JP3092236B2 - デバイス及びデバイスのアウターリードボンディング方法 - Google Patents

デバイス及びデバイスのアウターリードボンディング方法

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JP3092236B2
JP3092236B2 JP03234392A JP23439291A JP3092236B2 JP 3092236 B2 JP3092236 B2 JP 3092236B2 JP 03234392 A JP03234392 A JP 03234392A JP 23439291 A JP23439291 A JP 23439291A JP 3092236 B2 JP3092236 B2 JP 3092236B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はフィルムキャリアから
形成されデバイス及びデバイスのアウターリードボン
ディング方法に関するものである
【0002】
【従来の技術】合成樹脂により形成されたフィルムキャ
リアに半導体チップをボンディングし、次いでこのフィ
ルムキャリアのリード部を打抜き、打抜いて得られたデ
バイスを基板にボンディングすることが、TAB法とし
て知られている。
【0003】上記のようにフィルムキャリアに半導体チ
ップをボンディングすることはインナーリードボンディ
ングと呼ばれている。また打抜かれたデバイスを基板に
ボンディングすることはアウターリードボンディングと
呼ばれている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】アウターリードボンデ
ィングは、極細のリードを、カメラにより観察して基板
に形成された極細の電極にマッチングさせてボンディン
グせねばならないため、要求される実装精度がきわめて
高い。またリードは極薄のリード銅箔(エッチング)に
より形成されているため、屈曲変形しやすく、取り扱い
が面倒である。したがってアウターリードボンディング
にはきわめて高度の技術が要求されるものであり、この
ためアウターリードボンディング技術は今日まで未だ確
立されていない実情にある。
【0005】殊に、上記マッチングの精度をあげるため
には、カメラによるリードの観察精度を上げねばならな
いが、リードは極細であって、カメラによる正確な位置
認識が困難であり、このことが、実装精度があがらない
原因の一つとなっていた。
【0006】そこで本発明は、デバイスのリードの正確
な位置検出を行って、リードを基板の電極に正確にマッ
チングさせて搭載することができるデバイス及びデバイ
スのアウターリードボンディング方法を提供することを
目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
半導体チップがボンディングされたフィルムキャリアの
リード部を打抜いて得られるデバイスであって、上記デ
バイスの各辺の端部にダミーリードを形成し、且つダミ
ーリードとリードの先端部を特徴部により結合したもの
である。 また請求項2記載の発明は、請求項1に記載さ
れたデバイスのアウターリードボンディング方法であっ
て、ボンディングヘッドのノズルに吸着されたデバイス
の特徴部をカメラにより観察して、この特徴部の位置を
検出するとともに、カメラにより基板を観察して基板の
電極の位置を検出し、次いでこの観察結果に基づいて上
記デバイスのリードを上記電極にマッチングさせるべ
く、上記デバイスを上記基板に対して相対的にXYθ方
向に移動させ、次いでノズルを下降させて上記リードを
上記電極上に着地させるとともに、上記ボンディングヘ
ッドに設けられた熱圧着子を上記特徴部上に押し付け
て、このリードを上記電極に熱溶着するようにしたもの
である。
【0008】
【作用】上記構成において、ボンディングヘッドのノズ
ルに吸着されたデバイスの特徴部をカメラにより観察し
て、この特徴部の位置を検出するとともに、カメラによ
り基板を観察して基板の電極の位置を検出する。このよ
うに、リードに特徴部を格別に設けることにより、リー
ドの位置を精密に検出できる。
【0009】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
【0010】図1は本発明に係るアウターリードボンデ
ィング装置の側面図、図2はデバイスの要部平面図であ
る。1はXYテーブルであり、その下部にボンディング
ヘッド2が配設されている。このボンディングヘッド2
には、デバイスPを吸着するノズル3と、このデバイス
PのリードLを基板9の電極11に熱圧着する熱圧着子
4が装着されている。5はこのデバイスPが載置される
テーブルである。XYテーブル1を駆動して、ボンディ
ングヘッド2をテーブル5の上方へ移動させ、そこでノ
ズル3を上下動させることにより、テーブル5上のデバ
イスPをノズル3により吸着してピックアップする。
【0011】図2において、このデバイスPの本体とな
る半導体チップP′の各辺には、外方に向かって多数本
のリードLが延出している。また、半導体チップP′の
各辺の両端部にはダミーリード6が設けられており、最
端部のリードLとダミーリード6は特徴部7により結合
されている。この特徴部7は、最も厳密な位置精度が要
求される位置である基板9の電極11(後述)へのボン
ディング位置、すなわちリードL先端部に対応する熱圧
着子4による熱溶着位置に形成する。
【0012】また、このダミーリード6や特徴部7は、
フィルムキャリアによりリードLと同時形成することに
より、特徴部7とリードLの相対的な位置ずれをなくす
ことができる。なお、ダミーリード6は、特徴部7の支
持のために形成されたものであり、このダミーリード6
は、基板9の電極11にはボンディングされない。デバ
イスPのピックアップ後、XYテーブル1を駆動して、
ノズル3に吸着されたデバイスPをカメラ8の上方に移
動させ、このリードLの特徴部7をカメラ8により観察
してリードLの位置を検出する。
【0013】図3において、10は基板9が載置される
XYテーブル、13はカメラ、12はこの基板9に設け
られた認識用マークであり、カメラ13によりマーク1
2を観察して電極11の位置を検出する。
【0014】本装置は、上記のような構成より成り、次
に動作を説明する。XYテーブル1の駆動により、テー
ブル5上に載置されたデバイスPをボンディングヘッド
2のノズル3によりピックアップし(図1(a)参
照)、次いでボンディングヘッド2をカメラ8の上方へ
移動させて、ノズル3に吸着されたデバイスPの特徴部
7をカメラ8により観察して、この特徴部7の位置を検
出するとともに(図1(b)参照)、カメラ13により
基板9に設けられたマーク12を観察して、電極11の
位置を検出する(図3参照)。
【0015】次いで、この観察結果に基づいてリードL
が電極11にマッチングするように、XYテーブル1の
XY方向への移動ストロークを補正するとともに、ノズ
ル3をその軸心を中心にθ回転させて、デバイスPを基
板9上に移動させる。次いで、ノズル3を下降させてリ
ードLを電極11上に着地させるとともに、ボンディン
グヘッド2に設けられた熱圧着子4を特徴部7に押し付
けて、リードLを電極11に熱溶着させる(同図1
(c)参照)。
【0016】この場合、熱圧着子4は特徴部7上に着地
して、リードLを電極11に熱溶着する(図2参照)。
このようにデバイスPにカメラ8による観察のための特
徴部7を格別に設けて、リードLの位置を検出すること
により、リードLを電極11に正確にマッチングさせ
て、デバイスPを基板9に良好に搭載することができ
る。
【0017】本発明はこの実施例に限定されないもので
あって、実施例ではリードLと電極11にマッチングさ
せるために、デバイスPを基板9に対してXYθ方向に
移動させたが、基板9をデバイスPに対してXYθ方向
に移動させてもよい。また、特徴部7の形状も、上記実
施例に限定されないものであって、図4に示すように、
リードLから特徴部14を突出させてもよく、要はカメ
ラ8により認識しやすいものであればよい。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、
ィルムキャリアから形成されたデバイスのリードの位置
を正確に検出して、リードを基板の電極に正確にマッチ
ングさせて熱溶着することができる。またダミーリード
や結合部はリードと同時に打抜き形成することができる
ので、製造が簡単である。しかもぜい弱で屈曲変形しや
すいリードをダミーリードによりしっかり支持でき、ま
た特徴部で結合することにより、特徴部とリードの相対
的な位置ずれをなくし、電極にボンディングされるリー
ドの先端部の位置をカメラで正確に検出することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るアウターリードボンディング方法
の工程順の側面図
【図2】同デバイスの要部平面図
【図3】同カメラによる基板の観察中の斜視図
【図4】本発明の他の実施例に係るデバイスの要部平面
【符号の説明】
2 ボンディングヘッド 3 ノズル 4 熱圧着子 7 特徴部 8 カメラ 9 基板 11 電極 14 特徴部 P デバイス L リード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 311

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップがボンディングされたフィル
    ムキャリアのリード部を打抜いて得られるデバイスであ
    って、上記デバイスの各辺の端部にダミーリードを形成
    し、且つダミーリードとリードの先端部を特徴部により
    結合したことを特徴とするデバイス。
  2. 【請求項2】請求項1に記載されたデバイスのアウター
    リードボンディング方法であって、ボンディングヘッド
    のノズルに吸着されたデバイスの特徴部をカメラにより
    観察して、この特徴部の位置を検出するとともに、カメ
    ラにより基板を観察して基板の電極の位置を検出し、次
    いでこの観察結果に基づいて上記デバイスのリードを上
    記電極にマッチングさせるべく、上記デバイスを上記基
    板に対して相対的にXYθ方向に移動させ、次いでノズ
    ルを下降させて上記リードを上記電極上に着地させると
    ともに、上記ボンディングヘッドに設けられた熱圧着子
    を上記特徴部上に押し付けて、このリードを上記電極に
    熱溶着するようにしたことを特徴とするデバイスのアウ
    ターリードボンディング方法。
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