JPH06256358A - 新規イミダゾールシラン化合物及びその製造方法並びにそれを用いる金属表面処理剤 - Google Patents
新規イミダゾールシラン化合物及びその製造方法並びにそれを用いる金属表面処理剤Info
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- JPH06256358A JPH06256358A JP3990193A JP3990193A JPH06256358A JP H06256358 A JPH06256358 A JP H06256358A JP 3990193 A JP3990193 A JP 3990193A JP 3990193 A JP3990193 A JP 3990193A JP H06256358 A JPH06256358 A JP H06256358A
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- metal surface
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- carbon atoms
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2222/00—Aspects relating to chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive medium
- C23C2222/20—Use of solutions containing silanes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 金属表面に耐熱性及びレジスト密着性を付与
することができるシラン化合物その製法及びそれを含む
金属表面処理剤を提供する。 【構成】 （１）イミダゾールシラン化合物。 （２）式（２）のイミダゾール化合物と式（３）の３−
グリシドキシプロピルシラン化合物とを、８０〜２００
℃で反応されることを特徴とする前記１記載のイミダゾ
ールシラン化合物の製造方法。 （３）（１）記載のイミダゾールシラン化合物の少なく
とも１種を有効成分とする金属表面処理剤。 （Ｒ１は水素又はアルキル基、Ｒ２は水素、ビニル基又
はアルキル基、Ｒ３はアルキル基を示す）
することができるシラン化合物その製法及びそれを含む
金属表面処理剤を提供する。 【構成】 （１）イミダゾールシラン化合物。 （２）式（２）のイミダゾール化合物と式（３）の３−
グリシドキシプロピルシラン化合物とを、８０〜２００
℃で反応されることを特徴とする前記１記載のイミダゾ
ールシラン化合物の製造方法。 （３）（１）記載のイミダゾールシラン化合物の少なく
とも１種を有効成分とする金属表面処理剤。 （Ｒ１は水素又はアルキル基、Ｒ２は水素、ビニル基又
はアルキル基、Ｒ３はアルキル基を示す）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属表面のレジスト密
着性、耐熱性の改善等を行うための表面処理剤、特には
プリント回路用銅張積層板等に用いられる銅箔用表面処
理剤として有用な新規なイミダゾールシラン化合物及び
その製造方法、並びにその用途に関する。
着性、耐熱性の改善等を行うための表面処理剤、特には
プリント回路用銅張積層板等に用いられる銅箔用表面処
理剤として有用な新規なイミダゾールシラン化合物及び
その製造方法、並びにその用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント回路用の銅張積層板は銅箔を紙
−フェノール樹脂含浸基材やガラス−エポキシ樹脂含浸
基材等に加熱、加圧して積層して形成され、これをエッ
チングして回路網を形成し、これに半導体装置等の素子
を搭載することにより電子機器用のボードが作られる。
これらの過程では、基材との接着、加熱、酸やアルカリ
液への浸漬、レジストインクの塗布、ハンダ付け等が行
われるため、銅箔には各種の性能が要求される。たとえ
ば、通常Ｍ面（粗化面、以下同様）と呼称されている基
材と接着される側には主として基材との接着性、耐薬品
性等が要求され、又Ｍ面の反対側の通常Ｓ面（光沢面、
以下同様）と呼称されている側には主として耐熱性、耐
湿性、レジスト密着性等が要求されている。
−フェノール樹脂含浸基材やガラス−エポキシ樹脂含浸
基材等に加熱、加圧して積層して形成され、これをエッ
チングして回路網を形成し、これに半導体装置等の素子
を搭載することにより電子機器用のボードが作られる。
これらの過程では、基材との接着、加熱、酸やアルカリ
液への浸漬、レジストインクの塗布、ハンダ付け等が行
われるため、銅箔には各種の性能が要求される。たとえ
ば、通常Ｍ面（粗化面、以下同様）と呼称されている基
材と接着される側には主として基材との接着性、耐薬品
性等が要求され、又Ｍ面の反対側の通常Ｓ面（光沢面、
以下同様）と呼称されている側には主として耐熱性、耐
湿性、レジスト密着性等が要求されている。
【０００３】とくに最近では銅箔の光沢面に対する要求
特性の中でも、耐熱酸化性とともに、メッキレジスト、
エッチングレジスト等のレジストとの密着性が重要にな
ってきている。これは、印刷回路の微細化にともない、
エッチング精度を上げるためにはレジストが銅箔面に密
着していることが基本だからである。レジスト密着性が
悪いと、塩酸等のエッチング液がレジスト膜の下側に浸
透するので、狭い巾の回路パターンを形成することが困
難となる。
特性の中でも、耐熱酸化性とともに、メッキレジスト、
エッチングレジスト等のレジストとの密着性が重要にな
ってきている。これは、印刷回路の微細化にともない、
エッチング精度を上げるためにはレジストが銅箔面に密
着していることが基本だからである。レジスト密着性が
悪いと、塩酸等のエッチング液がレジスト膜の下側に浸
透するので、狭い巾の回路パターンを形成することが困
難となる。
【０００４】従来、一般に、レジスト印刷工程において
はレジストと銅箔との密着性をよくするために印刷前に
銅箔の機械的研磨が行なわれている。しかしながら、最
近、工程の省略化や印刷回路板の高密度化に伴う銅箔の
薄箔化により、レジスト密着性改善のための機械的研磨
工程を省略する傾向にある。他方で、上記の通り、印刷
回路の回路巾の狭小化に伴い、レジスト密着性が重要視
されている。従って、工程数の増加を伴うことなく、薄
い銅箔をも対象としてレジスト密着性を改善する対策が
必要である。もちろん、それは耐熱酸化性、半田濡れ性
といった光沢面に要求される他の特性、更には剥離強
度、耐塩酸性といった粗化面に要求される他の特性を損
なうものであってはならない。
はレジストと銅箔との密着性をよくするために印刷前に
銅箔の機械的研磨が行なわれている。しかしながら、最
近、工程の省略化や印刷回路板の高密度化に伴う銅箔の
薄箔化により、レジスト密着性改善のための機械的研磨
工程を省略する傾向にある。他方で、上記の通り、印刷
回路の回路巾の狭小化に伴い、レジスト密着性が重要視
されている。従って、工程数の増加を伴うことなく、薄
い銅箔をも対象としてレジスト密着性を改善する対策が
必要である。もちろん、それは耐熱酸化性、半田濡れ性
といった光沢面に要求される他の特性、更には剥離強
度、耐塩酸性といった粗化面に要求される他の特性を損
なうものであってはならない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Ｓ面の要求
性能である優れた耐熱性、レジスト密着性を金属表面に
付与することができる新規なシラン化合物、その製造方
法、及びそれを用いた新規な金属表面処理剤、特に銅箔
用表面処理剤を提供することを目的とするものである。
性能である優れた耐熱性、レジスト密着性を金属表面に
付与することができる新規なシラン化合物、その製造方
法、及びそれを用いた新規な金属表面処理剤、特に銅箔
用表面処理剤を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意研究を
進めた結果、特定のイミダゾール環を有するシラン化合
物が金属表面に優れたレジスト密着性と耐熱性を付与す
ることができることを見出した。
進めた結果、特定のイミダゾール環を有するシラン化合
物が金属表面に優れたレジスト密着性と耐熱性を付与す
ることができることを見出した。
【０００７】本発明は、かかる知見に基づきなされたも
のであり、その要旨は、 （１）下記一般式（１）で表される新規イミダゾールシ
ラン化合物、
のであり、その要旨は、 （１）下記一般式（１）で表される新規イミダゾールシ
ラン化合物、
【０００８】
【化３】
【０００９】（ただし、一般式（１）において、Ｒ1は
水素又は炭素数が１〜２０のアルキル基、Ｒ2は水素、
ビニル基又は炭素数が１〜５のアルキル基、Ｒ3は炭素
数が１〜３のアルキル基を示す） （２）下記一般式（２）で表されるイミダゾール化合物
と下記一般式（３）で表される３−グリシドキシプロピ
ルシラン化合物とを、８０〜２００℃で反応されること
を特徴とする前記１記載のイミダゾールシラン化合物の
製造方法、
水素又は炭素数が１〜２０のアルキル基、Ｒ2は水素、
ビニル基又は炭素数が１〜５のアルキル基、Ｒ3は炭素
数が１〜３のアルキル基を示す） （２）下記一般式（２）で表されるイミダゾール化合物
と下記一般式（３）で表される３−グリシドキシプロピ
ルシラン化合物とを、８０〜２００℃で反応されること
を特徴とする前記１記載のイミダゾールシラン化合物の
製造方法、
【００１０】
【化４】
【００１１】（ただし、一般式（２），（３）におい
て、Ｒ1は水素又は炭素数が１〜２０のアルキル基、Ｒ2
は水素、ビニル基又は炭素数が１〜５のアルキル基、Ｒ
3は炭素数が１〜３のアルキル基を示す） （３）前記１記載の一般式（１）で表されるイミダゾー
ルシラン化合物の少なくとも１種を有効成分とする金属
表面処理剤、 （４）前記１記載の一般式（１）で表されるイミダゾー
ルシラン化合物の少なくとも１種を有効成分とする銅箔
用表面処理剤である。
て、Ｒ1は水素又は炭素数が１〜２０のアルキル基、Ｒ2
は水素、ビニル基又は炭素数が１〜５のアルキル基、Ｒ
3は炭素数が１〜３のアルキル基を示す） （３）前記１記載の一般式（１）で表されるイミダゾー
ルシラン化合物の少なくとも１種を有効成分とする金属
表面処理剤、 （４）前記１記載の一般式（１）で表されるイミダゾー
ルシラン化合物の少なくとも１種を有効成分とする銅箔
用表面処理剤である。
【００１２】以下に本発明をさらに詳細に説明する。上
記一般式（１）におけるＲ1は、水素又は炭素数が１〜
２０のアルキル基であるが、特には合成の容易性から水
素、メチル基、エチル基、ウンデシル基、ヘプタデシル
基等が好適である。Ｒ2は水素、ビニル基又は炭素数が
１〜５のアルキル基であるが、特には合成の容易性から
水素、メチル基、ビニル基等が好適である。Ｒ3又はＲ4
は炭素数が１〜３のアルキル基であるが、特には合成の
容易性からメチル基、エチル基が好適である。
記一般式（１）におけるＲ1は、水素又は炭素数が１〜
２０のアルキル基であるが、特には合成の容易性から水
素、メチル基、エチル基、ウンデシル基、ヘプタデシル
基等が好適である。Ｒ2は水素、ビニル基又は炭素数が
１〜５のアルキル基であるが、特には合成の容易性から
水素、メチル基、ビニル基等が好適である。Ｒ3又はＲ4
は炭素数が１〜３のアルキル基であるが、特には合成の
容易性からメチル基、エチル基が好適である。
【００１３】本発明の上記イミダゾールシラン化合物
（１）は、一般式（２）で表されるイミダゾール化合物
と一般式（３）で表される３−グリシドキシプロピルシ
ラン化合物とを、８０〜２００℃で反応させることによ
り製造することができる。その反応を式で示すと次のよ
うになる。
（１）は、一般式（２）で表されるイミダゾール化合物
と一般式（３）で表される３−グリシドキシプロピルシ
ラン化合物とを、８０〜２００℃で反応させることによ
り製造することができる。その反応を式で示すと次のよ
うになる。
【００１４】
【化５】
【００１５】（上記式中、Ｒ1は水素又は炭素数が１〜
２０、好ましくは１〜１７のアルキル基、Ｒ2は水素、
ビニル基又は炭素数１〜５、好ましくは１〜３のアルキ
ル基、Ｒ3は炭素数１〜３のアルキル基を示す） 上記一般式（２）で表されるイミダゾール化合物として
好ましいのは、イミダゾール、２−アルキルイミダゾー
ル、２，４−ジアルキルイミダゾール等である。これら
のうちとくに好ましいのは、イミダゾール；２−アルキ
ルイミダゾールとしては、２−メチルイミダゾール、２
−エチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、
２−ヘプタデシルイミダゾール；また、２，４−ジアル
キルイミダゾールとしては、２−エチル−４−メチルイ
ミダゾール等を挙げることができる。又上記一般式
（３）で表される３−グリシドキシプロピルシラン化合
物は、３−グリシドキシプロピルトリメチルシラン、３
−グリシドキシプロピルトリエチルシラン、３−グリシ
ドキシプロピルトリプロピルシランである。
２０、好ましくは１〜１７のアルキル基、Ｒ2は水素、
ビニル基又は炭素数１〜５、好ましくは１〜３のアルキ
ル基、Ｒ3は炭素数１〜３のアルキル基を示す） 上記一般式（２）で表されるイミダゾール化合物として
好ましいのは、イミダゾール、２−アルキルイミダゾー
ル、２，４−ジアルキルイミダゾール等である。これら
のうちとくに好ましいのは、イミダゾール；２−アルキ
ルイミダゾールとしては、２−メチルイミダゾール、２
−エチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、
２−ヘプタデシルイミダゾール；また、２，４−ジアル
キルイミダゾールとしては、２−エチル−４−メチルイ
ミダゾール等を挙げることができる。又上記一般式
（３）で表される３−グリシドキシプロピルシラン化合
物は、３−グリシドキシプロピルトリメチルシラン、３
−グリシドキシプロピルトリエチルシラン、３−グリシ
ドキシプロピルトリプロピルシランである。
【００１６】上記イミダゾール化合物と３−グリシドキ
シプロピルシラン化合物との反応は、８０〜２００℃の
温度に加熱したイミダゾール化合物に０．１〜１０モル
倍量の３−グリシドキシプロピルシラン化合物を滴下さ
せながら行うと良く、反応時間は５分〜２時間程度で十
分である。この反応は特には溶媒を必要とはしないが、
クロロホルム、ジオキサン、メタノール、エタノール等
の有機溶剤を反応溶媒として用いてもよい。尚、この反
応は、水分を嫌うので、水分が混入しないように、乾燥
した窒素、アルゴン等の水分を含まない気体の雰囲気下
で行うことが好ましい。
シプロピルシラン化合物との反応は、８０〜２００℃の
温度に加熱したイミダゾール化合物に０．１〜１０モル
倍量の３−グリシドキシプロピルシラン化合物を滴下さ
せながら行うと良く、反応時間は５分〜２時間程度で十
分である。この反応は特には溶媒を必要とはしないが、
クロロホルム、ジオキサン、メタノール、エタノール等
の有機溶剤を反応溶媒として用いてもよい。尚、この反
応は、水分を嫌うので、水分が混入しないように、乾燥
した窒素、アルゴン等の水分を含まない気体の雰囲気下
で行うことが好ましい。
【００１７】上記イミダゾールシラン化合物を金属表面
処理剤として用いる場合、その対象金属には特に制限は
ない。たとえば銅、亜鉛及びこれらの合金等の表面処理
剤として有用である。しかし、銅の表面処理剤として用
いることが好適であり、特にはプリント回路用銅張積層
板等に用いられる銅箔の表面処理剤として用いると本発
明の効果を十分に発揮することができる。この銅箔には
銅箔の表面を粗面化処理したもの、銅箔に黄銅層形成処
理したもの、クロメート処理したもの、亜鉛−クロム基
混合物被覆処理したもの等も包含される。
処理剤として用いる場合、その対象金属には特に制限は
ない。たとえば銅、亜鉛及びこれらの合金等の表面処理
剤として有用である。しかし、銅の表面処理剤として用
いることが好適であり、特にはプリント回路用銅張積層
板等に用いられる銅箔の表面処理剤として用いると本発
明の効果を十分に発揮することができる。この銅箔には
銅箔の表面を粗面化処理したもの、銅箔に黄銅層形成処
理したもの、クロメート処理したもの、亜鉛−クロム基
混合物被覆処理したもの等も包含される。
【００１８】上記イミダゾールシラン化合物は、少なく
ともその一種をそのまま直接金属表面に塗布してもよい
が、水、メタノール、エタノール等のアルコール類、更
には、アセトン、酢酸エチル、トルエン等の溶剤で０．
００１〜２０重量％になるように希釈し、この液に金属
を浸漬させる方法で塗布することが簡便で好ましい。
尚、このイミダゾールシラン化合物は単独で用いてもよ
いが、複数のイミダゾールシラン化合物を混合して用い
てもよく、また他の防錆剤、或いは、カップリング剤等
と混合して用いてもよい。
ともその一種をそのまま直接金属表面に塗布してもよい
が、水、メタノール、エタノール等のアルコール類、更
には、アセトン、酢酸エチル、トルエン等の溶剤で０．
００１〜２０重量％になるように希釈し、この液に金属
を浸漬させる方法で塗布することが簡便で好ましい。
尚、このイミダゾールシラン化合物は単独で用いてもよ
いが、複数のイミダゾールシラン化合物を混合して用い
てもよく、また他の防錆剤、或いは、カップリング剤等
と混合して用いてもよい。
【００１９】
【実施例】イミダゾールシラン化合物の合成１ （イミダゾール化合物と３−グリシドキシプロピルトリ
エチルシランとの反応） 実施例１ イミダゾール３．４ｇ（０．０５ｍｏｌ）を９５℃で融
解し、アルゴン雰囲気下で撹拌しながら、３−グリシド
キシプロピルトリエチルシラン１４．９ｇ（０．０５ｍ
ｏｌ）を３０分間かけて滴下した。滴下終了後、さらに
９５℃の温度で１時間反応させた。
エチルシランとの反応） 実施例１ イミダゾール３．４ｇ（０．０５ｍｏｌ）を９５℃で融
解し、アルゴン雰囲気下で撹拌しながら、３−グリシド
キシプロピルトリエチルシラン１４．９ｇ（０．０５ｍ
ｏｌ）を３０分間かけて滴下した。滴下終了後、さらに
９５℃の温度で１時間反応させた。
【００２０】反応生成物は透明な黄色の粘稠な液体とし
て得られた。この反応生成物は、ゲルパーミエーション
クロマトグラフィーより単一成分であることを確認し
た。この生成物について、1Ｈ−ＮＭＲ、ＩＲ、ＭＳス
ペクトル分析を行った。1Ｈ−ＮＭＲを図１に、ＩＲを
図２に示す。その分析結果は次のとおりである。
て得られた。この反応生成物は、ゲルパーミエーション
クロマトグラフィーより単一成分であることを確認し
た。この生成物について、1Ｈ−ＮＭＲ、ＩＲ、ＭＳス
ペクトル分析を行った。1Ｈ−ＮＭＲを図１に、ＩＲを
図２に示す。その分析結果は次のとおりである。
【００２１】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ）；
０．５〜０．６ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ）、０．９〜１．０ｐ
ｐｍ（ｔ，９Ｈ）、１．５〜１．７ｐｐｍ（ｍ，２
Ｈ）、３．３〜３．５ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）、４．０〜
４．２ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）、６．９５ｐｐｍ（ｓ，１
Ｈ）、７．０ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、７．３５ｐｐｍ
（ｓ，１Ｈ）、７．４５ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ） ＩＲ；３１５０（ＯＨ）、２８００〜３０００（Ｃ
Ｈ）、１２５０，１０２０（ＳｉＣＨ2ＣＨ3） ＭＳ；２９８（Ｍ+） これらの結果から、上記化合物は下記構造式（４）で表
わされる構造を有することがわかった。
０．５〜０．６ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ）、０．９〜１．０ｐ
ｐｍ（ｔ，９Ｈ）、１．５〜１．７ｐｐｍ（ｍ，２
Ｈ）、３．３〜３．５ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）、４．０〜
４．２ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）、６．９５ｐｐｍ（ｓ，１
Ｈ）、７．０ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、７．３５ｐｐｍ
（ｓ，１Ｈ）、７．４５ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ） ＩＲ；３１５０（ＯＨ）、２８００〜３０００（Ｃ
Ｈ）、１２５０，１０２０（ＳｉＣＨ2ＣＨ3） ＭＳ；２９８（Ｍ+） これらの結果から、上記化合物は下記構造式（４）で表
わされる構造を有することがわかった。
【００２２】
【化６】
【００２３】実施例２，３ 実施例１のイミダゾールに代えて、２−エチル−４−メ
チルイミダゾール（実施例２）、又は２−ウンデシルイ
ミダゾール（実施例３）を使用した以外は実施例１と同
様に反応を行った。反応生成物は、いずれも透明な橙色
の粘稠な液体として得られ、ゲルパーミエーションクロ
マトグラフィーより単一成分であることを確認した。こ
の生成物の同定は、実施例１と同様に1Ｈ−ＮＭＲ、Ｉ
Ｒ及びＭＳにより行った。実施例２の1Ｈ−ＮＭＲを図
３に、ＩＲを図４に示し、また実施例３の1Ｈ−ＮＭＲ
を図５に、ＩＲを図６に示す。それらの分析結果は次の
とおりである。
チルイミダゾール（実施例２）、又は２−ウンデシルイ
ミダゾール（実施例３）を使用した以外は実施例１と同
様に反応を行った。反応生成物は、いずれも透明な橙色
の粘稠な液体として得られ、ゲルパーミエーションクロ
マトグラフィーより単一成分であることを確認した。こ
の生成物の同定は、実施例１と同様に1Ｈ−ＮＭＲ、Ｉ
Ｒ及びＭＳにより行った。実施例２の1Ｈ−ＮＭＲを図
３に、ＩＲを図４に示し、また実施例３の1Ｈ−ＮＭＲ
を図５に、ＩＲを図６に示す。それらの分析結果は次の
とおりである。
【００２４】（実施例２）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ）；０．５〜０．６
ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ）、０．９〜１．０ｐｐｍ（ｔ，９
Ｈ）、１．２〜１．３ｐｐｍ（ｔ，３Ｈ）、１．５〜
１．７ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）、２．１，２．２ｐｐｍ
（ｓ，３Ｈ）、２．６〜２．７ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）、
３．４〜３．５ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）、３．８〜３．９ｐ
ｐｍ（ｍ，１Ｈ）、３．９〜４．１ｐｐｍ（ｍ，２
Ｈ）、６．５５，６．６ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、７．３５
ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ） ＩＲ；３１３０（ＯＨ）、２８００〜３０００（Ｃ
Ｈ）、１２５０，１０２０（ＳｉＣＨ2ＣＨ3） ＭＳ；３４０（Ｍ+） （実施例３）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ）；０．５〜０．７
ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ）、０．９〜１．１ｐｐｍ（ｍ，１２
Ｈ）、１．２〜１．５ｐｐｍ（ｍ，１６Ｈ）、１．５〜
１．９ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）２．６〜２．８ｐｐｍ（ｍ，
２Ｈ）、３．４〜３．５ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）、３．９〜
４．１ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）、６．８５ｐｐｍ（ｓ，１
Ｈ）、６．９５ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、７．３５ｐｐｍ
（ｓ，１Ｈ） ＩＲ；３１５０（ＯＨ）、２８００〜３０００（Ｃ
Ｈ）、１２５０，１０２０（ＳｉＣＨ2ＣＨ3） これらの結果から上記化合物は、それぞれ下記構造式
（５），（６）で表わされる構造を有することを確認し
た。
ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ）、０．９〜１．０ｐｐｍ（ｔ，９
Ｈ）、１．２〜１．３ｐｐｍ（ｔ，３Ｈ）、１．５〜
１．７ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）、２．１，２．２ｐｐｍ
（ｓ，３Ｈ）、２．６〜２．７ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）、
３．４〜３．５ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）、３．８〜３．９ｐ
ｐｍ（ｍ，１Ｈ）、３．９〜４．１ｐｐｍ（ｍ，２
Ｈ）、６．５５，６．６ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、７．３５
ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ） ＩＲ；３１３０（ＯＨ）、２８００〜３０００（Ｃ
Ｈ）、１２５０，１０２０（ＳｉＣＨ2ＣＨ3） ＭＳ；３４０（Ｍ+） （実施例３）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ）；０．５〜０．７
ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ）、０．９〜１．１ｐｐｍ（ｍ，１２
Ｈ）、１．２〜１．５ｐｐｍ（ｍ，１６Ｈ）、１．５〜
１．９ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）２．６〜２．８ｐｐｍ（ｍ，
２Ｈ）、３．４〜３．５ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ）、３．９〜
４．１ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）、６．８５ｐｐｍ（ｓ，１
Ｈ）、６．９５ｐｐｍ（ｓ，１Ｈ）、７．３５ｐｐｍ
（ｓ，１Ｈ） ＩＲ；３１５０（ＯＨ）、２８００〜３０００（Ｃ
Ｈ）、１２５０，１０２０（ＳｉＣＨ2ＣＨ3） これらの結果から上記化合物は、それぞれ下記構造式
（５），（６）で表わされる構造を有することを確認し
た。
【００２５】
【化７】
【００２６】次に、以上生成したイミダゾールシランを
銅箔の表面処理剤として評価した。評価方法は以下の通
りである。耐熱性試験 電解銅箔（厚さ７５μｍ、４．５×４．５ｃｍ）をアセ
トンで脱脂し、３％の硫酸水溶液で洗浄した。この銅箔
の光沢面に、前記実施例１〜３で得られたイミダゾール
シラン化合物をそれぞれ６重量％の濃度になるようにメ
タノールに溶解し、この溶液をスピンコーターで塗布
し、０．３μｍのイミダゾールシラン化合物の薄膜を作
成し、これを試験片とした。
銅箔の表面処理剤として評価した。評価方法は以下の通
りである。耐熱性試験 電解銅箔（厚さ７５μｍ、４．５×４．５ｃｍ）をアセ
トンで脱脂し、３％の硫酸水溶液で洗浄した。この銅箔
の光沢面に、前記実施例１〜３で得られたイミダゾール
シラン化合物をそれぞれ６重量％の濃度になるようにメ
タノールに溶解し、この溶液をスピンコーターで塗布
し、０．３μｍのイミダゾールシラン化合物の薄膜を作
成し、これを試験片とした。
【００２７】この試験片をそれぞれ、１８０℃、２００
℃、２２０℃、２４０℃の温度の恒温槽に３０分間入れ
て、加熱処理した。比較のため何も塗布しない銅箔（以
下「ブランク」とする）について同様に加熱処理した。
加熱後の変色の程度で耐熱性を評価し、結果を表１に示
した。
℃、２２０℃、２４０℃の温度の恒温槽に３０分間入れ
て、加熱処理した。比較のため何も塗布しない銅箔（以
下「ブランク」とする）について同様に加熱処理した。
加熱後の変色の程度で耐熱性を評価し、結果を表１に示
した。
【００２８】
【表１】
【００２９】ＵＶインク（レジスト）密着性試験 電解銅箔（厚さ７５μｍ，４．５×４．５ｃｍ）をアセ
トンで脱脂し、３％の硫酸水溶液で洗浄した。この銅箔
の光沢面を前記得られた実施例１〜３の０．４重量％イ
ミダゾールシラン水溶液（ドデシルベンゼンスルホン酸
ナトリウム０．００３％添加）中に浸漬した。浸漬後、
水洗し、ドライヤーで乾燥し、表面処理箔を作成した。
トンで脱脂し、３％の硫酸水溶液で洗浄した。この銅箔
の光沢面を前記得られた実施例１〜３の０．４重量％イ
ミダゾールシラン水溶液（ドデシルベンゼンスルホン酸
ナトリウム０．００３％添加）中に浸漬した。浸漬後、
水洗し、ドライヤーで乾燥し、表面処理箔を作成した。
【００３０】上記表面処理箔上にＵＶインク（田村化研
製ＵＳＲ−２Ｇ高）を１０μ塗布し、紫外線により硬化
した（２７００ｍＪ／ｃｍ2）。密着性試験は沸騰水浸
漬前後について、碁盤目試験（ＪＩＳ Ｋ ５４００）
により評価した。比較のため５−メチルベンゾトリアゾ
ールで処理した銅箔について、同様の試験を行なった。
結果を表２に示した。
製ＵＳＲ−２Ｇ高）を１０μ塗布し、紫外線により硬化
した（２７００ｍＪ／ｃｍ2）。密着性試験は沸騰水浸
漬前後について、碁盤目試験（ＪＩＳ Ｋ ５４００）
により評価した。比較のため５−メチルベンゾトリアゾ
ールで処理した銅箔について、同様の試験を行なった。
結果を表２に示した。
【００３１】
【表２】
【００３２】
【発明の効果】本発明の新規なイミダゾールシラン化合
物は金属表面処理剤、特に銅箔用表面処理剤として有用
なもので、金属表面に耐熱性及びレジスト密着性を付与
することができる。
物は金属表面処理剤、特に銅箔用表面処理剤として有用
なもので、金属表面に耐熱性及びレジスト密着性を付与
することができる。
【図１】実施例１で得られた化合物の1Ｈ−ＮＭＲスペ
クトル
クトル
【図２】同ＩＲスペクトル
【図３】実施例２で得られた化合物の1Ｈ−ＮＭＲスペ
クトル
クトル
【図４】同ＩＲスペクトル
【図５】実施例３で得られた化合物の1Ｈ−ＮＭＲスペ
クトル
クトル
【図６】同ＩＲスペクトル
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で表される新規イミダ
ゾールシラン化合物。 【化１】 （ただし、一般式（１）において、Ｒ1は水素又は炭素
数が１〜２０のアルキル基、Ｒ2は水素、ビニル基又は
炭素数が１〜５のアルキル基、Ｒ3は炭素数が１〜３の
アルキル基を示す） - 【請求項２】 下記一般式（２）で表されるイミダゾー
ル化合物と下記一般式（３）で表される３−グリシドキ
シプロピルシラン化合物とを、８０〜２００℃で反応さ
せることを特徴とする請求項１記載のイミダゾールシラ
ン化合物の製造方法。 【化２】 （ただし、一般式（２），（３）において、Ｒ1は水素
又は炭素数が１〜２０のアルキル基、Ｒ2は水素、ビニ
ル基又は炭素数が１〜５のアルキル基、Ｒ3は炭素数が
１〜３のアルキル基を示す） - 【請求項３】 請求項１記載の一般式（１）で表される
イミダゾールシラン化合物の少なくとも１種を有効成分
とする金属表面処理剤。 - 【請求項４】 請求項１記載の一般式（１）で表される
イミダゾールシラン化合物の少なくとも１種を有効成分
とする銅箔用表面処理剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3990193A JPH06256358A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 新規イミダゾールシラン化合物及びその製造方法並びにそれを用いる金属表面処理剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3990193A JPH06256358A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 新規イミダゾールシラン化合物及びその製造方法並びにそれを用いる金属表面処理剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06256358A true JPH06256358A (ja) | 1994-09-13 |
Family
ID=12565869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3990193A Pending JPH06256358A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 新規イミダゾールシラン化合物及びその製造方法並びにそれを用いる金属表面処理剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06256358A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001049898A1 (fr) * | 2000-01-07 | 2001-07-12 | Nikko Materials Co., Ltd. | Procede de galvanoplastie, agent de pretraitement et tranche de semi-conducteurs et dispositif semi-conducteur utilisant cette derniere |
| KR100367164B1 (ko) * | 1998-07-07 | 2003-01-06 | 가부시키가이샤 쟈판 에나지 | 금속도금 전처리제 및 그것을 사용하는 금속도금 방법 |
| WO2003002780A1 (fr) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Nikko Materials Co., Ltd. | Agent de traitement de surface, surface d'un article ainsi traitee et procede de nickelage a l'aide dudit agent |
| JP2003041374A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Nikko Materials Co Ltd | 表面処理剤、およびそれを用いた表面処理物 |
| US6780467B2 (en) | 2000-04-25 | 2004-08-24 | Nikko Materials Co., Ltd. | Plating pretreatment agent and metal plating method using the same |
| US7045461B2 (en) | 2000-01-07 | 2006-05-16 | Nikkon Materials Co., Ltd. | Metal plating method, pretreatment agent, and semiconductor wafer and semiconductor device obtained using these |
| US7105625B2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-09-12 | Lg Cable Ltd | Silane adduct, manufacturing thereof and method for coupling organic die attach adhesive and inorganic materials using the same |
| JP2009038131A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Kagawa Univ | 配線及びその製造方法並びに配線を用いた電子部品及び電子機器 |
| WO2009038135A1 (ja) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | ナノ金属粒子担持方法及びナノ金属粒子担持基板 |
| US7713340B2 (en) | 2004-01-29 | 2010-05-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Pretreating agent for electroless plating, method of electroless plating using the same and product of electroless plating |
| US7867564B2 (en) | 2002-09-10 | 2011-01-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Metal plating method and pretreatment agent |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP3990193A patent/JPH06256358A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100367164B1 (ko) * | 1998-07-07 | 2003-01-06 | 가부시키가이샤 쟈판 에나지 | 금속도금 전처리제 및 그것을 사용하는 금속도금 방법 |
| US7045461B2 (en) | 2000-01-07 | 2006-05-16 | Nikkon Materials Co., Ltd. | Metal plating method, pretreatment agent, and semiconductor wafer and semiconductor device obtained using these |
| WO2001049898A1 (fr) * | 2000-01-07 | 2001-07-12 | Nikko Materials Co., Ltd. | Procede de galvanoplastie, agent de pretraitement et tranche de semi-conducteurs et dispositif semi-conducteur utilisant cette derniere |
| US6780467B2 (en) | 2000-04-25 | 2004-08-24 | Nikko Materials Co., Ltd. | Plating pretreatment agent and metal plating method using the same |
| WO2003002780A1 (fr) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Nikko Materials Co., Ltd. | Agent de traitement de surface, surface d'un article ainsi traitee et procede de nickelage a l'aide dudit agent |
| JP2003041374A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Nikko Materials Co Ltd | 表面処理剤、およびそれを用いた表面処理物 |
| US7867564B2 (en) | 2002-09-10 | 2011-01-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Metal plating method and pretreatment agent |
| US7105625B2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-09-12 | Lg Cable Ltd | Silane adduct, manufacturing thereof and method for coupling organic die attach adhesive and inorganic materials using the same |
| US7408015B2 (en) | 2003-05-01 | 2008-08-05 | Lg Cable, Ltd | Reacting functionalized trialkoxysilane with polyepoxide or diamine to yield silane adduct |
| US7713340B2 (en) | 2004-01-29 | 2010-05-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Pretreating agent for electroless plating, method of electroless plating using the same and product of electroless plating |
| JP2009038131A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Kagawa Univ | 配線及びその製造方法並びに配線を用いた電子部品及び電子機器 |
| WO2009038135A1 (ja) * | 2007-09-18 | 2009-03-26 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | ナノ金属粒子担持方法及びナノ金属粒子担持基板 |
| US8318313B2 (en) | 2007-09-18 | 2012-11-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method for supporting metal nanoparticles and metal nanoparticles-carrying substrate |
| JP5514548B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2014-06-04 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | ナノ金属粒子担持方法及びナノ金属粒子担持基板 |
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