KR960005549B1 - 볼 본딩 방법 및 그 장치 - Google Patents

볼 본딩 방법 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960005549B1
KR960005549B1 KR1019880701243A KR880701243A KR960005549B1 KR 960005549 B1 KR960005549 B1 KR 960005549B1 KR 1019880701243 A KR1019880701243 A KR 1019880701243A KR 880701243 A KR880701243 A KR 880701243A KR 960005549 B1 KR960005549 B1 KR 960005549B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wire
bond
bonding
ball
scarfing
Prior art date
Application number
KR1019880701243A
Other languages
English (en)
Other versions
KR890700921A (ko
Inventor
파라샷트 파하트
비르겔 발트
Original Assignee
디나페르트 델포텍 게젤샤프트미트베슈
파하드 파라샤트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 디나페르트 델포텍 게젤샤프트미트베슈, 파하드 파라샤트 filed Critical 디나페르트 델포텍 게젤샤프트미트베슈
Publication of KR890700921A publication Critical patent/KR890700921A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960005549B1 publication Critical patent/KR960005549B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004Wire welding
    • B23K20/005Capillary welding
    • B23K20/007Ball bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/851Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01075Rhenium [Re]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19042Component type being an inductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

볼 본딩 방법 및 그 장치
마이크로 전자공학에서, 본딩은 접속이 납땜(주로, 주석-납 합금)의 수단에 의해 행하여지는 통상적인 납땜과는 구별되는 바와같이 일반적으로 접착 또는 용접에 의한 부품간의 상호 접속을 말한다.
지지기판상에 부품을 장착하는 칩(다이)본딩 방법과 지지기판상으로 부품 리이드를 접속하거나 또는 부품과 상기 기판의 각 접속 패드를 세선의 와이어로 접속하는 와이어 본딩 방법은 구별되며, 본 발명은 부품과 상기 기판의 각 접속패드를 세선의 와이어로 접속하는 상기 최종의 와이어 본딩 방법에 관한 것으로, 특히, 소위 볼 본딩에 관한 것이다. 그리고, 볼 본딩의 여러가지 공정은 다음과 같다.
즉, -본드헤드 또는 이에 결합되고 플레임 스카프 본드 볼(flame scarfed bond ball)을 포함하는 본드 캐필러리(capillary)를 상방향으로 끌어당겨진 출발위치로부터 제1본딩 장소로 위치시켜서 하강시키는 단계,
-열의 공급, 소정의 본딩 압착 또는 초음파 보조장치로 본드와이어 볼을 용접시키는 공정.
-상기 본드 캐필러리를 위쪽으로 끌어당기는 공정.
-루우프(loop)를 형성하는 공정.
-열의 공급, 소정의 본딩 압착 또는 초음파 보조장치에 의한 본드와이어의 용접공정.
-기 설정 테일길이(Tail-length) 위치까지 본드 캐필러리를 끌어당겨 올리고, 상기 본드와이어를 맞물리고 있는 크램프의 수단에 의한 견인력으로 본드와이어를 절단한 후 출발위치로 상기 본드 캐필러리를 끌어당겨 올리는 공정 및 본드와이어 볼을 형성하도록 본드와이어의 자유단을 플레임 스카핑하는 공정으로 되어 있다.
부품이 계속적으로 최소화되고 이에 따라 본딩 또는 접촉 패드의 계속적인 최소화되는 견지에서, 그에 상응하여 이웃간의 본딩 또는 접촉 패드 사이의 단락을 방지하도록 볼(ball)의 사이즈는 그에 상응하여 감소되어야 한다.
또한, 이 "미니-볼(mini-ball)"은 그 칫수가 정확하게 되어야 한다.
이와 같은 두가지의 요구사항은 전술한 종래의 방법으로서는, 만족하게 달성될 수 없다. 이것은 종래의 볼 본딩이 다음과 같은 사항을 전혀 고려하지 않은 사실 때문이다.
1. 매우 가느다란 라(裸)금선(Gold wire)의 10%까지의 신장,
2. 단선의 원인이 되는 본드와이어와 크램프 사이의 슬립,
3. 내부 스트레스에 기인되는 제2본딩 패드로의 용접후 비부하 상태에서, 본딩와이어의 변형, 특히, 이 와이어의 횡방향으로의 편향,
상술된 바와 같은 현상이 고려되지 않는 사실로 인하여, 종래 볼 본딩 방법으로는 테일(tail)길이가 매우 일정하지 않게 되고 이에 따라 볼의 사이즈도 일정하게 않게 된다.
따라서, 본 발명의 볼의 사이즈 특히, 소위 미니볼(mini-ball)의 사이즈 역시 매우 정확하게 제어될 수 있는 수단에 의해 전술한 종류의 방법 및 이 방법을 수행하기 위한 장치를 제공함을 목적으로 하고 있다.
이러한 목적은 특허청구범위 제1항 또는 제3항에 기재된 특정의 방법에 의하여 아주 놀라울 만큼 간단한 방법에 의해 해결되며, 한편 본 발명의 방법을 수행하기 위한 장치는 특허청구범위 제6항에 기재된 내용에 의해 특정 지어진다.
전술한 목적을 해결하기 위한 것 이외에도 본 발명에 의한 방법은 부가적으로 또하나의 정보를 제공하여 준다. 와이어 크램크가 와이어 크램프 위치에 있게 되는 즉시, 와이어 크램프와 본딩 패드 또는 리이드 프레임 사이의 전기접속이 형성되지 않을 때에는 이는 제2본딩 패드로의 테일(tail)의 접속이 이루어져 있기 않거나, 또는 와이어 크램프가 작동됨이 없이 이미 본드와이어가 절단되어 있음을 의미한다. 이러한 경우에, 바람직스럽게는 본딩 장치의 에너지부세가 제거되고 고장이 조사되어 제거된 후 본딩 장치가 리세트 된다.
특허청구 제4항에 특정된 방법에 있어서는, 본드헤드가 기 설정된 만큼 하강한 후에도 본드와이어의 자유단과 플레임-스카핑(flame-scarfing) 수단 사이에 접촉이 수 없을 때에는 이것은 테일(tail)길이가 너무 짧아 충분한 크기의 볼(ball)이 형성될 수 없는 것을 의미한다. 이 경우에도 역시, 바람직스럽게로는 본딩장치의 에너지부세가 제거되고 고장이 조사되어 제거된 후 본딩장치가 리세트된다.
그래서, 본 발명에 의한 방법은 종래 방법에 따라 작동될 때 달성될 수 없었던 부가적인 고장신호가 얻어진다.
특허청구범위 제1항에 특정된 세부사항은 특허청구범위 제2항 및 제3항에 기술된다.
다음에 본 발명에 의한 방법을 기본 도면, 즉 본 발명에 의한 볼 본딩 방법의 기본적인 시컨스를 표시하는 제1도 내지 제7도를 참조하여 상세히 설명한다.
첨부도면은 본드 캐필러리(10), 와이어 하측 자유단에 미니볼(12)를 가진 금의 본드와이어(11), 이 본드와이어(11)를 맞물리고 있는 와이어 크램프(13), 제1본딩패드(17), 리이드 프레임(15), 리이드 프레임 또는 기판상의 제2본딩패드(16)를 각각 가지고 있는 부품(14), 및 플레임-스카핑 랜스(flame-scarfing lance)(18)를 나타내고 있다.
상세히 도시되지는 않았지만, 플레임 스카프된 본드와이어 볼(12)을 가진 본드 캐필러리(10)를 포함하는 본드헤드가 상방향으로 끌어올려진 출발위치로부터 출발하여, 본드 캐필러리(10)는 제1도에서 화살표(19)로 나타내는 바와 같이, 부품(14)상에 형성되어 있는 제1본딩패드(17)로 하강된다.
본드 캐필러리(10)가 하강하면 볼(12)도 하강하고 이에 따라 본드와이어(11)도 하강된다. 그후, 볼(12)은 열의 공급, 소정의 본딩 압착 보조장치 또는 초음파 보조장치에 의해 부품(14)상의 제1본딩패드(17)에 용접된다.
그리고, 본드헤드나 또는 본드 캐필러리(10)는 상측으로 끌어당겨지고(제3도 화살표 20 참고) 제4도에 표시된 기 설정 루우프 위치로 이동되어 소위 본드와이어 루우프(loop)(21)가 형성된다. 이 루우프 위치에서, 본드 캐필러리는 제2본딩패드(16) 위치된다. 그후 본드 캐필러리는 다시 이 루우프 위치로부터 본드와이어(11)와 같이 다시 하강된다(제4도 화살표 22 참조). 제5도에서 도시된 하강된 위치에서 본드와 이어(11)는 다시 열공급, 소정 본딩 압착 또는 초음파 보조장치의 수단에 의해 제2본딩패드(16)에 용접된다.
그후, 본드헤드 또는 본드 캐필러리(10)는 제6도에 도시된 테일길이(tail-length)위치(28)로 이동되고 그 다음 와이어 크램프(13)가 작동되어 제6도에서 화살표(23)로 표시하는 바와 같이 와이어 크램프 위치로 이동된다. 그후 전압이 리이드 프레임(15)를 통하여, 와이어 크램프와 제2본딩패드(16) 사이에 인가된다. 이 전압이 인가되면 즉시 와이어 크램프(13)는 제7도에서 화살표(24)에 의해 나타나지는 바와 같이, 상측으로 이동되며, 한편 이에 상응되는 견인력이 와이어가 절단될 때까지 본드와이어 상에 작용하게 된다. 본드와이어(11)가 절단되면 바로 와이어 크램프(13)와 제2본딩패드(16) 사이의 전기접속이 끊어지게 되며, 와이어 크램프(13)의 견인 또는 절단동작이 중지된다.
동시에 본드와이어(11)의 절단시까지 화살표(24) 방향에서 와이어 크램프(13)의 이동거리가 감지된다. 이와 같은 방법으로 실제의 테일길이(25)(제7도)나 또는 제2본딩패드(16) 위의 본드와이어 자유단의 정확한 위치를 결정하는 것이 가능하므로, 새로운 볼(12)를 형성하도록 본드와이어의 자유단을 프레임 스카프하기 위한 수단을 위치시키는 것이 가능하다. 다시말하면, 프레임 스카핑 랜스(18)가 본드와이어 팁으로부터 항상 기 설정된 거리를 유지하도록(제7도 2중화살표(26) 참조) 본드와이어 자유단이나 또는 와이어 팁의 반대측에 위치시키는 것이 가능하다. 그리고나서 플레임 스카핑 랜스(18)는 부세되므로(플레임 스카핑 스파크(27)) 테일(25)는 변형되어 새로운 볼(12)가 만들어진다.
그후, 와이어 크램프(13)가 다시 열려지고 제1도에 도시된 출발위치로 하강된다. 그리고나서 전술한 바와 같은 새로운 본딩 사이클이 시작되어진다.
와이어 크램프(13)는 스텝모터에 의해 구동되는 것이 바람직스럽다. 따라서 본드와이어(11)가 절단될 때까지 와이어 크램프(13)에 의한 이동거리는 스텝(클럭)으로 결정된다. 또한, 2중화살표(26)에 따라서의 플레임 스카핑 랜스(18)의 상·하 운동은 동양으로 스텝모터의 수단과 컴퓨터 장치에 결합된 양 스텝모터의 카운터에 의해 수행됨으로써 와이어 팁으로의 플레임 스카핑 랜스(18)의 소정의 배치가 충분히 자동적으로 이루어질 수 있도록 함이 바람직스럽다.
와이어 크램프(13)가 다시 제1도에 도시되어 있는 출발위치에 있게 되는 즉시 와이어 크램프(13)와 결합되어 있는 카운터는 제로로 리셋트된다. 플레임 스카핑 랜스(18)는 또한 테일(25)를 플레임 스카프한 후에 제로 위치로 복귀된다. 상기 제로 위치에 도달하게 되면 즉시 플레임 스카핑 랜스(18)의 구동수단에 결합되어 있는 카운터 또한 제로로 리셋트된다. 그리고 양 와이어 크램프(13)와 플레임 스카핑 랜스(18)가 출발위치에 놓여지게 되고 이것으로부터 와이어 팁과 플레임 스카핑 랜스(18)의 상호 위치가 결정되고 조절된다.
기술된 방법에 의하면, 신장이나 와이어 변형 (무 부하상태에서 횡방향 편향)과 같은 전술한 바의 고장원인 현상이나 또는 매개변수 등이 제거되어서 볼은 그 칫수가 정확하게 될 수 있는 것이 가능하다.
본드와이어(11)가 절단된 후에, 와이어 자유단이 그 사이에 플레임 스카핑 위치 또는 상응하는 접합점에 복귀되거나 선회되어 있는 어느 하나의 플레임 스카핑 랜스와 접촉할 때까지, 상측으로 끌어당겨 올려진 본드 캘필러리(10)가 다시 하강할 때에도 동일한 결과가 얻어지게 된다.
그후에 본드헤드는 다만 와이어 자유단과 플레임 스카핑 랜스(18) 사이의 기 설정된 거리가 도달될 때까지 들어올리면 된다. 이 방법으로도 동양으로 항상 볼의 정확한 크기를 결정하는 것이 가능하다. 이 마지막 방법으로는 플레임 스카핑 랜스(18)은 단지 제7도의 2중화살표(27)의 방향에서 움직인다.
또한 상기 최종의 방법에 있어서는, 종래의 전기(비접촉)센서, 기계적 센서 또는 초음파센서는 접촉센서로 사용하여도 좋다.
최종방법으로도 충분한 길이의 테일(25)가 나타나 있는가의 여부를 결정하는 것이 또한 가능하다. 본드헤드가 기 설정된 만큼 하강한 후에도 플레임 스카핑 랜스(18)와 아무런 접촉이 없게 되면 이것은 테일길이가 충분한 크기의 볼(12)을 형성하기에는 너무도 짧다는 것을 나타내는 것이다.
그리고 첫번째 기술된 방법의 잇점은 와이어 크램프(13)가 닿혀진 후에도 이 크램프와 제2본딩패드(16) 사이의 전기적 접속이 이루어질 수 없게 되면 와이어 크램프(13)의 작동없이 본드와이어가 이미 절단되어 있음을 결정할 수 있는 점이다.
본 발명에서 개시된 모든 특징은 개별적으로나 또는 결합하여 종래기술에 대하여 신규한 범위에까지 본 발명의 필수적인 것으로 청구된다.

Claims (6)

  1. a) 플레임 스카프된 본드와이어 볼을 가지는 본드 캐필러리를 위치시켜서 상측으로 끌어당겨 올려진 출발위치로부터 제1본딩패드로 하강시키는 공정, b) 열의 공급, 소정 본딩 압착 또는 초음파 보조장치에 의해 본드와이어 볼을 용접하는 공정, c) 본드 캐필러리를 다시 상측으로 끌어당겨 올리는 공정, d) 루우프를 형성하는 공정, e) 열의 공급, 소정 본딩 압착 또는 초음파 보조장치에 의해 제2본딩패드에 본드와이어를 용접하는 공정, f) 기 설정된 테일길이 위치까지 본드 캐필러리를 상측으로 다시 끌어당겨 올려서 본드와이어를 맞물리고 있는 크램프 수단에 의한 견인력으로 본드와이어를 절단한 후, 출발위치로 본드 캐필러리를 다시 상측으로 끌러당겨 올리는 공정, g) 본드와이어 자유단을 플레임 스카프하여 새로운 본드와이어 볼을 형성하는 공정을 구비하는 볼 본딩 방법, 특히 금선의 본딩 방법에 있어서, h) 제2본딩패드에 본드와이어를 용접한 후에 크램프가 와이어 크램프 위치에 있게 되면 즉시 상기 제2본딩패드와 본드와이어에 상기 견인력을 발휘하는 크램프 사이에 전압이 인가되는 공정, i) 그후, 본드와이어가 절단되어서 제2본딩패드와 크램프 사이의 전기접속의 차단시까지 크램프에의 이동거리를 측정하는 공정 및, j) 플레임 스카핑 장치, 특히 플레임 스카핑 랜스가 본드와이어의 자유단 또는 와이어 팁으로부터 기 설정된 거리를 가지도록 측정된 크램프의 이동거리를 고려하여, 본드와이어의 자유단을 플레임 스카프하기 위한 장치(플레임 스카핑 장치), 특히 플레임 스카핑 랜스를 본드와이어의 자유단 또는 와이어 팁에 배치하는 공정을 구비함을 특징으로 하는 방법.
  2. 제2본딩패드에 용접된 본드와이어를 절단시키는 크램프는 본드와이어가 절단될 때까지 이동스텝이 계수되는 동안 스텝 방식 또는 클럭 방식으로 끌어당겨지도록 함을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항 기재의 방법.
  3. 본드와이어가 절단된 후에 상기 크램프의 이동스텝을 계수하기 위한 계수기는 제로로 리셋트 됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제2항 기재의 방법.
  4. a) 플레임 스카프된 본드와이어 볼을 가지는 본드 캐필러리를 위치시켜서 상측으로 끌어당겨 올려진 출발위치로부터 제1본딩패드로 하강시키는 공정, b) 열의 공급, 소정 본딩 압착 또는 초음파 보조장치에 의해 본드와이어 볼을 용접하는 공정, c) 본드 캐필러리를 다시 상측으로 끌어당겨 올리는 공정, d) 루우프를 형성하는 공정, e) 열의 공급, 소정 본딩 압착 또는 초음파 보조장치에 의해 제2본딩패드에 본드와이어를 용접하는 공정, f) 본드 캐필러리를 기 설정 테일길이 위치까지 상측으로 끌어당겨 올려서, 본드와이러를 맞물리고 있는 크램프 수단에 의한 견인력으로 본드와이어를 절단한 후 다시 출발위치로 끌어당겨 올리는 공정, g) 본드와이어의 자유단을 플레임 스카프하여 새로운 본드와이어 볼을 형성하는 공정을 구비한 볼 본딩방법에 있어서, h) 본드와이어의 자유단을 플레임 스카프하기 전해 이를 위해 사용되는 플레임 스카핑 장치, 특히 플레임 스카핑 랜스는 플레임 스카핑 위치에 재치되는 공정 및, i) 본드와이어의 자유단 또는 와이어 팁이 플레임 스카핑 랜스 또는 변위제한부재(접합점)에 접촉할 때까지 본드 캐필러리를 가지는 본드헤드가 하강되고, 그후 본드와이어 자유단 또는 와이어 팁이 플레임 스카핑 장치, 특히 플레임 스카핑 랜스로부터 기 설정된 거리를 유지하도록 기 설정거리까지 다시 본드헤드를 상측으로 이동시키는 공정을 구비함을 특징으로 하는 방법.
  5. 상기 본드와이어의 자유단 또는 와이어 팁의 접촉은 전기적, 기계적 또는 초음파적 및 이들 결합의 센서의 수단에 의해 검출됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제4항 기재의 방법.
  6. 본드와이어(11)을 절단시키기 위한 와이어 크램프(13)는 기 설정된 제로위치로부터의 이와이어 크램프(13)에 의한 이동거리가 세트되거나 또는 디지탈적으로 결정될 수 있도록, 카운터에 연결된 스텝구동 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하여 특허청구범위 제1항 내지 제5항에 기재된 방법을 수행하기 위한 장치.
KR1019880701243A 1987-02-06 1987-12-09 볼 본딩 방법 및 그 장치 KR960005549B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873703694 DE3703694A1 (de) 1987-02-06 1987-02-06 Ball-bondverfahren und vorrichtung zur durchfuehrung derselben
DEP3703694.7 1987-02-06
PCT/EP1987/000765 WO1988005960A1 (en) 1987-02-06 1987-12-09 Ball bonding process and device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890700921A KR890700921A (ko) 1989-04-28
KR960005549B1 true KR960005549B1 (ko) 1996-04-26

Family

ID=6320422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880701243A KR960005549B1 (ko) 1987-02-06 1987-12-09 볼 본딩 방법 및 그 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4925083A (ko)
EP (2) EP0299987B1 (ko)
JP (1) JPH01502066A (ko)
KR (1) KR960005549B1 (ko)
AT (2) ATE106607T1 (ko)
DE (3) DE3703694A1 (ko)
WO (1) WO1988005960A1 (ko)

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5285949A (en) * 1987-01-26 1994-02-15 Hitachi, Ltd. Wire-bonding method, wire-bonding apparatus, and semiconductor device produced by the wire-bonding method
US5014111A (en) * 1987-12-08 1991-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrical contact bump and a package provided with the same
US5326015A (en) * 1993-03-29 1994-07-05 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Wire bonder tail length monitor
DE4335468A1 (de) * 1993-10-18 1995-04-20 F&K Delvotec Bondtechnik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Drahtbonden
US5683255A (en) * 1993-12-03 1997-11-04 Menze; Marion John Radio frequency connector assembly
US5868300A (en) * 1995-06-29 1999-02-09 Orthodyne Electronics Corporation Articulated wire bonder
US5874354A (en) * 1995-09-26 1999-02-23 Siemens Aktiengesellschaft Method for electrically connecting a semiconductor chip to at least one contact surface and smart card module and smart card produced by the method
DE29608277U1 (de) * 1996-04-30 1996-09-19 F&K Delvotec Bondtechnik GmbH, 85521 Ottobrunn Vorrichtung zum Ball-Bonden
US6098868A (en) * 1997-05-23 2000-08-08 Masushita Electric Industrial Co., Ltd. Bump forming method and bump bonder
DE19812706A1 (de) * 1998-03-23 1999-10-07 F&K Delvotec Bondtechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum "ball-bonden"
JP2001189340A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法及びその装置
DE10035175C1 (de) * 2000-07-19 2002-01-03 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung von flexiblen Dünnfilmsubstraten
US6350632B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with ball bond connection joint
US6350386B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit with a tapered through-hole for a semiconductor chip assembly
US6511865B1 (en) 2000-09-20 2003-01-28 Charles W. C. Lin Method for forming a ball bond connection joint on a conductive trace and conductive pad in a semiconductor chip assembly
US6544813B1 (en) 2000-10-02 2003-04-08 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6448108B1 (en) 2000-10-02 2002-09-10 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US7129575B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped metal pillar
US6872591B1 (en) 2000-10-13 2005-03-29 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace and a substrate
US7132741B1 (en) 2000-10-13 2006-11-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with carved bumped terminal
US7129113B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar in an encapsulant aperture
US6492252B1 (en) 2000-10-13 2002-12-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped conductive trace to a semiconductor chip
US7264991B1 (en) 2000-10-13 2007-09-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using conductive adhesive
US7190080B1 (en) 2000-10-13 2007-03-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US7071089B1 (en) 2000-10-13 2006-07-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a carved bumped terminal
US7009297B1 (en) 2000-10-13 2006-03-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal particle
US7075186B1 (en) 2000-10-13 2006-07-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with interlocked contact terminal
US7262082B1 (en) 2000-10-13 2007-08-28 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar and a conductive interconnect in an encapsulant aperture
US6699780B1 (en) 2000-10-13 2004-03-02 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using plasma undercut etching
US7094676B1 (en) 2000-10-13 2006-08-22 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US6537851B1 (en) 2000-10-13 2003-03-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace to a semiconductor chip
US6673710B1 (en) 2000-10-13 2004-01-06 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6984576B1 (en) 2000-10-13 2006-01-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting an additively and subtractively formed conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6740576B1 (en) 2000-10-13 2004-05-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a contact terminal with a plated metal peripheral sidewall portion for a semiconductor chip assembly
US6440835B1 (en) 2000-10-13 2002-08-27 Charles W. C. Lin Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip
US7319265B1 (en) 2000-10-13 2008-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with precision-formed metal pillar
US7414319B2 (en) * 2000-10-13 2008-08-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with metal containment wall and solder terminal
US6576539B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Charles W.C. Lin Semiconductor chip assembly with interlocked conductive trace
US6667229B1 (en) 2000-10-13 2003-12-23 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6908788B1 (en) 2000-10-13 2005-06-21 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using a metal base
US6949408B1 (en) 2000-10-13 2005-09-27 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US6576493B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US6876072B1 (en) 2000-10-13 2005-04-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with chip in substrate cavity
US6548393B1 (en) 2000-10-13 2003-04-15 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with hardened connection joint
US6444489B1 (en) 2000-12-15 2002-09-03 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with bumped molded substrate
US6653170B1 (en) 2001-02-06 2003-11-25 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with elongated wire ball bonded to chip and electrolessly plated to support circuit
US7993983B1 (en) 2003-11-17 2011-08-09 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with chip and encapsulant grinding
US7425759B1 (en) 2003-11-20 2008-09-16 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal and filler
US7538415B1 (en) 2003-11-20 2009-05-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal, filler and insulative base
CN101053079A (zh) 2004-11-03 2007-10-10 德塞拉股份有限公司 堆叠式封装的改进
US7446419B1 (en) 2004-11-10 2008-11-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar of stacked metal balls
US7268421B1 (en) 2004-11-10 2007-09-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar that includes enlarged ball bond
US7750483B1 (en) 2004-11-10 2010-07-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar and enlarged plated contact terminal
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
JP4679427B2 (ja) * 2006-04-24 2011-04-27 株式会社新川 ボンディング装置のテールワイヤ切断方法及びプログラム
ATE472387T1 (de) 2006-09-05 2010-07-15 Univ Berlin Tech Verfahren und vorrichtung zur regelung der herstellung von drahtbondverbindungen
US7494843B1 (en) 2006-12-26 2009-02-24 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with thermal conductor and encapsulant grinding
US7811863B1 (en) 2006-10-26 2010-10-12 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with metal pillar and encapsulant grinding and heat sink attachment
US7896218B2 (en) * 2007-06-28 2011-03-01 Western Digital Technologies, Inc. Apparatus and method for conductive metal ball bonding with electrostatic discharge detection
US8020290B2 (en) * 2009-06-14 2011-09-20 Jayna Sheats Processes for IC fabrication
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8836136B2 (en) 2011-10-17 2014-09-16 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
TWI487046B (zh) * 2013-04-03 2015-06-01 矽品精密工業股份有限公司 銲線之銲接方法
TWI518816B (zh) * 2013-07-04 2016-01-21 先進科技新加坡有限公司 用於在導線鍵合過程中測量無空氣球尺寸的方法和裝置
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) * 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US9881895B2 (en) * 2015-08-18 2018-01-30 Lockheed Martin Corporation Wire bonding methods and systems incorporating metal nanoparticles
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US9911718B2 (en) 2015-11-17 2018-03-06 Invensas Corporation ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3767101A (en) * 1972-01-26 1973-10-23 Hughes Aircraft Co Pulse vibrator for thermocompression bonding
US3863827A (en) * 1972-11-10 1975-02-04 Mech El Ind Inc Tailless wire bonder
US3941486A (en) * 1974-06-03 1976-03-02 The Computervision Corporation Wire bonder
US3934108A (en) * 1974-09-16 1976-01-20 Uthe Technology, Inc. Lead bonding method and apparatus
GB1468974A (en) * 1975-05-23 1977-03-30 Ferranti Ltd Manufacture of semiconductor devices
US4109846A (en) * 1977-05-17 1978-08-29 Sola Basic Industries, Inc. Automatic height sensor for semiconductor bonding tool, wafer probe or the like
US4213556A (en) * 1978-10-02 1980-07-22 General Motors Corporation Method and apparatus to detect automatic wire bonder failure
US4266710A (en) * 1978-11-22 1981-05-12 Kulicke And Soffa Industries Inc. Wire bonding apparatus
DE3037735A1 (de) * 1980-10-06 1982-05-13 TS-Electronic Vertriebs-GmbH, 8000 München Kontaktierverfahren und kontaktiermaschine zur durchfuehrung des verfahrens
JPS57211240A (en) * 1981-06-22 1982-12-25 Hitachi Ltd Wire bonder
US4555052A (en) * 1983-02-28 1985-11-26 Fairchild Camera & Instrument Corporation Lead wire bond attempt detection
US4586642A (en) * 1985-05-13 1986-05-06 Kulicke And Soffa Industries Inc. Wire bond monitoring system

Also Published As

Publication number Publication date
ATE178431T1 (de) 1999-04-15
JPH01502066A (ja) 1989-07-13
KR890700921A (ko) 1989-04-28
DE3789962D1 (de) 1994-07-07
ATE106607T1 (de) 1994-06-15
DE3752266D1 (de) 1999-05-06
EP0533164A3 (en) 1993-07-14
EP0533164B1 (de) 1999-03-31
EP0533164A2 (de) 1993-03-24
DE3703694A1 (de) 1988-08-18
WO1988005960A1 (en) 1988-08-11
EP0299987B1 (de) 1994-06-01
US4925083A (en) 1990-05-15
EP0299987A1 (de) 1989-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960005549B1 (ko) 볼 본딩 방법 및 그 장치
US4437604A (en) Method of making fine wire interconnections
TWI649816B (zh) 打線方法與打線裝置
EP0120746A1 (en) Lead-wire bond attempt detection
US20070029367A1 (en) Semiconductor device
JPH09162228A (ja) 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
US6305594B1 (en) Wire bonding method and apparatus
US5207786A (en) Wire bonding method
JPS5925377B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP3074518B2 (ja) 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
TWI231367B (en) Method for checking the quality of a wedge bond
KR100660821B1 (ko) 와이어본딩 방법
JP2943381B2 (ja) ボンディング方法
JPS589331A (ja) 半導体装置のワイヤボンデイング装置
JPH039525A (ja) バンプ形成方法及びその形成装置
JP3111976B2 (ja) ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング強度測定方法
JPH07130785A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0458694B2 (ko)
JP3092236B2 (ja) デバイス及びデバイスのアウターリードボンディング方法
JPH0231787Y2 (ko)
JPH05226428A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH04251948A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61113250A (ja) ワイヤボンダにおけるワイヤ接続方法
JPH10199913A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH03177036A (ja) 半導体装置における電気的導通部材の接続方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee