JPH0350346B2 - - Google Patents
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- JPH0350346B2 JPH0350346B2 JP12865383A JP12865383A JPH0350346B2 JP H0350346 B2 JPH0350346 B2 JP H0350346B2 JP 12865383 A JP12865383 A JP 12865383A JP 12865383 A JP12865383 A JP 12865383A JP H0350346 B2 JPH0350346 B2 JP H0350346B2
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- beam splitter
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- light
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は再生信号強度の向上した磁気光学再生
装置に関する。
装置に関する。
（発明の背景）
光磁気記録媒体は、例えばGdCo、GdTbCo、
GdTbFe、DyTbFeのような垂直磁化可能な磁性
薄膜を基板の上に積層したもので、この磁性薄膜
の磁化方向を一旦膜方向に対し上向きか下向きの
いずれかに揃えておき、記録したい部分にレーザ
ー光線を照射して、その部分の温度を例えば磁性
材料のキユリー点以上に加熱することにより元の
磁化方向を自由に解放し、同時に反対向きの弱い
磁場をその部分に印加することで、その部分を膜
の磁化方向とは反対方向に磁化し、その上でレー
ザー光線の照射を止めて、反対方向の磁化を固定
する。これにより仮に膜の磁化方向を０とし、反
対方向を１とすれば、レーザー光線の照射を受け
た微小スポツト領域は、０，１のデジタル信号の
うちの１として記録が残る。
GdTbFe、DyTbFeのような垂直磁化可能な磁性
薄膜を基板の上に積層したもので、この磁性薄膜
の磁化方向を一旦膜方向に対し上向きか下向きの
いずれかに揃えておき、記録したい部分にレーザ
ー光線を照射して、その部分の温度を例えば磁性
材料のキユリー点以上に加熱することにより元の
磁化方向を自由に解放し、同時に反対向きの弱い
磁場をその部分に印加することで、その部分を膜
の磁化方向とは反対方向に磁化し、その上でレー
ザー光線の照射を止めて、反対方向の磁化を固定
する。これにより仮に膜の磁化方向を０とし、反
対方向を１とすれば、レーザー光線の照射を受け
た微小スポツト領域は、０，１のデジタル信号の
うちの１として記録が残る。
こうして記録された磁性薄膜の磁化方向の相違
（つまり、上向き、下向き）は、これに直線偏光
を照射して、その反射光又は透過光の偏光面の回
転状況が磁化の向きによつて相違する現象（磁気
カー効果又は磁気フアラデー効果）を利用して読
み取られる。つまり、入射光に対し磁化の向きが
上向きのとき偏光面が＋θrad.回転したとすると、
入射光に対し磁化の向きが下向きのとき偏光面は
−θrad.回転する。
（つまり、上向き、下向き）は、これに直線偏光
を照射して、その反射光又は透過光の偏光面の回
転状況が磁化の向きによつて相違する現象（磁気
カー効果又は磁気フアラデー効果）を利用して読
み取られる。つまり、入射光に対し磁化の向きが
上向きのとき偏光面が＋θrad.回転したとすると、
入射光に対し磁化の向きが下向きのとき偏光面は
−θrad.回転する。
従つて、反射光は透過光の先に偏光子（主軸に
一致した偏光成光のみを通すもので、アナライザ
ーとも呼ばれる）を置いておくと、アナライザー
に入射する偏光を仮に直線偏光とした場合、その
偏光面の回転状況に応じてアナライザーを透過す
る光強度は増減する。つまり、一方の回転角−θ
とほゞ直交する方向に主軸を一致させて光路上に
アナライザーを置くと、＋θの回転角を有する偏
光が入射した場合にはアナライザーを透過し、−
θの回転角を有する偏光が入射した場合にはアナ
ライザーをほとんど透過しない。
一致した偏光成光のみを通すもので、アナライザ
ーとも呼ばれる）を置いておくと、アナライザー
に入射する偏光を仮に直線偏光とした場合、その
偏光面の回転状況に応じてアナライザーを透過す
る光強度は増減する。つまり、一方の回転角−θ
とほゞ直交する方向に主軸を一致させて光路上に
アナライザーを置くと、＋θの回転角を有する偏
光が入射した場合にはアナライザーを透過し、−
θの回転角を有する偏光が入射した場合にはアナ
ライザーをほとんど透過しない。
従つて、アナライザーの先に光電変換素子のよ
うなデイテクターを置いておけば、光強度の強弱
は電流の強弱に変換される。つまり、磁性薄膜の
磁化方向の相違によるデジタル記録信号は、偏光
面の回転角±θに変換され、そしてそれはアナラ
イザーを通して光強度の強弱に変換され、最後に
デイテクターにより電流の強弱に変換される。従
つて、再生信号の強度（つまりデイテクターによ
る電流の強弱の差）は、2θに依存するものであ
る。
うなデイテクターを置いておけば、光強度の強弱
は電流の強弱に変換される。つまり、磁性薄膜の
磁化方向の相違によるデジタル記録信号は、偏光
面の回転角±θに変換され、そしてそれはアナラ
イザーを通して光強度の強弱に変換され、最後に
デイテクターにより電流の強弱に変換される。従
つて、再生信号の強度（つまりデイテクターによ
る電流の強弱の差）は、2θに依存するものであ
る。
ところが、一般的には記録媒体からの反射光又
は透過光は、厳密な意味で直線偏光にならず楕円
率χを持つた楕円偏光になる。通常はθに比べχ
は非常に小さいのでθ（θ≠０）のみを利用して
いる。しかしながら、磁性材料及び照射する偏光
ビームの波長によつてはθとχがほぼ等しくなる
ことがあり、その場合にはχを無視することは再
生信号強度にとつて大きな損失となる。尚、θ及
びχの値は、磁性材料それ自身以外の原因、例え
ば基板や保護基板などによつても変化することが
ある。
は透過光は、厳密な意味で直線偏光にならず楕円
率χを持つた楕円偏光になる。通常はθに比べχ
は非常に小さいのでθ（θ≠０）のみを利用して
いる。しかしながら、磁性材料及び照射する偏光
ビームの波長によつてはθとχがほぼ等しくなる
ことがあり、その場合にはχを無視することは再
生信号強度にとつて大きな損失となる。尚、θ及
びχの値は、磁性材料それ自身以外の原因、例え
ば基板や保護基板などによつても変化することが
ある。
従つて、本発明の目的は、記録媒体の反射光又
は透過光の楕円率χを有効に利用できるように
し、それにより再生信号強度ひいてはＳ／Ｎ比を
向上させた磁気光学再生装置を提供することにあ
る。
は透過光の楕円率χを有効に利用できるように
し、それにより再生信号強度ひいてはＳ／Ｎ比を
向上させた磁気光学再生装置を提供することにあ
る。
（発明の概要）
そのため、本発明者は位相子を設けることによ
りχを再生信号強度Ｓの向上に寄与させることを
着想し、どのような位相子を設ければ、再生信号
強度Ｓが向上するかを理論計算により見い出し、
本発明を成すに至つた。
りχを再生信号強度Ｓの向上に寄与させることを
着想し、どのような位相子を設ければ、再生信号
強度Ｓが向上するかを理論計算により見い出し、
本発明を成すに至つた。
カー効果を利用する磁気光学再生装置（反射
型）は、一般に第１〜３図に示すような基本構成
を有し、フアラデー効果を利用する磁気光学再生
装置（透過型）は、一般に第４図に示すような基
本構成を有し、今第１〜４図に引用記号PHとし
て示す位置に位相子を設けた場合を考える。第１
〜４図に置いて、PHは位相子、Ｋは記録媒体、
Ｌはレーザー光源（偏光光源）、BSはビームスプ
リツター、Ａはアナライザー、Ｄはデイテクター
である。
型）は、一般に第１〜３図に示すような基本構成
を有し、フアラデー効果を利用する磁気光学再生
装置（透過型）は、一般に第４図に示すような基
本構成を有し、今第１〜４図に引用記号PHとし
て示す位置に位相子を設けた場合を考える。第１
〜４図に置いて、PHは位相子、Ｋは記録媒体、
Ｌはレーザー光源（偏光光源）、BSはビームスプ
リツター、Ａはアナライザー、Ｄはデイテクター
である。
ここに於いて、(イ)磁性薄膜のカー回転角又はフ
アラデー回転角をθ、カー楕円率又はフアラデー
楕円率をχ、振幅反射率又は振幅透過率をγと
し、(ロ)位相子の位相差をΔ、主軸方向角をφ（φ
は実質的にゼロとする）とし、(ハ)アナライザーの
方位角をαとし、(ニ)レーザー光源から発せられる
偏光の方位角をゼロとすると、アナライザーＡを
通過した後の光強度I〓は複雑な計算になるので途
中を省略すると、 I〓∝｜γ｜2×｜θ（sin2α・cosΔ） ＋χ（sin2α・sinΔ） ＋１／２（１＋cos2α） ＋φsin2αsin2Δ｜ ……（式１） と導かれる。この場合、第１図及び第２図の各(イ)
の態様では位相子PHを入射時と反対時の２度通
ることになるが、入射時は直線偏光の偏光面が位
相子の主軸とほぼ一致するようにするので位相子
の影響はなく、反射型（第１〜３図）、透過型
（第４図）共に同じ式１になる。
アラデー回転角をθ、カー楕円率又はフアラデー
楕円率をχ、振幅反射率又は振幅透過率をγと
し、(ロ)位相子の位相差をΔ、主軸方向角をφ（φ
は実質的にゼロとする）とし、(ハ)アナライザーの
方位角をαとし、(ニ)レーザー光源から発せられる
偏光の方位角をゼロとすると、アナライザーＡを
通過した後の光強度I〓は複雑な計算になるので途
中を省略すると、 I〓∝｜γ｜2×｜θ（sin2α・cosΔ） ＋χ（sin2α・sinΔ） ＋１／２（１＋cos2α） ＋φsin2αsin2Δ｜ ……（式１） と導かれる。この場合、第１図及び第２図の各(イ)
の態様では位相子PHを入射時と反対時の２度通
ることになるが、入射時は直線偏光の偏光面が位
相子の主軸とほぼ一致するようにするので位相子
の影響はなく、反射型（第１〜３図）、透過型
（第４図）共に同じ式１になる。
さて、磁性薄膜の磁化の方向が入射光の入射
方向と同じときの光強度をＩα
↑
、
磁性薄膜による複素カー又はフアラデー回転角を
θ＋iχ、磁化の方向が入射方向と反対の ときの光強度をＩα ↓ 、複素カー又はフアラデー 回転角を−θ−iχとすると、光強度差すなわち再
生信号強度Ｓは α α Ｓ＝｜Ｉ↑−Ｉ↓｜であるから、 Ｓ∝｜γ｜2×｜θ（sin2α・cosΔ） ＋χ（sin2α・sinΔ）｜ ＝｜γ｜2×｜sin2α（θcosΔ＋ χsinΔ）｜ ……（式２） となる。
θ＋iχ、磁化の方向が入射方向と反対の ときの光強度をＩα ↓ 、複素カー又はフアラデー 回転角を−θ−iχとすると、光強度差すなわち再
生信号強度Ｓは α α Ｓ＝｜Ｉ↑−Ｉ↓｜であるから、 Ｓ∝｜γ｜2×｜θ（sin2α・cosΔ） ＋χ（sin2α・sinΔ）｜ ＝｜γ｜2×｜sin2α（θcosΔ＋ χsinΔ）｜ ……（式２） となる。
また、アナライザーを使用する直接法の代り
に、第７図に示すようにウオーラストンプリズ
ム、ローシヨンプリズム、トムソンプリズム、薄
膜型などの偏光ビームスプリツターPBSにより、
互いに直交した偏光方向を持ち、かつほぼ等しい
光強度に二分して各デイテクター（D1，D2）に
導き、両デイテクターからの出力差を取る、いわ
ゆる差動法では、再生信号強度Ｓは、 １／4πrad.のときの光強度ＩをI45、 ３／4πrad.のときの光強度ＩをI135とすると、 Ｓ＝｜（I45↑−I123↑） −（I45↓−I123↓）｜ と表わされるから、右辺に式１を代入すると、 Ｓ∝｜θcosΔ＋χsinΔ｜ が導かれる。
に、第７図に示すようにウオーラストンプリズ
ム、ローシヨンプリズム、トムソンプリズム、薄
膜型などの偏光ビームスプリツターPBSにより、
互いに直交した偏光方向を持ち、かつほぼ等しい
光強度に二分して各デイテクター（D1，D2）に
導き、両デイテクターからの出力差を取る、いわ
ゆる差動法では、再生信号強度Ｓは、 １／4πrad.のときの光強度ＩをI45、 ３／4πrad.のときの光強度ＩをI135とすると、 Ｓ＝｜（I45↑−I123↑） −（I45↓−I123↓）｜ と表わされるから、右辺に式１を代入すると、 Ｓ∝｜θcosΔ＋χsinΔ｜ が導かれる。
一方、直接法の場合、式２に於いてアナライザ
ーの方位角αの最適値は、使用するデイテクタ
ー、光源としてのレーザー、アナライザー等によ
つて異なるが、いずれにせよαは入射偏光に対し
消光位置（α＝1/2πrad.）近くに設定される。
ーの方位角αの最適値は、使用するデイテクタ
ー、光源としてのレーザー、アナライザー等によ
つて異なるが、いずれにせよαは入射偏光に対し
消光位置（α＝1/2πrad.）近くに設定される。
従つて、α＝（1/2π＋α′）rad.と表すことがで
き、α′は充分に小さい角度であるので、 Sin2α＝sin（π＋2α′）＝−sin2α′ ≒−2α′ cos2α＝cos（π＋2α′）≒cosπ＝−１になる。
き、α′は充分に小さい角度であるので、 Sin2α＝sin（π＋2α′）＝−sin2α′ ≒−2α′ cos2α＝cos（π＋2α′）≒cosπ＝−１になる。
従つて、反射率又は透過率γが一定とすると、
再生信号強度Ｓは、 Ｓ∝｜θcosΔ＋χsinΔ｜ となる。
再生信号強度Ｓは、 Ｓ∝｜θcosΔ＋χsinΔ｜ となる。
従つて、検光法が直接法にせよ差動法にせよ
Ｓ∝｜θcosΔ＋χsinΔ｜ ……（式３）
が成立する。
従つて、位相子を設けない（つまり、Δ＝０、
sinΔ＝０）ときには、χを再生信号強度Ｓに反
映ないし利用することができないことが判る。し
かしながら、Δの値によつて、θcosΔが小さくな
るので、常に ｜θcosΔ＋χsinΔ｜＞｜θ｜ ……（式４） を満足するようなΔを選沢すれば、そのような位
相差Δを有する位相子を設けると、媒体は再生信
号強度Ｓが向上することになる。これが本発明の
原理である。
sinΔ＝０）ときには、χを再生信号強度Ｓに反
映ないし利用することができないことが判る。し
かしながら、Δの値によつて、θcosΔが小さくな
るので、常に ｜θcosΔ＋χsinΔ｜＞｜θ｜ ……（式４） を満足するようなΔを選沢すれば、そのような位
相差Δを有する位相子を設けると、媒体は再生信
号強度Ｓが向上することになる。これが本発明の
原理である。
次に、具体的に式４を満足するΔの値を何例か
求めることにする。
求めることにする。
今〓＝θ
χ、〓＝cosΔ
sinΔ
なるベクトルを考えると、〓と〓の内積Ｃ（Ｃ＝
〓・〓）はＣ＝｜θcosΔ＋χsinΔ｜となる。一方、
Ｃが〓と〓の内積であればＣは〓の単位ベクトル
〓への写影を意味する。
〓・〓）はＣ＝｜θcosΔ＋χsinΔ｜となる。一方、
Ｃが〓と〓の内積であればＣは〓の単位ベクトル
〓への写影を意味する。
従つて、ベクトル〓、〓と写影Ｃとの関係を図
示すれば、θ、χ共に正のとき第５図の如くな
る。そうしてみると、Ｃの長さが常にθの長さよ
り大きくなるのは、Δがゼロより大きくベクトル
〓とθ軸との成す角の２倍より小さいときであ
る。ベクトル〓とθ軸との成す角は、tan-1χ／θ＝ Δで求められ、そのときのＣは最大となり、ベク
トル〓の長さ：√2＋2と等しくなる。
示すれば、θ、χ共に正のとき第５図の如くな
る。そうしてみると、Ｃの長さが常にθの長さよ
り大きくなるのは、Δがゼロより大きくベクトル
〓とθ軸との成す角の２倍より小さいときであ
る。ベクトル〓とθ軸との成す角は、tan-1χ／θ＝ Δで求められ、そのときのＣは最大となり、ベク
トル〓の長さ：√2＋2と等しくなる。
つまり、｜θcosΔ＋χsinΔ｜の値が常に｜θ｜よ
り大きくなるのは、 2tan-1χ／θ＞Δ＞0rad. のときであり、最大値は√2＋2となる。
り大きくなるのは、 2tan-1χ／θ＞Δ＞0rad. のときであり、最大値は√2＋2となる。
仮にtanΔ＝χ／θなる位相子を設けたとすれば、
位相子を設けないものに比べ、再生信号強度Ｓ
は、 √θ2＋χ2／θ ……（式５） 倍に向上する。
は、 √θ2＋χ2／θ ……（式５） 倍に向上する。
また、χが正、θが負のときには第６図の如く
なり、｜θcosΔ＋xsinΔ｜の値が常に｜θ｜より大
きくなるのは、 πrad.＞Δ＞2tan-1χ／θ−πrad. のときである。
なり、｜θcosΔ＋xsinΔ｜の値が常に｜θ｜より大
きくなるのは、 πrad.＞Δ＞2tan-1χ／θ−πrad. のときである。
同様にχ、θ共に負のとき、
｜θcosΔ＋χsinΔ｜の値が常に｜θ｜より大き
くなるのは、作図上は 2tan-1χ／θ＋πrad.＞Δ＞πrad. のときであるが、Δは位相差を考えているので、 2tan-1χ／θ＞Δ＞0rad. と同じ意味になる。
くなるのは、作図上は 2tan-1χ／θ＋πrad.＞Δ＞πrad. のときであるが、Δは位相差を考えているので、 2tan-1χ／θ＞Δ＞0rad. と同じ意味になる。
従つて、まとめると｜θcosΔ＋χsinθ｜が常に
｜θ｜より大きくなるのは、 χ／θ＞０の場合、 2tan-1χ／θ＞Δ＞0rad. χ／θ＜０の場合、 πrad.＞Δ＞2tan-1χ／θ−πrad. のときである。
｜θ｜より大きくなるのは、 χ／θ＞０の場合、 2tan-1χ／θ＞Δ＞0rad. χ／θ＜０の場合、 πrad.＞Δ＞2tan-1χ／θ−πrad. のときである。
但し、いずれも、０〜πrad.の範囲での解であ
る。従つて、三角関数なので、これらの不等式の
各辺にそれぞれπrad.の整数倍を加えても引いて
も解となる。その場合には、上記の式から誘導さ
れたΔにπrad.の整数倍を加えた又は引いた位相
差を有する位相子を使用することになる。これも
本発明の範疇である。
る。従つて、三角関数なので、これらの不等式の
各辺にそれぞれπrad.の整数倍を加えても引いて
も解となる。その場合には、上記の式から誘導さ
れたΔにπrad.の整数倍を加えた又は引いた位相
差を有する位相子を使用することになる。これも
本発明の範疇である。
従つて、本発明の基本的な実施態様は、光源Ｌ
からの偏光ビームを、カー回転角又はフアラデー
回転角θ（θ≠０）及びカー楕円率又はフアラデ
ー楕円率χを有する光磁気記録媒体Ｋに照射し、
該媒体Ｋによりカー回転又はフアラデー回転を受
けた反射光又は透過光を、アナライザーＡに通し
てデイテクターＤに受光させるか、あるいは偏光
ビームスプリツターPBSにより２つの直交する
偏光に分割して各々デイテクターD1，D2に受光
させる磁気光学再生装置に於いて、 該媒体Ｋと、アナライザーＡ又は偏光ビームス
プリツターPBSとの間に、 χ／θ＞０の場合、 2tan-1χ／θ＞Δ＞0rad. χ／θ＜０の場合、 πrad.＞Δ＞2tan-1χ／θ−πrad. を満足する位相差Δを有する位相子PHを、入射
偏光の方位角をゼロとし、それを基準にしたとき
の位相子の主軸方位角φが実質的にゼロになるよ
うに、設けたことを特徴とする磁気光学再生装置
を提供する。
からの偏光ビームを、カー回転角又はフアラデー
回転角θ（θ≠０）及びカー楕円率又はフアラデ
ー楕円率χを有する光磁気記録媒体Ｋに照射し、
該媒体Ｋによりカー回転又はフアラデー回転を受
けた反射光又は透過光を、アナライザーＡに通し
てデイテクターＤに受光させるか、あるいは偏光
ビームスプリツターPBSにより２つの直交する
偏光に分割して各々デイテクターD1，D2に受光
させる磁気光学再生装置に於いて、 該媒体Ｋと、アナライザーＡ又は偏光ビームス
プリツターPBSとの間に、 χ／θ＞０の場合、 2tan-1χ／θ＞Δ＞0rad. χ／θ＜０の場合、 πrad.＞Δ＞2tan-1χ／θ−πrad. を満足する位相差Δを有する位相子PHを、入射
偏光の方位角をゼロとし、それを基準にしたとき
の位相子の主軸方位角φが実質的にゼロになるよ
うに、設けたことを特徴とする磁気光学再生装置
を提供する。
位相子自体は既に知られており、例えば水晶、
雲母などの薄膜で作られる。そして任意の位相差
Δを有する位相子の入手も容易である。
雲母などの薄膜で作られる。そして任意の位相差
Δを有する位相子の入手も容易である。
位相子を設ける位置は、光磁気記録媒体Ｋから
の反射光又は透過光光路中であることは当然であ
るが、第１〜４図に示すように該媒体Ｋとカー回
転又はフアラデー回転を検出するためのアナライ
ザーＡとの間に設けなければ効果がない。先にア
ナライザーＡを用いる直接法の代りに偏光ビーム
スプリツター（以下、PBSと略す）を用いる差
動法について触れたが、カー回転又はフアラデー
回転を検出する方法として、アナライザーを使用
する直接法の他に、第７図に一例を示すようにウ
オーラストンプリズム、トムソンプリズム、ロー
シヨンプリズム、薄膜型などのPBSを使用し、
これにより光を互いに直交した偏光成分を持ち、
かつほぼ等しい光強度に二分して各デイテクター
D1，D2に導き、差動増幅器DAにより両デイテク
ターからの出力差を取る、いわゆる差動法も知ら
れている。差動法は直接法に比べＳ／Ｎ比の点で
有利な場合がある。
の反射光又は透過光光路中であることは当然であ
るが、第１〜４図に示すように該媒体Ｋとカー回
転又はフアラデー回転を検出するためのアナライ
ザーＡとの間に設けなければ効果がない。先にア
ナライザーＡを用いる直接法の代りに偏光ビーム
スプリツター（以下、PBSと略す）を用いる差
動法について触れたが、カー回転又はフアラデー
回転を検出する方法として、アナライザーを使用
する直接法の他に、第７図に一例を示すようにウ
オーラストンプリズム、トムソンプリズム、ロー
シヨンプリズム、薄膜型などのPBSを使用し、
これにより光を互いに直交した偏光成分を持ち、
かつほぼ等しい光強度に二分して各デイテクター
D1，D2に導き、差動増幅器DAにより両デイテク
ターからの出力差を取る、いわゆる差動法も知ら
れている。差動法は直接法に比べＳ／Ｎ比の点で
有利な場合がある。
従つて、差動法の場合には、位相子PHは記録
媒体ＫとPBSとの間に設けることになる。第７
図は単に一例にすぎず、第１図のロ第２図、第３
図及び第４図に於いてもアナライザーＡの代りに
PBSを用いた差動法に変えることができる。
媒体ＫとPBSとの間に設けることになる。第７
図は単に一例にすぎず、第１図のロ第２図、第３
図及び第４図に於いてもアナライザーＡの代りに
PBSを用いた差動法に変えることができる。
ところで、反射型の磁気光学再生装置に於いて
は、光学系の配置又は組立を容易にするために、
偏光ビームを記録媒体Ｋに対し垂直に照射するこ
とが多く（第１図、第２図及び第７図参照）、そ
の場合にはビームスプリツターBSを必要とする。
この場合、ビームスプリツターがそれ自身位相差
δを持つことが多い。従つて、ビームスプリツタ
ーが位相差δを持つ場合には、別途位相子を設け
ると、全体の位相差が変化し、その結果、再生信
号強度Ｓが低下する恐れがある。
は、光学系の配置又は組立を容易にするために、
偏光ビームを記録媒体Ｋに対し垂直に照射するこ
とが多く（第１図、第２図及び第７図参照）、そ
の場合にはビームスプリツターBSを必要とする。
この場合、ビームスプリツターがそれ自身位相差
δを持つことが多い。従つて、ビームスプリツタ
ーが位相差δを持つ場合には、別途位相子を設け
ると、全体の位相差が変化し、その結果、再生信
号強度Ｓが低下する恐れがある。
そこで、ビームスプリツターが位相差δを持つ
場合には、 式：｜θcos（Δ′＋δ） ＋χsin（Δ′＋δ）｜＞｜θ｜ を満足するような位相差Δ′を有する位相子PH、
つまり０〜πrad.の間では、 χ／θ＞０のとき 2tan-1χ／θ＞Δ′＋δ＞0rad. χ／θ＜０のとき πrad.＞Δ′＋δ＞2tan-1χ／θ−πrad. を満足するような位相差Δ′を有する位相子PHを
設ける必要がある。
場合には、 式：｜θcos（Δ′＋δ） ＋χsin（Δ′＋δ）｜＞｜θ｜ を満足するような位相差Δ′を有する位相子PH、
つまり０〜πrad.の間では、 χ／θ＞０のとき 2tan-1χ／θ＞Δ′＋δ＞0rad. χ／θ＜０のとき πrad.＞Δ′＋δ＞2tan-1χ／θ−πrad. を満足するような位相差Δ′を有する位相子PHを
設ける必要がある。
この場合にも、三角関数であるから、上記
Δ′にπrad.の整数倍を加えるか又は引いた位相差
を有する位相子を使用することも等価であり、そ
れも本発明の範疇である。
Δ′にπrad.の整数倍を加えるか又は引いた位相差
を有する位相子を使用することも等価であり、そ
れも本発明の範疇である。
従つて、本発明の実施態様は、光源Ｌからの偏
光ビームを、透過光に対し位相差δ与えるビーム
スプリツターBSで反射させた後、カー回転角θ
（θ≠０）及びカー楕円率χを有する光磁気記録
媒体Ｋに対し、ほぼ垂直に照射し、該媒体Ｋから
のカー回転を受けた反射光を前記ビームスプリツ
ターBSに透過させ、この透過光をアナライザー
Ａに通してデイテクターＤに受光させるか又は偏
光ビームスプリツターPBSにより２つの直交す
る偏光に分割して各々デイテクターD1，D2に受
光させる磁気光学再生装置（）あるいは光源Ｌ
からの偏光ビームを、反射光に対し位相差δを与
えるビームスプリツターBSを透過させた後、カ
ー回転角θ（θ≠０）及びカー楕円率χを有する
光磁気記録媒体Ｋに対し、ほぼ垂直に照射し、該
媒体Ｋからのカー回転を受けた反射光を前記ビー
ムスプリツターBSで反射させ、この反射光をア
ナライザーＡに通してデイテクターＤに受光させ
るか又は偏光ビームスプリツターPBSにより２
つの直交する偏光に分割して各々デイテクター
D1，D2に受光させる磁気光学再生装置（）に
於いて、 χ／θ＞０のとき 2tan-1χ／θ＞Δ′＋δ＞0rad. χ／θ＜０のとき πrad.＞Δ′＋δ＞2tan-1χ／θ−πrad. を満足する位相差Δ′を有する位相子PHを、入射
偏光の方位角をゼロとし、それを基準にしたとき
の位相子の主軸方位角φが実質的にゼロになるよ
うに、前記媒体ＫとアナライザーＡ又は偏光ビー
ムスプリツターPBSとの間に設けたことを特徴
とする磁気光学再生装置を提供する。
光ビームを、透過光に対し位相差δ与えるビーム
スプリツターBSで反射させた後、カー回転角θ
（θ≠０）及びカー楕円率χを有する光磁気記録
媒体Ｋに対し、ほぼ垂直に照射し、該媒体Ｋから
のカー回転を受けた反射光を前記ビームスプリツ
ターBSに透過させ、この透過光をアナライザー
Ａに通してデイテクターＤに受光させるか又は偏
光ビームスプリツターPBSにより２つの直交す
る偏光に分割して各々デイテクターD1，D2に受
光させる磁気光学再生装置（）あるいは光源Ｌ
からの偏光ビームを、反射光に対し位相差δを与
えるビームスプリツターBSを透過させた後、カ
ー回転角θ（θ≠０）及びカー楕円率χを有する
光磁気記録媒体Ｋに対し、ほぼ垂直に照射し、該
媒体Ｋからのカー回転を受けた反射光を前記ビー
ムスプリツターBSで反射させ、この反射光をア
ナライザーＡに通してデイテクターＤに受光させ
るか又は偏光ビームスプリツターPBSにより２
つの直交する偏光に分割して各々デイテクター
D1，D2に受光させる磁気光学再生装置（）に
於いて、 χ／θ＞０のとき 2tan-1χ／θ＞Δ′＋δ＞0rad. χ／θ＜０のとき πrad.＞Δ′＋δ＞2tan-1χ／θ−πrad. を満足する位相差Δ′を有する位相子PHを、入射
偏光の方位角をゼロとし、それを基準にしたとき
の位相子の主軸方位角φが実質的にゼロになるよ
うに、前記媒体ＫとアナライザーＡ又は偏光ビー
ムスプリツターPBSとの間に設けたことを特徴
とする磁気光学再生装置を提供する。
尚、場合によつてはビームスプリツターBSの
位相差δを積極的に利用し、別途位相子を設けず
に、位相差δを有するビームスプリツターBSを
位相子PHと兼用させてもよい。この場合には、
δは式： ｜θcosδ＋χsinδ｜＞｜θ｜ を満足するものでなければならない。
位相差δを積極的に利用し、別途位相子を設けず
に、位相差δを有するビームスプリツターBSを
位相子PHと兼用させてもよい。この場合には、
δは式： ｜θcosδ＋χsinδ｜＞｜θ｜ を満足するものでなければならない。
つまり、０〜πrad.の間では、
χ／θ＞０のとき
2tan-1χ／θ＞δ＞0rad.
χ／θ＜０のとき
πrad.＞δ＞2tan-1χ／θ−πrad.
を満足しなければならない。三角関数であるか
ら、これらの不等式のそれぞれにπrad.の整数倍
を加えても引いても解となる。その場合には、上
記の式から誘導されたΔにπrad.の整数倍を加え
た又は引いた位相差を有する位相子を使用するこ
とになる。これも本発明の範疇である。
ら、これらの不等式のそれぞれにπrad.の整数倍
を加えても引いても解となる。その場合には、上
記の式から誘導されたΔにπrad.の整数倍を加え
た又は引いた位相差を有する位相子を使用するこ
とになる。これも本発明の範疇である。
また、万一光磁気記録媒体の基板又は保護基板
の複屈折による位相差δ′あるいは再生装置の光学
系にビームスプリツターBS以外の原因による位
相差δ′がある場合には、 ｜θcos（Δ″＋δ＋δ′） ＋χsin（Δ″＋δ＋δ′）｜＞｜θ｜ を満足する位相差Δ″、 つまり０〜πrad.の間では、 χ／θ＞０のとき 2tan-1χ／θ＞Δ″＋δ＋δ′＞0rad. χ／θ＜０のとき πrad.＞Δ″＋δ＋δ′ ＞2tan-1χ／θ−πrad. を満足する位相差Δ″を有する位相子を設ける必
要がある。三角関数であるから、これらの不等式
のそれぞれにπrad.の整数倍を加えても引いても
解となる。その場合には、上記の式から誘導され
たΔにπrad.の整数倍を加えた又は引いた位相差
を有する位相子を使用することになる。これも本
発明の範疇である。
の複屈折による位相差δ′あるいは再生装置の光学
系にビームスプリツターBS以外の原因による位
相差δ′がある場合には、 ｜θcos（Δ″＋δ＋δ′） ＋χsin（Δ″＋δ＋δ′）｜＞｜θ｜ を満足する位相差Δ″、 つまり０〜πrad.の間では、 χ／θ＞０のとき 2tan-1χ／θ＞Δ″＋δ＋δ′＞0rad. χ／θ＜０のとき πrad.＞Δ″＋δ＋δ′ ＞2tan-1χ／θ−πrad. を満足する位相差Δ″を有する位相子を設ける必
要がある。三角関数であるから、これらの不等式
のそれぞれにπrad.の整数倍を加えても引いても
解となる。その場合には、上記の式から誘導され
たΔにπrad.の整数倍を加えた又は引いた位相差
を有する位相子を使用することになる。これも本
発明の範疇である。
ここで、本発明の理解を更に助けるために、第
９図１〜４を引用して定性的な解説をしたい。
９図１〜４を引用して定性的な解説をしたい。
第９図１に示すように、磁性薄膜に入射した直
線偏光は、膜面に対して上向きの磁化を有する
微小スポツト領域に入射し、例えば、そこで反射
されると、反射光の偏光面はカー効果により＋θ
だけ回転すると共に、Ｐ成分とＳ成分との間に位
相の遅れ（カー楕円率）を生じ、そのため、反射
光は長軸の傾きが＋θの楕円偏光になり、他方、
下向きのそれに対応する反射光は、長軸の傾き
が−θの楕円偏光になる。第９図１では、カー効
果がなかつた場合の直線偏光をｘ軸上に両矢印の
ベクトルで示す。
線偏光は、膜面に対して上向きの磁化を有する
微小スポツト領域に入射し、例えば、そこで反射
されると、反射光の偏光面はカー効果により＋θ
だけ回転すると共に、Ｐ成分とＳ成分との間に位
相の遅れ（カー楕円率）を生じ、そのため、反射
光は長軸の傾きが＋θの楕円偏光になり、他方、
下向きのそれに対応する反射光は、長軸の傾き
が−θの楕円偏光になる。第９図１では、カー効
果がなかつた場合の直線偏光をｘ軸上に両矢印の
ベクトルで示す。
そうしたところ、本発明の位相子を設けると、
第９図２に示すように、反射光の楕円偏光の長軸
の傾きがθがθ′へと増加すると共に、より偏平な
楕円となる。θ′の大きさは、 θ′＝｜θcosΔ＋χsinΔ｜ で示される。
第９図２に示すように、反射光の楕円偏光の長軸
の傾きがθがθ′へと増加すると共に、より偏平な
楕円となる。θ′の大きさは、 θ′＝｜θcosΔ＋χsinΔ｜ で示される。
本発明の最良の実施態様を与える位相子つまり
Δ＝tan-1χ／θ
を満足する位相差Δを有する位相子を設けると、
第９図３に示すように、反射光は直線偏光とな
り、その傾きはθ″へと増加する。θ″の大きさは、 θ″＝√2＋2で示される。
第９図３に示すように、反射光は直線偏光とな
り、その傾きはθ″へと増加する。θ″の大きさは、 θ″＝√2＋2で示される。
第９図４は、第９図１と同３との関係を示すた
め、両者の関係をまとめたものである。
め、両者の関係をまとめたものである。
媒体からの反射光は最終的にデイテクターで電
気信号に変換されて再生信号強度Ｓを与える。
気信号に変換されて再生信号強度Ｓを与える。
そこで、最良実施態様の場合に、再生信号強度
Ｓがどれ位になるか、計算してみる。
Ｓがどれ位になるか、計算してみる。
直接法の場合
この場合は、磁性薄膜からの再生光を方位α
（α＝１／2π＋α′・｜α′｜≪１）のアナライザー
を透過させた後にデイテクターに入れる。
（α＝１／2π＋α′・｜α′｜≪１）のアナライザー
を透過させた後にデイテクターに入れる。
途中の計算を省略すると、答えは下記の通りと
なる。
なる。
Ｓ∝−４√2＋2・α′
−θ″又は＋θ″の一方の光がアナライザーを全く
透過しない暗黒条件は、 α′＝√2＋2 であるが、常法では、一方も多少透過させる条件 つまり、α′が√2＋2より大きい条件を採用して
いるので、 α′＝√2＋2・Ａ となる（Ａ＞１）。
透過しない暗黒条件は、 α′＝√2＋2 であるが、常法では、一方も多少透過させる条件 つまり、α′が√2＋2より大きい条件を採用して
いるので、 α′＝√2＋2・Ａ となる（Ａ＞１）。
従つて、
Ｓ∝−４（θ2＋χ2）Ａとなる。
45゜差動法の場合
Ｓ∝−４√2＋2である。
従つて、χを利用しない従来法に比べ、この実
施態様は、Ｓが −４√θ2＋χ2／−４√θ2＝√θ2＋χ2／θ 倍も高いことになる。
施態様は、Ｓが −４√θ2＋χ2／−４√θ2＝√θ2＋χ2／θ 倍も高いことになる。
次に、比較のために、本発明の先願に当たるフ
イリツプス社出願の特開昭59−63041号に開示さ
れた1/4λ板を、本発明の位相子の代わりに使用
した例を考えてみる。この場合、先願には具体的
開示がないが、先願の公開公報第４頁左下欄下か
ら第９〜７行に「これによつて、初めの方向には
反対に磁化する層の部分で反射する光だけが光電
検出器１２に入射する」と記載されていることか
ら、次の事項〜が誘導される。
イリツプス社出願の特開昭59−63041号に開示さ
れた1/4λ板を、本発明の位相子の代わりに使用
した例を考えてみる。この場合、先願には具体的
開示がないが、先願の公開公報第４頁左下欄下か
ら第９〜７行に「これによつて、初めの方向には
反対に磁化する層の部分で反射する光だけが光電
検出器１２に入射する」と記載されていることか
ら、次の事項〜が誘導される。
初めの方向に磁化した層の部分で反射する光
は、直線偏光になつていること。
は、直線偏光になつていること。
この直線偏光に対し、アナライザーは、直交
する方位αを持つこと。
する方位αを持つこと。
初めの方向に磁化した層の部分で反射する光
つまり楕円偏光を、に示すように、直線偏光
に変換するには、1/4λ板は、その主軸を反射
光（楕円偏光）の楕円の長軸（又は短軸）に一
致させて配置すること。
つまり楕円偏光を、に示すように、直線偏光
に変換するには、1/4λ板は、その主軸を反射
光（楕円偏光）の楕円の長軸（又は短軸）に一
致させて配置すること。
これらの事項〜から、次のように理解され
る。磁性薄膜から反射した反射光は、磁性薄膜に
磁化がない場合に比べ、反射光（偏光）の偏光面
は、＋θ又は−θ回転すると共に楕円偏光となる。
これらの楕円偏光のうち＋θの光は、1/4λ板を
透過したとき、第１０図１に示すように、傾きが
θ＋χの直線偏光となり、−θの光は、第１０図
２に示すように、傾きがθ−χで楕円率が2θの太
つた楕円偏光となる。
る。磁性薄膜から反射した反射光は、磁性薄膜に
磁化がない場合に比べ、反射光（偏光）の偏光面
は、＋θ又は−θ回転すると共に楕円偏光となる。
これらの楕円偏光のうち＋θの光は、1/4λ板を
透過したとき、第１０図１に示すように、傾きが
θ＋χの直線偏光となり、−θの光は、第１０図
２に示すように、傾きがθ−χで楕円率が2θの太
つた楕円偏光となる。
この場合の再生信号強度Ｓを計算してみる。先
願発明では、θ＋χの直線偏光に対して、直交す
る方位αを持つアナライザーを通す。この場合、
α＝１／2π＋θ＋χとなる。尚、常法は、既述
のように、αをこの値より大きくとるので、先願
発明は常法と異なる。その結果、Ｓを計算する
と、次の通りとなる。
願発明では、θ＋χの直線偏光に対して、直交す
る方位αを持つアナライザーを通す。この場合、
α＝１／2π＋θ＋χとなる。尚、常法は、既述
のように、αをこの値より大きくとるので、先願
発明は常法と異なる。その結果、Ｓを計算する
と、次の通りとなる。
Ｓ∝−４（θ2＋χ2）
この先願発明のＳ値を、本発明の上記最良実施
態様の直接法のＳ値と比べると、後者のＳ値がＡ
倍高いことが理解されよう。
態様の直接法のＳ値と比べると、後者のＳ値がＡ
倍高いことが理解されよう。
以下、実施例により本発明を説明する。
（実施例 １）
ガラス製の透明基板の上に厚さ約1000ÅのGd
−Co系磁性薄膜をスパツタリングにより形成し、
記録媒体Ｋを得る。この磁性薄膜はカー回転角θ
が約0.0087rad.（30分）でカー楕円率χが約
0.0058rad.（20分）である（入射光の波長λ＝
633nmのとき）。
−Co系磁性薄膜をスパツタリングにより形成し、
記録媒体Ｋを得る。この磁性薄膜はカー回転角θ
が約0.0087rad.（30分）でカー楕円率χが約
0.0058rad.（20分）である（入射光の波長λ＝
633nmのとき）。
一方、再生装置として第１図のイに示す如き基
本構成を有するものを用意する。つまり、レーザ
ー光源Ｌからのｐ偏光ビーム（波長λ＝633nm）
をビームスプリツターBSで反射させた後、上記
記録媒体Ｋに対し、ほぼ垂直に照射し、その反射
光をビームスプリツターBSに透過させ、その反
射光をビームスプリツターBSに透過させ、その
透過光をアナライザーＡに導き、デイテクターＤ
で受光させる装置である。
本構成を有するものを用意する。つまり、レーザ
ー光源Ｌからのｐ偏光ビーム（波長λ＝633nm）
をビームスプリツターBSで反射させた後、上記
記録媒体Ｋに対し、ほぼ垂直に照射し、その反射
光をビームスプリツターBSに透過させ、その反
射光をビームスプリツターBSに透過させ、その
透過光をアナライザーＡに導き、デイテクターＤ
で受光させる装置である。
この装置に使用したビームスプリツターBSは、
第８図に示すように屈折率1.46の溶融石英製プリ
ズム８１の斜面に、 Ｈ層：ZrO2（ｎ＝2.0）／光学膜厚0.292λ Ｌ層：MgF2（ｎ＝1.38）／光学膜厚0.377λ の２層をＨ（LH）6の順に交互に13層蒸着して８２
を形成した後、その上に同じ材質のプリズム８１
の斜面を密着させてなるものであり、ｐ偏光に対
する反射率透過率は、共にほぼ50％で、位相差
（ｐ−ｓ成分の）δはゼロである。
第８図に示すように屈折率1.46の溶融石英製プリ
ズム８１の斜面に、 Ｈ層：ZrO2（ｎ＝2.0）／光学膜厚0.292λ Ｌ層：MgF2（ｎ＝1.38）／光学膜厚0.377λ の２層をＨ（LH）6の順に交互に13層蒸着して８２
を形成した後、その上に同じ材質のプリズム８１
の斜面を密着させてなるものであり、ｐ偏光に対
する反射率透過率は、共にほぼ50％で、位相差
（ｐ−ｓ成分の）δはゼロである。
そこで、最大の再生信号強度Ｓを与える
tan-1χ／θ＝tan-10.0058／0.0087
を計算すると、0.59rad.と求められるので、位相
差Δ＝0.59rad.水晶位相子を用意する。
差Δ＝0.59rad.水晶位相子を用意する。
この位相子を第１図イのPHの位置に主軸がｐ偏
光面と一致するように設けると、設けない場合に
比べ、再生信号強度Ｓは約20％向上した。
光面と一致するように設けると、設けない場合に
比べ、再生信号強度Ｓは約20％向上した。
（実施例 ２）
ここでは、実施例１と同じθ＝約0.0087rad.
（30分）、χ＝約0.0058rad.（20分）の記録媒体Ｋ
を使用するが、再生装置は第２図にイに示す構成
を有するものを使用する。つまり、レーザー光源
Ｌからのｐ偏光ビーム（波長λ＝633nm）をビー
ムスプリツターBSを透過させた後、上記記録媒
体Ｋに対し、ほぼ垂直に照射し、その反射光をビ
ームスプリツターBSで反射させてアナライザー
Ａに導き、デイテクターＤで受光させる。
（30分）、χ＝約0.0058rad.（20分）の記録媒体Ｋ
を使用するが、再生装置は第２図にイに示す構成
を有するものを使用する。つまり、レーザー光源
Ｌからのｐ偏光ビーム（波長λ＝633nm）をビー
ムスプリツターBSを透過させた後、上記記録媒
体Ｋに対し、ほぼ垂直に照射し、その反射光をビ
ームスプリツターBSで反射させてアナライザー
Ａに導き、デイテクターＤで受光させる。
この装置に使用したビームスプリツターBSは、
第８図に示すように屈折率ｎ＝1.51のBSC7ガラ
ス製のプリズム８１の斜面に、 Ｈ層：TiO2（ｎ＝2.2）／光学膜厚0.300λ Ｌ層：SiO2（ｎ＝1.453）／光学膜厚0.384λ の２層をＨ（LH）5の順に交互に11層蒸着して８２
を形成した後、その上に同じ材質のプリズム８１
の斜面を密着させてなるものであり、ｐ偏光に対
する反射率透過率は共にほゞ50％である。そし
て、このビームスプリツターBSは位相差（ｐ−
ｓ成分の）δ＝−0.66rad.を有している。
第８図に示すように屈折率ｎ＝1.51のBSC7ガラ
ス製のプリズム８１の斜面に、 Ｈ層：TiO2（ｎ＝2.2）／光学膜厚0.300λ Ｌ層：SiO2（ｎ＝1.453）／光学膜厚0.384λ の２層をＨ（LH）5の順に交互に11層蒸着して８２
を形成した後、その上に同じ材質のプリズム８１
の斜面を密着させてなるものであり、ｐ偏光に対
する反射率透過率は共にほゞ50％である。そし
て、このビームスプリツターBSは位相差（ｐ−
ｓ成分の）δ＝−0.66rad.を有している。
ところで上記記録媒体について、最大の再生信
号強度Ｓを与えるtan-1χ／θを計算すると、その値 は0.59rad.になるから Δ′＋δ（−0.66rad.）＝0.59rad. と置いてΔ′を求めるとΔ′＝1.24rad.となる。
号強度Ｓを与えるtan-1χ／θを計算すると、その値 は0.59rad.になるから Δ′＋δ（−0.66rad.）＝0.59rad. と置いてΔ′を求めるとΔ′＝1.24rad.となる。
そこで位相差Δ′＝1.24rad.を有する位相子を入
手して、これを第２図イ図の位置に位相子の主軸
をｐ偏光の偏光方向と一致するように配設する。
手して、これを第２図イ図の位置に位相子の主軸
をｐ偏光の偏光方向と一致するように配設する。
位相子PHを設けると、設けない場合に比べ、
再生信号強度Ｓは約3.27倍に向上した。
再生信号強度Ｓは約3.27倍に向上した。
（実施例 ３）
ここでは実施例１と同じ記録媒体と実施例２と
同じ再生装置を使用するが、ビームスプリツター
BSとして、第８図に示すように屈折率ｎ＝1.51
のBSC7ガラス製のプリズム８１の斜面に、 Ｈ層：TiO2（ｎ＝2.2）／光学膜厚0.274λ Ｌ層：SiO2（ｎ＝1.453）／光学膜厚0.353λ の２層をＨ（LH）5の順に交互に11層蒸着して８２
を形成した後、その上に同じ材質のプリズム８１
の斜面を密着させて得られるビームスプリツター
を使用する。
同じ再生装置を使用するが、ビームスプリツター
BSとして、第８図に示すように屈折率ｎ＝1.51
のBSC7ガラス製のプリズム８１の斜面に、 Ｈ層：TiO2（ｎ＝2.2）／光学膜厚0.274λ Ｌ層：SiO2（ｎ＝1.453）／光学膜厚0.353λ の２層をＨ（LH）5の順に交互に11層蒸着して８２
を形成した後、その上に同じ材質のプリズム８１
の斜面を密着させて得られるビームスプリツター
を使用する。
このビームスプリツターは、ｐ偏光に対する反
射率が37％、透過率が63％で位相差（ｐ−ｓ成分
の）δ＝0.58rad.を有する。
射率が37％、透過率が63％で位相差（ｐ−ｓ成分
の）δ＝0.58rad.を有する。
このビームスプリツターを使用すると、位相差
δがゼロで同じｐ偏光に対する反射率（37％）透
過率（63％）を有するビームスプリツターを使用
した場合に比べて、再生信号強度Ｓは約20％向上
する。
δがゼロで同じｐ偏光に対する反射率（37％）透
過率（63％）を有するビームスプリツターを使用
した場合に比べて、再生信号強度Ｓは約20％向上
する。
本実施例の場合には、ビームスプリツターBS
が既にtan-1χ／θ＝tan-10.0058／0.0087＝0.59rad.に
ほぼ 等しい位相差δを有しており、位相子PHを兼用
しているので、第２図イにPHで示す位相子は設
ける必要はない。
が既にtan-1χ／θ＝tan-10.0058／0.0087＝0.59rad.に
ほぼ 等しい位相差δを有しており、位相子PHを兼用
しているので、第２図イにPHで示す位相子は設
ける必要はない。
（発明の効果）
以上の通り、本発明によれば、特定の位相子を
設けることによりこれまで利用されなかつたカー
またはフアラデー楕円率χを有効利用でき、その
結果再生信号強度Ｓを向上させることができる。
設けることによりこれまで利用されなかつたカー
またはフアラデー楕円率χを有効利用でき、その
結果再生信号強度Ｓを向上させることができる。
第１〜４図は、本発明の実施例にかかる磁気光
学再生装置の基本構成を示す説明図である。第５
〜６図は、ベクトルの説明図である。第７図は本
発明の他の実施例にかかる磁気光学再生装置の基
本構成を示す説明図である。第８図はビームスプ
リツターの断面図である。第９図及び第１０図
は、偏光の偏光状態を説明する概念図である。 主要部分の符号の説明、Ｋ：光磁気記録媒体、
Ｌ：レーザー光源、BS：ビームスプリツター、
Ａ：アナライザー、Ｄ，D1，D2：デイテクター、
PH：位相子、PBS：偏光ビームスプリツター、
DA：差動増幅器。
学再生装置の基本構成を示す説明図である。第５
〜６図は、ベクトルの説明図である。第７図は本
発明の他の実施例にかかる磁気光学再生装置の基
本構成を示す説明図である。第８図はビームスプ
リツターの断面図である。第９図及び第１０図
は、偏光の偏光状態を説明する概念図である。 主要部分の符号の説明、Ｋ：光磁気記録媒体、
Ｌ：レーザー光源、BS：ビームスプリツター、
Ａ：アナライザー、Ｄ，D1，D2：デイテクター、
PH：位相子、PBS：偏光ビームスプリツター、
DA：差動増幅器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光源Ｌからの偏光ビームを、カー回転角又は
フアラデー回転角θ（θ≠０）及びカー楕円率又
はフアラデー楕円率χを有する光磁気記録媒体Ｋ
に照射し、該媒体Ｋによりカー回転又はフアラデ
ー回転を受けた反射光又は透過光を、アナライザ
ーＡに通してデイテクターＤに受光させるか、あ
るいは偏光ビームスプリツターPBSにより２つ
の直交する偏光に分割して各々デイテクターD1，
D2に受光させる磁気光学再生装置に於いて、 該媒体Ｋと、アナライザーＡ又は偏光ビームス
プリツターPBSとの間に、 式：｜θcosΔ＋χsinΔ｜＞｜θ｜ を満足する位相差Δを有する位相子PHを、入射
偏光の方位角をゼロとし、それを基準にしたとき
の位相子の主軸方位角φが実質的にゼロになるよ
うに、設けたことを特徴とする磁気光学再生装
置。 ２ 前記磁気光学再生装置が、前記光源Ｌからの
偏光ビームを、透過光に対し位相差δを与えるビ
ームスプリツターBSで反射させた後、前記媒体
Ｋに対し、ほぼ垂直に照射し、該媒体Ｋからの反
射光を前記ビームスプリツターBSに透過させ、
この透過光を前記デイテクターＤ又はデイテクタ
ーD1，D2に受光させる磁気光学再生装置であつ
て、かつ 前記位相子PHが、 式：｜θcos（Δ′＋δ） ＋χsin（Δ′＋δ）｜＞｜θ｜ を満足する位相差Δ′を有する位相子であり、 この位相子を、前記媒体ＫとアナライザーＡ又
は偏光ビームスプリツターPBSとの間に設けた
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
気光学再生装置。 ３ 前記磁気光学再生装置が、前記光源Ｌからの
偏光ビームを、反射光に対し位相差δを与えるビ
ームスプリツターBSを透過させた後、前記媒体
Ｋに対し、ほぼ垂直に照射し、該媒体Ｋからの反
射光を前記ビームスプリツターBSで反射させ、
この反射光を前記デイテクターＤ又はデイテクタ
ーD1，D2に受光させる磁気光学再生装置であつ
て、かつ、 前記位相子PHが、 式：｜θcos（Δ′＋δ） ＋χsin（Δ′＋δ）｜＞｜θ｜ を満足する位相差Δ′を有する位相子であり、 この位相子を、前記媒体ＫとアナライザーＡ又
は偏光ビームスプリツターPBSとの間に設けた
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
気光学再生装置。 ４ 前記ビームスプリツターBSが位相子PHを兼
用しており、δが、 式：｜θcosδ＋χsinδ｜＞｜θ｜ を満足するものであることを特徴とする特許請求
の範囲第２項又は第３項記載の磁気光学再生装
置。 ５ 前記媒体Ｋの基板又は保護基板の複屈折によ
る位相差をδ′あるいは前記装置の光学系のビーム
スプリツターBS以外の原因による位相差をδ′と
するとき、 前記ビームスプリツターBSが位相子PHを兼用
しており、かつ、δが、 式：｜θcos（δ′＋δ） ＋χsin（δ′＋δ）｜＞｜θ｜ を満足するものであることを特徴とする特許請求
の範囲第２項又は第３項記載の磁気光学再生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12865383A JPS6020342A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 位相子を設けた磁気光学再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12865383A JPS6020342A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 位相子を設けた磁気光学再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020342A JPS6020342A (ja) | 1985-02-01 |
| JPH0350346B2 true JPH0350346B2 (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=14990124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12865383A Granted JPS6020342A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 位相子を設けた磁気光学再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020342A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0622070B2 (ja) * | 1983-12-29 | 1994-03-23 | オリンパス光学工業株式会社 | 光磁気ピツクアツプ装置 |
| JPS60151855A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-09 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気ピツクアツプ装置 |
| JPS61160852A (ja) * | 1984-12-30 | 1986-07-21 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気ピツクアツプ装置 |
| JPH0727454Y2 (ja) * | 1988-12-30 | 1995-06-21 | カシオ計算機株式会社 | 単色フィルタ装置 |
| US5852591A (en) * | 1994-04-23 | 1998-12-22 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium and head unit for a magneto-optical recording medium |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP12865383A patent/JPS6020342A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6020342A (ja) | 1985-02-01 |
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