JPH07142489A - バンプの形成方法 - Google Patents

バンプの形成方法

Info

Publication number
JPH07142489A
JPH07142489A JP5288022A JP28802293A JPH07142489A JP H07142489 A JPH07142489 A JP H07142489A JP 5288022 A JP5288022 A JP 5288022A JP 28802293 A JP28802293 A JP 28802293A JP H07142489 A JPH07142489 A JP H07142489A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
solder wire
chip
bump
pickup head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5288022A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Sakami
省二 酒見
Tadahiko Sakai
忠彦 境
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP5288022A priority Critical patent/JPH07142489A/ja
Priority to US08/341,057 priority patent/US5516032A/en
Publication of JPH07142489A publication Critical patent/JPH07142489A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/06—Solder feeding devices; Solder melting pans
    • B23K3/0607—Solder feeding devices
    • B23K3/0623—Solder feeding devices for shaped solder piece feeding, e.g. preforms, bumps, balls, pellets, droplets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0612—Layout
    • H01L2224/0613—Square or rectangular array
    • H01L2224/06131—Square or rectangular array being uniform, i.e. having a uniform pitch across the array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/11334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using preformed bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0278—Flat pressure, e.g. for connecting terminals with anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/0415—Small preforms other than balls, e.g. discs, cylinders or pillars
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08—Treatments involving gases
    • H05K2203/082—Suction, e.g. for holding solder balls or components

Abstract

(57)【要約】 【目的】 チップや基板などの表面に安価にバンプを形
成できる方法を提供することを目的とする。 【構成】 半田線を所定の長さで切断し、切断された半
田線をピックアップヘッドの下面に真空吸着してピック
アップしてチップ５の上面に移載し、次いでチップ５の
上面に移載された半田線を加熱して溶融させ、次いで冷
却して固化させることにより半球状のバンプ１１ａを形
成する。したがって安価な半田線を使用して、簡単にチ
ップ５などにバンプ１１ａを形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップや基板などの電
子部品の表面にバンプを形成するバンプの形成方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】チップや基板などの電子部品を小型コン
パクト化するために、チップや基板などの表面の電極に
バンプ（突出電極）を形成することが知られている。以
下、従来のバンプの形成方法について図を用いて説明す
る。
【０００３】図８（ａ）（ｂ）（ｃ）は、従来のバンプ
の形成方法の説明図であって、工程順に示している。図
８（ａ）において、１は半田球であり、容器２に収納さ
れている。３はピックアップヘッドであって、その下面
には半田球１を真空吸着する孔部４が複数箇所開口され
ている。破線矢印で示すように、ピックアップヘッド３
の内部の空気を吸引装置（図外）により吸引しながら、
ピックアップヘッド３が容器２上で上下動作を行うこと
により、孔部４に半田球１を真空吸着してピックアップ
する。
【０００４】次にこのピックアップヘッド３はフラック
スが貯溜された容器（図外）の上方へ移動し、そこで再
び上下動作を行うことにより、半田球１の下面にフラッ
クスを付着させる。次にピックアップヘッド３はチップ
の上方へ移動し、そこで再び上下動作を行い、かつ半田
球１の真空吸着状態を解除することにより、チップ表面
の電極上に半田球１を移載する。図８（ｂ）は、このよ
うにして半田球１が移載されたチップ５の斜視図であ
る。
【０００５】次にこのチップ５はリフロー装置の加熱炉
（図外）へ送られ、半田球１を加熱する。加熱された半
田球１は溶融し、次いで常温の空気で冷却されて固化す
ることにより、図８（ｃ）に示すような半球状のバンプ
１ａが形成される。このようにして製造されたチップ５
は、一般にフリップチップと称される。また半田球によ
るバンプの形成は、チップ以外にも、ＩＣパッケージ、
基板などの電子部品にも行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記半田球１は、一般
に半田の板を加工して製造されるが、その製造方法は面
倒であり、したがって半田球１を用いて上記チップ５な
どの電子部品を製造するとコストアップになるという問
題点があった。またチップや基板の品種に応じて、バン
プの大きさを変更する必要があるが、上記従来の方法で
はバンプの大きさを変更しにくいという問題点があっ
た。
【０００７】そこで本発明は、チップや基板などの電子
部品に、低コストで簡単にバンプを形成できるバンプの
形成方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このために本発明のバン
プの形成方法は、半田線を一定ピッチで切断し、切断さ
れた半田線をピックアップヘッドの下面に真空吸着して
ピックアップして電子部品の上面に移載し、次いで電子
部品の上面に移載された半田線を加熱して溶融させ、次
いで冷却して固化させることにより、バンプを形成する
ようにしたものである。
【０００９】
【作用】上記構成によれば、安価な半田線を用いて簡単
にバンプを形成できる。また半田線の直径や切断ピッチ
を変えることにより、バンプの大きさを簡単に変えるこ
とができる。
【００１０】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図１，図２，図３，図４，図５，図６，図７
は、本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図であ
って、バンプの形成方法を工程順に示している。図１に
おいて、１１は半田線であって、台部１２上に互いにピ
ッチＰをおいて複数本平行に並べられている。このピッ
チＰは、チップの上面にマトリクス状に形成される電極
間の距離と同じ大きさになっている。半田線１１はスプ
ール（図外）に巻回されており、スプールから台部１２
上に図示しない手段により送り出される。本実施例の半
田線１１の直径は０．３ｍｍであるが、勿論その直径は
任意に設定できる。１３は押圧子であり、図示しない駆
動手段に駆動されて上下動作をし、台部１２上の半田線
１１を押圧して扁平に変形させる。
【００１１】図２において、１４はカッターであり、図
示しない駆動手段に駆動されて上下動作を行ない、半田
線１１を切断位置Ｃで切断する。なお図２に示す半田線
１１は、図１に示す押圧子１３に押圧されて扁平に変形
している。図３において、３はピックアップヘッドであ
る。このピックアップヘッド３は図８に示す従来のピッ
クアップヘッド３と同様のものであって、吸着用の孔部
４を有している。図４において、１５は容器であり、フ
ラックス１６が貯溜されている。
【００１２】次に図１〜図７を参照しながらバンプの形
成方法を説明する。まず図１において、送り手段により
半田線１１を送り出して半田線１１の先端部を切断位置
Ｃから長さＬだけ突出させ、次いで台部１２に並べられ
た半田線１１に押圧子１３を押し当て、半田線１１を扁
平に変形させる。次に図２に示すようにカッター１４に
より半田線１１を切断位置Ｃで切断する。
【００１３】次に図３に示すように、ピックアップヘッ
ド３を台部１２の上方へ移動させ、そこでピックアップ
ヘッド３に上下動作を行わせることにより、その下面の
孔部４に切断された半田線１１を真空吸着してピックア
ップする。なお複数の孔部４でそれぞれ半田線１１を真
空吸着できるように、孔部４は台部１２上に並べられた
半田線１１のピッチと同じピッチでピックアップヘッド
３の下面に形成されている。
【００１４】次に図４に示すように、ピックアップヘッ
ド３を容器１５の上方へ移動させ、そこで上下動作を行
わせることにより、半田線１１をフラックス１６に着水
させ、半田線１１の下面にフラックス１６を付着させ
る。次に図５に示すようにピックアップヘッド３をチッ
プ５の上方へ移動させ、そこで上下動作を行わせて真空
吸着状態を解除することにより、半田線１１をチップ５
の表面の電極５ａ上に移載する。
【００１５】図６はこのようにして半田線１１が移載さ
れたチップ５の斜視図である。図示するように、半田線
１１はチップ５上に４個４列移載されており、したがっ
て上記動作は１つのチップ５に対して４回繰り返され
る。次にこのチップ５はリフロー装置の加熱炉（図外）
へ送られ、半田線１１を加熱して溶融させ、次いで常温
の空気で冷却して固化させることにより、図７に示すよ
うにチップ５の表面にバンプ１１ａが形成される。
【００１６】ここで、図１に示す工程で半田線１１を押
圧子１３で扁平に変形させたことにより、チップ５を加
熱炉へ移送する際などに、チップ５上の半田線１１がふ
らついて位置ずれを生じにくい利点がある。また図６に
示す半田線１１は扁平な短線であるが、この半田線１１
を加熱炉で加熱して溶融させると、溶融した半田は自身
の表面張力により図７に示す半球状に形状を変えるの
で、形状のよいバンプ１１ａが得られる。また図２にお
いて使用する半田線１１の直径や、カッター１４で切断
する際の長さＬを変えることにより、所望大きさのバン
プ１１ａを形成することができる。この長さＬの変更
は、送り手段による半田線１１の送り出し量をコントロ
ールすることにより行える。
【００１７】本発明は上記実施例に限定されないのであ
って、例えば半田線１１を扁平にするタイミングは、カ
ッター１４で切断するのと同時、あるいは切断した後で
もよく、あるいは予め他の手段で断面を扁平に変形され
た半田線を使用してもよい。また図１に示す台部１２の
上面に半田線１１の位置ずれを防止する溝やリブなどの
手段を形成したり、あるいは半田線１１が移載されたチ
ップ５の取り扱いを慎重に行うなどして、半田線１１が
不要に位置ずれしない手段を講じれば、半田線１１は必
ずしも扁平に変形させる必要はない。また上記実施例
は、チップ５にバンプ１１ａを形成する場合を例にとっ
て説明したが、バンプを形成する電子部品としてはＩＣ
パッケージ、基板などでもよいものである。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明のバンプ形成
方法によれば、安価な半田線を用いてチップや基板など
の電子部品にバンプを作業性よく簡単に形成することが
できる。また半田線の直径や切断ピッチを変えることに
より、バンプの大きさを簡単に変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
【図２】本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
【図３】本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
【図４】本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
【図５】本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
【図６】本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
【図７】本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
【図８】（ａ）従来のバンプの形成方法の説明図 （ｂ）従来のバンプの形成方法の説明図 （ｃ）従来のバンプの形成方法の説明図
【符号の説明】
３ ピックアップヘッド ４ 孔部 ５ チップ（電子部品） ５ａ 電極 １１ 半田線 １１ａ バンプ １２ 台部 １３ 押圧子 １４ カッター １５ 容器 １６ フラックス Ｐ ピッチ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半田線を所定長さで切断する工程と、 切断された前記半田線をピックアップヘッドの下面に真
    空吸着してピックアップする工程と、 前記ピックアップヘッドの下面に真空吸着された前記半
    田線を電子部品の上面に移載する工程と、 前記電子部品の上面に移載された前記半田線を加熱して
    溶融させ、次いで冷却して固化させる工程と、 を含むことを特徴とするバンプの形成方法。
JP5288022A 1993-11-17 1993-11-17 バンプの形成方法 Pending JPH07142489A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5288022A JPH07142489A (ja) 1993-11-17 1993-11-17 バンプの形成方法
US08/341,057 US5516032A (en) 1993-11-17 1994-11-16 Method for forming bump electrode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5288022A JPH07142489A (ja) 1993-11-17 1993-11-17 バンプの形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07142489A true JPH07142489A (ja) 1995-06-02

Family

ID=17724804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5288022A Pending JPH07142489A (ja) 1993-11-17 1993-11-17 バンプの形成方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5516032A (ja)
JP (1) JPH07142489A (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3528264B2 (ja) * 1994-08-19 2004-05-17 ソニー株式会社 ソルダーボールのマウント装置
US6939173B1 (en) 1995-06-12 2005-09-06 Fci Americas Technology, Inc. Low cross talk and impedance controlled electrical connector with solder masses
TW267265B (en) * 1995-06-12 1996-01-01 Connector Systems Tech Nv Low cross talk and impedance controlled electrical connector
US6024584A (en) * 1996-10-10 2000-02-15 Berg Technology, Inc. High density connector
US6093035A (en) * 1996-06-28 2000-07-25 Berg Technology, Inc. Contact for use in an electrical connector
SG71046A1 (en) 1996-10-10 2000-03-21 Connector Systems Tech Nv High density connector and method of manufacture
US6042389A (en) * 1996-10-10 2000-03-28 Berg Technology, Inc. Low profile connector
US6241535B1 (en) 1996-10-10 2001-06-05 Berg Technology, Inc. Low profile connector
US6139336A (en) * 1996-11-14 2000-10-31 Berg Technology, Inc. High density connector having a ball type of contact surface
DE19648546C2 (de) * 1996-11-25 2001-09-27 Fontargen Gmbh Verfahren zum Verlöten von Teilen aus lötbaren Werkstoffen
US5960307A (en) * 1996-11-27 1999-09-28 Texas Instruments Incorporated Method of forming ball grid array contacts
JPH1126631A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
US6107181A (en) * 1997-09-08 2000-08-22 Fujitsu Limited Method of forming bumps and template used for forming bumps
US5975921A (en) 1997-10-10 1999-11-02 Berg Technology, Inc. High density connector system
US7297003B2 (en) * 2003-07-16 2007-11-20 Gryphics, Inc. Fine pitch electrical interconnect assembly
EP1645173A2 (en) * 2003-07-16 2006-04-12 Gryphics, Inc. Electrical interconnect assembly with interlocking contact system
US7537461B2 (en) * 2003-07-16 2009-05-26 Gryphics, Inc. Fine pitch electrical interconnect assembly
DE112007000677T5 (de) 2006-03-20 2009-02-19 Gryphics, Inc., Plymouth Verbundkontakt für elektrische Feinraster-Verbindungsanordnung
US20100122997A1 (en) * 2008-11-17 2010-05-20 Liu Ting-Pan Method of manufacturing irregular shapes of solder wires and product thereof
US8366485B2 (en) 2009-03-19 2013-02-05 Fci Americas Technology Llc Electrical connector having ribbed ground plate
EP2624034A1 (en) 2012-01-31 2013-08-07 Fci Dismountable optical coupling device
USD727852S1 (en) 2012-04-13 2015-04-28 Fci Americas Technology Llc Ground shield for a right angle electrical connector
US8944831B2 (en) 2012-04-13 2015-02-03 Fci Americas Technology Llc Electrical connector having ribbed ground plate with engagement members
US9257778B2 (en) 2012-04-13 2016-02-09 Fci Americas Technology High speed electrical connector
USD718253S1 (en) 2012-04-13 2014-11-25 Fci Americas Technology Llc Electrical cable connector
USD727268S1 (en) 2012-04-13 2015-04-21 Fci Americas Technology Llc Vertical electrical connector
USD751507S1 (en) 2012-07-11 2016-03-15 Fci Americas Technology Llc Electrical connector
US9543703B2 (en) 2012-07-11 2017-01-10 Fci Americas Technology Llc Electrical connector with reduced stack height
CN103567325A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 西门子公司 一种预成型焊料产生装置、给料机、组装系统及组装方法
USD745852S1 (en) 2013-01-25 2015-12-22 Fci Americas Technology Llc Electrical connector
USD720698S1 (en) 2013-03-15 2015-01-06 Fci Americas Technology Llc Electrical cable connector
US20170148955A1 (en) * 2015-11-22 2017-05-25 Cyntec Co., Ltd. Method of wafer level packaging of a module
DE102015122011A1 (de) * 2015-12-16 2017-06-22 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Pipette zum Bestücken einer Leiterkarte

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5422162A (en) * 1977-07-21 1979-02-19 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
US4944446A (en) * 1989-11-02 1990-07-31 Micron Technology, Inc. Automatic preform dispenser

Also Published As

Publication number Publication date
US5516032A (en) 1996-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07142489A (ja) バンプの形成方法
US8317077B2 (en) Thermal compressive bonding with separate die-attach and reflow processes
US7854365B2 (en) Direct die attach utilizing heated bond head
JP2793528B2 (ja) ハンダ付け方法、ハンダ付け装置
US9120169B2 (en) Method for device packaging
JPH10261673A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法およびそれに使用されるボンディング装置
US5113581A (en) Outer lead bonding head and method of bonding outer lead
US20060011711A1 (en) Method of fabricating a semiconductor device and mounting equipment
JPH07321244A (ja) 電子部品および電子部品の製造方法
JP2889399B2 (ja) テープ自動化ボンディング法
JP4780858B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3644338B2 (ja) 導電性ボールの搭載装置
US6481616B2 (en) Bump bonding device and bump bonding method
JP2000349099A (ja) はんだ接合方法および、半導体装置の製造方法
JP3573104B2 (ja) 導電性ボールの搭載装置および搭載方法
JPH08148623A (ja) 半導体装置
JP3395609B2 (ja) 半田バンプ形成方法
JP3415283B2 (ja) バンプ形成装置、バンプ形成方法および半導体素子の製造方法
JP3425510B2 (ja) バンプボンダー形成方法
JP3261963B2 (ja) 導電性ボールの搭載方法
JPH10175064A (ja) 半田付け方法およびそれに使用される半田付け材
US20240006193A1 (en) Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus
JP3481025B2 (ja) ペレットボンディング装置
JP3208846B2 (ja) タブデバイスのボンディング方法
JPH10178050A (ja) ハンダ・コンタクト・ボール形成方法