JPH04359442A - Ｔａｂテープのバンプ形成方法 - Google Patents
Ｔａｂテープのバンプ形成方法Info
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- JPH04359442A JPH04359442A JP3133924A JP13392491A JPH04359442A JP H04359442 A JPH04359442 A JP H04359442A JP 3133924 A JP3133924 A JP 3133924A JP 13392491 A JP13392491 A JP 13392491A JP H04359442 A JPH04359442 A JP H04359442A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
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- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープのバン
プ形成方法に関するものである。
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープのバン
プ形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の分野の技術としては、例
えば、「ＴＡＢ技術入門」、著者 畑田賢造、発行所
工業調査会、１００〜１０３頁に記載されるものが
あった。図３はかかる従来の転写バンプ方式の説明図で
ある。まず、図３（ａ）に示すように、バンプ形成用基
板１上にメッキ用マスクを用いて形成された転写用バン
プ２と、樹脂フィルム３のインナーリード穴３ａに設け
られるインナーリード４を有するＴＡＢテープを用意す
る。
えば、「ＴＡＢ技術入門」、著者 畑田賢造、発行所
工業調査会、１００〜１０３頁に記載されるものが
あった。図３はかかる従来の転写バンプ方式の説明図で
ある。まず、図３（ａ）に示すように、バンプ形成用基
板１上にメッキ用マスクを用いて形成された転写用バン
プ２と、樹脂フィルム３のインナーリード穴３ａに設け
られるインナーリード４を有するＴＡＢテープを用意す
る。
【０００３】次に、図３（ｂ）に示すように、ＴＡＢテ
ープのインナーリード４をメッキで形成された転写用バ
ンプ２に位置合わせを行ない、インナーリード４に熱と
圧力を加え転写用バンプ２を圧接し、インナーリード４
に転写用バンプ２を転写し、バンプ５を形成する。この
ように、バンプ形成用基板１上からバンプをインナーリ
ード側へ写し取ることによりバンプ付ＴＡＢテープを作
る。
ープのインナーリード４をメッキで形成された転写用バ
ンプ２に位置合わせを行ない、インナーリード４に熱と
圧力を加え転写用バンプ２を圧接し、インナーリード４
に転写用バンプ２を転写し、バンプ５を形成する。この
ように、バンプ形成用基板１上からバンプをインナーリ
ード側へ写し取ることによりバンプ付ＴＡＢテープを作
る。
【０００４】その後、図３（ｃ）に示すように、半導体
素子６の電極７にインナーリード４のバンプ５を位置合
わせして半導体素子６を実装する。
素子６の電極７にインナーリード４のバンプ５を位置合
わせして半導体素子６を実装する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法では、バンプを形成するのにメッキ処理を行なうた
め工程が多く、手間と時間を要し、しかもバンプとテー
プの位置合わせが難しいといった問題があった。本発明
は、以上述べたメッキ処理技術を使用することに伴う工
程の繁雑さと工数がかかること、及びバンプとインナー
リードの位置合わせ精度向上の難しさを解消し、大規模
な装置を用いずに簡単に、しかも精度よくインナーリー
ドにバンプを形成することができるＴＡＢテープのバン
プ形成方法を提供することを目的とする。
方法では、バンプを形成するのにメッキ処理を行なうた
め工程が多く、手間と時間を要し、しかもバンプとテー
プの位置合わせが難しいといった問題があった。本発明
は、以上述べたメッキ処理技術を使用することに伴う工
程の繁雑さと工数がかかること、及びバンプとインナー
リードの位置合わせ精度向上の難しさを解消し、大規模
な装置を用いずに簡単に、しかも精度よくインナーリー
ドにバンプを形成することができるＴＡＢテープのバン
プ形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ＴＡＢテープのバンプ形成方法において
、ＴＡＢテープのインナーリード面にワイヤボンディン
グによりワイヤボールバンプを形成し、該ワイヤボール
バンプのバンプ表面を押さえて平滑にし、バンプ高さを
均一化するようにしたものである。
成するために、ＴＡＢテープのバンプ形成方法において
、ＴＡＢテープのインナーリード面にワイヤボンディン
グによりワイヤボールバンプを形成し、該ワイヤボール
バンプのバンプ表面を押さえて平滑にし、バンプ高さを
均一化するようにしたものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば、図２に示すように、ＴＡＢテ
ープのインナーリード面にワイヤボンディングによりワ
イヤボールバンプ３３を形成し、該ワイヤボールバンプ
３３のバンプ表面を押さえて平滑にし、バンプの上面３
５の高さを均一にする。従って、大規模な装置を用いず
に、簡単に、しかも精度よくインナーリードにバンプを
形成することができる。
ープのインナーリード面にワイヤボンディングによりワ
イヤボールバンプ３３を形成し、該ワイヤボールバンプ
３３のバンプ表面を押さえて平滑にし、バンプの上面３
５の高さを均一にする。従って、大規模な装置を用いず
に、簡単に、しかも精度よくインナーリードにバンプを
形成することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＴＡＢテ
ープの概略のバンプ形成工程斜視図である。この図にお
いて、１１はポリイミド等の絶縁体からなるサポートリ
ング、１２はインナーリード、１３はポリイミド等の絶
縁体からなるインナーリード部を連接する絶縁板、１４
はアウターリードである。
詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＴＡＢテ
ープの概略のバンプ形成工程斜視図である。この図にお
いて、１１はポリイミド等の絶縁体からなるサポートリ
ング、１２はインナーリード、１３はポリイミド等の絶
縁体からなるインナーリード部を連接する絶縁板、１４
はアウターリードである。
【０００９】まず、図１（ａ）に示すように、サポート
リング１１にはインナーリード１２が設けられ、インナ
ーリード１２の先端部にはインナーリード部を連接する
絶縁板１３が配置されている。次に、図１（ｂ）に示す
ように、インナーリード１２のインナーリード面にはワ
イヤボンディングによりワイヤボールバンプ３３を形成
する。この時、ワイヤボールバンプ３３の上部にはひき
ちぎられた部分３４が残る。
リング１１にはインナーリード１２が設けられ、インナ
ーリード１２の先端部にはインナーリード部を連接する
絶縁板１３が配置されている。次に、図１（ｂ）に示す
ように、インナーリード１２のインナーリード面にはワ
イヤボンディングによりワイヤボールバンプ３３を形成
する。この時、ワイヤボールバンプ３３の上部にはひき
ちぎられた部分３４が残る。
【００１０】次に、図１（ｃ）に示すように、そのワイ
ヤボールバンプ３３のバンプ表面、つまり、ひきちぎら
れた部分３４をツールで押さえて平滑にし、ワイヤボー
ルバンプ３３の上面３５を平滑にし、バンプ高さを均一
化することができる。以下、本発明のＴＡＢテープのバ
ンプ形成工程を、図２を参照しながら詳細に説明する。
ヤボールバンプ３３のバンプ表面、つまり、ひきちぎら
れた部分３４をツールで押さえて平滑にし、ワイヤボー
ルバンプ３３の上面３５を平滑にし、バンプ高さを均一
化することができる。以下、本発明のＴＡＢテープのバ
ンプ形成工程を、図２を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】まず、図２（ａ）に示すように、サポート
リング１１にはインナーリード１２が設けられ、該イン
ナーリード１２の先端部を連接する絶縁板１３が配置さ
れたＴＡＢテープを真空吸着ステージ２０に乗せ、絶縁
板１３の下部及びサポートリング１１の下部を真空で矢
印Ａの方向に引き、インナーリード１２を固定しておく
。一方、ワイヤボンダーのキャピラリ３０から繰り出さ
れたワイヤ３１の先端を電気トーチにより、放電させて
ボール３２を形成する。
リング１１にはインナーリード１２が設けられ、該イン
ナーリード１２の先端部を連接する絶縁板１３が配置さ
れたＴＡＢテープを真空吸着ステージ２０に乗せ、絶縁
板１３の下部及びサポートリング１１の下部を真空で矢
印Ａの方向に引き、インナーリード１２を固定しておく
。一方、ワイヤボンダーのキャピラリ３０から繰り出さ
れたワイヤ３１の先端を電気トーチにより、放電させて
ボール３２を形成する。
【００１２】次いで、そのボール３２が形成されたワイ
ヤ３１を、矢印Ｂ方向に下降させ、図２（ｂ）に示すよ
うに、インナーリード１２に押し当てられたボール３２
は矢印Ｃ方向に超音波エネルギーにより加圧とスクラブ
され、キャピラリ３０により、ボール３２がインナーリ
ード１２上へ溶着される。次いで、図２（ｃ）に示すよ
うに、キャピラリ３０は上昇し、ワイヤは３１の下端部
３５で引きちぎられ、インナーリード１２の上面にワイ
ヤボールバンプ３３が溶着され形成される。しかしワイ
ヤボールバンプ３３の上面はひきちぎられた部分３４が
残る。
ヤ３１を、矢印Ｂ方向に下降させ、図２（ｂ）に示すよ
うに、インナーリード１２に押し当てられたボール３２
は矢印Ｃ方向に超音波エネルギーにより加圧とスクラブ
され、キャピラリ３０により、ボール３２がインナーリ
ード１２上へ溶着される。次いで、図２（ｃ）に示すよ
うに、キャピラリ３０は上昇し、ワイヤは３１の下端部
３５で引きちぎられ、インナーリード１２の上面にワイ
ヤボールバンプ３３が溶着され形成される。しかしワイ
ヤボールバンプ３３の上面はひきちぎられた部分３４が
残る。
【００１３】次に、バンプ高さがまだばらついているた
め、図２（ｄ）に示すように、下面が平滑な面４１を有
したツール４０をワイヤボールバンプ３３上に位置決め
する。次に、ツール４０を矢印Ｅの方向に押し下げ、図
２（ｅ）に示すように、一定荷重で押し当てる。
め、図２（ｄ）に示すように、下面が平滑な面４１を有
したツール４０をワイヤボールバンプ３３上に位置決め
する。次に、ツール４０を矢印Ｅの方向に押し下げ、図
２（ｅ）に示すように、一定荷重で押し当てる。
【００１４】最後に、図２（ｆ）に示すように、ツール
４０をＦ方向に引き上げると、インナーリード１２上の
ワイヤボールバンプ３３の上面３５は平滑な面を有する
ワイヤボールバンプ３３が形成される。つまり、バンプ
の高さは平らで、ばらつきのない形状が得られる。なお
、サポートリング１１及び絶縁板１３は真空吸着ステー
ジ２０を用いて完全に吸着することができ、ワイヤバン
プ形成時にインナーリード１２が変形しないように構成
されている。
４０をＦ方向に引き上げると、インナーリード１２上の
ワイヤボールバンプ３３の上面３５は平滑な面を有する
ワイヤボールバンプ３３が形成される。つまり、バンプ
の高さは平らで、ばらつきのない形状が得られる。なお
、サポートリング１１及び絶縁板１３は真空吸着ステー
ジ２０を用いて完全に吸着することができ、ワイヤバン
プ形成時にインナーリード１２が変形しないように構成
されている。
【００１５】このようにして、ＴＡＢテープのインナー
リード１２上に、高さのそろったバンプのついたインナ
ーリード部を、図１（ｂ）において、点線１６の位置（
ワイヤボールと絶縁板の中間の位置）で切断し、図１（
ｃ）のようなインナーリード１２の先端部１７で切り落
とし、しかもインナーリード１２の上面に高さばらつき
のないワイヤボールバンプ３３を有したバンプ付ＴＡＢ
テープを得ることができる。
リード１２上に、高さのそろったバンプのついたインナ
ーリード部を、図１（ｂ）において、点線１６の位置（
ワイヤボールと絶縁板の中間の位置）で切断し、図１（
ｃ）のようなインナーリード１２の先端部１７で切り落
とし、しかもインナーリード１２の上面に高さばらつき
のないワイヤボールバンプ３３を有したバンプ付ＴＡＢ
テープを得ることができる。
【００１６】なお、上記実施例においては、キャピラリ
の駆動装置を利用して、ツール４０により、図２（ｄ）
〜（ｆ）に示すように、それぞれのワイヤボールバンプ
３３を個別に押さえるように構成したが、各インナーリ
ード１２の先端部に形成されている全てのワイヤボール
バンプ３３を広い押圧面を有する１個のツール（図示な
し）により一度に押さえて、ワイヤボールバンプ３３の
上面３５に平滑な面を形成するようにしてもよい。その
ように構成することにより、高さの等しい平面を有する
ワイヤボールバンプ３３を簡単に形成することができる
。
の駆動装置を利用して、ツール４０により、図２（ｄ）
〜（ｆ）に示すように、それぞれのワイヤボールバンプ
３３を個別に押さえるように構成したが、各インナーリ
ード１２の先端部に形成されている全てのワイヤボール
バンプ３３を広い押圧面を有する１個のツール（図示な
し）により一度に押さえて、ワイヤボールバンプ３３の
上面３５に平滑な面を形成するようにしてもよい。その
ように構成することにより、高さの等しい平面を有する
ワイヤボールバンプ３３を簡単に形成することができる
。
【００１７】また、上記実施例においては、絶縁板１３
を用いて、インナーリードの先端部を固定するようにし
たが、他の手段により、正確に押さえてやることができ
れば、絶縁板１３は削除することができる。なお、本発
明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣
旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明
の範囲から排除するものではない。
を用いて、インナーリードの先端部を固定するようにし
たが、他の手段により、正確に押さえてやることができ
れば、絶縁板１３は削除することができる。なお、本発
明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣
旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明
の範囲から排除するものではない。
【００１８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）従来は、インナーリード上にバンプを形成する方
法としては、メッキによるバンプ形成方法があるのみで
あったが、本発明によれば、大がかりな装置を用いず、
また複雑な工程を施すことなく、精度よく簡単にＴＡＢ
テープのバンプ形成を行うことができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）従来は、インナーリード上にバンプを形成する方
法としては、メッキによるバンプ形成方法があるのみで
あったが、本発明によれば、大がかりな装置を用いず、
また複雑な工程を施すことなく、精度よく簡単にＴＡＢ
テープのバンプ形成を行うことができる。
【００１９】（２）インナーリード側にバンプを形成し
ておくようにしたので、加圧はインナーリードと半導体
素子を接続する時の１回のだけですむ。即ち、従来の接
続の場合、ＧａＡｓ半導体素子のように、もろくかけや
すいものについては、バンプ形成、バンプ表面ならし、
及びインナーリード接続と３回の工程で半導体素子表面
を加圧することになり、半導体素子のパッド部にクラッ
クが発生する恐れがある。これに対し、インナーリード
側にバンプを形成しておけば、加圧はインナーリードと
ＩＣを接続するときの１回ですむことになり、良好な接
続を行うことができる。
ておくようにしたので、加圧はインナーリードと半導体
素子を接続する時の１回のだけですむ。即ち、従来の接
続の場合、ＧａＡｓ半導体素子のように、もろくかけや
すいものについては、バンプ形成、バンプ表面ならし、
及びインナーリード接続と３回の工程で半導体素子表面
を加圧することになり、半導体素子のパッド部にクラッ
クが発生する恐れがある。これに対し、インナーリード
側にバンプを形成しておけば、加圧はインナーリードと
ＩＣを接続するときの１回ですむことになり、良好な接
続を行うことができる。
【００２０】（３）インナーリード先端部を正確に押さ
えてやることにより、テープのみの購入により、ユーザ
側で簡単にバンプの形成を行うことができる。 （４）ベアチップＩＣは、従来の形態のままでＴＡＢ接
続を行うことができ、その効果は著大である。
えてやることにより、テープのみの購入により、ユーザ
側で簡単にバンプの形成を行うことができる。 （４）ベアチップＩＣは、従来の形態のままでＴＡＢ接
続を行うことができ、その効果は著大である。
【図１】本発明の実施例を示すＴＡＢテープの概略のバ
ンプ形成工程斜視図である。
ンプ形成工程斜視図である。
【図２】本発明の実施例を示すＴＡＢテープのバンプ形
成工程断面図である。
成工程断面図である。
【図３】従来の転写バンプ方式の説明図である。
１１ サポートリング
１２ インナーリード
１３ 絶縁板
１４ アウターリード
２０ 真空吸着ステージ
３０ キャピラリ
３１ ワイヤ
３２ ボール
３３ ワイヤボールバンプ
３４ ひきちぎられた部分
３５ バンプの上面
４０ ツール
４１ 平滑な面
Claims (1)
- 【請求項１】（ａ）ＴＡＢテープのインナーリード面に
ワイヤボンディングによりワイヤボールバンプを形成し
、（ｂ）該ワイヤボールバンプのバンプ表面を押さえて
平滑にしバンプ高さを均一化したことを特徴とするＴＡ
Ｂテープのバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3133924A JPH04359442A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | Ｔａｂテープのバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3133924A JPH04359442A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | Ｔａｂテープのバンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359442A true JPH04359442A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15116273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3133924A Pending JPH04359442A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | Ｔａｂテープのバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04359442A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5472030A (en) * | 1993-11-05 | 1995-12-05 | Sumitomo Rubber Industries, Ltd. | Pneumatic tire |
| US6482676B2 (en) | 1997-01-09 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Method of mounting semiconductor chip part on substrate |
-
1991
- 1991-06-05 JP JP3133924A patent/JPH04359442A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5472030A (en) * | 1993-11-05 | 1995-12-05 | Sumitomo Rubber Industries, Ltd. | Pneumatic tire |
| US6482676B2 (en) | 1997-01-09 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Method of mounting semiconductor chip part on substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990323 |