JPH06333727A - Ｍｎ−Ｚｎフェライト - Google Patents
Ｍｎ−ＺｎフェライトInfo
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- JPH06333727A JPH06333727A JP5142835A JP14283593A JPH06333727A JP H06333727 A JPH06333727 A JP H06333727A JP 5142835 A JP5142835 A JP 5142835A JP 14283593 A JP14283593 A JP 14283593A JP H06333727 A JPH06333727 A JP H06333727A
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- JP
- Japan
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- ferrite
- permeability
- coo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｆｅ2 Ｏ3 を多く含むＭｎ−Ｚｎフェライト
において、高周波トランスへの機械加工などによる初透
磁率及び損失などの劣化を少なくし、またこれがスイッ
チング電源などに搭載され高周波トランスとして動作す
るときの環境温度による初透磁率、損失の変化を抑え、
高周波トランスとして良好に使用することができる高透
磁率、低損失Ｍｎ−Ｚｎフェライトを得ること。 【構成効果】本発明のＭｎ−Ｚｎフェライトは、主成分
としてモル比で６５〜６９％のＦｅ2 Ｏ3 、１５〜２５
％のＭｎＯ及び１０〜１６％のＺｎＯから成り、副成分
としてＣａＯ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 及びＣｏＯの少なく
とも１種を含むＭｎ−Ｚｎフェライトにおいて、その初
透磁率の温度特性における第２極大値が５０〜７０℃に
存在するものである。よって、残留応力及び使用環境温
度による高周波での初透磁率及び保磁力などの劣化を抑
えることができ、高飽和磁束密度であって、高周波領域
で安定した高い初透磁率を有するフェライト材料を得る
ことができる。
において、高周波トランスへの機械加工などによる初透
磁率及び損失などの劣化を少なくし、またこれがスイッ
チング電源などに搭載され高周波トランスとして動作す
るときの環境温度による初透磁率、損失の変化を抑え、
高周波トランスとして良好に使用することができる高透
磁率、低損失Ｍｎ−Ｚｎフェライトを得ること。 【構成効果】本発明のＭｎ−Ｚｎフェライトは、主成分
としてモル比で６５〜６９％のＦｅ2 Ｏ3 、１５〜２５
％のＭｎＯ及び１０〜１６％のＺｎＯから成り、副成分
としてＣａＯ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 及びＣｏＯの少なく
とも１種を含むＭｎ−Ｚｎフェライトにおいて、その初
透磁率の温度特性における第２極大値が５０〜７０℃に
存在するものである。よって、残留応力及び使用環境温
度による高周波での初透磁率及び保磁力などの劣化を抑
えることができ、高飽和磁束密度であって、高周波領域
で安定した高い初透磁率を有するフェライト材料を得る
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品に使用される
Ｍｎ−Ｚｎフェライト材料に係り、さらに詳しくは１Ｍ
ＨＺ以上の高周波トランスに使用される高周波低損失、
高透磁率のＭｎ−Ｚｎフェライトに係る。
Ｍｎ−Ｚｎフェライト材料に係り、さらに詳しくは１Ｍ
ＨＺ以上の高周波トランスに使用される高周波低損失、
高透磁率のＭｎ−Ｚｎフェライトに係る。
【０００２】
【従来の技術】Ｍｎ−Ｚｎフェライトは高周波スイッチ
ング電源におけるトランス材料として多用されている
が、近年、電源の小型化、軽量化が進み、その動作周波
数が５００ＫＨＺ〜１ＭＨＺと高い周波数で使用される
ようになってきており、将来はそれがさらに１ＭＨＺ以
上へと高周波化が進むものと思われる。また、高周波の
スイッチングにより実際はかなり周波数の高い高調波成
分を含んでおり、このような電源に用いられるトランス
材料も高周波でより高透磁率で低損失の材料が要求され
てきている。しかし１ＭＨＺ以上のトランス材料として
従来のＦｅ2 Ｏ3 を５０〜５５モル％含むＭｎ−Ｚｎフ
ェライトを使用すると、コア損失が大きく、発熱すると
いう問題点がある。
ング電源におけるトランス材料として多用されている
が、近年、電源の小型化、軽量化が進み、その動作周波
数が５００ＫＨＺ〜１ＭＨＺと高い周波数で使用される
ようになってきており、将来はそれがさらに１ＭＨＺ以
上へと高周波化が進むものと思われる。また、高周波の
スイッチングにより実際はかなり周波数の高い高調波成
分を含んでおり、このような電源に用いられるトランス
材料も高周波でより高透磁率で低損失の材料が要求され
てきている。しかし１ＭＨＺ以上のトランス材料として
従来のＦｅ2 Ｏ3 を５０〜５５モル％含むＭｎ−Ｚｎフ
ェライトを使用すると、コア損失が大きく、発熱すると
いう問題点がある。
【０００３】一方、Ｆｅ2 Ｏ3 を６０モル％以上含む、
高い飽和磁束密度を有するＭｎ−Ｚｎフェライトが知ら
れており、その高い飽和磁束密度のために高周波まで初
透磁率が高く、低損失である特徴を有している。
高い飽和磁束密度を有するＭｎ−Ｚｎフェライトが知ら
れており、その高い飽和磁束密度のために高周波まで初
透磁率が高く、低損失である特徴を有している。
【０００４】しかし、このようなＦｅ2 Ｏ3 を多く含む
Ｍｎ−Ｚｎフェライトは、従来組成のＭｎ−Ｚｎフェラ
イトに比べて磁気歪が大きいため、フェライトコアの機
械加工などによって受ける残留応力などにより、初透磁
率、保磁力及び損失などが大きく劣化する問題点があ
る。
Ｍｎ−Ｚｎフェライトは、従来組成のＭｎ−Ｚｎフェラ
イトに比べて磁気歪が大きいため、フェライトコアの機
械加工などによって受ける残留応力などにより、初透磁
率、保磁力及び損失などが大きく劣化する問題点があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述のような
不都合を解消するためになされたものであり、その目的
は、Ｆｅ2 Ｏ3 を多く含むＭｎ−Ｚｎフェライトにおい
て、高周波トランスへの機械加工などによる初透磁率及
び損失などの劣化を少なくし、またこれがスイッチング
電源などに搭載され高周波トランスとして動作するとき
の環境温度による初透磁率、損失の変化を抑え、高周波
トランスとして良好に使用することができる高透磁率、
低損失Ｍｎ−Ｚｎフェライトを得ることにある。
不都合を解消するためになされたものであり、その目的
は、Ｆｅ2 Ｏ3 を多く含むＭｎ−Ｚｎフェライトにおい
て、高周波トランスへの機械加工などによる初透磁率及
び損失などの劣化を少なくし、またこれがスイッチング
電源などに搭載され高周波トランスとして動作するとき
の環境温度による初透磁率、損失の変化を抑え、高周波
トランスとして良好に使用することができる高透磁率、
低損失Ｍｎ−Ｚｎフェライトを得ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の如き本発明の目的
を達成するために、本発明は、主成分としてモル比で６
５〜６９％のＦｅ2 Ｏ3 、１５〜２５％のＭｎＯ及び１
０〜１６％のＺｎＯから成り、副成分としてＣａＯ、Ｓ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 及びＣｏＯの少なくとも１種を含むＭ
ｎ−Ｚｎフェライトにおいて、その初透磁率の温度特性
における第２極大値が５０〜７０℃に存在することを特
徴とするＭｎ−Ｚｎフェライトを提供するものである。
を達成するために、本発明は、主成分としてモル比で６
５〜６９％のＦｅ2 Ｏ3 、１５〜２５％のＭｎＯ及び１
０〜１６％のＺｎＯから成り、副成分としてＣａＯ、Ｓ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 及びＣｏＯの少なくとも１種を含むＭ
ｎ−Ｚｎフェライトにおいて、その初透磁率の温度特性
における第２極大値が５０〜７０℃に存在することを特
徴とするＭｎ−Ｚｎフェライトを提供するものである。
【０００７】本発明では、主成分としてモル比で６５〜
６９％のＦｅ2 Ｏ3 、１５〜２５％のＭｎＯ、および１
０〜１６％のＺｎＯから成る、Ｆｅ2 Ｏ3 を多く含むフ
ェライトにおいて、その初透磁率及び保磁力などの磁気
特性が、初透磁率の温度特性における第２極大値を示す
温度（以下、Ｓ．Ｍ．Ｐ．と表す。）の前後で大きく異
なり、Ｓ．Ｍ．Ｐ．より高い温度域での磁気特性が低い
温度域よりも良好であることを見出し、このような見地
より、これらのフェライトがＳ．Ｍ．Ｐ．より高い温度
域で使用されるように調整することにより、残留応力及
び使用動作温度による初透磁率、保磁力及び損失などの
劣化を抑え、高周波トランスとして良好に使用される低
損失Ｍｎ−Ｚｎフェライト材料を提供できるものであ
る。すなわち、主成分として、モル比で６５〜６９％の
Ｆｅ2 Ｏ3 、１５〜２５％のＭｎＯ及び１０〜１６％の
ＺｎＯから成り、副成分としてＣａＯ、ＳｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2及びＣｏＯの少なくとも１種を含むＭｎ−Ｚｎフェ
ライトにおいて、その初透磁率の温度特性におけるＳ．
Ｍ．Ｐ．が５０〜７０℃に存在することを特徴とするも
のである。
６９％のＦｅ2 Ｏ3 、１５〜２５％のＭｎＯ、および１
０〜１６％のＺｎＯから成る、Ｆｅ2 Ｏ3 を多く含むフ
ェライトにおいて、その初透磁率及び保磁力などの磁気
特性が、初透磁率の温度特性における第２極大値を示す
温度（以下、Ｓ．Ｍ．Ｐ．と表す。）の前後で大きく異
なり、Ｓ．Ｍ．Ｐ．より高い温度域での磁気特性が低い
温度域よりも良好であることを見出し、このような見地
より、これらのフェライトがＳ．Ｍ．Ｐ．より高い温度
域で使用されるように調整することにより、残留応力及
び使用動作温度による初透磁率、保磁力及び損失などの
劣化を抑え、高周波トランスとして良好に使用される低
損失Ｍｎ−Ｚｎフェライト材料を提供できるものであ
る。すなわち、主成分として、モル比で６５〜６９％の
Ｆｅ2 Ｏ3 、１５〜２５％のＭｎＯ及び１０〜１６％の
ＺｎＯから成り、副成分としてＣａＯ、ＳｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2及びＣｏＯの少なくとも１種を含むＭｎ−Ｚｎフェ
ライトにおいて、その初透磁率の温度特性におけるＳ．
Ｍ．Ｐ．が５０〜７０℃に存在することを特徴とするも
のである。
【０００８】本発明で使用されるフェライト材の主成分
は、モル比でＦｅ2 Ｏ3 ６５〜６９％、ＭｎＯ１５〜２
５％およびＺｎＯ１０〜１６％から成り、これにより５
８００Ｇ以上の高い飽和磁束密度を有する焼成体を得る
ことができる。フェライト材の主成分を上述の範囲とし
たのは、これ以外の範囲では飽和磁束密度の減少や保磁
力および損失の増大を招き、高周波高透磁率材及び高周
波低損失材として実用的でなくなるためである。これら
の主成分のほかに、副成分としてＣａＯ、ＳｉＯ2 、Ｚ
ｒＯ2 及びＣｏＯ、の少なくとも１種を加える。これら
のうちＣａＯ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 は焼成体の低効率を
上げる効果があり、ＣｏＯはＦｅ2 Ｏ3の量に応じて異
方性定数Ｋ1 を調整する効果があり、いずれも高周波で
の初透磁率及び損失を改善することができる。
は、モル比でＦｅ2 Ｏ3 ６５〜６９％、ＭｎＯ１５〜２
５％およびＺｎＯ１０〜１６％から成り、これにより５
８００Ｇ以上の高い飽和磁束密度を有する焼成体を得る
ことができる。フェライト材の主成分を上述の範囲とし
たのは、これ以外の範囲では飽和磁束密度の減少や保磁
力および損失の増大を招き、高周波高透磁率材及び高周
波低損失材として実用的でなくなるためである。これら
の主成分のほかに、副成分としてＣａＯ、ＳｉＯ2 、Ｚ
ｒＯ2 及びＣｏＯ、の少なくとも１種を加える。これら
のうちＣａＯ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 は焼成体の低効率を
上げる効果があり、ＣｏＯはＦｅ2 Ｏ3の量に応じて異
方性定数Ｋ1 を調整する効果があり、いずれも高周波で
の初透磁率及び損失を改善することができる。
【０００９】また、Ｆｅ2 Ｏ3 を多く含むフェライト材
を焼成する場合、スピネル化反応にともなう酸素の放出
量が多いため、必要に応じて有機系バインダーなどの還
元剤をフェライト材に添加することができる。
を焼成する場合、スピネル化反応にともなう酸素の放出
量が多いため、必要に応じて有機系バインダーなどの還
元剤をフェライト材に添加することができる。
【００１０】このようにして得られたフェライト材は、
成形した後、焼成する。焼成は酸素の放出によるヘマタ
イトの残留がなく、気孔が少なくまた結晶の粒成長を制
御した焼成体が得られるような条件で行われる必要があ
る。このために酸素濃度を制御した不活性ガス雰囲気中
で、焼成温度１１５０〜１２５０℃の範囲で行うのが好
ましい。
成形した後、焼成する。焼成は酸素の放出によるヘマタ
イトの残留がなく、気孔が少なくまた結晶の粒成長を制
御した焼成体が得られるような条件で行われる必要があ
る。このために酸素濃度を制御した不活性ガス雰囲気中
で、焼成温度１１５０〜１２５０℃の範囲で行うのが好
ましい。
【００１１】本発明におけるＭｎ−Ｚｎフェライトの初
透磁率のＳ．Ｍ．Ｐ．は５０〜７０℃に存在するように
調整される。Ｓ．Ｍ．Ｐ．を上記範囲に設定するのは、
このＭｎ−Ｚｎフェライトが使用される温度による。す
なわち、このＭｎ−Ｚｎフェライトがスイッチング電源
などの高周波トランスとして使用されるとき、フェライ
トコアの温度は、コア自身の損失による発熱及び機器の
環境温度などにより、通常７０〜１００℃の範囲で変化
する。したがってこのような温度範囲において初透磁
率、保磁力及び損失が劣化なく使用できるようにするた
めにＳ．Ｍ．Ｐ．をこの温度範囲より低く設定する。こ
こで、もしＳ．Ｍ．Ｐ．の設定が７０℃以上であれば、
高周波トランスとして動作するとき、Ｓ．Ｍ．Ｐ．より
低温域でフェライトコアを使用する場合が生じ、高周波
での初透磁率及び損失などの劣化及び変化が起こり、高
周波トランスとして有効に働かなくなる。またＳ．Ｍ．
Ｐ．の設定が５０℃であれば、使用温度範囲での初透磁
率及び損失などの劣化はないが、使用温度がＳ．Ｍ．
Ｐ．より高すぎるため、磁気異方性Ｋ1 が大きくなり、
初透磁率の低下及び損失の増大を招く。
透磁率のＳ．Ｍ．Ｐ．は５０〜７０℃に存在するように
調整される。Ｓ．Ｍ．Ｐ．を上記範囲に設定するのは、
このＭｎ−Ｚｎフェライトが使用される温度による。す
なわち、このＭｎ−Ｚｎフェライトがスイッチング電源
などの高周波トランスとして使用されるとき、フェライ
トコアの温度は、コア自身の損失による発熱及び機器の
環境温度などにより、通常７０〜１００℃の範囲で変化
する。したがってこのような温度範囲において初透磁
率、保磁力及び損失が劣化なく使用できるようにするた
めにＳ．Ｍ．Ｐ．をこの温度範囲より低く設定する。こ
こで、もしＳ．Ｍ．Ｐ．の設定が７０℃以上であれば、
高周波トランスとして動作するとき、Ｓ．Ｍ．Ｐ．より
低温域でフェライトコアを使用する場合が生じ、高周波
での初透磁率及び損失などの劣化及び変化が起こり、高
周波トランスとして有効に働かなくなる。またＳ．Ｍ．
Ｐ．の設定が５０℃であれば、使用温度範囲での初透磁
率及び損失などの劣化はないが、使用温度がＳ．Ｍ．
Ｐ．より高すぎるため、磁気異方性Ｋ1 が大きくなり、
初透磁率の低下及び損失の増大を招く。
【００１２】このようなＦｅ2 Ｏ3 を多く含むフェライ
トにおいて、使用温度がＳ．Ｍ．Ｐ．より高い方が低い
方よりなぜ高周波での初透磁率が高く、損失も小さくな
るのかは明確ではないが、Ｓ．Ｍ．Ｐ．を起点に、磁化
容易軸が低温側で＜１１１＞方向、高温側で＜１００＞
方向に変化するときに、それぞれに作用する磁気歪｜λ
111 ｜及び｜λ100 ｜が、それぞれ約３Ｘ１０-5及び５
Ｘ１０-6（常温において）で、後者の方が小さいため、
＜１００＞方向が磁化容易軸の時、すなわち使用温度が
Ｓ．Ｍ．Ｐ．より高いときに磁気特性がより良好になる
ものと思われる。また、これらのフェライトを高周波ト
ランスにするときの機械加工などにともなう残留応力に
よる磁気特性の劣化も、使用温度がＳ．Ｍ．Ｐ．より高
く設定された高密度フェライトでは、上記理由により磁
気歪が小さいため、それが小さくなるものと思われる。
トにおいて、使用温度がＳ．Ｍ．Ｐ．より高い方が低い
方よりなぜ高周波での初透磁率が高く、損失も小さくな
るのかは明確ではないが、Ｓ．Ｍ．Ｐ．を起点に、磁化
容易軸が低温側で＜１１１＞方向、高温側で＜１００＞
方向に変化するときに、それぞれに作用する磁気歪｜λ
111 ｜及び｜λ100 ｜が、それぞれ約３Ｘ１０-5及び５
Ｘ１０-6（常温において）で、後者の方が小さいため、
＜１００＞方向が磁化容易軸の時、すなわち使用温度が
Ｓ．Ｍ．Ｐ．より高いときに磁気特性がより良好になる
ものと思われる。また、これらのフェライトを高周波ト
ランスにするときの機械加工などにともなう残留応力に
よる磁気特性の劣化も、使用温度がＳ．Ｍ．Ｐ．より高
く設定された高密度フェライトでは、上記理由により磁
気歪が小さいため、それが小さくなるものと思われる。
【００１３】本発明におけるＭｎ−Ｚｎフェライトの
Ｓ．Ｍ．Ｐ．の調整方法は、特に制約されるものではな
いが、使用するフェライト材の組成に応じて、焼成温
度、焼成雰囲気の調節あるいはＣｏＯの添加量の調整な
どにより、それぞれの許容範囲内で任意に選ぶことがで
きる。
Ｓ．Ｍ．Ｐ．の調整方法は、特に制約されるものではな
いが、使用するフェライト材の組成に応じて、焼成温
度、焼成雰囲気の調節あるいはＣｏＯの添加量の調整な
どにより、それぞれの許容範囲内で任意に選ぶことがで
きる。
【００１４】
【作用】上述のように、Ｆｅ2 Ｏ3 を多く含むＭｎ−Ｚ
ｎフェライトにおいて、そのＳ．Ｍ．Ｐ．を５０〜７０
℃に調整することにより、高周波トランスとして磁気歪
の小さい状態で使用されるようになるため、機械加工な
どによる残留応力あるいは使用温度による磁気特性の劣
化を抑えられることにより、高い飽和磁束密度を有し、
高周波で初透磁率が高く損失の小さい材料を提供するこ
とができる。
ｎフェライトにおいて、そのＳ．Ｍ．Ｐ．を５０〜７０
℃に調整することにより、高周波トランスとして磁気歪
の小さい状態で使用されるようになるため、機械加工な
どによる残留応力あるいは使用温度による磁気特性の劣
化を抑えられることにより、高い飽和磁束密度を有し、
高周波で初透磁率が高く損失の小さい材料を提供するこ
とができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。主成分と
してＦｅ2 Ｏ3 、ＭｎＯ及びＺｎＯを図１の図表図に示
す組成範囲で選び、これをボールミルで混合し、窒素中
で９００℃、５時間仮焼した。これに副成分としてＣａ
Ｏ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 及びＣｏＯを図１の図表図に示
す範囲でそれぞれ添加し、ボールミルで粉砕した。この
フェライト原料粉に還元剤としてポリビリルアルコール
を０．３ｗｔ％添加し、５０Ｘ１０Ｘ８ｍｍのブロック
状に成形した。そしてこの成形体を窒素中で昇温し、酸
素を含む雰囲気中で１１５０〜１２５０℃の範囲で６時
間焼成した。このＭｎ−Ｚｎフェライトの焼成ブロック
から外径１０ｍｍφ、内径５ｍｍφ、厚さ１ｍｍｔのリ
ングを加工し、１０Ｏｅでの飽和磁束密度Ｂｓ及びＳ．
Ｍ．Ｐ．、さらに８０℃における５ＭＨＺでの初透磁率
μｉ及び相対損失係数ｔａｎδ／μｉの測定を行った。
これらの結果を図２の図表図に示す。
してＦｅ2 Ｏ3 、ＭｎＯ及びＺｎＯを図１の図表図に示
す組成範囲で選び、これをボールミルで混合し、窒素中
で９００℃、５時間仮焼した。これに副成分としてＣａ
Ｏ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 及びＣｏＯを図１の図表図に示
す範囲でそれぞれ添加し、ボールミルで粉砕した。この
フェライト原料粉に還元剤としてポリビリルアルコール
を０．３ｗｔ％添加し、５０Ｘ１０Ｘ８ｍｍのブロック
状に成形した。そしてこの成形体を窒素中で昇温し、酸
素を含む雰囲気中で１１５０〜１２５０℃の範囲で６時
間焼成した。このＭｎ−Ｚｎフェライトの焼成ブロック
から外径１０ｍｍφ、内径５ｍｍφ、厚さ１ｍｍｔのリ
ングを加工し、１０Ｏｅでの飽和磁束密度Ｂｓ及びＳ．
Ｍ．Ｐ．、さらに８０℃における５ＭＨＺでの初透磁率
μｉ及び相対損失係数ｔａｎδ／μｉの測定を行った。
これらの結果を図２の図表図に示す。
【００１６】また、実施例１及び比較例２のＭｎ−Ｚｎ
フェライトについて、８０℃における初透磁率及び相対
損失係数の周波数特性をそれぞれ図３の特性図に示す。
フェライトについて、８０℃における初透磁率及び相対
損失係数の周波数特性をそれぞれ図３の特性図に示す。
【００１７】以上の結果から明らかなように、本発明に
よる実施例１〜４のＭｎ−Ｚｎフェライトはにおいては
高周波トランスの動作温度付近での初透磁率が高く、損
失も小さいことがわかる。これに対して、Ｓ．Ｍ．Ｐ．
が本発明の範囲外にある比較例１〜２のＭｎ−Ｚｎフェ
ライトでは初透磁率が低下し、損失が増大する。また主
成分のＦｅ2 Ｏ3 量が本発明の範囲より少ない比較例３
及び４では、Ｓ．Ｍ．Ｐ．が５０〜７０℃の範囲より低
くなるため、やはり初透磁率及び損失の増大を招く。ま
た、主成分のＦｅ2 Ｏ3 量が本発明の範囲より多い比較
例５及び本発明の副成分を含まない比較例６のＭｎ−Ｚ
ｎフェライトでは、Ｓ．Ｍ．Ｐ．が５０〜７０℃の範囲
内にあっても、初透磁率そのものが低くなり、損失の大
きいものとなる。
よる実施例１〜４のＭｎ−Ｚｎフェライトはにおいては
高周波トランスの動作温度付近での初透磁率が高く、損
失も小さいことがわかる。これに対して、Ｓ．Ｍ．Ｐ．
が本発明の範囲外にある比較例１〜２のＭｎ−Ｚｎフェ
ライトでは初透磁率が低下し、損失が増大する。また主
成分のＦｅ2 Ｏ3 量が本発明の範囲より少ない比較例３
及び４では、Ｓ．Ｍ．Ｐ．が５０〜７０℃の範囲より低
くなるため、やはり初透磁率及び損失の増大を招く。ま
た、主成分のＦｅ2 Ｏ3 量が本発明の範囲より多い比較
例５及び本発明の副成分を含まない比較例６のＭｎ−Ｚ
ｎフェライトでは、Ｓ．Ｍ．Ｐ．が５０〜７０℃の範囲
内にあっても、初透磁率そのものが低くなり、損失の大
きいものとなる。
【００１８】なお、本発明に係るフェライト材料は、捲
回されたコイルに印加される交流の通電により生じる磁
束が通過する磁路を有する磁気コアに用いてその効果は
顕著なものである。
回されたコイルに印加される交流の通電により生じる磁
束が通過する磁路を有する磁気コアに用いてその効果は
顕著なものである。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のＭｎ−Ｚｎフェライトにあっては、主成分としてモル
比で６５〜６９％のＦｅ2 Ｏ3 、１５〜２５％のＭｎＯ
及び１０〜１６％のＺｎＯから成り、副成分としてＣａ
Ｏ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 及びＣｏＯーの少なくとも１種
を含み、その初透磁率の温度特性における第２極大値
（Ｓ．Ｍ．Ｐ．）が５０〜７０℃に存在することによ
り、残留応力及び使用動作温度による高周波での初透磁
率及び損失などの劣化を抑える効果があるため、高周波
で安定した高い初透磁率を有する低損失材料となる。
のＭｎ−Ｚｎフェライトにあっては、主成分としてモル
比で６５〜６９％のＦｅ2 Ｏ3 、１５〜２５％のＭｎＯ
及び１０〜１６％のＺｎＯから成り、副成分としてＣａ
Ｏ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 及びＣｏＯーの少なくとも１種
を含み、その初透磁率の温度特性における第２極大値
（Ｓ．Ｍ．Ｐ．）が５０〜７０℃に存在することによ
り、残留応力及び使用動作温度による高周波での初透磁
率及び損失などの劣化を抑える効果があるため、高周波
で安定した高い初透磁率を有する低損失材料となる。
【図１】本発明の実施例と比較例の含有成分を対比した
図表図
図表図
【図２】本発明の実施例と比較例の特性を対比した図表
図
図
【図４】本発明の実施例と比較例の他の特性を対比した
特性図
特性図
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月７日
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例と比較例の含有成分を対比した
図表図
図表図
【図２】本発明の実施例と比鮫例の特性を対比した図表
図
図
【図３】本発明の実施例と比較例の他の特性を対比した
特性図
特性図
Claims (2)
- 【請求項１】主成分としてモル比で６５〜６９％のＦｅ
2 Ｏ3 、１５〜２５％のＭｎＯ及び１０〜１６％のＺｎ
Ｏから成り、副成分としてＣａＯ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2
及びＣｏＯの少なくとも１種を含むＭｎ−Ｚｎフェライ
トにおいて、その初透磁率の温度特性における第２極大
値が５０〜７０℃に存在することを特徴とするＭｎ−Ｚ
ｎフェライト。 - 【請求項２】捲回されたコイルに印加される交流の通電
により生じる磁束が通過する磁路を有する磁気コアにお
いて、該コアが、主成分としてモル比で６５〜６９％の
Ｆｅ2 Ｏ3 、１５〜２５％のＭｎＯ及び１０〜１６％の
ＺｎＯから成り、副成分としてＣａＯ、ＳｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 及びＣｏＯの少なくとも１種を含むＭｎ−Ｚｎフェ
ライトであって、その初透磁率の温度特性における第２
極大値が５０〜７０℃に存在するフェライトであること
を特徴とするフェライト磁気コア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5142835A JPH06333727A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | Ｍｎ−Ｚｎフェライト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5142835A JPH06333727A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | Ｍｎ−Ｚｎフェライト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333727A true JPH06333727A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=15324725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5142835A Pending JPH06333727A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | Ｍｎ−Ｚｎフェライト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333727A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005187232A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Hitachi Metals Ltd | フェライト焼結体及びその製造方法並びにこれを用いた電子部品 |
| JP2012111675A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-06-14 | Tdk Corp | フェライト組成物および電子部品 |
| JP2012140307A (ja) * | 2011-01-04 | 2012-07-26 | Tdk Corp | フェライト組成物および電子部品 |
| JP2012246154A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Tdk Corp | フェライト組成物および電子部品 |
| WO2013002143A1 (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | 株式会社 村田製作所 | フェライト材料、及びノイズ吸収部品 |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP5142835A patent/JPH06333727A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005187232A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Hitachi Metals Ltd | フェライト焼結体及びその製造方法並びにこれを用いた電子部品 |
| JP2012111675A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-06-14 | Tdk Corp | フェライト組成物および電子部品 |
| JP2012140307A (ja) * | 2011-01-04 | 2012-07-26 | Tdk Corp | フェライト組成物および電子部品 |
| JP2012246154A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Tdk Corp | フェライト組成物および電子部品 |
| WO2013002143A1 (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | 株式会社 村田製作所 | フェライト材料、及びノイズ吸収部品 |
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