JPH06279448A - 2種類のフタロジニトリル誘導体から対称性の低い新規なフタロシアニン錯体を製造する方法 - Google Patents

2種類のフタロジニトリル誘導体から対称性の低い新規なフタロシアニン錯体を製造する方法

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JPH06279448A
JPH06279448A JP6835993A JP6835993A JPH06279448A JP H06279448 A JPH06279448 A JP H06279448A JP 6835993 A JP6835993 A JP 6835993A JP 6835993 A JP6835993 A JP 6835993A JP H06279448 A JPH06279448 A JP H06279448A
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JP
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phthalodinitrile
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phthalocyanine complex
phthalocyanine
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JP6835993A
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English (en)
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Yuichi Shiratori
裕一 白鳥
Kazue Ohira
一恵 大平
Masahiro Hatano
昌弘 籏野
Hideo Konami
秀雄 小波
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SAN CHEMIPHAR KK
Original Assignee
SAN CHEMIPHAR KK
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 2種類のフタロジニトリル誘導体を他方に対
して1〜15モル比で金属化合物と共に反応させ、合成
物から対称性の低い可溶性フタロシアニン錯体を分離・
精製する。 【効果】 2種類のフタロジニトリル誘導体を他方に対
して1〜15モルで反応させるようにしているために、
対称性が低い可溶性フタロシアニン錯体の分離・精製が
容易となる。またマグネシウムフタロシアニン誘導体か
ら中心金属イオンを自由に変換できることから、対称性
の低いフタロシアニン錯体の合成が容易となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、対称性の低い新規なフ
タロシアニン錯体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】フタロシアニン錯体は顔料用材料、光電
性材料などとして応用されてきた。又非線形光学材料、
センサー材料などへの研究開発にもフタロシアニン錯体
は用いられている。フタロシアニン錯体の構成として図
1のようにフタロジニトリル誘導体由来の1つの基本部
分より金属を中心として成り立っている。図中Mは金
属、Pはフタロジニトリル誘導体を示す。
【0003】1種類のフタロジニトリル誘導体からフタ
ロシアニン錯体を合成するときは1種類のフタロシアニ
ン錯体(構造異性体を除く)しか得られないが、2種類
のフタロジニトリル誘導体からフタロシアニン錯体を合
成するときは図2のように6種類のフタロシアニン錯体
が得られる(構造異性体を除く)。尚、図中Mは金属、
P’,P”はフタロジニトリル誘導体を示す。
【0004】(1)と(6)はP’またはP”の1種類
のフタロジニトリル誘導体のみから合成することができ
るが、(2)〜(5)はこの2種類のフタロジニトリル
誘導体を用いる方法でしか合成できないため、(2)〜
(5)の化合物を製造するときは、6種類の混合物から
分離・精製する必要がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】2種類のフタロジニト
リル誘導体からフタロシアニン錯体を合成し、(1)〜
(6)を分離・精製する手段は主として、再結晶やクロ
マトグラフィー分離が用いられるが、そのためには合成
された化合物が溶媒可溶でなければならない。よって、
籏野ら(特開平4−106159号)のように溶媒可溶
な亜鉛やマグネシウムイオンを用いたフタロシアニン錯
体しか分離・精製できない。
【0006】しかしフタロシアニン錯体として主流を占
めている、オキシチタン、銅などの中心金属イオンを有
するフタロシアニン錯体は溶媒に極めて溶けない。その
ためアルキル基やアルコキシ基などの置換基を導入する
必要性がある(特開平2−55769号)。従ってアル
キル基やアルコキシ基などの置換基を持たぬ、オキシチ
タン、銅などの金属イオンを有する(2)〜(5)タイ
プのフタロシアニン錯体を合成するのは極めて困難であ
る。
【0007】また2種類のフタロジニトリル誘導体を用
いる際のモル比について見ると、特開平2−55769
号のように(6)タイプの化合物が有機溶媒に不溶であ
れば可溶な(5)タイプの化合物を得るためにモル比を
15〜25倍量使用してもよいが、(6)タイプの化合
物が溶媒に可溶であれば(6)タイプの生成比が著しく
増加するため、(6)タイプを分離して(5)タイプを
得る操作が大変となる。また、フタロジニトリル誘導体
P’,P”が高価であれば(5)タイプの生成比が多い
方が経済的に有利である。
【0008】
【課題を解決するための手段】2種類のフタロジニトリ
ル誘導体を他方に対して1〜15のモル比で金属化合物
と共に反応させ、合成物から対称性の低い可溶性フタロ
シアニン錯体を分離・精製することを特徴とする2種類
のフタロジニトリル誘導体から対称性の低い新規なフタ
ロシアニン錯体を製造する方法、及び2種類のフタロジ
ニトリル誘導体を他方に対して1〜15のモル比でマグ
ネシウム及びその塩類と共に反応させ、合成物から目的
とする対称性の低い可溶性フタロシアニン錯体を分離・
精製した後、中心金属イオンを希望する金属イオンに変
換することを特徴とする2種類のフタロジニトリル誘導
体から対称性の低い新規なフタロシアニン錯体を製造す
る方法、に係るものである。
【0009】
【作用】2種類のフタロジニトリル誘導体からフタロシ
アニン錯体を合成するとき、(1)〜(6)タイプの化
合物が得られるが、その生成比は概ね計算することがで
きる。Aを1として、Bのモル比を増した場合の(1)
〜(6)タイプの生成比を確率論を用いて計算すると表
1の様になる。
【0010】
【表1】
【0011】以上のようにモル比を調整することで
(1)〜(6)タイプの化合物の生成比は増減する。
(5)タイプの化合物((2)タイプも同様にBを1と
してAのモル比を増やす)を主目的として合成すると
き、モル比を1〜15倍量(好ましくは2〜5倍量)用
いると(5)タイプ((2)タイプも同様)の生成比が
増し、よって溶媒可溶な場合には分離・精製が極めて容
易となり、また経済的である。また(3)と(4)タイ
プはモル比が近い(0.3〜3当量)方が好ましい結果
となる。
【0012】また、これまでは可溶性フタロシアニンの
場合であるが、中心金属がオキシチタンや銅などでアル
キル基やアルコキシ基が導入されていないフタロシアニ
ン錯体は溶解しないため分離・精製が困難であるが、そ
れらの場合には中心金属をオキシチタンや銅などの代り
に溶媒可溶なマグネシウムイオンで合成し、溶媒可溶と
した6種類の中から目的の化合物を分離・精製し、マグ
ネシウム錯体をノルマル−ブチルリチウムでジリチウム
錯体とした後、希望する金属塩と反応させることによ
り、中心金属イオンをオキシチタンや銅などに変換して
目的とするフタロシアニン錯体に合成することができ
た。またノルマル−ブチルリチウムに限らずリチウムア
ルコキサイドなどのリチウム化合物を使用することがで
きるし、金属ナトリウムでも同様の反応が起きる。ま
た、酸処理でマグネシウム錯体をメタルフリーフタロシ
アニン誘導体としてから希望する金属に変換しても良
い。
【0013】
【実施例】以下に実施例を示してこの発明を更に説明す
るが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【0014】実施例1 2,3−ジシアノナフタレン500mg(0.028モ
ル)、4,5−ジノルマル−オクチロキシオルトフタロ
ニトリル217mg(0.00056モル)、酢酸亜鉛
・2水和物203mg、ヒドロキノン93mgを乳鉢で
すりつぶしながら混合し、試験管に入れ、270℃のメ
タルバス中で数分間加熱する。冷後、アセトン100m
lを加えてろ過し、残渣をテトラヒドロフラン約50m
lに溶かしてろ過し、ろ液を再結晶に付す。そのろ液を
濃縮し、ゲルろ過クロマトグラフィーに付すことによ
り、亜鉛ジノルマルオクチロキシトリベンゾ[b,k,
t]フタロシアナト92mgを得た。
【0015】実施例2 2,3−ジシアノナフタレン400mg(0.0022
モル)、4−ドデシロキシオルトフタロニトリル700
mg(0.0022モル)、四塩化チタン240mgを
キノリン10mlに懸濁し、170℃で4時間攪拌す
る。冷後、メタノール100mlを加えて、ろ過し、残
分を濃アンモニア水10mlに加えて約30分間攪拌
後、ろ過し、水洗、アセトン洗浄する。残分をテトラヒ
ドロフラン100mlに溶かし、アルミナカラムに付し
不純物を取り除いた後、溶媒を留去し、残分をトルエン
少量に溶かし、アルミナカラムに付し流出液を留去し、
残分をトルエン少量に溶かし、アルミナカラムに付すこ
とにより、トルエン−酢酸エチル(9:1)画分よりテ
トラオキシチタンドデシロキシフタロシアナト13mg
を得た。トルエン−酢酸エチル(8:2)画分より、ト
リオキシチタンドデシロキシモノベンゾフタロシアニン
57mgを得た。トルエン−酢酸エチル(7:3)画分
より、ジオキシチタンドデシロキシジベンゾ[b,t]
フタロシアニン22mgを得た。トルエン−酢酸エチル
(7:3)画分よりジオキシチタンドデシロキシジベン
ゾ[b,k]フタロシアニン36mgを得た。トルエン
−酢酸エチル(6:4)画分よりモノオキシチタンドデ
シロキシトリベンジフタロシアニン45mgを得た。
【0016】実施例3 2,3−ジシアノナフタレン1g(0.0056モ
ル)、オルトフタロニトリル2.3g(0.0018モ
ル)、酢酸マグネシウム・4水和物1.4g、ヒドロキ
ノン605mgを乳鉢ですりつぶしながら混合して試験
管に入れ、270℃のメタルバス中で数分間加熱する。
冷後、テトラヒドロフラン約300mlに溶かし、アル
ミナカラムに付して不純物を取り除いた後、再結晶する
ことにより、マグネシウムトリベンゾフタロシアナト3
72mgを得た。これをキノリン30mlに懸濁し、ノ
ルマル−ブチルリチウム1.5mlを加え、250℃で
約30分間攪拌後、無水酢酸銅550mgを加えて、2
50℃で30分間攪拌する。冷後、テトラヒドロフラン
220mlを加え、ろ過し、温水で十分に洗浄しアセト
ン洗浄後、銅トリベンゾフタロシアナト161mgを得
た。
【0017】実施例4 2,3−ジシアノナフタレン1g(0.0056モ
ル)、オルトフタロニトリル1.3g(0.01モ
ル)、酢酸マグネシウム・4水和物920mg、ヒドロ
キノン420mgを乳鉢ですりつぶしながら混合して試
験管に入れ、270℃のメタルバス中で数分間加熱す
る。冷後、テトラヒドロフラン約200mlに溶かし、
アルミナカラムに付して不純物を除いた後、テトラヒド
ロフラン、トルエン、アセトンにより再結晶を繰返し
て、マグネシウムジベンゾ[b,t]フタロシアナト6
2mgを得た。これをキノリン6mlに懸濁し、ノルマ
ル−ブチルリチウム0.2mlを加え、250℃で約3
0分間攪拌後、無水酢酸銅81mgを加えて、250℃
で30分間攪拌する。冷後、テトラヒドロフラン50m
lを加えて、ろ過し、温水で十分洗浄し、テトラヒドロ
フラン洗浄後、銅ジベンゾ[b,t]フタロシアナト4
7mgを得た。
【0018】
【発明の効果】2種類のフタロジニトリル誘導体を他方
に対して1〜15モルで反応させるようにしているため
に、目的とする対称性の低いフタロシアニン錯体の分離
・精製が容易となる。またマグネシウムフタロシアニン
誘導体から中心金属イオンを自由に変換できることか
ら、対称性の低いフタロシアニン錯体の合成が容易とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】フタロシアニン錯体の構造式を示す図である。
【図2】2種類のフタロジニトリル誘導体から合成され
る6種類のフタロシアニン錯体の構造式を示す図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小波 秀雄 宮城県仙台市宮城野区安養寺二丁目26番30 号

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2種類のフタロジニトリル誘導体を他方
    に対して1〜15のモル比で金属化合物と共に反応さ
    せ、合成物から対称性の低い可溶性フタロシアニン錯体
    を分離・精製することを特徴とする2種類のフタロジニ
    トリル誘導体から対称性の低い新規なフタロシアニン錯
    体を製造する方法。
  2. 【請求項2】 2種類のフタロジニトリル誘導体を他方
    に対して1〜15のモル比でマグネシウム及びその塩類
    と共に反応させ、合成物から目的とする対称性の低い可
    溶性フタロシアニン錯体を分離・精製した後、中心金属
    イオンを希望する金属イオンに変換することを特徴とす
    る2種類のフタロジニトリル誘導体から対称性の低い新
    規なフタロシアニン錯体を製造する方法。
JP6835993A 1993-03-26 1993-03-26 2種類のフタロジニトリル誘導体から対称性の低い新規なフタロシアニン錯体を製造する方法 Pending JPH06279448A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0719839A2 (en) 1994-12-27 1996-07-03 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Phthalocyanine compounds and optical recording media comprising them
US6797446B2 (en) 1999-12-31 2004-09-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptors
CN102830139A (zh) * 2012-08-28 2012-12-19 河北工业大学 具有丙酮选择特性的氧化锌厚膜气敏传感器制备方法

Cited By (5)

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