JP3208846B2 - タブデバイスのボンディング方法 - Google Patents
タブデバイスのボンディング方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はタブデバイスのボンディ
ング方法に係り、詳しくは、移載ヘッドによりタブデバ
イスをピックアップしてから基板に着地させるまでの間
に、タブデバイスのリードを移載ヘッドに設けられた熱
圧着子により下方へ屈曲させてフォーミングするように
したタブデバイスのボンディング方法に関する。
ング方法に係り、詳しくは、移載ヘッドによりタブデバ
イスをピックアップしてから基板に着地させるまでの間
に、タブデバイスのリードを移載ヘッドに設けられた熱
圧着子により下方へ屈曲させてフォーミングするように
したタブデバイスのボンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】高密度高集積化を図るための電子部品と
して、TAB法によりフィルムキャリアにて形成される
タブ(TAB)デバイスが知られている。タブデバイス
を基板にボンディングするにあたっては、移載ヘッドの
ノズルによりタブデバイスを吸着してピックアップした
後、基板上にタブデバイスを着地させ、且つこの移載ヘ
ッドに設けられた熱圧着子によりタブデバイスのリード
を基板の電極に押圧して熱圧着する手段が知られてい
る。
して、TAB法によりフィルムキャリアにて形成される
タブ(TAB)デバイスが知られている。タブデバイス
を基板にボンディングするにあたっては、移載ヘッドの
ノズルによりタブデバイスを吸着してピックアップした
後、基板上にタブデバイスを着地させ、且つこの移載ヘ
ッドに設けられた熱圧着子によりタブデバイスのリード
を基板の電極に押圧して熱圧着する手段が知られてい
る。
【0003】図4は従来のタブデバイスのボンディング
方法を示す側面図である。タブデバイスPはフィルムキ
ャリアのリードを打ち抜いた金型の下型101上に位置
しており、この打ち抜きの際に、図示しない刃型によ
り、半導体チップCから外方へ延出するリード104は
下方へ略L字形に屈曲フォーミングされている(特に部
分拡大図参照)。移載ヘッド102は、下型101上の
タブデバイスPをノズル103に吸着してピックアップ
した後、ボンディングステージ106の位置決め部10
7に位置決めされた基板Sの上方に移動し、ここで移載
ヘッド102は下降してリード104を基板Sの電極1
08に着地させ、且つ熱圧着子105を下降させてリー
ド104を上方から電極108に押圧することにより、
リード104を電極108に熱圧着する。この熱圧着子
105は、移載ヘッド102に内蔵されたヒートブロッ
ク(図示せず)により加熱される。
方法を示す側面図である。タブデバイスPはフィルムキ
ャリアのリードを打ち抜いた金型の下型101上に位置
しており、この打ち抜きの際に、図示しない刃型によ
り、半導体チップCから外方へ延出するリード104は
下方へ略L字形に屈曲フォーミングされている(特に部
分拡大図参照)。移載ヘッド102は、下型101上の
タブデバイスPをノズル103に吸着してピックアップ
した後、ボンディングステージ106の位置決め部10
7に位置決めされた基板Sの上方に移動し、ここで移載
ヘッド102は下降してリード104を基板Sの電極1
08に着地させ、且つ熱圧着子105を下降させてリー
ド104を上方から電極108に押圧することにより、
リード104を電極108に熱圧着する。この熱圧着子
105は、移載ヘッド102に内蔵されたヒートブロッ
ク(図示せず)により加熱される。
【0004】上述のように、リード104は金型による
打ち抜き時に下方へ屈曲フォーミングされるが、その理
由は次のとおりである。すなわち、タブデバイスPと基
板Sとの熱膨張の差による熱圧着後の接合部への応力発
生をリード104のフォーミング部の弾性変形により吸
収し、またフェースダウン実装(半導体チップCの回路
パターン面を下面にした実装)時においては、半導体チ
ップCの下面のインナーリードボンディング部が基板S
の上面に接触することにより損傷するのを防止し、また
半導体チップCの下面に形成されたチップコートまたは
チップモールドの厚みのばらつきをリード104のフォ
ーミング高さにより吸収するためである。さらには、半
導体チップCはウェハーから切り出されたものであっ
て、その厚さdには寸法のばらつきがある。このように
寸法のばらつきがあると、タブデバイスPを基板Sにボ
ンディングした場合、半導体チップCの上面の高さにも
ばらつきが生じてしまう。そこでタブデバイスPを基板
Sにボンディングする際に、基板Sの上面に対するノズ
ル103の下端部の高さHが一定となるようにノズル1
03の高さを調整することにより、この厚さdのばらつ
きを屈曲したリード104が弾性変形して吸収するもの
である。
打ち抜き時に下方へ屈曲フォーミングされるが、その理
由は次のとおりである。すなわち、タブデバイスPと基
板Sとの熱膨張の差による熱圧着後の接合部への応力発
生をリード104のフォーミング部の弾性変形により吸
収し、またフェースダウン実装(半導体チップCの回路
パターン面を下面にした実装)時においては、半導体チ
ップCの下面のインナーリードボンディング部が基板S
の上面に接触することにより損傷するのを防止し、また
半導体チップCの下面に形成されたチップコートまたは
チップモールドの厚みのばらつきをリード104のフォ
ーミング高さにより吸収するためである。さらには、半
導体チップCはウェハーから切り出されたものであっ
て、その厚さdには寸法のばらつきがある。このように
寸法のばらつきがあると、タブデバイスPを基板Sにボ
ンディングした場合、半導体チップCの上面の高さにも
ばらつきが生じてしまう。そこでタブデバイスPを基板
Sにボンディングする際に、基板Sの上面に対するノズ
ル103の下端部の高さHが一定となるようにノズル1
03の高さを調整することにより、この厚さdのばらつ
きを屈曲したリード104が弾性変形して吸収するもの
である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来手段で
は、金型によりリード104を屈曲フォーミングするも
のであるため、金型の製作コストが高くなり、またリー
ド104は屈曲フォーミングしてから基板Sに着地させ
るまでの間に、自身の弾性により水平な原形に戻ってし
まい易く、かくなると上記した例えば厚さdのばらつき
の吸収作用などが期待できなくなるという問題点があっ
た。
は、金型によりリード104を屈曲フォーミングするも
のであるため、金型の製作コストが高くなり、またリー
ド104は屈曲フォーミングしてから基板Sに着地させ
るまでの間に、自身の弾性により水平な原形に戻ってし
まい易く、かくなると上記した例えば厚さdのばらつき
の吸収作用などが期待できなくなるという問題点があっ
た。
【0006】また、従来手段では、リード104のフォ
ーミング高さが金型により一意的に決定されるため、半
導体チップCの厚さdのばらつきやインナーリードボン
ディング部のバンプ厚みのばらつきに起因する実装後の
半導体チップCの高さを調整できないという問題点があ
った。
ーミング高さが金型により一意的に決定されるため、半
導体チップCの厚さdのばらつきやインナーリードボン
ディング部のバンプ厚みのばらつきに起因する実装後の
半導体チップCの高さを調整できないという問題点があ
った。
【0007】そこで本発明は、上記従来手段の問題点を
解消し、タブデバイスのリードを簡単確実に屈曲フォー
ミングして基板の電極にボンディングできる手段を提供
することを目的とする。
解消し、タブデバイスのリードを簡単確実に屈曲フォー
ミングして基板の電極にボンディングできる手段を提供
することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、タ
ブデバイスを移載ヘッドのノズルに吸着してピックアッ
プしてから基板に着地させるまでの間に、熱圧着子を下
降させてタブデバイスのリードを押圧することにより、
このリードを下方へ屈曲フォーミングし、且つ上記熱圧
着子でリードを上方から押圧した状態でリードの位置ず
れを下方のカメラにより観察して検出し、検出された位
置ずれを補正したうえで、上記熱圧着子によりリードを
基板の電極に押圧して熱圧着するようにした。
ブデバイスを移載ヘッドのノズルに吸着してピックアッ
プしてから基板に着地させるまでの間に、熱圧着子を下
降させてタブデバイスのリードを押圧することにより、
このリードを下方へ屈曲フォーミングし、且つ上記熱圧
着子でリードを上方から押圧した状態でリードの位置ず
れを下方のカメラにより観察して検出し、検出された位
置ずれを補正したうえで、上記熱圧着子によりリードを
基板の電極に押圧して熱圧着するようにした。
【0009】
【作用】上記構成によれば、タブデバイスのリードを基
板の電極に熱圧着する熱圧着子をこのリードの屈曲フォ
ーミング手段に兼用したので、タブデバイスを移載ヘッ
ドのノズルに吸着してピックアップしてから基板に着地
させるまでの間に、タブデバイスのリードを簡単確実に
屈曲フォーミングして基板の電極にボンディングでき
る。
板の電極に熱圧着する熱圧着子をこのリードの屈曲フォ
ーミング手段に兼用したので、タブデバイスを移載ヘッ
ドのノズルに吸着してピックアップしてから基板に着地
させるまでの間に、タブデバイスのリードを簡単確実に
屈曲フォーミングして基板の電極にボンディングでき
る。
【0010】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図3は本発明の実施例のタブデバイスのボン
ディング装置の斜視図である。1a,1bはフィルムキ
ャリアのリードを打ち抜いてタブデバイスPを形成する
金型の上型と下型である。このタブデバイスPは、極細
極薄のリード2が半導体チップCの4辺から4方向に水
平に延出している。3は移載ヘッドであり、タブデバイ
スPを真空吸着するノズル4を有している。この移載ヘ
ッド3は下型1b上のタブデバイスPをノズル4に吸着
してピックアップし、XYテーブルのような移動手段
(図外)に駆動されてボンディングステージ5の位置決
め部6にクランプして位置決めされた基板Sの上方へ移
動し、そこでノズル4を下降させて、タブデバイスPを
基板Sにボンディングする。30は移載ヘッド3の移動
路の下方に設けられたカメラである。次にこの移載ヘッ
ド3の構造を詳細に説明する。
説明する。図3は本発明の実施例のタブデバイスのボン
ディング装置の斜視図である。1a,1bはフィルムキ
ャリアのリードを打ち抜いてタブデバイスPを形成する
金型の上型と下型である。このタブデバイスPは、極細
極薄のリード2が半導体チップCの4辺から4方向に水
平に延出している。3は移載ヘッドであり、タブデバイ
スPを真空吸着するノズル4を有している。この移載ヘ
ッド3は下型1b上のタブデバイスPをノズル4に吸着
してピックアップし、XYテーブルのような移動手段
(図外)に駆動されてボンディングステージ5の位置決
め部6にクランプして位置決めされた基板Sの上方へ移
動し、そこでノズル4を下降させて、タブデバイスPを
基板Sにボンディングする。30は移載ヘッド3の移動
路の下方に設けられたカメラである。次にこの移載ヘッ
ド3の構造を詳細に説明する。
【0011】7はプレート状の支持フレームであり、こ
の支持フレーム7の中央部に穿孔された孔部7aにノズ
ルシャフト8が挿通されている。このノズルシャフト8
の下端部には上記ノズル4が装着されている。10はガ
イドロッドで、支持フレーム7のそれぞれの角部に設け
られている。11は支持フレーム7の下方に配設された
絶縁性のサブプレートであって、その中央部にノズルシ
ャフト8の挿通孔11aが形成されている。12はガイ
ドリングであり、サブプレート11の各々の角部上に配
設されて、各ガイドロッド10に挿通されている。13
は垂直なボールねじであって、支持フレーム7の両側部
に回転自在に設けられている。14は各ボールねじ13
に螺合されるナットであって、サブプレート11に装着
されている。
の支持フレーム7の中央部に穿孔された孔部7aにノズ
ルシャフト8が挿通されている。このノズルシャフト8
の下端部には上記ノズル4が装着されている。10はガ
イドロッドで、支持フレーム7のそれぞれの角部に設け
られている。11は支持フレーム7の下方に配設された
絶縁性のサブプレートであって、その中央部にノズルシ
ャフト8の挿通孔11aが形成されている。12はガイ
ドリングであり、サブプレート11の各々の角部上に配
設されて、各ガイドロッド10に挿通されている。13
は垂直なボールねじであって、支持フレーム7の両側部
に回転自在に設けられている。14は各ボールねじ13
に螺合されるナットであって、サブプレート11に装着
されている。
【0012】15は支持フレーム7上に設けられたタイ
ミングプーリであり、ボールねじ13の上端部に結合さ
れている。16はモータ、17はこのモータ16に駆動
されて回転するタイミングプーリ、18は各プーリ1
5、15、17に調帯されたタイミングベルトである。
モータ16の駆動により、プーリ17が回転してタイミ
ングベルト18が回転すると、プーリ15,15も回転
し、ボールねじ13が回転してサブプレート11はガイ
ドロッド10に沿って昇降する。
ミングプーリであり、ボールねじ13の上端部に結合さ
れている。16はモータ、17はこのモータ16に駆動
されて回転するタイミングプーリ、18は各プーリ1
5、15、17に調帯されたタイミングベルトである。
モータ16の駆動により、プーリ17が回転してタイミ
ングベルト18が回転すると、プーリ15,15も回転
し、ボールねじ13が回転してサブプレート11はガイ
ドロッド10に沿って昇降する。
【0013】19は4枚の矩形板状の内部抵抗を有する
熱圧着子であり、サブプレート11の下面に枠型に装着
されている。この熱圧着子19はリード線26により電
源(図外)に接続されており、熱圧着子19に対する給
電量を調整したり、給電をオンオフすることにより、熱
圧着子19の温度を管理する。因みに、この熱圧着子1
9はボンディング時に約400℃まで加熱され、またボ
ンディングしない待機中には60〜70℃に加熱されて
いる。上記のようにモータ16を駆動してサブプレート
11を昇降させると、このサブプレート11に装着され
た熱圧着子19はサブプレート11と一体的に昇降す
る。なお本実施例は、4方向にリード2を有するタブデ
バイスPを例にとって説明しているが、タブデバイスP
は2方向にリードを有するものもあり、この場合、熱圧
着子19は移載ヘッド3に2枚設けられる。またこの熱
圧着子19には孔部19aが開孔されており、この孔部
19aを開孔したことにより、熱圧着子19の下面(リ
ード2の押圧面)の温度を均一にする。
熱圧着子であり、サブプレート11の下面に枠型に装着
されている。この熱圧着子19はリード線26により電
源(図外)に接続されており、熱圧着子19に対する給
電量を調整したり、給電をオンオフすることにより、熱
圧着子19の温度を管理する。因みに、この熱圧着子1
9はボンディング時に約400℃まで加熱され、またボ
ンディングしない待機中には60〜70℃に加熱されて
いる。上記のようにモータ16を駆動してサブプレート
11を昇降させると、このサブプレート11に装着され
た熱圧着子19はサブプレート11と一体的に昇降す
る。なお本実施例は、4方向にリード2を有するタブデ
バイスPを例にとって説明しているが、タブデバイスP
は2方向にリードを有するものもあり、この場合、熱圧
着子19は移載ヘッド3に2枚設けられる。またこの熱
圧着子19には孔部19aが開孔されており、この孔部
19aを開孔したことにより、熱圧着子19の下面(リ
ード2の押圧面)の温度を均一にする。
【0014】20はノズルシャフト8の上端部に突設さ
れたバーであり、21はモータ22の回転軸23に装着
された偏心カムである。上記ノズルシャフト8にはバー
20を常時偏心カム21に弾接させるために下方へ弾発
するスプリング24が取り付けられている。モータ22
を駆動すると、カム21が回転してバー20は昇降し、
これによりノズルシャフト8とともにノズル4が昇降す
る。
れたバーであり、21はモータ22の回転軸23に装着
された偏心カムである。上記ノズルシャフト8にはバー
20を常時偏心カム21に弾接させるために下方へ弾発
するスプリング24が取り付けられている。モータ22
を駆動すると、カム21が回転してバー20は昇降し、
これによりノズルシャフト8とともにノズル4が昇降す
る。
【0015】本装置は上記のような構成より成り、次に
動作の説明を行う。図1はボンディング中の側面図であ
る。まず図1(a)に示すように、下型1b上のタブデ
バイスPを移載ヘッド3のノズル4に吸着してピックア
ップする。図示するようにこの状態で、リード2は水平
に外方へ延出している。次いで、図1(b)に示すよう
に移載ヘッド3がボンディングステージ5上の基板S
(図3参照)へ向かって移動している途中で、モータ1
6を駆動して熱圧着子19の下端部をノズル4の下端部
より段差hだけ下方まで下降させる。この段差hは、タ
ブデバイスPを基板Sにボンディングした際の基板Sの
上面より半導体チップCの上面までの高さHから、リー
ド2の厚みおよび電極25の厚みを差し引いた高さであ
る。このように熱圧着子19を下降させることにより、
タブデバイスPのリード2の先端部は熱圧着子19によ
り下方に押し下げられて略L字形に屈曲フォーミングさ
れる。
動作の説明を行う。図1はボンディング中の側面図であ
る。まず図1(a)に示すように、下型1b上のタブデ
バイスPを移載ヘッド3のノズル4に吸着してピックア
ップする。図示するようにこの状態で、リード2は水平
に外方へ延出している。次いで、図1(b)に示すよう
に移載ヘッド3がボンディングステージ5上の基板S
(図3参照)へ向かって移動している途中で、モータ1
6を駆動して熱圧着子19の下端部をノズル4の下端部
より段差hだけ下方まで下降させる。この段差hは、タ
ブデバイスPを基板Sにボンディングした際の基板Sの
上面より半導体チップCの上面までの高さHから、リー
ド2の厚みおよび電極25の厚みを差し引いた高さであ
る。このように熱圧着子19を下降させることにより、
タブデバイスPのリード2の先端部は熱圧着子19によ
り下方に押し下げられて略L字形に屈曲フォーミングさ
れる。
【0016】次に、図1(b)に示すように、この屈曲
フォーミングされたリード2を移載ヘッド3の移動路の
下方に配設されたカメラ30により観察してリード2の
XYθ方向の位置ずれを検出する。この場合、図示する
ように、リード2の先端部は熱圧着子19により下方に
押し下げられた状態のままで、リード2をカメラ30に
より観察してその位置ずれを検出する。また移載ヘッド
3がボンディングステージ5上へ移動してくる前に、図
2(a)に示すボンディングステージ5上に配設された
カメラ31により基板Sの電極25の座標位置を予め検
出しておく。なお、このような検出手段としては、カメ
ラ30,31以外にも、レーザ装置などの計測手段も用
いられる。
フォーミングされたリード2を移載ヘッド3の移動路の
下方に配設されたカメラ30により観察してリード2の
XYθ方向の位置ずれを検出する。この場合、図示する
ように、リード2の先端部は熱圧着子19により下方に
押し下げられた状態のままで、リード2をカメラ30に
より観察してその位置ずれを検出する。また移載ヘッド
3がボンディングステージ5上へ移動してくる前に、図
2(a)に示すボンディングステージ5上に配設された
カメラ31により基板Sの電極25の座標位置を予め検
出しておく。なお、このような検出手段としては、カメ
ラ30,31以外にも、レーザ装置などの計測手段も用
いられる。
【0017】次に、図2(a)に示すように移載ヘッド
3はボンディングステージ5に位置決めされた基板S上
に移動する。この移動途中でタブデバイスPのXYθ方
向の位置ずれを補正し、停止位置でリード2と基板Sの
電極25を合致させる。なおXY方向の位置ずれは、移
載ヘッド3のXY方向の移動ストロークを加減すること
により補正し、またθ方向の位置ずれは、移載ヘッド3
に設けられたモータ(図示せず)によりノズル4をその
軸心を中心に回転させることにより補正する。次に熱圧
着子19によるリード3の屈曲フォーミング状態を維持
したまま、モータ16,22を駆動してノズル4と熱圧
着子19を下降させる。するとリード2は基板Sの電極
25上に着地した後さらに熱圧着子19により押圧され
(図2鎖線参照)、下降中に約400℃まで加熱された
熱圧着子19により電極25にボンディングされる。こ
のときの基板Sの上面から半導体チップCの上面までの
高さはHとなる。ボンディングが終了したならば、図2
(b)に示すように移載ヘッド3を上昇させるととも
に、熱圧着子19を上方へ退去させ、次いで移載ヘッド
3を下型1b上まで移動し、その後同様の動作を順次繰
り返す。
3はボンディングステージ5に位置決めされた基板S上
に移動する。この移動途中でタブデバイスPのXYθ方
向の位置ずれを補正し、停止位置でリード2と基板Sの
電極25を合致させる。なおXY方向の位置ずれは、移
載ヘッド3のXY方向の移動ストロークを加減すること
により補正し、またθ方向の位置ずれは、移載ヘッド3
に設けられたモータ(図示せず)によりノズル4をその
軸心を中心に回転させることにより補正する。次に熱圧
着子19によるリード3の屈曲フォーミング状態を維持
したまま、モータ16,22を駆動してノズル4と熱圧
着子19を下降させる。するとリード2は基板Sの電極
25上に着地した後さらに熱圧着子19により押圧され
(図2鎖線参照)、下降中に約400℃まで加熱された
熱圧着子19により電極25にボンディングされる。こ
のときの基板Sの上面から半導体チップCの上面までの
高さはHとなる。ボンディングが終了したならば、図2
(b)に示すように移載ヘッド3を上昇させるととも
に、熱圧着子19を上方へ退去させ、次いで移載ヘッド
3を下型1b上まで移動し、その後同様の動作を順次繰
り返す。
【0018】本装置は、このように移載ヘッド3により
下型1bのタブデバイスPをピックアップして基板S上
に着地させるまでの間に、熱圧着子19によりリード2
を屈曲フォーミングするようにしたので、タブデバイス
Pのリード2を簡単確実に屈曲フォーミングして基板S
の電極25にボンディングできる。しかも従来手段では
リード2を金型により屈曲フォーミングしていたため、
リード2のフォーミング高さが金型により一意的に決定
され、これにより半導体チップCのばらつきやインナー
リードボンディング部のバンプ厚みのばらつきに起因す
る実装後の半導体チップCの高さを調整できなかった
が、本手段ではこのように熱圧着子19によりリード2
を屈曲フォーミングするようにしたので、この半導体チ
ップCの高さの調整ができる。さらにタブデバイスPの
製造工程においてフィルムキャリアを打ち抜く金型にリ
ード2を屈曲フォーミングするための刃型の加工が不要
になるので、金型の製作コストが安価になる。
下型1bのタブデバイスPをピックアップして基板S上
に着地させるまでの間に、熱圧着子19によりリード2
を屈曲フォーミングするようにしたので、タブデバイス
Pのリード2を簡単確実に屈曲フォーミングして基板S
の電極25にボンディングできる。しかも従来手段では
リード2を金型により屈曲フォーミングしていたため、
リード2のフォーミング高さが金型により一意的に決定
され、これにより半導体チップCのばらつきやインナー
リードボンディング部のバンプ厚みのばらつきに起因す
る実装後の半導体チップCの高さを調整できなかった
が、本手段ではこのように熱圧着子19によりリード2
を屈曲フォーミングするようにしたので、この半導体チ
ップCの高さの調整ができる。さらにタブデバイスPの
製造工程においてフィルムキャリアを打ち抜く金型にリ
ード2を屈曲フォーミングするための刃型の加工が不要
になるので、金型の製作コストが安価になる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、移載ヘッ
ドによりタブデバイスをピックアップして基板上に着地
させるまでの間に、熱圧着子によりリードを屈曲フォー
ミングするので、タブデバイスのリードを簡単確実に屈
曲フォーミングして基板の電極にボンディングできると
ともに、半導体チップのばらつきやインナーリードボン
ディング部のバンプ厚みのばらつきに起因する実装後の
半導体チップの高さを調整できる。しかも移載ヘッドが
有するボンディング用の熱圧着子を屈曲フォーミング手
段として兼用でき、且つタブデバイスの製造工程におい
てフィルムキャリアを打ち抜く金型などにリードを屈曲
フォーミングするための刃型の加工が不要になるので、
金型の製作コストを安価にできる。
ドによりタブデバイスをピックアップして基板上に着地
させるまでの間に、熱圧着子によりリードを屈曲フォー
ミングするので、タブデバイスのリードを簡単確実に屈
曲フォーミングして基板の電極にボンディングできると
ともに、半導体チップのばらつきやインナーリードボン
ディング部のバンプ厚みのばらつきに起因する実装後の
半導体チップの高さを調整できる。しかも移載ヘッドが
有するボンディング用の熱圧着子を屈曲フォーミング手
段として兼用でき、且つタブデバイスの製造工程におい
てフィルムキャリアを打ち抜く金型などにリードを屈曲
フォーミングするための刃型の加工が不要になるので、
金型の製作コストを安価にできる。
【図1】(a)本発明の一実施例に係るタブデバイスの
ピックアップ中の側面図 (b)本発明の一実施例に係るリードのフォーミング中
の側面図
ピックアップ中の側面図 (b)本発明の一実施例に係るリードのフォーミング中
の側面図
【図2】(a)本発明の一実施例に係るタブデバイスの
ボンディング中の側面図 (b)本発明の一実施例に係るタブデバイスのボンディ
ング終了後の側面図
ボンディング中の側面図 (b)本発明の一実施例に係るタブデバイスのボンディ
ング終了後の側面図
【図3】本発明の一実施例に係るタブデバイスのボンデ
ィング装置の斜視図
ィング装置の斜視図
【図4】従来手段に係るタブデバイスのボンディング装
置の側面図
置の側面図
2 リード 3 移載ヘッド 4 ノズル 6 位置決め部 19 熱圧着子 25 電極 P タブデバイス S 基板
Claims (1)
- 【請求項1】タブデバイスを移載ヘッドのノズルに吸着
してピックアップし、位置決め部に位置決めされた基板
にこのノズルに吸着されたタブデバイスを着地させ、こ
の移載ヘッドに設けられた熱圧着子によりタブデバイス
のリードを基板の電極に押圧して熱圧着するようにした
タブデバイスのボンディング方法において、上記タブデ
バイスを上記移載ヘッドのノズルに吸着してピックアッ
プしてから上記基板に着地させるまでの間に、上記熱圧
着子を下降させてタブデバイスのリードを上方から押圧
することにより、このリードを下方へ屈曲させてフォー
ミングし、且つ上記熱圧着子でリードを上方から押圧し
た状態でリードの位置ずれを下方のカメラにより観察し
て検出し、検出された位置ずれを補正したうえで、上記
熱圧着子によりリードを基板の電極に押圧して熱圧着す
ることを特徴とするタブデバイスのボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15637292A JP3208846B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | タブデバイスのボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15637292A JP3208846B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | タブデバイスのボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05347332A JPH05347332A (ja) | 1993-12-27 |
JP3208846B2 true JP3208846B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=15626317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15637292A Expired - Fee Related JP3208846B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | タブデバイスのボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3208846B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9029689B2 (en) * | 2010-12-23 | 2015-05-12 | Sunpower Corporation | Method for connecting solar cells |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP15637292A patent/JP3208846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05347332A (ja) | 1993-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |