KR100817076B1 - 와이어 본딩용으로 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어 및이를 이용한 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법 - Google Patents

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오민호
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Abstract

본 발명에 의한 와이어 본딩용 절연 피복된 금속 와이어는 금속 와이어와, 금속 와이어의 표면에 금속 와이어의 표면중 본딩되는 패드와의 접촉 면적이 작도록 부분적으로 피복된 절연층을 포함하여 구성되되, 금속 와이어는 평판형 단면을 갖는 금속 와이어이고, 금속 와이어의 표면중 패드와 본딩되는 일부분은 피복되어 있지 않다. 이에 따라, 본 발명의 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어는 절연 특성을 유지하면서도 패드와의 접착력을 향상시킬 수 있다.

Description

와이어 본딩용으로 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어 및 이를 이용한 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법{Partially insulating coated metal wire for wire bonding and wire bonding method of semiconductor package using the same}
도 1 및 도 2는 각각 종래 기술에 따른 절연 피복된 금속 와이어를 도시한 사시도 및 단면도이고,
도 3은 도 1 및 도 2의 절연 피복된 금속 와이어로 패드와 본딩했을 때 절연 피복된 금속 와이어의 본딩 단면을 모식적으로 도시한 도면이고,
도 4는 종래의 절연 피복된 금속 와이어로 와이어 본딩되는 과정을 설명하기 위한 도면이고,
도 5 및 도 6은 각각 본 발명에 의해 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어의 제1 실시예를 도시한 사시도 및 단면도이고,
도 7 및 도 8은 각각 본 발명에 의해 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어의 제2 실시예를 도시한 사사도 및 단면도이고,
도 9 내지 도 12는 본 발명에 의해 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어를 이용한 반도체 패키지의 와이어 본딩 공정을 설명한 단면도들이고,
도 13 및 도 14는 본 발명에 의해 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어로 본딩된 반도체 패키지의 예를 확대하여 도시한 사시도들이고,
도 15 및 도 16은 본 발명에 의해 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어로 적층 반도체 패키지의 와이어 본딩 공정을 간략하게 설명하기 위한 도면들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
54, 64: 부분 절연 피복된 금속 와이어, 50, 60: 금속 와이어, 52, 62: 절연층, 100: 배선 기판, 102, 102a: 반도체 칩, 104: 본딩 패드, 112: 칩 패드, 109: 본딩툴, 109: 볼부
본 발명은 와이어 본딩용으로 이용되는 절연 피복된 금속 와이어 및 이를 이용한 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법에 관한 것이다.
반도체 패키지에 있어서, 배선 기판, 예컨대 PCB 기판이나 리드 프레임의 본딩 패드(또는 리드)와 반도체 칩의 칩 패드는 금속 와이어로 본딩하여 전기적으로 연결한다. 이러한 공정을 와이어 본딩 공정이라 부른다. 와이어 본딩 공정에서 반도체 칩의 칩 패드가 미세화되고, 다층의 반도체 칩을 적층하는 적층 패키지가 적용됨에 따라 금속 와이어들이 서로 붙는 쇼트 현상이 발생한다. 이에 따라, 금속 와이어의 표면에 절연층을 피복시킨 절연 피복된 금속 와이어가 이용되고 있다.
도 1 및 도 2는 각각 종래 기술에 따른 절연 피복된 금속 와이어를 도시한 사시도 및 단면도이고, 도 3은 도 1 및 도 2의 절연 피복된 금속 와이어로 패드와 본딩했을 때 절연 피복된 금속 와이어의 본딩 단면을 모식적으로 도시한 도면이다.
구체적으로, 절연 피복된 금속 와이어(15)는 원형 단면을 갖는 금속 와이어(11)와, 원형 단면의 금속 와이어(11)의 표면을 완전히 피복하는 절연층(13)으로 구성된다. 이와 같은 절연 피복된 금속 와이어(15)로 와이어 본딩 공정을 수행하면, 반도체 패키지에서 금속 와이어들 사이의 절연 성질은 향상시키지만 도 3에 도시한 바와 같이 금속 와이어(11)의 본딩 단면에는 절연 물질층(17)이 존재한다. 이러한 절연 물질층(17)은 패드들(칩 패드 또는 본딩 패드)과 금속 와이어 사이의 접착력(또는 접착 강도)을 크게 저하시키게 된다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 와이어 본딩시 금속 와이어들 사이의 절연 성질을 향상시키면서도 패드와 금속 와이어 사이의 접착력을 향상시킬 수 있는 와이어 본딩용 절연 피복된 금속 와이어를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 와이어 본딩용 절연 피복된 금속 와이어를 이용한 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면(aspect)에 의한 와이어 본딩용 절연 피복된 금속 와이어는 금속 와이어와, 금속 와이어의 표면에 금속 와이어의 표면중 본딩되는 패드와의 접촉 면적이 작도록 부분적으로 피복된 절연층을 포함하여 구성되되, 금속 와이어는 평판형 단면을 갖는 금속 와이어이고, 금속 와이어의 표면중 패드와 본딩되는 일부분은 피복되어 있지 않다. 이에 따라, 본 발명의 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어는 절연 특성을 유지하면서도 패드와의 접착력을 향상시킬 수 있다.
금속 와이어의 표면중 패드들과 본딩되는 하부 단면은 피복되어 있지 않을 수 있다. 평판형 단면을 갖는 금속 와이어는 리본형 금속 와이어 또는 테이프형 금속 와이어일 수 있다.
삭제
본 발명의 다른 측면에 의한 와이어 본딩용 절연 피복된 금속 와이어는 평판형 단면을 갖는 금속 와이어와, 금속 와이어의 표면에 피복되어 있되, 금속 와이어의 표면중 패드와 본딩되는 일부분은 피복되어 있지 않은 절연층을 포함하여 구성된다. 이에 따라, 본 발명의 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어는 절연 특성을 유지하면서도 패드와의 접착력을 향상시킬 수 있다.
금속 와이어의 표면중 패드들과 본딩되는 하부 단면은 피복되어 있지 않을 수 있다. 평판형 단면을 갖는 금속 와이어는 리본형 금속 와이어 또는 테이프형 금속 와이어일 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면(aspect)에 의한 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법은 본딩툴(tool)에 포함된 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어를 반도체 칩의 칩 패드에 본딩하는 것을 포함한다. 칩 패드에 본딩 후 본딩툴을 이동시켜 배선 기판의 본딩 패드에 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어를 본딩하여 칩 패드와 본딩 패드를 전기적으로 연결한다.
삭제
본딩 패드에 본딩후 본딩툴을 이동시켜 본딩툴에 포함된 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어를 본딩 패드와 이격시키면서 절단한다. 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어는 금속 와이어와, 금속 와이어의 표면중 본딩되는 패드들과의 접촉 면적이 작도록 부분적으로 피복된 절연층으로 구성되고, 금속 와이어는 평판형 단면을 갖는 금속 와이어이고, 금속 와이어의 표면중 패드와 본딩되는 일부분은 피복되어 있지 않아 절연 특성을 유지하면서도 패드들과의 접착력을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니고, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어진 것이다.
먼저, 본 발명자들은 와이어 본딩 공정에서 도 3과 같이 절연 피복된 금속 와이어(15)의 본딩 단면에 절연 물질층(17)이 형성되는 과정을 고찰하였다. 이를 도 4를 이용하여 설명한다.
도 4는 종래의 절연 피복된 금속 와이어로 와이어 본딩되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
구체적으로, 와이어 본딩 공정에는 도 4에 도시한 바와 같이 캐필러 리(capillary)를 포함하는 본딩툴(bonding tool, 109)이 사용된다. 본딩툴(109)은 본딩 웨지(bonding wedge)를 사용될 수 있다. 본딩툴(19) 내에는 관통홀(103)이 형성되어 있고, 관통홀(103) 내에 절연 피복된 금속 와이어(15)가 삽입되어 통과된다. 관통홀(103)에 삽입된 절연 피복된 금속 와이어(15)는 패드(미도시) 상에 압착 방식, 예컨대 열압착(thermo-compression) 방식으로 본딩되고, 본딩된 상태에서 본딩툴(109)을 상부로 이동시켜 절연 피복된 금속 와이어(15)를 절단함으로써 본딩이 완료된다. 이러한 본딩 방식은 웨지 본딩(wedge bonding)이나 스티치 본딩(stitch bonding)으로 불린다.
그런데, 본 발명자들은 와이어 본딩 공정에서 본딩툴(19)의 챔퍼부(chamfer portion, 21) 바깥 부분으로 금속 와이어(15)가 절단되면서 본딩이 이루어지기 때문에 도 3과 같이 금속 와이어(15)와 패드 사이, 즉 금속 와이어(15)의 본딩 단면에 절연 물질층(17)이 잔류함을 알게 되었다.
이에 따라, 본 발명자들은 금속 와이어의 표면중 패드, 예컨대 칩 패드와 본딩 패드간의 접촉 면적이 작도록 부분적으로 절연층을 피복할 경우, 와이어 본딩 공정시 금속 와이어들간의 절연 특성을 유지하면서도 패드와의 접착력을 향상시킬 수 있음을 알게 되었다. 물론, 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어(이하에서는 "부분 절연 피복된 금속 와이어"로 칭함)는 후에 설명하는 볼 본딩(ball bonding)에도 효과적으로 본딩 단면에 절연 물질층의 발생을 억제하여 절연 특성을 유지하면서도 패드와의 접착력을 향상시킬 수 있다. 이에 대해, 다음의 실시예들을 이용하여 보다 자세하게 설명한다.
도 5 및 도 6은 각각 본 발명에 의해 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어의 제1 실시예를 도시한 사시도 및 단면도이다.
구체적으로, 본 발명에 의한 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)는 평판형 단면을 갖는 금속 와이어(50)와, 금속 와이어(50)의 표면에 와이어 본딩시 패드와 본딩되는 일부분(56), 예컨대 하부 단면이 피복되어 있지 않은 절연층(52)을 포함하여 구성된다. 평판형 단면을 갖는 금속 와이어(50)의 예로는 리본형 금속 와이어 또는 테이프형 금속 와이어를 들 수 있다. 금속 와이어(50)는 알루미늄, 구리, 금, 은 또는 니켈로 이루어질 수 있다. 절연층(52)은 실리콘, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지 또는 우레탄 수지로 이루어질 수 있다.
결과적으로, 본 발명에 의한 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)는 와이어 본딩 공정시 패드와 접촉 면적이 작도록 절연층(52)이 본딩되는 일부분이 피복되어 있지 않아 금속 와이어들(50)간의 절연 특성을 유지하면서도 패드와의 접착력(또는 접착 강도)을 향상시킬 수 있다.
도 7 및 도 8은 각각 본 발명에 의해 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어의 제2 실시예를 도시한 사사도 및 단면도이다.
구체적으로, 본 발명에 의한 부분 절연 피복된 금속 와이어(64)는 원형 단면을 갖는 금속 와이어(60)와, 금속 와이어(60)의 표면에 그물 형태 (또는 격자 형태)로 피복되는 절연층(62)을 포함하여 구성된다. 금속 와이어(60)는 알루미늄, 구리, 금, 은 또는 니켈로 이루어질 수 있다.
절연층(62)은 실리콘, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지 또는 우레탄 수지로 이 루어질 수 있다. 그물 형태의 절연층(62)으로 인하여 금속 와이어(60)의 표면은 모두 피복되지 않고, 부분적으로 피복된 상태가 된다. 다시 말해, 그물 형태의 절연층(62)으로 인해 금속 와이어(60)의 표면 일부가 노출된다. 이에 따라, 본 발명에 의한 부분 절연 피복된 금속 와이어(64)는 와이어 본딩 공정시 금속 와이어들(60) 간의 절연 특성을 유지하면서도 절연층(62)과 패드와의 접촉 면적이 작아 패드와의 접착력을 향상시킬 수 있다.
다음에는, 대표적으로 도 5 및 6의 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)를 이용하여 반도체 칩의 칩 패드와 배선 기판 상의 본딩 패드와 와이어 본딩하는 공정을 도 9 내지 도 12를 참조하여 설명한다. 물론, 도 7 및 도 8의 부분 절연 피복된 금속 와이어(64)를 참조하여도 동일한 와이어 본딩 공정을 수행할 수 있다. 그리고, 와이어 본딩 공정은 본딩툴로 캐필러리를 사용하고 있으나, 본딩 웨지(bonding wedge)라는 본딩툴을 사용할 수 도 있다.
도 9 내지 도 12는 본 발명에 의해 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어를 이용한 반도체 패키지의 와이어 본딩 공정을 설명한 단면도들이다.
도 9를 참조하면, 배선 기판(100), 예컨대 PCB 기판 또는 리드 프레임 상에 접착층(110)을 이용하여 반도체 칩(102)이 부착되어 있고, 반도체 칩(102)과 이격되어 본딩 패드(104)가 형성되어 있다. 본딩 패드(104)는 배선 기판(100)이 리드 프레임일 경우 리드로 명명할 수 도 있다. 반도체 칩(102) 상에는 칩 패드(112)가 위치하며, 칩 패드(112) 상에는 와이어 본딩을 위하여 본딩툴(109)이 위치하게 된다.
본딩툴(109)은 가이드(107) 및 캐필러리(106)를 포함한다. 본딩툴(109), 즉 가이드(107) 및 캐필러리(106) 내에는 앞서 설명한 바와 같이 관통홀(103)이 형성되어 있다. 관통홀(103)에 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)를 통과시킨 후, 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)의 선단에 볼부(ball portion, 108)를 형성한다. 볼부(109)는 전기 방전을 이용하여 형성한다.
도 10을 참조하면, 관통홀(103)을 통과한 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)는 반도체 칩(102)의 칩 패드(112) 상에 압착 방식, 예컨대 열압착 방식으로 본딩된다. 이렇게 볼(108)을 형성한 후 본딩하는 방식을 볼 본딩으로 불린다. 볼 본딩시 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)는 하부 단면(56)이 노출되어 있어 절연층(52)이 본딩되는 칩 패드(112)와의 접촉 면적이 작아 금속 와이어(54)의 본딩 단면에 절연 물질층이 형성되는 것을 줄일 수 있다.
이에 따라, 본 발명은 반도체 칩(102) 상에서 부분 절연 피복된 금속 와이어들(54)간의 절연 특성을 유지하면서도 패드(112)와의 접착력을 향상시킬 수 있다. 이어서, 본딩툴(109)을 본딩 패드(104)쪽으로 이동시키면 금속 와이어(54)는 일정한 루프를 이루게 된다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본딩툴(109)을 본딩 패드(104)의 상부로 이동시킨 후, 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)를 본딩 패드(104) 상에 압착한다. 이어서, 도 12에 도시한 바와 같이 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)가 압착된 상태에서 본딩툴(109)을 본딩 패드(104)의 상부쪽으로 이동시켜 본딩 패드(104) 상에서 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)를 이격시키면서 절단하여 본딩이 완료된다. 이 에 따라, 칩 패드(112)와 본딩 패드(104)는 전기적으로 연결된다. 그리고, 볼부를 형성하지 않고 압착 상태에 절단하는 본딩 방식은 웨지 본딩(wedge bonding)이나 스티치 본딩(stitch bonding)으로 불린다.
웨지나 스티치 본딩시 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)는 하부 단면(56)이 노출되어 있어 절연층(52)이 본딩 패드(104)와 접촉 면적이 작아 금속 와이어(54)의 본딩 단면에 절연 물질층이 형성되는 것을 줄일 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 본딩 패드(104) 상에서 부분 절연 피복된 금속 와이어들(54)간의 절연 특성을 유지하면서도 본딩 패드(104)와의 접착력을 향상시킬 수 있다.
도 13 및 도 14는 본 발명에 의해 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어로 본딩된 반도체 패키지의 예를 확대하여 도시한 사시도들이다. 도 13 및 도 11에서, 도 9 내지 도 12와 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다.
구체적으로, 도 13은 배선 기판(100) 상에 접착층(110)에 의하여 접착된 반도체 칩(02)의 칩 패드(112) 상에는 볼부(108)를 이용하여 볼 본딩(114)되어 있고, 배선 기판(100)의 본딩 패드(104) 상에서는 웨지나 스티치 본딩(116)된 것을 나타낸다. 칩 패드(112)와 본딩 패드(104)는 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)로 와이어 본딩되어 있다. 특히, 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)의 하부 단면은 절연층이 피복되어 있지 않은 상태이다.
그리고, 도 14는 배선 기판(100) 상에 접착층(110)에 의하여 접착된 반도체 칩(102)의 칩 패드(112) 상에는 웨지나 스티치 본딩(118) 되어 있고, 배선 기판(100)의 본딩 패드(104) 상에서도 웨지나 스티치 본딩(120)된 것을 나타낸다. 도 13과 동일하게 칩 패드(112)와 본딩 패드(104)는 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)로 와이어 본딩되어 있다. 특히, 부분 절연 피복된 금속 와이어(54)의 하부 단면은 절연층이 피복되어 있지 않은 상태이다. 따라서, 본 발명의 부분 절연 피복된 금속 와이어는 본딩 형태에 무관하게 이용할 수 있다.
도 15 및 도 16은 본 발명에 의해 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어로 적층 반도체 패키지의 와이어 본딩 공정을 간략하게 설명하기 위한 도면들이다.
도 15를 참조하면, 배선 기판(100), 예컨대 PCB 기판 또는 리드 프레임 상에 제1 접착층(110)으로 제1 반도체 칩(102)이 부착되어 있다. 제1 반도체 칩(102)과 이격되어 제1 본딩 패드(104)가 형성되어 있다. 제1 본딩 패드(104)는 배선 기판(100)이 리드 프레임일 경우 리드로 명명할 수 도 있다. 제1 반도체 칩(102) 상에는 제1 칩 패드(112)가 위치한다.
본딩툴(109)을 이용하여 제1 반도체 칩(102)의 제1 칩 패드(112) 및 제1 본딩 패드(104) 상에 앞서 설명한 바와 같은 압착 방식으로 제1 부분 절연 피복 금속 와이어(54a)를 본딩한다. 본딩은 볼 본딩이든 웨지나 스티치 본딩이든 관계없다. 와이어 본딩시 부분 절연 피복된 제1 금속 와이어(54a)는 절연층(52)이 본딩되는 패드들(112, 104)과의 접촉 면적을 작게 하여 본딩 단면에 절연 물질층이 형성되는 것을 줄일 수 있다. 이에 따라, 제1 반도체 칩(102) 및 제1 본딩 패드(104) 상에서 부분 절연 제1 금속 와이어(54a)는 절연 특성을 유지하면서도 패드들, 즉 제1 칩 패드(112)나 제1 본딩 패드(104)와의 접착력을 향상시킬 수 있다. 특히, 와이어 본딩시 절연층이 피복되지 않은 부분이 아래로 향하도록 구성하여, 후공정에서 부분 절연 금속 와이어들(54a, 54b)간의 절연특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 16을 참조하면, 제1 반도체 칩(102) 상에 제2 접착층(110a)을 이용하여 제2 반도체 칩(102a)을 접착한다. 이어서, 도 12와 마찬가지로 본딩툴(109)을 이용하여 제2 반도체 칩(102a)의 제2 칩 패드(112a) 및 제2 본딩 패드(104a) 상에 앞서 설명한 바와 같은 압착 방식으로 부분 절연 피복된 제2 금속 와이어(54b)를 본딩한다. 본딩 방식이나 효과는 도 12에서 설명한 바와 같다.
그리고, 본 발명은 와이어 본딩시 절연층이 피복되지 않은 부분이 아래로 향하도록 구성하여, 부분 절연 피복된 금속 와이어들(54a, 54b)간의 절연특성을 더욱 향상시킬 수 있다. 물론, 와이어 본딩후의 몰딩 공정에서 부분 절연 피복된 금속 와이어들(54a, 54b)은 봉지재, 예컨대 에폭시 수지 등에 의해 영향을 받더라도 절연 특성도 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 와이어 본딩용 부분 절연 피복된 금속 와이어는 본딩되는 패드와의 접촉 면적이 작도록 부분적으로 피복되는 절연층을 포함하여 구성되어 절연 특성을 유지하면서도 패드와의 접착력을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 부분 절연 피복된 금속 와이어는 평판형 단면을 갖는 금속 와이어이고, 금속 와이어의 표면중 패드와 본딩되는 일부분은 피복되어 있지 않다. 또한, 본 발명의 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어는 원형 단면을 갖는 금속 와이어이고, 절연층은 그물 형태로 피복되어 있다.
또한, 본 발명은 부분 절연 피복된 금속 와이어를 이용하여 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법을 제공한다. 특히, 와이어 본딩시 본딩되는 패드들과의 접촉 면적이 작도록 부분적으로 피복된 절연층으로 구성되어 절연 특성을 유지하면서도 패드들과의 접착력을 향상시킬 수 있다.

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 금속 와이어;
    상기 금속 와이어의 표면에 상기 금속 와이어의 표면중 본딩되는 패드와의 접촉 면적이 작도록 부분적으로 피복된 절연층을 포함하여 구성되되,
    상기 금속 와이어는 평판형 단면을 갖는 금속 와이어이고, 상기 금속 와이어의 표면중 패드와 본딩되는 일부분은 피복되어 있지 않아 절연 특성을 유지하면서도 상기 패드와의 접착력을 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩용 절연 피복된 금속 와이어.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금속 와이어의 표면중 패드들과 본딩되는 하부 단면은 피복되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩용 절연 피복된 금속 와이어.
  4. 제2항에 있어서, 상기 평판형 단면을 갖는 금속 와이어는 리본형 금속 와이어 또는 테이프형 금속 와이어인 것을 특징으로 하는 와이어 본딩용 절연 피복된 금속 와이어.
  5. 삭제
  6. 평판형 단면을 갖는 금속 와이어;
    상기 금속 와이어의 표면에 피복되어 있되, 상기 금속 와이어의 표면중 패드와 본딩되는 일부분은 피복되어 있지 않은 절연층을 포함하여 구성되어 절연 특성을 유지하면서도 상기 패드와 접착력을 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩용 절연 피복된 금속 와이어.
  7. 제6항에 있어서, 상기 금속 와이어의 표면중 패드들과 본딩되는 하부 단면은 피복되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩용 절연 피복된 금속 와이어.
  8. 제6항에 있어서, 상기 평판형 단면을 갖는 금속 와이어는 리본형 금속 와이어 또는 테이프형 금속 와이어인 것을 특징으로 하는 와이어 본딩용 절연 피복된 금속 와이어.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 본딩툴(tool)에 포함된 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어를 반도체 칩의 칩 패드에 본딩하는 단계;
    상기 칩 패드에 본딩후 본딩툴을 이동시켜 배선 기판의 본딩 패드에 상기 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어를 본딩하여 상기 칩 패드와 본딩 패드를 전기적으로 연결하는 단계; 및
    상기 본딩 패드에 본딩후 상기 본딩툴을 이동시켜 상기 본딩툴에 포함된 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어를 상기 본딩 패드와 이격시키면서 절단하는 단계를 포함하되,
    상기 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어는 금속 와이어와, 상기 금속 와이어의 표면중 본딩되는 패드들과의 접촉 면적이 작도록 부분적으로 피복된 절연층으로 구성되고,
    상기 금속 와이어는 평판형 단면을 갖는 금속 와이어이고, 상기 금속 와이어의 표면중 패드와 본딩되는 일부분은 피복되어 있지 않아 절연 특성을 유지하면서도 상기 패드들과의 접착력을 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 금속 와이어의 표면중 패드들과 본딩되는 하부 단면은 피복되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 평판형 단면을 갖는 금속 와이어는 리본형 금속 와이어 또는 테이프형 금속 와이어인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법.
  14. 삭제
  15. 제11항에 있어서, 상기 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어와 반도체 칩의 칩 패드는 볼 본딩 방법 또는 웨지 본딩 방법으로 본딩하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 부분적으로 절연 피복된 금속 와이어와 배선 기판의 본딩 패드는 웨지 본딩 방법으로 본딩하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 와이어 본딩 방법.
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