールと、このツールと対向しかつワイヤ接
合面と同一平面上に先端のあるツールと、これらツール
に接続された溶接電源とを備えたワイヤ接合ツールを用
いたバンプ形成方法であって、バンプ形成用のワイヤを
繰り出す工程と、回路基板上に形成された電極とワイヤ
との相対位置決めを行ない両者をワイヤ接合ツールにて
接合する工程と、前記ワイヤを回路基板上に形成された
電極との接合部にその一部を残して切断する工程とから
なるものである。
作 用
本発明は上記構成により、ワイヤを回路基板上に形成さ
れた電極に接合しバンプを形成するとともに、ワイヤを
切断することによってバンプを必要な場所にのみ形成す
るものである。
れた電極に接合しバンプを形成するとともに、ワイヤを
切断することによってバンプを必要な場所にのみ形成す
るものである。
実施例
以下本発明の一実施例のバンプ形成及び装置について、
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるバンプ形成装置を示
すものである。第１図において、１はワイヤ接合面に向
かってワイヤを案内するガイド穴を形成されたツール、
２はこのツール１と対向しかつワイヤ接合面と同一平面
上に先端のあるツール、１１は両ツール１，２間にはさ
まれた絶縁体、３はバンプ形成用のワイヤ（主にＡｕ線
）、４はワイヤクランパ、５は接合ツール１，２に接続
された溶接電源であり、ワイヤ３をワイヤ接合ツール１
に繰り出す工程とワイヤを切断する手段とを構成する。
すものである。第１図において、１はワイヤ接合面に向
かってワイヤを案内するガイド穴を形成されたツール、
２はこのツール１と対向しかつワイヤ接合面と同一平面
上に先端のあるツール、１１は両ツール１，２間にはさ
まれた絶縁体、３はバンプ形成用のワイヤ（主にＡｕ線
）、４はワイヤクランパ、５は接合ツール１，２に接続
された溶接電源であり、ワイヤ３をワイヤ接合ツール１
に繰り出す工程とワイヤを切断する手段とを構成する。
６は回転機能を有するヘッド、７は回路基板、８は回路
基板７上に形成された電極、９は基板ホルダー、１ｏは
基板移動用Ｘ、Ｙテーブルであシ、ワイヤクランプ４は
図中矢印方向に移動可能に構成されている。
基板７上に形成された電極、９は基板ホルダー、１ｏは
基板移動用Ｘ、Ｙテーブルであシ、ワイヤクランプ４は
図中矢印方向に移動可能に構成されている。
以上のように構成されたバンプ形成装置について、以下
第１図及び第３図を用いてその動作を説明する。
第１図及び第３図を用いてその動作を説明する。
まず、第３図（１）〜（ｖ）は本発明によるバンプ形成
方法の一サイクルを示すものであって、（ａ）の原点に
おいて、接合ツール１および２の下にワイヤクランパー
４によシ繰り出され、接合ツール１および２は第１図の
Ｘ、Ｙテーブル１０によシ回路基板上に形成された電極
８上に位置決めされている。
方法の一サイクルを示すものであって、（ａ）の原点に
おいて、接合ツール１および２の下にワイヤクランパー
４によシ繰り出され、接合ツール１および２は第１図の
Ｘ、Ｙテーブル１０によシ回路基板上に形成された電極
８上に位置決めされている。
次Ｋ（ｂ）のように接合ツール１および２がヘッド部６
の下降動作によシワイヤ３を介して回路基板γ上の電極
８上に圧接し、溶接電源５によシ両ツール１．２間に通
電することにより、ツール１．２とワイヤ３の接触抵抗
及びツール１，２の抵抗によυジュール熱を発生させ、
ワイヤ３を回路基板７上の電極８上にボンディング接合
する。ポンディング接合後、ツール１および２がワイヤ
３を押えた状態で（Ｃ）のようにクランパ４がワイヤを
保持したまま、第３図０１１）の図示矢印方向へ移動し
ワイヤ３を切断し回路基板７の電極８上へのバンプ２１
の形成が完了する。その後（ｄ）のように接合ツール１
および２、ヘッド部６が上昇し、クランパ４はここでワ
イヤ３を解放し、矢印方向へバンプ２１を形成するのに
使用したワイヤ長さ分だけ移動しワイヤ３を再び保持し
、（、）のように再びクランパ４は矢印方向へ移動しく
ａ）の原点位置へ復帰し、ワイヤ３をツール１および２
の下へ繰り出す。−方、回路基板７はＸ、Ｙテーブル１
０９回転機能を有するヘッド部θによシ次の電極８を、
接合ツール１および２の下方に移動させ、このサイクル
を繰り返すことＫよシ、回路基板７上の電極８上にバン
プ２１を連続的にしかも任意の方向に形成する。また、
第３図（Ｃ）のワイヤ切断工程では、接合ツール１にワ
イヤ３に切欠を入れ切断部分の安定を図るため、突起が
設けられている。
の下降動作によシワイヤ３を介して回路基板γ上の電極
８上に圧接し、溶接電源５によシ両ツール１．２間に通
電することにより、ツール１．２とワイヤ３の接触抵抗
及びツール１，２の抵抗によυジュール熱を発生させ、
ワイヤ３を回路基板７上の電極８上にボンディング接合
する。ポンディング接合後、ツール１および２がワイヤ
３を押えた状態で（Ｃ）のようにクランパ４がワイヤを
保持したまま、第３図０１１）の図示矢印方向へ移動し
ワイヤ３を切断し回路基板７の電極８上へのバンプ２１
の形成が完了する。その後（ｄ）のように接合ツール１
および２、ヘッド部６が上昇し、クランパ４はここでワ
イヤ３を解放し、矢印方向へバンプ２１を形成するのに
使用したワイヤ長さ分だけ移動しワイヤ３を再び保持し
、（、）のように再びクランパ４は矢印方向へ移動しく
ａ）の原点位置へ復帰し、ワイヤ３をツール１および２
の下へ繰り出す。−方、回路基板７はＸ、Ｙテーブル１
０９回転機能を有するヘッド部θによシ次の電極８を、
接合ツール１および２の下方に移動させ、このサイクル
を繰り返すことＫよシ、回路基板７上の電極８上にバン
プ２１を連続的にしかも任意の方向に形成する。また、
第３図（Ｃ）のワイヤ切断工程では、接合ツール１にワ
イヤ３に切欠を入れ切断部分の安定を図るため、突起が
設けられている。
発明の効果
以上のように本発明は、ワイヤ接合面に向かってワイヤ
を案内するガイド穴を形成されたツールと、このツール
と対向しかつワイヤ接合面に向かってワイヤ接合面と同
一平面上に先端のあるツールと、これらツールに接続さ
れた溶接電源とを備えたワイヤ接合ツールを用いたバン
プ形成方法であって、バンプ形成用のワイヤを繰り出す
工程と、回路基板上に形成された電極とワイヤとの相対
位置決めを行ない、両者をワイヤ接合ツールにて接合す
る工程と、前記ワイヤを回路基板上の電極との接合部に
その一部を残して切断する工程とからなるバンプ形成方
法であるため、ＩＣ側の電極でのバンプ形成の際の蒸着
、メツキおよびこれらに付随する廃液処理工程や装置が
不要となり、工程費が低減される。また回路基板の電極
にバンプ形成ができるため、ＩＣ実装の際、良品のＩＣ
のみの実装を行なうことによシ、材料歩留シの著しい向
上が図れる。
を案内するガイド穴を形成されたツールと、このツール
と対向しかつワイヤ接合面に向かってワイヤ接合面と同
一平面上に先端のあるツールと、これらツールに接続さ
れた溶接電源とを備えたワイヤ接合ツールを用いたバン
プ形成方法であって、バンプ形成用のワイヤを繰り出す
工程と、回路基板上に形成された電極とワイヤとの相対
位置決めを行ない、両者をワイヤ接合ツールにて接合す
る工程と、前記ワイヤを回路基板上の電極との接合部に
その一部を残して切断する工程とからなるバンプ形成方
法であるため、ＩＣ側の電極でのバンプ形成の際の蒸着
、メツキおよびこれらに付随する廃液処理工程や装置が
不要となり、工程費が低減される。また回路基板の電極
にバンプ形成ができるため、ＩＣ実装の際、良品のＩＣ
のみの実装を行なうことによシ、材料歩留シの著しい向
上が図れる。
なおワイヤ接合ツールにワイヤと回路基板上の電極の接
合時にワイヤに切欠をつける突起を設けるようにすれば
ワイヤの切断部分が安定し、又ヘッド部を水平面上で回
転可能に構成すれば、任意の方向にバンプを形成するこ
とができる効果が得られる。
合時にワイヤに切欠をつける突起を設けるようにすれば
ワイヤの切断部分が安定し、又ヘッド部を水平面上で回
転可能に構成すれば、任意の方向にバンプを形成するこ
とができる効果が得られる。
第１図は本発明の第１の実施例におけるバンプ形成装置
の構成図、第２図は従来のバンプ形成方法の工程図、第
３図は本発明の一実施例のバンク形成方法の工程図であ
る。 °１，２・・・・・・接合ツール、３・・・・・・ワイ
ヤ、４・・・・・・ワイヤクランパ、６・・・・・・溶
接電源、７・・・・・・回路基板、２１・・・・・・バ
ンプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１．
２′ 係針／−ル ３・・ ワイヤ ４・−・・ フイヤクランハ０ ぢ・・ 烙＃筈堀 冒 第２図 第３図 （ｅ） 二ニーｍコ
の構成図、第２図は従来のバンプ形成方法の工程図、第
３図は本発明の一実施例のバンク形成方法の工程図であ
る。 °１，２・・・・・・接合ツール、３・・・・・・ワイ
ヤ、４・・・・・・ワイヤクランパ、６・・・・・・溶
接電源、７・・・・・・回路基板、２１・・・・・・バ
ンプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１．
２′ 係針／−ル ３・・ ワイヤ ４・−・・ フイヤクランハ０ ぢ・・ 烙＃筈堀 冒 第２図 第３図 （ｅ） 二ニーｍコ
Claims (1)
- ワイヤ接合面に向かってワイヤを案内するガイド穴を
形成されたツールと、このツールと対向しかつワイヤ接
合面と同一平面上に先端のあるツールと、これらツール
に接続された溶接電源とを備えたワイヤ接合ツールを用
いたバンプ形成方法であって、バンプ形成用のワイヤを
繰り出す工程と、回路基板の電極とワイヤとの相対位置
決めを行ない両者をワイヤ接合ツールにて接合する工程
と、前記ワイヤを回路基板の電極との接合部にその一部
を残して切断する工程とからなるバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117205A JP2682006B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117205A JP2682006B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286450A true JPH01286450A (ja) | 1989-11-17 |
| JP2682006B2 JP2682006B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=14705989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63117205A Expired - Lifetime JP2682006B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682006B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5124277A (en) * | 1990-01-10 | 1992-06-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of ball bonding to non-wire bonded electrodes of semiconductor devices |
| US5263246A (en) * | 1991-02-20 | 1993-11-23 | Nec Corporation | Bump forming method |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP63117205A patent/JP2682006B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5124277A (en) * | 1990-01-10 | 1992-06-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of ball bonding to non-wire bonded electrodes of semiconductor devices |
| US5263246A (en) * | 1991-02-20 | 1993-11-23 | Nec Corporation | Bump forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2682006B2 (ja) | 1997-11-26 |
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