JPS589331A - 半導体装置のワイヤボンデイング装置 - Google Patents

半導体装置のワイヤボンデイング装置

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JPS589331A
JPS589331A JP56106763A JP10676381A JPS589331A JP S589331 A JPS589331 A JP S589331A JP 56106763 A JP56106763 A JP 56106763A JP 10676381 A JP10676381 A JP 10676381A JP S589331 A JPS589331 A JP S589331A
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capillary
bonding
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wire
metal wire
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Tetsuji Yamaguchi
哲司 山口
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体素子の電極と外部導出リードとを金
属細線で接続するワイヤボンディング装置に関する。
従来の半導体装置のワイヤボンディング装置は、第１図
に概要説明図で示すように力っていた。（１）は外部導
出リードで、（２）は外部導出リードのグイパッド部で
あり、ヒートブロック（３）上に載せられ加熱されてい
る。（４）はグイパッド部（２）上にグイボンドされた
半導体素子である。（５）は超音波ボンディング装置（
図示は略す）のキャピラリで、図示を略した駆動手段に
よシ上下動及び水平移動さ帳リール（図示は略す）から
の金属細線（６）が通されている。（７）は所定の高さ
に維持され、キャピラリ（５）の上方に位置し共に同一
水平移動するクランパで、キャピラリ（５）のボンディ
ング工程中は金属細線（６）の挟持を開放しておシ、外
部導出リード（１）への第２ボンデイングがされワイヤ
ボンド１サイクルが完了し、キャピラリ（５）が上死点
に達したとき、金属細線（６）を押圧挾持し、金属細線
（６）のガスバーナによる切断時のたるみを防止する。
キャピラリ（５）が半導体素子（４）への第１ボンデイ
ング開始のため下降を始めると、クランパ（ｎが挾持を
開放する。
上記従来の装置によるボンディング動作は、次のようＫ
なる。まず、半導体素子（４）上方にキャピラリ（５）
が移動され、クランパ（７）が挟持を開放しキャビｊ　
ＩＪ　（５）が下降し半導体素子（４）Ｋ金属細線（６
）を押圧し超音波熱圧着する。こうして、第１ボンデイ
ングがされるとキャピラリ（５）が上昇し、続いて外部
導出リード（１）上方に水平移動する。この状態を第１
図に示す。つぎに、キャピラリ（５）が下降し外部導出
リード（１）上に金属細線（６）を押圧し超音波熱圧着
する。これによシ、第２ボンデイングが終りキャピラリ
（５）が上昇し、クランパ（７）が閉じ金属細線（６）
を挾持する。キャピラリ（５）の下方位置で金属細線（
６）をガスバーナで切断し、ここでワイヤボンド１サイ
クル工程が完了し、第２図のように接続される。再び上
記動作が繰返され他の位置のボンディングがされる。
ワイヤボンドにおいて重要なことは、半導体素子（４）
と外部導出リード（１）とを接続した金属細線（６）の
形状（ループ）が、適度な山形に形成されることである
。
上記従来の装置では、接続した金属細線（６）のループ
の形状にばらつきがあり、第２図に示すようにループが
低過ぎて張った状ＪＫなることがあり、わずかの外方で
断線する不都合が生じることがよくあった。
上記従来の装置によると金属細線（６）のループが低く
なる原因として、第２ボンデイングにおいて、キャピラ
リ（５）が外部導出リード（１）Ｋ向かって下降する際
に１下方に引出されていた金属細線（６）がキャピラリ
（６）内に逆戻シし、との逆戻シした長さだけ下方の金
属細線（６）が短くな如、ループが低くなるということ
が究明された。
この発明は、キャピラリの上方に所定の間隔をあけ共に
上下動及び水平移動するｊｌｌＩ２のクランパを配設し
、第１ボンデイングを終え第２ボンディング点の上方に
キャピラリが移動したとき、第２のクランパで金属細線
を抑圧挟持しておき、キャピラリが下降し第２ボンデイ
ングが終わると第２のクランパが開放するようＫし、接
続した金属細線のループが適度な山形に形成されるよう
にした、半導体装置のワイヤボンディング装置を提供す
ることを目的としている。
８３図はこの発明の一実施例による半導体装置のワイヤ
ボンディング装置の概要説明図であシ、〈１）〜（７）
は上記従来装置と同一のものである。（ＩＩ）は第１の
クランパ（７）の下方でキャピラリ（５）の上方に所定
の間隔をあけて配設された第２のクランパで、キャピラ
リ（５）と共に上下動及び水平移動される。
この第２のクランパ（１１）は常時は開放しておシ、半
導体素子（４）への第１ボンデイングが終え上昇したキ
ャピラリ（５）が、水平移動して外部導出リード（１）
の上方に至ったとき、第２のクランパ（ｌりで金属細線
（６）を押圧挾持しておく。続いてキャピラリ（５）が
下降し外部導出リード（１）に金属細線（６）を押圧し
超音波熱圧着する。この第２ボンデイングが終れば第２
のクランパ（１１）が開放する０ このように、第１ボンデイングが終えて上昇し外部導出
リード（１）の上方に至ったキャピラリ（５）が下降を
始める際、第２のクランパ（１１）により金属細線（６
）が挾持されるので、キャピラリ（６）の下方に繰出さ
れている金属細線（６）部は長さが一定に保たれた状態
で第２ボンデイングがされ、第４図に示すようにループ
は適当な山形に安定して形成される。
第１ボンデイングでのキャピラリ（５）の動作と第１の
クランパ（７）の動作は、上記従来装置の場合と同様で
ある。
なお、上記実施例では超音波熱圧着の場合を説明したが
、加熱せず超音波法のみの場合、あるいは熱圧着するネ
ールヘッド法の場合にも適用できるものである。
以上のように、この発明によれば、キャピラリの上方に
所定の間隔をあけ配置され、共に上下動及び水平移動す
る第２のクランパを設け、第２ボンディング点の上方に
キャピラリが至ると第２のクランパで金属細線を挾持し
ておき、キャピラリの下降による第２ボンデイングが終
わると、第２のクランパが開放するようにしているので
、接続し九金属細線のループが適度な山形に形成され、
わずかの外力などによる断線が防止される。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置のワイヤボンディング装置の
概要説明図、第２図は第１図の半導体装置を接続した金
属細線の形状を示す説明図、第３図はこの発明の一実施
例による半導体装置のワイヤボンディング装置の概要説
明図、第４図は第３図の半導体装置を接続した金属細線
の形状を示す説明図である。 １・・・外部導出リード、４・・・半導体素子、５・・
・キャピラリ、６・・・金属細線、フ・・・第１のクラ
ンパ、１１・・・第２のクランパ なお、図中同一符号は同−又は和尚部分を示す。 代理人　葛野信−（外１名） 第１図　　　　　　　第３図 第２図　　　　　　　第４１

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 駆動手段により上下動及び水平移動されるようにしてｈ
    ９、中心部に上下に通された金属細線で第１ボンデイン
    グと第２ボンデイングとをし双方間を接続するためのキ
    ャピラリ、このキャピラリの上方に所定の高さ位置に維
    持されていてキャピラリと共に水平移動され、キャピラ
    リのボンディング工程中は上記金属細線の挟持を開放し
    ており、キャピラリが上記＃！２ボンディングを終え上
    昇したとき上記金属細線を抑圧挟持する第１、のクラン
    パ、及びとのｊｌｉｌのクランパの下方で上記キャピラ
    リの上方に所定の間隔位置に配設されていて、キャピラ
    リと共に上下動及び水平移動され、常時は上記金属細線
    の挟持を開放しておシ、上記第１ボンテイングを終えた
    キャピラリが第２ボンディング点の上方に至ると、上記
    金属細線を押圧挾持しておき、キャピラリが下降し第２
    ボンデイングが終わると開放する第２のクランパを備え
    た半導体装置のワイヤボンディング装置。
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