JPH0620085B2 - 熔接装置 - Google Patents

熔接装置

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JPH0620085B2
JPH0620085B2 JP63119433A JP11943388A JPH0620085B2 JP H0620085 B2 JPH0620085 B2 JP H0620085B2 JP 63119433 A JP63119433 A JP 63119433A JP 11943388 A JP11943388 A JP 11943388A JP H0620085 B2 JPH0620085 B2 JP H0620085B2
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Description

【発明の詳細な説明】 Ａ．産業上の利用分野 本発明は、集積回路デバイスの組立て、より特定して言
えば、個々の熔接位置において、単一のリード・ワイヤ
のクランピング脚、即ちリード線押え付け用脚を用いる
リード・ワイヤの熔接の自動化の技術に関する。
Ｂ．従来の技術 チツプとかダイとかの集積回路デバイスの製造におい
て、代表例である半導体チツプは、ベースに装着され、
そして、その接続配線は、チツプの周囲に置かれた１枚
のリード・フレームから、チツプ上に設けられた複数の
端子パツドとの間に施される。電気接続を実際に行う技
術は、完全に自動化したものから、実際に作業員の手操
作業の接続作業を必要とするハイブリツドに至るまで種
々のものがある。ワイヤの寸法が非常に細く、そして端
子の相互間隔が密接している場合は、このステツプは時
間がかかり、そして不完全な熔接が生じるため、不良な
製品を作ることになる。
半導体の製造におけるこの接続ステツプの反復率を高く
するために遭遇する問題の他の原因は、通常、チツプが
両面粘着性のテープを持つアルフア・バリヤで与えられ
ることにある。すなわち、アルフア・バリアは、その一
面にある粘着層により、半導体デバイスの主表面を所定
の位置に位置付ける。次に、組立て工程の間で、複数の
デバイスの領域に拡がる大きさの金属製リード・フレー
ムが、アルフア・バリアの上に置かれ、アルフア・バリ
アの上面の粘着層によつて、所定の位置に保持される。
製造工程のこの中間段階において、集積回路デバイス
（例えばチツプとかダイ）は、その主表面がアルフア・
バリアに接着されており、そして、アルフア・バリアの
粘着層によつて安定して固定されている一連の金属端子
用条片を持つリード・フレームが、アルフア・バリアの
上に固定されている。リード・フレームの端子用条片の
実際の長さが長過ぎたり、または短過ぎることがありう
るので、ボンデイング・ツール（リード・ワイヤの熔接
ヘツド）がリード・フレームの引出し条片に接触する
時、熔接ヘツドと、リード・フレームの条片との間に不
整列が生じる。
製造工程の次のステツプは、半導体デバイス上の選択さ
れた接続パツドにリード・ワイヤを熔接することであ
り、これに続いて、半導体デバイスの接続パツドに接続
されたリード・ワイヤをリード・フレームの端子に熔接
するステツプがこれに続く。この工程によつて、半導体
デバイスのパツドと、リード・フレーム導体の端子の間
にリード・ワイヤが設定される。デバイス上のパツドに
導電ワイヤを熔接し、また、リード・フレームのフイン
ガ、即ちリード・フレームの端子用条片へ導電ワイヤを
熔接するのに使われるシステムは、従来から数多くの例
がある。然しながら、これらの熔接は、リード・フレー
ムのフインガの不安定な状態、即ちリード・フレームの
端子が確実に固定されておらず、熔接工程の間で、ワイ
ヤは所定の位置に確実に支持されていなかつたので、極
端な場合、正しくない端子に熔接が行われることがあり
うる。
熔接位置において、弾性体フイルム、または弾性テープ
上の金属リード・フレームを押え付ける、即ちクランプ
するための装置が、従来から幾つか提案されている。ク
ランピングは、種々の技術を利用することが出来る。例
えば、米国特許第４４３７６０４号は、ワイヤ・クラン
プ装置を開示しており、この装置は、熔接ヘツドが、第
２の熔接位置から、次の新しい熔接位置での熔接を開始
するために、移動された時、リード・ワイヤを切断する
のにワイヤ・クランプを利用している。然しながら、こ
の装置は、熔接されるべきリード端子を、単一の熔接位
置において確実に押え付けていない。この装置を以下
に、より詳細に説明する。先ず、超音波エネルギと、熔
接ヘツドによつて加えられる圧力との組合せによつて、
超極細のリード・ワイヤが半導体デバイス上の端子パツ
ドに熔接される第１の位置へ、熔接ヘツドが移動され
る。次に、熔接ヘツド、あるいは半導体デバイスを担持
しているテーブルが移動し、これにより、超極細のリー
ド・ワイヤが、熔接ヘツドのキヤピラリ(capillary)
（微細孔）から送り出されることになる。送り出された
リード・ワイヤの長さは、半導体デバイス上の端子パツ
ドと、リード・フレーム上の導電端子（リード・フレー
ム・フインガ）との間を相互接続を形成する長さであ
る。
次に、熔接ヘツドは、リード・フレームの適当な端子の
上に位置付けられ、そして熔接ヘツドによつて加えられ
る力、及び超音波エネルギとによつて、再度、第２のボ
ンデイングが行われる。次に、ワイヤはクランプされ、
そして半導体デバイスを担持しているテーブルは、ワイ
ヤを切断するために移動され、超音波熔接ヘツド内にリ
ード・ワイヤが端部を残す。然しながら、第２の熔接が
行われる熔接位置にはリード・フレームを確実に固定さ
せる手段はない。
米国特許第３８０６０１９号は、同様な装置を示してお
り、第２の熔接の後、ワイヤ・クランプをワイヤの端部
の引出し用として用いる他の装置が開示されている。こ
の特許において、ワイヤが熔接トーチで切断された後
に、ワイヤを掴んで、それを引つ張るためにワイヤ・ク
ランプを動作させる方法が記載されている。米国特許第
３８９４６７１号を参照すると、熔接の間で、加熱ブロ
ツクにリード・フレームの条片をクランプする他の方法
が開示されている。同じように、米国特許第４５２７７
３０号は、熔接ヘツドとは独立して、ワイヤを保持する
ために使われるワイヤ・ループ整形ガイド兼クランプを
開示している。然しながら、そのクランプは、単一の熔
接位置において、熔接させるべきリード・フレームの導
電端子を確実に固定(stabilize)していない。熔接ヘツ
ドに使うためのクランプ及び送り装置の組合せ、または
ワイヤ・クランプの他の技術は、米国特許第４１４２７
１４号、同第３６７２５５６号同第３８６３８２７号、
同第４４７５６８１号、同第４２０２４８６号に開示さ
れている。これらの特許に示されているシステムは、ワ
イヤの繰出し中で、ワイヤをクランプするための技術に
関連とて使われるワイヤの移動装置である。単一の熔接
位置におけるワイヤの熔接の工程の間で、リード・フレ
ームのフインガを確実に固定する目的を持つて、クラン
プを動作させるものは、これらの従来技術の中にはな
い。クランプ技術を使つた他の種類の従来の技術は、ワ
イヤがクランプ内に有るか否かを調べるための検出技術
である。このような誤動作検出装置は、米国特許第４２
１３５５６号、同第４４８５９５７号に開示されてい
る。
最後に、熔接位置の弾性フイルム、または弾性テープ上
の一組の金属リードをクランプするためのモジユラー・
クランピング・フインガを利用した従来の技術がある。
超音波、即ちサーモソニツク(thermosonic)ワイヤ熔接
技術と関連して用いられたそのようなクランプ（押え込
み）技術が、１９８６年６月の２６６号の「リサーチ・
デイスクロジャ」(Reserch Disclosure)の開示番号２６
６２２号として、開示されている。
上述した従来の全てのシステムの短所は、単一の熔接位
置において、熔接されるべきリード・フレームのリード
端子を安定に保つ確実なクランプ機構を備えていないこ
とである。その結果、従来は、半導体デバイスの上を通
つて、適当な接続配線を行う自動配線式熔接ヘツドを移
動させるために、リード・フレームを一定の位置に固定
させるための複雑な動作の装置を必要とした。
Ｃ．発明が解決しようとする問題点 叙上のような状況において、本発明の目的は、金属製リ
ード板の個々の端子を確実に固定するため、熔接ヘツド
と組合せて用いるクランプ機構を提供することにある。
本発明の他の目的は、要求される精度を持つプログラム
可能なシステム内で、反復しうる張力の高いワイヤの熔
着を形成させるのに必要なエネルギ転送を可能とさせる
システムを決めることにある。
本発明の他の目的は、単一の熔接位置において、必要な
押え付けの圧力、動作速度、キヤピラリの間隔、リード
・フレームの端子の位置制御及び熔接ヘツドによつて制
御されるワイヤ切断の方向付けを与えることにより、熔
接されるべき端子を確実に固定するワイヤの熔接システ
ムを提供することにある。
本発明の他の目的は、高速度の自動ワイヤ熔接を利用し
て、弾性フイルム、または弾性テープの何れの上でも、
クランプの位置に関するパラメータをプログラム可能に
したワイヤの熔接システムを決めることにある。
Ｄ．問題点を解決するための手段 本発明の上述の目的は、張力の高いワイヤを繰返して熔
接を行うため、熔接ヘツドから必要なエネルギを転送
し、リード・フレームの個々のフインガを押え付けるた
めに位置が割出される(index)一体的なクランピング
（押え付け）脚と熔接ヘツドの組立体を使用することに
よつて達成される。このクランピング技術は、確実に固
定されていないリード・フレームのフインガと、弾性フ
イルム、または弾性テープの上に置かれた確実に固定さ
れていないリード・フレームのフインガとの両方に適用
することが出来る。クランピング脚は、リード・フレー
ムのフインガの上方で垂直方向に動くことが出来、且つ
リード・フレームの確実に固定されていないフインガ、
即ち金属条片と整列するように、熔接ヘツドの周囲を回
転することが出来る。クランピング脚をリード・フレー
ム上に置いて、リード・フレームの条片を押え付ける
と、リード・フレームの端子は確実に固定され、従つ
て、熔接動作が行われる時、充分なエネルギを転送する
ことが出来る。
本発明の実施例の動作を簡単に説明すると、本発明のス
テツプは、半導体デバイスと、リード・フレーム、また
は、若し使われていればアルフア・バリア上のリード・
フレームとの組立て及び固定を目的としている。本発明
は、他の装着技術、例えばカード、ボードまたはセラミ
ツク基板に裏面がはんだ付けされているチツプなどにも
利用することが出来る。本発明に従つて、以下の押え付
け処理及び熔接処理が行われる。
先ず、熔接が行われる半導体装置の組立体は、自動熔接
ステーシヨンの作業テーブルと、万能クランプ装置の位
置に位置付けられる。この組立体は、通常、金属性のリ
ード・フレームと、必要に応じて弾性フイルム、または
弾性テープと、通常、リード・フレームまたは基板の上
に装着されたチツプとを含んでいる。通常、第１の熔接
は、チツプ上の入出力パツドに行われるが、この熔接
は、クランピング脚を用いることなく、リード・ワイヤ
の熔接ヘツドによつて完成される。チツプの入出力端子
パツドは、固定されているから、必要な熔接エネルギを
転送するために、この場合、押え付ける力は、何等必要
がない。
次に、作業テーブル、即ち作業ホルダ、あるいは熔接ヘ
ツド、若しくは、それらの両者は、第２の位置、即ちリ
ード・フレームの端子の位置に熔接ヘツドが、位置付け
るように割出される。公知のコンピユータの制御技術に
よつて、移動の方向が決められる。次に、単一のリード
・ワイヤのクランピング脚は、第２の熔接が行われた
後、ワイヤを切断するために回転される。割出し時間を
減少するために、クランピング脚は、作業ステーシヨン
において、相互に直交する方向に設けることが出来る。
更に、クランピング脚をマトリツクス状に配列すること
によつて、処理速度を上げることが出来る。これは、１
つの熔接に対して１回づつ割出しを行う単一のクランピ
ング脚と熔接ヘツドを用いた装置に比べて、遥かに高速
度の自動熔接装置を提供する。また、特別の形状のリー
ド・フレームに適合させるために、個々の熔接位置に対
する位置付けは、コンピユータのプログラムによつて変
更することが出来る。
単一のリード・ワイヤ用のクランピング脚は、個々の熔
接位置に降下するけれども、この動作に関する要素、例
えば熔接地点までの距離及び速度、リード・フレームの
フインガの位置、クランピング脚の方向付け、押え付け
の圧力などは、各熔接位置においてプログラムされる。
弾性フイルム、または弾性テープ上で単一の固定されて
いない金属リードは、第１の熔接位置及び第２の熔接位
置との間の電気接続を設けるために、クランピング脚の
中空部を通つて降下する熔接ヘツドを使用することによ
つて、ワイヤが熔接される。本発明の単一のリード・ク
ランプ脚を利用するシステム全体を、コンピユータ制御
することによつて、個々の熔接位置についての必要なプ
ロセス・パラメータを設定するために、コンピユータを
プログラムすることが出来る。再言すると、これは、例
えば、特別な形状のリード・フレームなどについて、信
頼性ある熔接を達成するために必要な固定を行うことが
出来る。
第２の熔接が終了すると、クランピング脚の溝を滑動し
て単一のリード押え付け位置に降下した熔接ヘツドは持
ち上げられ、次いでクランピング脚が持ち上げられる。
半導体デバイスのパツドと、リード・フレームの端子と
の間に必要な２度の熔接動作を開始するために、作業ホ
ルダ、または熔接ヘツドを新しい位置に移動させること
によつて、上述の動作が繰返される。
Ｅ．実施例 第１図、第２図及び第３図は、本発明を説明するのに必
要不可欠な素子の１部分だけを示した図である。図示し
たように、半導体デバイス１０は、リード・フレーム１
２に装着されている。図示されていないが、公知の技術
を用いたアルフア・バリアは、通常、半導体デバイス１
０を覆つて置かれている。アルフア・バリアは両面に粘
着性の材料層があり、粘着層の一方の面はデバイス１０
の上表面を固定するのに使う粘着材料を持ち、粘着層の
反対の面は、リード・フレームを固定するのに使われる
粘着材料を持つている。従来の組立て技術に従つて、リ
ード・フレームがデバイス１０の上に置かれる。リード
・フレーム１２は、端子１４乃至２４の列を含んでい
る。半導体パツケージの分野では、「リード・フレー
ム」という術語は、従来の技術の観点から見て特別の意
味を持つていることは注意を払う必要がある。第２図に
示したリード・フレーム１２は、ほんの小部分しか示し
ていない。
本発明に従つて、無端式の超音波キヤピラリ、即ちサー
モソニツク・キヤピラリ２６がクランピング脚２８の内
側に装着されている。サーモソニツク・キヤピラリ２６
は、マイクロ・スイス社(Micro Swiss)の４２７Ａ型、
または１４１３Ａ型キヤピラリのような通常の熔接ヘツ
ドである。使用される特定のキヤピラリを選択すること
は、本発明の特定の応用例に用いられる関連素子の寸法
によつて決められることは、言うまでもない。
クランピング脚２８は、切欠部２７を有する中空部材を
含んでいる。脚部の底面は、熔接中に、クランピング脚
を通る熱損失を防止するために、ナイロン、またはセラ
ミツクのような熱的な絶縁層を設けるのが望ましい。図
示したように、切欠部は、熔接位置において、ワイヤを
押え付けることが出来るように構成されており、その底
部は、確実な固定を保証するために、特に熔接位置を充
分に取り巻いている。キヤピラリ２６及びクランピング
脚２８の組立体は、一体的なものとして示されている
が、それらは分離しうるものとしてもよい。
熔接ヘツド２６及びクランピング脚２８は、それらが一
体的な組立体として組立てられているにせよ、あるいは
分離可能な構造であるにせよ、それとは関係なく移動す
ることが出来る。これらの移動は、公知の技術である割
出し技術を用いたコンピユータ制御で行われる。
次に、自動化されたワイヤの熔接位置に関連する技術と
して、１９８３年３月の「固体回路技術」(Solid State
Technology)６９乃至７６頁の「自動化されたワイヤ及
びダイの熔接の進歩」(Advances in Automated Wire an
d Die Bonding)と題するヒユウナー(Hueners)等の刊行
物と、１９８４年２月の「電子パツケージとその製品」
誌(Electronic Packaging & Production)の８９頁乃至
９２頁の「市場の成長と新技術へのワイヤ熔接の今後の
動向」(Wire Bonding Surges Toward Market Growth an
d New Technology)と題するマークスタイン(Markstein)
の刊行物と、米国特許第４５５１９１２号とを参照され
たい。ヒユウナー等の刊行物は、コンピユータ及び熔接
ヘツドのインターフエースと、システム・アーキテクチ
ヤとを特に詳細に記載している。更に、カリケ・アンド
・ソフア・インダストリー社(Kulicke and Soffa Indus
tries,Inc)の１４１９型、または１４１９／DAWN（商
標）、または１４８２型のワイヤの自動熔接システム
は、市販されているシステムに関しての細部を与えてい
る。本発明は、熔接ヘツド２６及びクランピング脚２８
の移動を制御する目的で、これらの公知の技術を利用す
ることは注意を要する。そのような公知のシステムをプ
ログラムすることは、当業者であれば容易になしうる事
柄である。
すなわち、デバイス１０上の多数のパツド及びリード・
フレーム１２の多数の端子の間の接続を行うための位置
に関して、コンピユータは、一連のインストラクシヨン
を記憶している。従つて、コンピユータは、割出し標識
の形式で、且つ予め決められた順序で、熔接ヘツド及び
クランピング脚を所定の位置に移動する。加えて、コン
ピユータは、クランピング脚２８の降下速度と、特定の
リード・フレームの端子と対向する位置とを監視する。
従つて、第３Ａ図に示したように、端子１４に必要なク
ランプ圧力、即ち押え付け圧力を加えるために、コンピ
ユータは、第３Ａ図に示した態様でリード・フレーム１
４上にクランピング脚を位置付ける所で、クランピング
脚が回転しているように（第１図の環状の矢印で示した
ように）、クランピング脚を差し向ける。この押え付け
脚、即ちクランピング脚の回転運動は、熔接ヘツド及び
クランプ機構が１つの位置から他の位置へ移動する時点
で生じる。コンピユータは、熔接ヘツド２６及びクラン
ピング脚２８とを１つの位置から他の位置へ移動させる
ようにプログラムされている。また、第１図に示したよ
うに、コンピユータは、クランピング脚と熔接ヘツド
が、熔接位置に降下するものを制御するばかりでなく、
その降下速度も制御する。更に、コンピユータは、クラ
ンプがワイヤを押え付けるまでの距離を制御し、これに
より、信頼性ある熔接を達成するために必要で確実な固
定を得るのを保証する。
ユニツトが次の位置、例えばリード・フレーム１２の端
子１８の熔接位置に移動する時に、クランピング脚は、
リード・フレームの端子１４の熔接動作で使われた方向
とは９０゜ずれた第３Ｂ図の位置に回転される。このよ
うにして、クランピング脚は、リード・フレームの端子
の端部にそれ自身を整列させ、熔接動作に必要な圧力を
加えるために、熔接ヘツドの周囲を回転する。
本発明に従つて、熔接されるべき組立体は、万能クラン
パ（図示せず）を備えた自動熔接ステーシヨン用の作業
ホルダによつて、位置が割出される。クランピング脚
は、代表的にいえば、リード・フレームと基板の組立
体、または、基板に装着されたチツプとリード・フレー
ムの組立体、または、アルフア・バリアを含む弾性フイ
ルム、または弾性テープに取付けられたチツプとリード
・フレームとの組立体を押え付ける。その他の組立体と
しては、例えば、カード、弾性フイルム及びリード・フ
レームから成る組立体、またはセラミツク基板、弾性フ
イルム、チツプ、及びリード・フレームから成る組立体
等が挙げられる。また、弾性フイルム上に微細な金属線
を持つ基板上のチツプも、本発明を利用することが出来
る。熔接すべき組立体が作業ステーシヨンに固定された
後、第１の熔接が行われる。代表的にいえば、この第１
の熔接は、半導体デバイス１０上の端子パツド３０の位
置において、熔接ヘツド２６により行われる熔接であ
る。すなわち、この第１の熔接において、熔接ヘツド２
６からのリード・ワイヤが、チツプの入出力パツド３０
に熔接されるが、この熔接は、単一のリード線用のクラ
ンピング脚２８が引込められた位置で行われる。半導体
デバイス１０の位置は、作業ホルダによつて固定されて
いるから、クランピング脚によるクランプ、即ち押え付
けは必要がない。
次に、作業ホルダ、または熔接ヘツド２６及びクランピ
ング脚２８の組立体、或はその両方の素子は、第２の熔
接位置に差し向けられる。必要なクランピング脚の直線
方向の動き、または回転方向の動きは、コンピユータの
制御の下で行われるが、第２の熔接位置に移動が行われ
ているときに、ワイヤの繰り出しが行われる。従つて、
例えば若し、第１の熔接が端子３０の位置で行われ、次
に第２の熔接が、リード・フレーム１４の位置で行われ
るものとすれば、クランプ脚は、端子１４に対して第３
Ａ図に示した位置に回転する。次に、単一のリード線用
のクランピング脚２８は、独立した第２の熔接位置、即
ちこの例では端子１４の位置に、プログラムされた速度
で降下し、そして、弾性フイルム、または弾性テープの
上に確実に固定されていない金属リード端子の上に置か
れる。クランピング脚の押し付け力及びその位置付け
は、そこに位置付けられた特定の金属の形と、向きとに
整合させることが出来る。すなわち、第３Ａ図に示した
例では、クランピング脚は、端子１４の端部に位置付け
られているけれども、必要に応じて、クランピング脚
は、この端子の長さに沿つた任意の位置に置くことが出
来る。従つて、第２図に示されたように、或る特定の回
路の必要により、たとえ端子片がジグザク形か、または
或る角度を持つていても、このシステムはクランプ脚の
位置付けを所望の位置に位置付けることが出来る。クラ
ンピング脚を端子１４上に置き、必要な圧力を加えた
後、クランプ内にある熔接ヘツド２６は、単一リード線
用のクランピング脚２８の中空部内で降下され、第２の
熔接を完了する。パツド３０と端子１４との間の接続
線、即ちリード・ワイヤ３２を第２図に示してある。
次に、クランピング脚２８の上昇に続いて、熔接ヘツド
２６が上昇する。熔接ヘツドが上方に引込められると、
ワイヤは自動的に切断され、ワイヤの端部は熔接ヘツド
に押えられて、第２図に示したように熔接が完成され
る。
リード・ワイヤを切断しないで、ワイヤを保持したまま
次の熔接位置に移動し、これを繰り返すことによつて、
ステツチ熔接動作(stitch bondingoperation)を施すこ
とも出来るのは注意を要する。
次の動作が、例えば半導体の入出力端子パツド３４の熔
接動作であるとすると、クランピング脚は、熔接ヘツド
及びクランピング脚の移動中に、第３Ｂ図に示した位置
に回転される。ワイヤの熔接はクランピング脚を使わな
いで端子パツド３４に行われる。次に、熔接ヘツドは、
第３Ｂ図に示したようにリード・フレームの端子１８に
降下するように割出され、そして電気的接続リード３６
を設けるため、第２の熔接が行われる。全ての必要な接
続が完成されるまで、これらのステツプが繰返される。
クランプすべき位置とキヤピラリとの距離や、リード・
フレームのフインガの位置などに関するプログラムのス
テツプは、製造工程の動作に従つて選択的に作ることが
出来ることは言うまでもない。
第１図及び第２図には示していないが、クランピング／
熔接用組立体を複数個設けたリード・ワイヤ熔接装置も
本発明を利用出来ることは注意を要する。例えば、相互
に直交した方向を持つ複数の熔接ヘツドを、夫々独立し
て動作させることにより、効率を高める装置にすること
が出来る。複数個のクランピング脚を使用することは、
クランプの事実上の回転時間を減少する。
本発明に従つて、クランピング脚は、リード・フレーム
の片持ち梁式の端子のような固定されていない個々の金
属リードを確実に固定することが出来る。このようなリ
ード端子を確実に固定することによつて、熔接ヘツドか
らリード・フレームへの必要なエネルギの転送が容易に
なるので、高張力ワイヤの繰返し熔接を達成することが
出来る。この分野で用いられてイる現用のコンピユータ
の制御技術と、ソフトウエアとを使用することによつ
て、熔接ヘツド自身の位置付けとか、個々の熔接位置に
おける押え付け圧力とか、クランピング脚の降下速度な
どを精密に動作させることが出来、そして、第２の熔接
が行われる際に、ワイヤが繰り出される方向に対して、
クランプ脚が妨害しないようにすることが出来る。更
に、本発明の有する位置付けの多様性によつて、本発明
の装置は、リード・ワイヤの太さの相異や、リード・フ
レームの厚さとか、位置の相異に容易に適合することが
出来る。半導体デバイス１０からリード・フレームへの
ワイヤの熔接を行うことに加えて、本発明はまた、弾性
フイルム、または弾性テープに高速度でワイヤの自動熔
接を行うことも出来る。
本発明の１つの重要な特徴は、或る熔接位置から他の熔
接位置への割出し時間を減少させるために、作業ステー
シヨンの種々の位置に位置付けられたクランプを有する
複数式の熔接ヘツドを使うことにある。その結果、本発
明によつて、半導体デバイスの製造全体を著しく改善す
ることが出来る。
Ｆ．発明の効果 以上説明したように、本発明は個々の熔接位置におい
て、クランプ脚に要される押え付け圧力、その降下速
度、熔接ヘツドの位置、リード・ワイヤの繰り出しなど
を制御することによつて、信頼性のある熔接を達成する
ことの出来る半導体デバイス用のリード・ワイヤの熔接
システムを提供する。
【図面の簡単な説明】
第１図はクランピング脚及び熔接ヘツドの必須の部分だ
けを示した模式的な斜視図、第２図は異なつた角度を有
する端子部分を持つリード・フレームが半導体デバイス
の上に配置されていることを示す模式図、第３Ａ図及び
第３Ｂ図は２つのリード端子条片が相互に９０゜の角度
を持つているリード・フレームに対して、クランピング
脚がこれらのフインガに必要な固定を与えるための位置
を説明するための図である。 １０……半導体デバイス、１２……リード・フレーム、
１４、１８……リード・フレームの端子、２６……熔接
ヘツド、２８……クランピング脚、３０、３４……半導
体デバイスの端子パツド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・ジエームズ・レツドモンド アメリカ合衆国ヴアーモント州エセツク ス・ジヤンクシヨン、ボツクス584番地 (72)発明者 ステイフエン・ジヨージ・スター アメリカ合衆国ヴアーモント州エセック ス・ジヤンクシヨン、フオスター・ロード 53番地

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】微細なワイヤを送出し、該ワイヤを端子に
    熔接するための微細孔をもつ熔接ヘツドと、上記熔接ヘ
    ツドの周囲にとりつけられ、選択的に回転されるクラン
    プ部材とを具備し、上記クランプ部材は上記端子に係合
    するための脚部をもち、上記クランプ部材は上記微細孔
    に対して垂直に移動可能であるとともに、上記脚部を上
    記端子上に位置決めするために、選択的に上記熔接ヘツ
    ドの周囲を回転可能である事を特徴とする熔接装置。
JP63119433A 1987-07-01 1988-05-18 熔接装置 Expired - Lifetime JPH0620085B2 (ja)

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US68679 1987-07-01

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