JPH0622070B2 - 光磁気ピツクアツプ装置 - Google Patents
光磁気ピツクアツプ装置Info
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- JPH0622070B2 JPH0622070B2 JP58249589A JP24958983A JPH0622070B2 JP H0622070 B2 JPH0622070 B2 JP H0622070B2 JP 58249589 A JP58249589 A JP 58249589A JP 24958983 A JP24958983 A JP 24958983A JP H0622070 B2 JPH0622070 B2 JP H0622070B2
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- Japan
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- polarized light
- light
- magneto
- recording medium
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は光磁気記録再生に用いる光磁気ピツクアツプ装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来技術 光磁気記録は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁
気記録媒体に光ビームを照射し磁化を反転させることに
より記録を行い、磁化カー(Kerr)効果によつて磁化の向
きによる偏光面の回転の違いを検出することによつて再
生を行うものである。
気記録媒体に光ビームを照射し磁化を反転させることに
より記録を行い、磁化カー(Kerr)効果によつて磁化の向
きによる偏光面の回転の違いを検出することによつて再
生を行うものである。
第１図に従来の光磁気ピツクアツプ装置の概略図を示
す。Ｈｅ−Ｎｅレーザーまたは半導体レーザー等のレー
ザー装置１から出射した光はハーフミラー２を透過後対
物レンズ３によつて磁気記録媒体４に入射する。磁気記
録媒体４によつて反射した光は再び対物レンズ３を通つ
てハーフミラー２によつて反射し、検光子５に入射後、
光検出器６によつて記録された情報を検出される。
す。Ｈｅ−Ｎｅレーザーまたは半導体レーザー等のレー
ザー装置１から出射した光はハーフミラー２を透過後対
物レンズ３によつて磁気記録媒体４に入射する。磁気記
録媒体４によつて反射した光は再び対物レンズ３を通つ
てハーフミラー２によつて反射し、検光子５に入射後、
光検出器６によつて記録された情報を検出される。
記録媒体４に入射する光は、第２図(a)に示すようにあ
る一定の方向（図面ではｘ軸方向とした）にのみ振動す
る直線偏光である。このような直線偏光が膜面に垂直な
方向に磁化された記録媒体に入射するとその反射光は磁
気カー効果によつて第２図(b)に示すように偏光面がθ
ｋだけ回転する。すなわち磁化方向によつて偏光面が±
θｋだけ回転し、これを検光子により光の強弱とするこ
とにより再生信号を得ることができる。ところが、カー
効果によつて、第２図(c)に示すようにこのカー回転と
共に、カー楕円も起こるようになる。θｋが大きくする
ためにカー効果エンハンスメントの手法がよく用いられ
る。これは、第３図に示すように、ガラスやＰＭＭＡ等
の基板と磁性層との間にＳｉＯ，Ｓｉ３Ｎ４等の誘電体
層を設け、干渉効果によりカー回転角を増大させるもの
である。以下この手法について詳細に説明する。
る一定の方向（図面ではｘ軸方向とした）にのみ振動す
る直線偏光である。このような直線偏光が膜面に垂直な
方向に磁化された記録媒体に入射するとその反射光は磁
気カー効果によつて第２図(b)に示すように偏光面がθ
ｋだけ回転する。すなわち磁化方向によつて偏光面が±
θｋだけ回転し、これを検光子により光の強弱とするこ
とにより再生信号を得ることができる。ところが、カー
効果によつて、第２図(c)に示すようにこのカー回転と
共に、カー楕円も起こるようになる。θｋが大きくする
ためにカー効果エンハンスメントの手法がよく用いられ
る。これは、第３図に示すように、ガラスやＰＭＭＡ等
の基板と磁性層との間にＳｉＯ，Ｓｉ３Ｎ４等の誘電体
層を設け、干渉効果によりカー回転角を増大させるもの
である。以下この手法について詳細に説明する。
磁気異方性を持つ磁性体の複素誘電率の対角要素をε、
非対角要素をε′とすると右回り、または左回りの円偏
光の屈折率ｎ３ ＋，ｎ３ −は、 で表わされる。右および左回りの円偏光に対する振幅反
射率ｒ＋，ｒ−はエンハンスメントをしないとき、 ｒ±＝（ｎ１−ｎ３ ±）／（ｎ１＋ｎ３ ±） (2) （ｎ１は基板の屈折率） となる。いま、入射光がｘ軸方向に偏光するものとし、
反射光のｘ成分をｒｘｘ、ｙ成分をｒｘｙとすると ｒｘｘ＝｜ｒｘｘ｜ｅｘｐ（ｉφｘ）＝（ｒ＋＋ｒ−）
／２ (3) ｒｘｙ＝｜ｒｘｙ｜ｅｘｐ（ｉφｘ）＝ｉ（ｒ＋＋
ｒ−）／２ (4) となる。
非対角要素をε′とすると右回り、または左回りの円偏
光の屈折率ｎ３ ＋，ｎ３ −は、 で表わされる。右および左回りの円偏光に対する振幅反
射率ｒ＋，ｒ−はエンハンスメントをしないとき、 ｒ±＝（ｎ１−ｎ３ ±）／（ｎ１＋ｎ３ ±） (2) （ｎ１は基板の屈折率） となる。いま、入射光がｘ軸方向に偏光するものとし、
反射光のｘ成分をｒｘｘ、ｙ成分をｒｘｙとすると ｒｘｘ＝｜ｒｘｘ｜ｅｘｐ（ｉφｘ）＝（ｒ＋＋ｒ−）
／２ (3) ｒｘｙ＝｜ｒｘｙ｜ｅｘｐ（ｉφｘ）＝ｉ（ｒ＋＋
ｒ−）／２ (4) となる。
また、 ｔａｎ α＝｜ｒｘｙ｜／｜ｒｘｘ｜ (5) とすると、カー回転角θｋ、楕円率角ｒｋ、反射率Ｒは
次式で表わされる。
次式で表わされる。
ｔａｎ ２θｋ＝ｔａｎ ２α ｃｏｓ（φｙ−φｘ）
(6) ｓｉｎ ２ｒｋ＝ｓｉｎ ２α ｓｉｎ（φｙ−φｘ）
(7) Ｒ ＝｜ｒｘｘ｜２＋｜ｒｘｙ｜２ (8) 今、基板の屈折率ｎ１をｎ１＝1.5 磁性膜としてＧｄＴｅＦｅのｎ３ ＋，ｎ３ −を ｎ３ ＋＝2.325−3.01i ｎ３ −＝2.275−2.99i として計算すると α≒0.31゜ φｙ−φｘ＝−180゜ となり、θｋ≒0.31゜ ｒｋ≒０゜となる。
(6) ｓｉｎ ２ｒｋ＝ｓｉｎ ２α ｓｉｎ（φｙ−φｘ）
(7) Ｒ ＝｜ｒｘｘ｜２＋｜ｒｘｙ｜２ (8) 今、基板の屈折率ｎ１をｎ１＝1.5 磁性膜としてＧｄＴｅＦｅのｎ３ ＋，ｎ３ −を ｎ３ ＋＝2.325−3.01i ｎ３ −＝2.275−2.99i として計算すると α≒0.31゜ φｙ−φｘ＝−180゜ となり、θｋ≒0.31゜ ｒｋ≒０゜となる。
従って、カー楕円は起こらず、反射光は直線偏光のまま
で偏光面が回転する。
で偏光面が回転する。
次に、基板と磁性層との間に屈折率ｎ２、誘電体のエン
ハンスメント膜をつけた場合基板と誘電体膜の境界の振
幅反射率ｒ12，誘電体膜と磁性膜の境界の右と左の円偏
光に対する振幅反射率をそれぞれｒ23 ＋，ｒ23 −とする
と ｒ12＝（ｎ１−ｎ２）／（ｎ１＋ｎ２） (9) ｒ23 ±＝（ｎ２−ｎ３ ±）／（ｎ２＋ｎ３ ±） (10) ２β ＝４πｎ２ｈ／λ (11) （λ：光の波長，ｈ：エンハンスメント膜厚） を用いて右回りと左回りの円偏光に対する合成反射率は と表わされる。(12)式を(3)(4)式に代入して が得られる。
ハンスメント膜をつけた場合基板と誘電体膜の境界の振
幅反射率ｒ12，誘電体膜と磁性膜の境界の右と左の円偏
光に対する振幅反射率をそれぞれｒ23 ＋，ｒ23 −とする
と ｒ12＝（ｎ１−ｎ２）／（ｎ１＋ｎ２） (9) ｒ23 ±＝（ｎ２−ｎ３ ±）／（ｎ２＋ｎ３ ±） (10) ２β ＝４πｎ２ｈ／λ (11) （λ：光の波長，ｈ：エンハンスメント膜厚） を用いて右回りと左回りの円偏光に対する合成反射率は と表わされる。(12)式を(3)(4)式に代入して が得られる。
誘電体としてｎ２＝2.0のＳｉＯを用いた場合、ｈ＝７
５０nmのときθｋは最大となる。
５０nmのときθｋは最大となる。
このときα≒0.65゜ φｙ−φｘ≒−45゜ θｋ≒0.46゜ ｒｋ≒0.46゜ となる。
すなわち、位相差 φｙ−φｘ≒45゜が生じこれにより
反射光は第７式のｓｉｎ（φｙ−φｘ）の頃により楕円
化し、第６式から明らかなようにｃｏｓ（φｙ−φｘ）
の項によりαに対してθｋは小さくなる。
反射光は第７式のｓｉｎ（φｙ−φｘ）の頃により楕円
化し、第６式から明らかなようにｃｏｓ（φｙ−φｘ）
の項によりαに対してθｋは小さくなる。
反射光は第４図に示すように楕円化を伴つて回転する。
また、再生信号のＳ／Ｎ比は次のように表わされる。
したがつてエンハンスメントによつてθｋは大きくなつ
てはいるがαに比べると小さく、また、楕円率も大きく
なるためＳ／Ｎは十分に改善することができなかつた。
てはいるがαに比べると小さく、また、楕円率も大きく
なるためＳ／Ｎは十分に改善することができなかつた。
目 的 本発明はカー効果エンハンスメントにより位相差を生じ
楕円化した反射光の位相差を補正し直線偏光とすると共
にカー回転角を増大させ再生Ｓ／Ｎを著しく改善するこ
とを目的とするものである。
楕円化した反射光の位相差を補正し直線偏光とすると共
にカー回転角を増大させ再生Ｓ／Ｎを著しく改善するこ
とを目的とするものである。
概 要 本発明の光磁気ピックアップ装置は垂直方向に磁化容易
軸を持つ磁気記録媒体に光ビームを照射して記録再生及
び消去を行う光磁気ピックアップ装置において、 前記磁気記録媒体と光検出器との間の光路内に反射光ビ
ームの位相差を補正する誘電多層膜を反射プリズムに設
けると共に、前記磁気記録媒体からの反射光を臨界角よ
りも大きな角度で前記プリズムの前記誘電多層膜に入射
させることを特徴とするものである。
軸を持つ磁気記録媒体に光ビームを照射して記録再生及
び消去を行う光磁気ピックアップ装置において、 前記磁気記録媒体と光検出器との間の光路内に反射光ビ
ームの位相差を補正する誘電多層膜を反射プリズムに設
けると共に、前記磁気記録媒体からの反射光を臨界角よ
りも大きな角度で前記プリズムの前記誘電多層膜に入射
させることを特徴とするものである。
実施例 図面を参照し本発明の実施例を説明する。
先ず従来例のＧｄＴｅＦｅ膜にＳｉＯのエンハンスメン
ト膜をつけた記録媒体について反射光の位相ずれを補正
する場合について説明する。
ト膜をつけた記録媒体について反射光の位相ずれを補正
する場合について説明する。
φｙ−φｘ＝-45゜ より 第４図に示すように、偏光面が＋θｋ回転するときは左
回りの楕円偏光になり、反対に−θｋ回転するときは右
回りの楕円偏光となる。これを直線偏光にするために
は、全反射ミラーで反射する際、Ｐ偏光の位相ずれδp
とＳ偏光の位相ずれδｓとの差ができるような全反射ミ
ラーを使用するのが好適である。
回りの楕円偏光になり、反対に−θｋ回転するときは右
回りの楕円偏光となる。これを直線偏光にするために
は、全反射ミラーで反射する際、Ｐ偏光の位相ずれδp
とＳ偏光の位相ずれδｓとの差ができるような全反射ミ
ラーを使用するのが好適である。
例えば第５図に示すように記録媒体からの反射光を屈折
率ｎＧのガラスに入射させ、空気との境界面に臨界角よ
り大きい角度θｌで入射させる場合について考える。こ
のときＳ偏光の位相ずれδｓは、 Ｐ偏光の位相ずれδｐは よつて δ＝δｐ−δｐとすると となり、全反射によつてＰ偏光とＳ偏光にδの位相差が
できる。今、ｎＧ＝1.51 θｌ＝45゜とすると、 δ≒38.6゜ となる。
率ｎＧのガラスに入射させ、空気との境界面に臨界角よ
り大きい角度θｌで入射させる場合について考える。こ
のときＳ偏光の位相ずれδｓは、 Ｐ偏光の位相ずれδｐは よつて δ＝δｐ−δｐとすると となり、全反射によつてＰ偏光とＳ偏光にδの位相差が
できる。今、ｎＧ＝1.51 θｌ＝45゜とすると、 δ≒38.6゜ となる。
したがつて入射直線偏光が全反射面に対しＳ偏光となる
ように、つまり、第４図のｘ軸方向の偏光がＳ偏光とな
るようにすると、全反射ミラー反射後の位相差Δは Δ＝（φｙ＋δｐ）−（φｘ＋δｓ） ＝（φｙ−φｘ）＋（δｐ−δｓ）＝-45゜＋38.6゜
＝-6.4゜ (19) となり、位相差は小さくなり、ほぼ直線偏光となる。
(6)(7)式のφｙ−φｘに−6.4゜を代入して計算する
と、θｋは0.46゜からθｋ′０．６５゜に増大しｒｋは
0.46゜からｒｋ′0.07゜に減少する。補正を加えない場
合のＳ／ＮをＳ、補正を行なつた後のＳ／ＮをＳ′とす
るとＳ／Ｎは(15)式よりθｋが大きくなりｒｋが小さく
なつた分だけ向上し からＳ／Ｎは補正を行なうことにより行なう前に比べ約
３ｄＢ向上させることができる。
ように、つまり、第４図のｘ軸方向の偏光がＳ偏光とな
るようにすると、全反射ミラー反射後の位相差Δは Δ＝（φｙ＋δｐ）−（φｘ＋δｓ） ＝（φｙ−φｘ）＋（δｐ−δｓ）＝-45゜＋38.6゜
＝-6.4゜ (19) となり、位相差は小さくなり、ほぼ直線偏光となる。
(6)(7)式のφｙ−φｘに−6.4゜を代入して計算する
と、θｋは0.46゜からθｋ′０．６５゜に増大しｒｋは
0.46゜からｒｋ′0.07゜に減少する。補正を加えない場
合のＳ／ＮをＳ、補正を行なつた後のＳ／ＮをＳ′とす
るとＳ／Ｎは(15)式よりθｋが大きくなりｒｋが小さく
なつた分だけ向上し からＳ／Ｎは補正を行なうことにより行なう前に比べ約
３ｄＢ向上させることができる。
第６図に本発明光磁気ピツクアツプ装置の一例を示す。
ＬＤ１１から出射した光は、紙面に平行な直線偏光で、
コリエータレンズ１２によつて平行光とした後、整形プ
リズム１３によつてほぼ円形の強度分布となるようにす
る。さらに、この光をハーフミラー１４にＰ偏光で入射
し、これを透過した光は全反射プリズム１５にＳ偏光で
入射するように構成する。このとき全反射プリズム１５
で反射することにより、位相ずれが起こるが、全反射プ
リズム１５に入射する光はＳ偏光のみでＰ偏光成分は０
であるため、楕円化は起こらない。記録媒体すなわち光
デイスク２３で反射することにより楕円化した光は、こ
の全反射プリズム１５で再び反射することにより、直線
偏光とし、ハーフミラー４によつて反射し、ハーフミラ
ー１６でさらに反射し検光子１９を通つた後、ＡＰＤ２
１によつて信号を検出する。
ＬＤ１１から出射した光は、紙面に平行な直線偏光で、
コリエータレンズ１２によつて平行光とした後、整形プ
リズム１３によつてほぼ円形の強度分布となるようにす
る。さらに、この光をハーフミラー１４にＰ偏光で入射
し、これを透過した光は全反射プリズム１５にＳ偏光で
入射するように構成する。このとき全反射プリズム１５
で反射することにより、位相ずれが起こるが、全反射プ
リズム１５に入射する光はＳ偏光のみでＰ偏光成分は０
であるため、楕円化は起こらない。記録媒体すなわち光
デイスク２３で反射することにより楕円化した光は、こ
の全反射プリズム１５で再び反射することにより、直線
偏光とし、ハーフミラー４によつて反射し、ハーフミラ
ー１６でさらに反射し検光子１９を通つた後、ＡＰＤ２
１によつて信号を検出する。
なおフオーカツシングおよびトラツキング制御は臨界角
プリズム１７と四分割デイテクタ１８により行なう。
プリズム１７と四分割デイテクタ１８により行なう。
なお、全反射によつて起こるＰ偏光とＳ偏光の位相差
は、式(18)から明らかなように、ガラスの屈折率、入射
角によつて変化する。したがつてガラスの材質または偏
向角度を変化させることにより、さらに正確に位相差を
補正することや、媒体の種類によつて異なる位相差を補
正することも可能である。
は、式(18)から明らかなように、ガラスの屈折率、入射
角によつて変化する。したがつてガラスの材質または偏
向角度を変化させることにより、さらに正確に位相差を
補正することや、媒体の種類によつて異なる位相差を補
正することも可能である。
また、ガラスの表面に誘電体薄膜をコーテイングするこ
とによつてその薄膜の膜厚や材質を変化させることによ
り反射の際の位相差を任意に変化させることができる。
とによつてその薄膜の膜厚や材質を変化させることによ
り反射の際の位相差を任意に変化させることができる。
発明の効果 本発明によればカー効果エンハンスメントによつて反射
光の入射直線偏光成分とそれと直交する方向の成分の位
相差によつて反射する際に生じるＰ偏光とＳ偏光の位相
差によつて補正することにより、また、移相子により入
射直線偏光成分と、これに直交する成分の位相差を補正
することによつて、楕円偏光を直線偏光とすると共にカ
ー回転角を増大させ、再生Ｃ／Ｎを著しく向上させるこ
とができる。
光の入射直線偏光成分とそれと直交する方向の成分の位
相差によつて反射する際に生じるＰ偏光とＳ偏光の位相
差によつて補正することにより、また、移相子により入
射直線偏光成分と、これに直交する成分の位相差を補正
することによつて、楕円偏光を直線偏光とすると共にカ
ー回転角を増大させ、再生Ｃ／Ｎを著しく向上させるこ
とができる。
第１図は従来の光磁気ピツクアツプ装置の光学系を示す
構成説明図、 第２図は記録媒体への入射光と反射光との状態を示す説
明図、 第３図はエンハンスメント光デイスクの構成を示す説明
図、 第４図は反射光の楕円化の状態を示す説明図、 第５図は本発明光磁気ピツクアツプ装置の原理を示す説
明図、 第６図ａは本発明光磁気ピックアップ装置の１例を示す
構成図，第６図ｂは第６図ａの矢印Ａ方向からみた部分
的な構成図である。 １……レーザ装置 ２……ハーフミラー ３……対物レンズ ４……磁気記録媒体 ５……検光子 ６……光デイテクタ １１……レーザダイオード １２……コリメータレンズ １３……整形プリズム １４，１６……ハーフミラー １５……全反射プリズム １７……臨界角プリズム １８……４分割デイテクタ １９……検光子 ２０……集光レンズ ２１……ＡＰＤ ２２……対物レンズ ２３……光ディスク（磁気記録媒体）
構成説明図、 第２図は記録媒体への入射光と反射光との状態を示す説
明図、 第３図はエンハンスメント光デイスクの構成を示す説明
図、 第４図は反射光の楕円化の状態を示す説明図、 第５図は本発明光磁気ピツクアツプ装置の原理を示す説
明図、 第６図ａは本発明光磁気ピックアップ装置の１例を示す
構成図，第６図ｂは第６図ａの矢印Ａ方向からみた部分
的な構成図である。 １……レーザ装置 ２……ハーフミラー ３……対物レンズ ４……磁気記録媒体 ５……検光子 ６……光デイテクタ １１……レーザダイオード １２……コリメータレンズ １３……整形プリズム １４，１６……ハーフミラー １５……全反射プリズム １７……臨界角プリズム １８……４分割デイテクタ １９……検光子 ２０……集光レンズ ２１……ＡＰＤ ２２……対物レンズ ２３……光ディスク（磁気記録媒体）
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−171058（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−63041（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−20342（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−20341（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−101745（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】垂直方向に磁化容易軸を持つ磁気記録媒体
に光ビームを照射して記録再生及び消去を行う光磁気ピ
ックアップ装置において、 前記磁気記録媒体と光検出器との間の光路内に反射光ビ
ームの位相差を補正する誘電多層膜を反射プリズムに設
けると共に、前記磁気記録媒体からの反射光を臨界角よ
りも大きな角度で前記プリズムの前記誘電多層膜に入射
させることを特徴とする光磁気ピックアップ装置。 - 【請求項２】前記位相差を補正する前記誘電多層膜は、
反射により生ずるＰ偏光成分とＳ偏光成分との位相差に
よって、前記磁気記録媒体からの反射光の入射直線偏光
成分と該直線偏光成分と直交する偏光成分との位相差を
補正するように構成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光磁気ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249589A JPH0622070B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 光磁気ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249589A JPH0622070B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 光磁気ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143461A JPS60143461A (ja) | 1985-07-29 |
| JPH0622070B2 true JPH0622070B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=17195259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58249589A Expired - Lifetime JPH0622070B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 光磁気ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622070B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61160852A (ja) * | 1984-12-30 | 1986-07-21 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気ピツクアツプ装置 |
| JP2592231B2 (ja) * | 1985-05-15 | 1997-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 光学ヘツド |
| JPH0340252A (ja) * | 1989-04-19 | 1991-02-21 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気記録媒体の位相差測定装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8203296A (nl) * | 1982-08-24 | 1984-03-16 | Philips Nv | Magneto-optische inrichting. |
| JPS59171058A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位相子を設けた光磁気記録媒体 |
| JPS6020342A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位相子を設けた磁気光学再生装置 |
| JPS6020341A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位相補正された反射型磁気光学再生装置 |
| JP2504734B2 (ja) * | 1983-11-08 | 1996-06-05 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶装置の光学装置 |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP58249589A patent/JPH0622070B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60143461A (ja) | 1985-07-29 |
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