JPS60143461A - 光磁気ピツクアツプ装置 - Google Patents
光磁気ピツクアツプ装置Info
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- JPS60143461A JPS60143461A JP24958983A JP24958983A JPS60143461A JP S60143461 A JPS60143461 A JP S60143461A JP 24958983 A JP24958983 A JP 24958983A JP 24958983 A JP24958983 A JP 24958983A JP S60143461 A JPS60143461 A JP S60143461A
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- polarized light
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技 術 分 野
本発明は光磁気記録再生に用いる光磁気ピックアップ装
置に関するものである。
置に関するものである。
（以下余白）
従来技術
光磁気記録は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁
気記録媒体に光ビームを照射し磁化を反転させることに
より記録を行い、磁気カー（Ｋｅｒｒ ）効果によって
磁化の向きによる偏光面の回転の違いを検出することに
よって再生を行うものである。
気記録媒体に光ビームを照射し磁化を反転させることに
より記録を行い、磁気カー（Ｋｅｒｒ ）効果によって
磁化の向きによる偏光面の回転の違いを検出することに
よって再生を行うものである。
第１図に従来の光磁気ピックアップ装置の概略図を示す
。Ｈｅ−Ｎ３レーザーまたは半導体レーザー等のレーザ
ー装置１から出射した光はハーフミラ−２を透過後対物
レンズ８によって磁気記録媒体４に入射する。磁気記録
媒体４によって反射した光は再び対物レンズ８を通って
ハーフミラ−２によって反射し、検光子５に入射後、光
検出器６によって記録された情報を検出される。
。Ｈｅ−Ｎ３レーザーまたは半導体レーザー等のレーザ
ー装置１から出射した光はハーフミラ−２を透過後対物
レンズ８によって磁気記録媒体４に入射する。磁気記録
媒体４によって反射した光は再び対物レンズ８を通って
ハーフミラ−２によって反射し、検光子５に入射後、光
検出器６によって記録された情報を検出される。
記録媒体４に入射する光は、＠２図（ａ）に示すように
ある一定の方向（図面ではＸ軸方向とした）にのみ振動
する直線偏光である。このような直線偏光が膜面に垂直
な方向に磁化された記録媒体に入射するとその反射光は
磁気カー効果によって第２図（ｂ）に示すように偏光面
がθにだけ回転する。すなわち磁化方向によって偏光面
が±θえたけ回転し、これを検光子により光の強弱とす
ることにより再生信号を得ることができる。ところが、
カー効果によって、第２図（０）に示すようにこのカー
回転と共に、カー楕円も起こるようになる。θｋが大き
くするためにカー効果エンハンスメントの手法がよく用
いられる。これは、第８図に示すように、ガラスやＰＭ
ＭＡ等の基板と磁性層との間に８１０゜５ｉ８Ｎ、等の
誘電体層を設け、干渉効果によりカー回転角を増大させ
るものである。以下この手法にづいて詳細に説明する。
ある一定の方向（図面ではＸ軸方向とした）にのみ振動
する直線偏光である。このような直線偏光が膜面に垂直
な方向に磁化された記録媒体に入射するとその反射光は
磁気カー効果によって第２図（ｂ）に示すように偏光面
がθにだけ回転する。すなわち磁化方向によって偏光面
が±θえたけ回転し、これを検光子により光の強弱とす
ることにより再生信号を得ることができる。ところが、
カー効果によって、第２図（０）に示すようにこのカー
回転と共に、カー楕円も起こるようになる。θｋが大き
くするためにカー効果エンハンスメントの手法がよく用
いられる。これは、第８図に示すように、ガラスやＰＭ
ＭＡ等の基板と磁性層との間に８１０゜５ｉ８Ｎ、等の
誘電体層を設け、干渉効果によりカー回転角を増大させ
るものである。以下この手法にづいて詳細に説明する。
磁気異方性を持つ磁性体の複素誘電率の対角要素をε、
非対角要紫をεｌとすると右回り、または左回りの円偏
光の屈折率ｎ８＋、 ｎ８−は、ｎ８−（ε±ｊ−ｇ／
）丁 （１） で表わされる。右および左回りの円偏光に対する振幅反
射率ｒ” 、 ｒ−はエンハンスメントをしないとき、 ｒ”＝ （ｎ −ｎ”）／ （ｎ□＋ｎ８） （２１１
８ （ｎ□は基板の屈折率） となる。いま、入射光がＸ軸方向に偏光するものとし、
反射光のＸａ分をｒｘｘ’ｙ成分をｒｘｙとすると ”ｘｉ ＝ １ｒ）０（Ｉｅｘｐ（ｉφｘｌ ＝ （ｒ
”＋ｒ−）７ｇ （ａ）ｒｘｙ＝ １ｒｘｙｌｅｘｐ（
ｉφＸ） ”’ １（ｒ”−ｒ−１／ｇ （４）となる
。
非対角要紫をεｌとすると右回り、または左回りの円偏
光の屈折率ｎ８＋、 ｎ８−は、ｎ８−（ε±ｊ−ｇ／
）丁 （１） で表わされる。右および左回りの円偏光に対する振幅反
射率ｒ” 、 ｒ−はエンハンスメントをしないとき、 ｒ”＝ （ｎ −ｎ”）／ （ｎ□＋ｎ８） （２１１
８ （ｎ□は基板の屈折率） となる。いま、入射光がＸ軸方向に偏光するものとし、
反射光のＸａ分をｒｘｘ’ｙ成分をｒｘｙとすると ”ｘｉ ＝ １ｒ）０（Ｉｅｘｐ（ｉφｘｌ ＝ （ｒ
”＋ｒ−）７ｇ （ａ）ｒｘｙ＝ １ｒｘｙｌｅｘｐ（
ｉφＸ） ”’ １（ｒ”−ｒ−１／ｇ （４）となる
。
、゛また、ｔａｎα”” Ｉｒｘｙｌ／ｌ”ｘｘｌ （
５）とすると、カー回転角θｋ、楕円率角ｒｋ、反射率
Ｒは次式で表わされる。
５）とすると、カー回転角θｋ、楕円率角ｒｋ、反射率
Ｒは次式で表わされる。
ｔａｎ ２θに＝＝ ｊａｎ ２ｃｚ ｃｏｓ（φｙ−
φ蝉（６）Ｓｉｎ ２ｒｋ＝＝ ｓｉｎ ２ｆｆ ５ｉ
ｎ（φｙ−φ、 ） （７）Ｒ＝ １ｒＸＸＩ２＋Ｉｒ
ｘｙＩ” （８）今、基板の屈折率ｎ０をｎ工＝１．５ 磁性膜としてＧｄＴｅＦｅ ノｎ８” 、 ｎ８−をｎ
８＝ ２．３２５− ＬＩＪ１ｉ ｎ８− ＝ ２．２７５−２．９９ｉ として計算すると αキｏ、ａｉ０ φｙ−φ工＝ −１８０゜次に、基板
と磁性層との間に屈折率ｎ２、誘電体のエンハンスメン
ト膜をつけた場合基板と誘電体膜の境界の振幅反射率を
ｒ１２．誘電体膜と磁性膜の境界の右と左の円偏光に対
する振幅反射率をそれぞれｒ２８＋１ ”１１８−とす
るとｒ１２ ＝ （ｎニーｎ、）／（ｎ□＋ｎ２） （
９）ｒ、、ｔｈ＝ （ｎ、−ｎ、、”）／（ｎ、＋ｎ８
町（ｌｏ）２β ＝４ｙｒｎ２ｈ／λ （１１） （２：光の波長） を用いて右回りと左回りの円偏光に対する合成反射率は と表わされる。α環式を（８）（４）式に代入してが得
られる。
φ蝉（６）Ｓｉｎ ２ｒｋ＝＝ ｓｉｎ ２ｆｆ ５ｉ
ｎ（φｙ−φ、 ） （７）Ｒ＝ １ｒＸＸＩ２＋Ｉｒ
ｘｙＩ” （８）今、基板の屈折率ｎ０をｎ工＝１．５ 磁性膜としてＧｄＴｅＦｅ ノｎ８” 、 ｎ８−をｎ
８＝ ２．３２５− ＬＩＪ１ｉ ｎ８− ＝ ２．２７５−２．９９ｉ として計算すると αキｏ、ａｉ０ φｙ−φ工＝ −１８０゜次に、基板
と磁性層との間に屈折率ｎ２、誘電体のエンハンスメン
ト膜をつけた場合基板と誘電体膜の境界の振幅反射率を
ｒ１２．誘電体膜と磁性膜の境界の右と左の円偏光に対
する振幅反射率をそれぞれｒ２８＋１ ”１１８−とす
るとｒ１２ ＝ （ｎニーｎ、）／（ｎ□＋ｎ２） （
９）ｒ、、ｔｈ＝ （ｎ、−ｎ、、”）／（ｎ、＋ｎ８
町（ｌｏ）２β ＝４ｙｒｎ２ｈ／λ （１１） （２：光の波長） を用いて右回りと左回りの円偏光に対する合成反射率は と表わされる。α環式を（８）（４）式に代入してが得
られる。
誘電体としてｎ、 ＝ ２．０のＳｉＯを用いた場合、
ｈ＝７５０ｎｍのときθには最大となる。
ｈ＝７５０ｎｍのときθには最大となる。
このときα＃ ０．６５° φｙ−φゆキー４５゜θに
岬０．４６ ｋ となる。
岬０．４６ ｋ となる。
５ すなわち、位相差 φｙ−φＸ ４−４５°が生じ
これにより反射光は第７式のｓｉｎ （φ９−φＸ）の
項により楕円化し、第６式がら明らがなようにＣＯＳ
（φアーφ工）の項によりαに対してθには小さくなる
。
これにより反射光は第７式のｓｉｎ （φ９−φＸ）の
項により楕円化し、第６式がら明らがなようにＣＯＳ
（φアーφ工）の項によりαに対してθには小さくなる
。
反射光は第４図に示すように楕円化を伴って回転する。
また、再生信号のＳ／Ｎ比は次のように表わされる。
Ｓ／Ｎ ｃｙ−ＪＫ ｓｉｎ ２θｋｃｏｓ ”ｋ （
ｄｉしたがってエンハンスメントによってθには大きく
なってはいるがαに比べると小さく、また、楕円率も大
きくなるためＳ／Ｎは十分に改善することができなかっ
た。
ｄｉしたがってエンハンスメントによってθには大きく
なってはいるがαに比べると小さく、また、楕円率も大
きくなるためＳ／Ｎは十分に改善することができなかっ
た。
目的
本発明はカー効果エンハンスメントによす位相差を生じ
楕円化した反射光の位相差を補正し直線偏光とすると共
にカー回転角を増大させ再生Ｓ／ｌｌｉを著しく改善す
ることを目的とする。ものである。
楕円化した反射光の位相差を補正し直線偏光とすると共
にカー回転角を増大させ再生Ｓ／ｌｌｉを著しく改善す
ることを目的とする。ものである。
概 要
本発明は、磁気記録媒体からの反射光の入射直Ｓ偏光成
分とそれと直交する偏光成分の位相差を全反射プリズム
で反射させることによって位相差をほぼ０となるように
したことを特徴とする。
分とそれと直交する偏光成分の位相差を全反射プリズム
で反射させることによって位相差をほぼ０となるように
したことを特徴とする。
また、本発明は磁気記録媒体からの反射光を検光子に導
く光路内に移相子（波長板）を設置し、位相ずれによっ
て楕円化した反射光を直線偏光になるように位相補償を
行なうようにしたことを特徴とする。
く光路内に移相子（波長板）を設置し、位相ずれによっ
て楕円化した反射光を直線偏光になるように位相補償を
行なうようにしたことを特徴とする。
実 施 例
図面を参照し本発明の詳細な説明する。
先￥ 従来例ノＧｄＴｅＦｅ 膜にＳｉＯのエンハンス
メント膜をつけた記録媒体について反射光の位相ずれを
補正する場合について説明する。
メント膜をつけた記録媒体について反射光の位相ずれを
補正する場合について説明する。
φｙ−輸＝−４５° より
第４図に示すように、偏光面が＋θに回転するときは左
回りの楕円偏光になり、反対に一〇に回転するときは右
回りの楕円偏光となる。これを直線偏光にするためには
、全反射ミラーで反射する際、Ｐ偏光の位相ずれδ、と
Ｓ偏光の位相ずれδ８との差ができるような全反射ミラ
ーを使用するのが好適である。
回りの楕円偏光になり、反対に一〇に回転するときは右
回りの楕円偏光となる。これを直線偏光にするためには
、全反射ミラーで反射する際、Ｐ偏光の位相ずれδ、と
Ｓ偏光の位相ずれδ８との差ができるような全反射ミラ
ーを使用するのが好適である。
例えば第５図に示すように記録媒体からの反射光を屈折
率ｎ。のガラスに入射させ、空気との境界面に臨界角よ
り大きい角度θ１で入射させる場合について考える。こ
のときＳ偏光の位相ずれδ６は、 Ｐ偏光の位相ずれδ、は よって δ＝δｐ−δｐとすると となり、全反射によってＰ偏光とＳ偏光にδの位相差が
できる。今、ｎＧ＝１．５１ ０、＝４５°とすると、 δ坤８８．６ となる。
率ｎ。のガラスに入射させ、空気との境界面に臨界角よ
り大きい角度θ１で入射させる場合について考える。こ
のときＳ偏光の位相ずれδ６は、 Ｐ偏光の位相ずれδ、は よって δ＝δｐ−δｐとすると となり、全反射によってＰ偏光とＳ偏光にδの位相差が
できる。今、ｎＧ＝１．５１ ０、＝４５°とすると、 δ坤８８．６ となる。
したがって入射直線偏光が全反射面に対しＳ偏光となる
ように、つまり、第４図のＸ軸方向の偏光がＳ偏光とな
るようにすると、全反射ミラー反射後の位相差Δは Δ＝（φｙ＋δｐ）−（φ工＋δ５） ＝Ｃφｙ−φＸ）＋（δｐ−δ、） ＝ −４５＋３８
．６ ＝ −６，４（１９） となり、位相差は小さくなり、はぼ直線偏光となると、
θには０．４６°からθに１０．６５゜９．：増大しｒ
ｋい場合のＳ／Ｎを８１補正を行なった後のＳ／ＮをＳ
／とするとＳ／Ｎは００式よりθｋが大きくなりｒｋが
小さくなった分だけ向上し からＳ／Ｎは補正を行なうことにより行なう前に比べ約
８ ｄＢ内向上せることができる。
ように、つまり、第４図のＸ軸方向の偏光がＳ偏光とな
るようにすると、全反射ミラー反射後の位相差Δは Δ＝（φｙ＋δｐ）−（φ工＋δ５） ＝Ｃφｙ−φＸ）＋（δｐ−δ、） ＝ −４５＋３８
．６ ＝ −６，４（１９） となり、位相差は小さくなり、はぼ直線偏光となると、
θには０．４６°からθに１０．６５゜９．：増大しｒ
ｋい場合のＳ／Ｎを８１補正を行なった後のＳ／ＮをＳ
／とするとＳ／Ｎは００式よりθｋが大きくなりｒｋが
小さくなった分だけ向上し からＳ／Ｎは補正を行なうことにより行なう前に比べ約
８ ｄＢ内向上せることができる。
第６図に本発明光磁気ピックアップ装置の一例を示す。
ＬＤＩＩから出射した光は、紙面に平行な直線偏光で、
コリメータレンズ１２によって平行光とした後、整形プ
リズム１３によってほぼ円形の強度分布となるようにす
る。さらに、この光をハーフミラ−１４にＰ偏光で入射
し、これを透過した光は全反射プリズム１５にＳ偏光で
入射するように構成する。このとき全反射プリズム１５
で反射することにより、位相ずれが起こるが、全反射プ
リズム１５に入射する光はＳ偏光のみでＰ偏光成分は０
であるため、楕円化は起こらない。
コリメータレンズ１２によって平行光とした後、整形プ
リズム１３によってほぼ円形の強度分布となるようにす
る。さらに、この光をハーフミラ−１４にＰ偏光で入射
し、これを透過した光は全反射プリズム１５にＳ偏光で
入射するように構成する。このとき全反射プリズム１５
で反射することにより、位相ずれが起こるが、全反射プ
リズム１５に入射する光はＳ偏光のみでＰ偏光成分は０
であるため、楕円化は起こらない。
記録媒体すなわち光ディスク２８で反射することにより
楕円化した光は、この全反射プリズム１５で再び反射す
ることにより、直線偏光とし、ハーフミラ−４によって
反射し、ハーフミラ−１６でさらに反射し検光子１９を
通った後、ＡＰＤＩＩによって信号を検出する。
楕円化した光は、この全反射プリズム１５で再び反射す
ることにより、直線偏光とし、ハーフミラ−４によって
反射し、ハーフミラ−１６でさらに反射し検光子１９を
通った後、ＡＰＤＩＩによって信号を検出する。
なおフォー力ツシングおよびトラッキング制御は臨界角
プリズム１７と四分割ディテクタ１８により行なう。
プリズム１７と四分割ディテクタ１８により行なう。
なお、全反射によって起こるＰ偏光とＳ偏光の位相差は
、式（］８）から明らかなように、ガラスの屈折率、入
射角によって変化する。したがってガラスの材質または
偏向角度を変化させることにより、さらに正確に位相差
を補正することや、媒体の種類によって異なる位相差を
補正することも可能である。
、式（］８）から明らかなように、ガラスの屈折率、入
射角によって変化する。したがってガラスの材質または
偏向角度を変化させることにより、さらに正確に位相差
を補正することや、媒体の種類によって異なる位相差を
補正することも可能である。
また、ガラスの表面に誘電体薄膜をコーティングするこ
とによってその薄膜の膜厚や材質を変什させることによ
り反射の際の位相差を任意に変化させることができる。
とによってその薄膜の膜厚や材質を変什させることによ
り反射の際の位相差を任意に変化させることができる。
第７図は本発明光磁気ピックアップ装置の他の例を示す
。図中第１図の素子と同一のもの昏こは同一の符号を付
して示す。本例では記録媒体の反射光のＸ成分とＸ成分
の位相差Δ＝φ９−φ工を補正して０にするようなりタ
ーディジョンを有する移相子７をハーフミラ−２と検光
子５との間に設ける。今、第３図のように８□８Ｎ４の
誘電体膜を磁性媒体と磁性膜の間に蒸着し、エンハンス
メント効果を施したものを記録媒体として用いるものと
すると、最もカー回転角が大きくなるような膜厚とした
小金、Δ牛−４５となる。したがって反射光を１／８波
長板を通過させることにより、位相の差を０とすること
ができる。このとき、（６）式より、 ｔａｎ２θに＝ ｔａｎ２１Ｚ Ｘ ００８４５゜θに
ヰ０．７０７α であったものが θにキα となり、θには約１．４倍にすることができる。
。図中第１図の素子と同一のもの昏こは同一の符号を付
して示す。本例では記録媒体の反射光のＸ成分とＸ成分
の位相差Δ＝φ９−φ工を補正して０にするようなりタ
ーディジョンを有する移相子７をハーフミラ−２と検光
子５との間に設ける。今、第３図のように８□８Ｎ４の
誘電体膜を磁性媒体と磁性膜の間に蒸着し、エンハンス
メント効果を施したものを記録媒体として用いるものと
すると、最もカー回転角が大きくなるような膜厚とした
小金、Δ牛−４５となる。したがって反射光を１／８波
長板を通過させることにより、位相の差を０とすること
ができる。このとき、（６）式より、 ｔａｎ２θに＝ ｔａｎ２１Ｚ Ｘ ００８４５゜θに
ヰ０．７０７α であったものが θにキα となり、θには約１．４倍にすることができる。
第７図に示す光磁気ピックアップ装置の変形例を第８図
に示す。図中、＠７図の素子と同一のものには同一の符
号を付して示す。本例では記録媒体４上の対物レンズ８
とハーフミラ−２との間に移相子である波長板７を設け
る。その他の構成は第７図の光磁気ピックアップ装置と
全く同一であるためその詳細な説明は省略する。
に示す。図中、＠７図の素子と同一のものには同一の符
号を付して示す。本例では記録媒体４上の対物レンズ８
とハーフミラ−２との間に移相子である波長板７を設け
る。その他の構成は第７図の光磁気ピックアップ装置と
全く同一であるためその詳細な説明は省略する。
発明の効果
本発明によればカー効果エンハンスメントによって反射
光の入射直線偏光成分とそれと直交する方向の成分の位
相差によって反射する際に生じるＰ偏光とＳ偏光の位相
差によって補正することにより、また、移相子により入
射直線偏光成分と、これに直交する成分の位相差を補正
することによって、楕円偏光を直線偏光とすると共にカ
ー回転角を増大させ、再生０／Ｎを著しく向上させるこ
とができる。
光の入射直線偏光成分とそれと直交する方向の成分の位
相差によって反射する際に生じるＰ偏光とＳ偏光の位相
差によって補正することにより、また、移相子により入
射直線偏光成分と、これに直交する成分の位相差を補正
することによって、楕円偏光を直線偏光とすると共にカ
ー回転角を増大させ、再生０／Ｎを著しく向上させるこ
とができる。
第１図は従来の光磁気ピックアップ装置の光学系を示す
ＷＩｔ成説明図、 第２図は記録媒体への入射光と反射光との状態を示す説
明図、 第８図はエンハンスメント光ディスクの構成を示す説明
図、 第４図は反射光の楕円化の状態を示す説明図、第５図は
本発明光磁気ピックアップ装置の原理を示す説明図、 第６図は本発明光磁気ピックアップ装置の１例を示す構
成図、 第７図は本発明光磁気ピックアップ装置の他の例を示す
構成図、 第８図は同じくその変形例を示す構成図である。 １・・・レーザ装置 ２・・・ハーフミラ− ８・・・対物レンズ ４・・・磁気記録媒体 ５・・・検光子 ６・・・光ディテクタ ７・・・移相子（波長板） １１・・・レーザダイオード １２・・・フリメータレンズ 】３・・・整形プリズム １４．１６・・・ハーフミラ− 一°ン Ｊ５・・・全反射プリズム １７・・・臨界角プ１ｊズム １８・・・４分割ディテクタ １９・・・検光子 ２０・・・集光レンズ ２１・・・ＡＰＤ ２２・・・対物レンズ ２３・２・光デイスクＣ磁気記録媒体）第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 １ ・ｎ７図 第８図 手続子ｒｌＴＪＥ書（自発） 昭和５９年１２月１８日 特許庁長官 志 賀 学 殿 ２、発明の名称 光磁気ピックアップ装置 ３、補正をする者 事件上の関係 特許出願人 住 所 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番２号４、代理
人 ６、補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄および「図面
の簡単な説明」の欄 づ−一一 （２）図面 、７式 ７、補正の内容 売゛立 ｒ従って、カー楕円は起こらず、反射光は直線偏光のま
まで偏光面が回転する。」 （２）明細書第６頁第１４行目に記載する「（λ：光の
波長）ヨをｒ（ス：先の波長、ｈ・エンハンスメント膜
厚）」と補正する。 （３）明細書第１１ Ｍ第１３ 行目＋：ｕａ載ｔル’
ＯＫ□ ” 、 ６５°１を”Ｏｘ−０、６５°」と補
正する。 （４）明細書第１３頁第１行目に記載する’ＡＰＤＪＩ
ＪをｒＡＰＤ２１Ｊと補正する。 （５）明細書第１６頁第５行目及び同頁第６行目をｆ記
の通り補正する。 「第６図ａは本発明光磁気ピックアップ装置の１例を示
す構成図、第６図すは第６図ａの矢印入方向からみた部
分的な構成図１ （６）図面中、第６図を第６図８として別紙通り補正し
、第６図すを追加する。 ８、添付四類の目録 （１）図 面 １通 悩、
ＷＩｔ成説明図、 第２図は記録媒体への入射光と反射光との状態を示す説
明図、 第８図はエンハンスメント光ディスクの構成を示す説明
図、 第４図は反射光の楕円化の状態を示す説明図、第５図は
本発明光磁気ピックアップ装置の原理を示す説明図、 第６図は本発明光磁気ピックアップ装置の１例を示す構
成図、 第７図は本発明光磁気ピックアップ装置の他の例を示す
構成図、 第８図は同じくその変形例を示す構成図である。 １・・・レーザ装置 ２・・・ハーフミラ− ８・・・対物レンズ ４・・・磁気記録媒体 ５・・・検光子 ６・・・光ディテクタ ７・・・移相子（波長板） １１・・・レーザダイオード １２・・・フリメータレンズ 】３・・・整形プリズム １４．１６・・・ハーフミラ− 一°ン Ｊ５・・・全反射プリズム １７・・・臨界角プ１ｊズム １８・・・４分割ディテクタ １９・・・検光子 ２０・・・集光レンズ ２１・・・ＡＰＤ ２２・・・対物レンズ ２３・２・光デイスクＣ磁気記録媒体）第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 １ ・ｎ７図 第８図 手続子ｒｌＴＪＥ書（自発） 昭和５９年１２月１８日 特許庁長官 志 賀 学 殿 ２、発明の名称 光磁気ピックアップ装置 ３、補正をする者 事件上の関係 特許出願人 住 所 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番２号４、代理
人 ６、補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄および「図面
の簡単な説明」の欄 づ−一一 （２）図面 、７式 ７、補正の内容 売゛立 ｒ従って、カー楕円は起こらず、反射光は直線偏光のま
まで偏光面が回転する。」 （２）明細書第６頁第１４行目に記載する「（λ：光の
波長）ヨをｒ（ス：先の波長、ｈ・エンハンスメント膜
厚）」と補正する。 （３）明細書第１１ Ｍ第１３ 行目＋：ｕａ載ｔル’
ＯＫ□ ” 、 ６５°１を”Ｏｘ−０、６５°」と補
正する。 （４）明細書第１３頁第１行目に記載する’ＡＰＤＪＩ
ＪをｒＡＰＤ２１Ｊと補正する。 （５）明細書第１６頁第５行目及び同頁第６行目をｆ記
の通り補正する。 「第６図ａは本発明光磁気ピックアップ装置の１例を示
す構成図、第６図すは第６図ａの矢印入方向からみた部
分的な構成図１ （６）図面中、第６図を第６図８として別紙通り補正し
、第６図すを追加する。 ８、添付四類の目録 （１）図 面 １通 悩、
Claims (3)
- （１）垂直方向に磁化容易軸な持つ磁気記録媒体に元ビ
ームを照射して記録再生及び消去を行う光磁気ピックア
ップ装置において、前記磁気記録媒体からの反射元検出
元学系の光路内に反射光ビームの位相差を補正する手段
を設けたことを特徴とする光磁気ピックアップ装置０ - （２）前記位相差補正手段ヶ、反射により生ずるＰ偏光
成分とＳ偏光成分との位相差によって、前記磁気記録媒
体からの反射光の入射直線偏光成分と該直祿偏光成分と
直交する偏光成分との位相差を補正する全反射プリズム
としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
磁気ピックアップ装置。 - （３）前記位相差補正手段７１元ビームが前記磁気記録
媒体を反射する際に生ずる互に直交する偏光成分の位相
差を補正する移相子とじたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光磁気ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249589A JPH0622070B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 光磁気ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249589A JPH0622070B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 光磁気ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143461A true JPS60143461A (ja) | 1985-07-29 |
| JPH0622070B2 JPH0622070B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=17195259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58249589A Expired - Lifetime JPH0622070B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 光磁気ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622070B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61160852A (ja) * | 1984-12-30 | 1986-07-21 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気ピツクアツプ装置 |
| JPS61260440A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録用光学ヘツド |
| US5432760A (en) * | 1989-04-19 | 1995-07-11 | Olympus Optical Co., Ltd. | Method of measuring phase difference of opto-magnetic record medium and apparatus for carrying out said method |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5963041A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-04-10 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 磁気光学素子 |
| JPS59171058A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位相子を設けた光磁気記録媒体 |
| JPS6020342A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位相子を設けた磁気光学再生装置 |
| JPS6020341A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位相補正された反射型磁気光学再生装置 |
| JPS60101745A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-05 | Sharp Corp | 光磁気記憶装置の光学装置 |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP58249589A patent/JPH0622070B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5963041A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-04-10 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 磁気光学素子 |
| JPS59171058A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位相子を設けた光磁気記録媒体 |
| JPS6020342A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位相子を設けた磁気光学再生装置 |
| JPS6020341A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位相補正された反射型磁気光学再生装置 |
| JPS60101745A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-05 | Sharp Corp | 光磁気記憶装置の光学装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61160852A (ja) * | 1984-12-30 | 1986-07-21 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気ピツクアツプ装置 |
| JPS61260440A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録用光学ヘツド |
| US5432760A (en) * | 1989-04-19 | 1995-07-11 | Olympus Optical Co., Ltd. | Method of measuring phase difference of opto-magnetic record medium and apparatus for carrying out said method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622070B2 (ja) | 1994-03-23 |
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