JPS6035353A - 光磁気再生装置 - Google Patents
光磁気再生装置Info
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- JPS6035353A JPS6035353A JP14403183A JP14403183A JPS6035353A JP S6035353 A JPS6035353 A JP S6035353A JP 14403183 A JP14403183 A JP 14403183A JP 14403183 A JP14403183 A JP 14403183A JP S6035353 A JPS6035353 A JP S6035353A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10595—Control of operating function
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は光磁気材料上に書き込まれた情報を読め出す光
磁気再生装置に関するものである。
磁気再生装置に関するものである。
従来技術
自発磁化を持ちしかも光の透過率の大きい光磁気＋Ｊ料
を局部的に垂直方向へ磁化することにより書き込まれた
情報を、磁気光学効果を利用して読み出すようにした光
磁気再生装置が知られている。
を局部的に垂直方向へ磁化することにより書き込まれた
情報を、磁気光学効果を利用して読み出すようにした光
磁気再生装置が知られている。
一般に、斯る装置においては、直線偏光が光磁気材料の
磁化方向に入射したときにその反射光または透過光の振
動面が磁化の向きに関連して回転するカー効果またはフ
ァラデー効果が用いられることによって、光磁気材料上
に書き込まれた情報が読み出される。しかしながら、カ
ー効果またはファラデー効果による直線偏光振動面の回
転角は極めて小さく（０，３乃至Ｏ１５度程度）、光磁
気材料上に書き込まれた情報を読め取るのに際して十分
なＳ／Ｎ比が得られなかった。
磁化方向に入射したときにその反射光または透過光の振
動面が磁化の向きに関連して回転するカー効果またはフ
ァラデー効果が用いられることによって、光磁気材料上
に書き込まれた情報が読み出される。しかしながら、カ
ー効果またはファラデー効果による直線偏光振動面の回
転角は極めて小さく（０，３乃至Ｏ１５度程度）、光磁
気材料上に書き込まれた情報を読め取るのに際して十分
なＳ／Ｎ比が得られなかった。
発明の目的
本発明は以上の事情を背景として為されたものであり、
その目的とするところは、光磁気材料上に書き込まれた
情報を読み出すのに際して十分なＳ／Ｎ比が得られる光
磁気再生装置を提供することにある。
その目的とするところは、光磁気材料上に書き込まれた
情報を読み出すのに際して十分なＳ／Ｎ比が得られる光
磁気再生装置を提供することにある。
発明の構成
斯る目的を達成するため、本発明の要旨とするところは
、波長および回転方向がそれぞれ異なる二種類の円偏光
を同時に光磁気桐材上の同一場所に１１７ｑ 、Ｑｌト
するとともに、その光磁気拐料によって反射された二種
類の反射光をその波長の違いによりダーイクｌ′１イッ
クミラーで分離し、その分離された一種類の１Ｎ（射光
の光学をそれぞれ異なる検出装置で検出するとともに、
雨検出装置の出力に基づい゛（光θり気祠利十に記録さ
れた情報を読め１１口゛ようζ、ニした、二とにある。
、波長および回転方向がそれぞれ異なる二種類の円偏光
を同時に光磁気桐材上の同一場所に１１７ｑ 、Ｑｌト
するとともに、その光磁気拐料によって反射された二種
類の反射光をその波長の違いによりダーイクｌ′１イッ
クミラーで分離し、その分離された一種類の１Ｎ（射光
の光学をそれぞれ異なる検出装置で検出するとともに、
雨検出装置の出力に基づい゛（光θり気祠利十に記録さ
れた情報を読め１１口゛ようζ、ニした、二とにある。
イｒ明のリノ果
この、１、うにすれば、回転方向が異なる二種類の円偏
光が光磁気ヰ］料に照射されると、光磁気材料の照射場
所にお１ノる磁化方向の違いによってその反！１・ｊ光
ｉｌｌ光Ｍ差が大きくなる方向に変化さ・けられるとと
もに１．その反射光は波長の違いによってダイクロ・イ
ックミラーで分離されてそれぞれ異なる検出装置によっ
”（検出されるので、光磁気飼料を局部的に磁化するご
とによって書き込まれた情報かそのＰｌき込み場所から
反射された波長の異なる一種類の光量差に基づいて読み
出される際、高いＳ／Ｎ比が１Ｍられるのである。
光が光磁気ヰ］料に照射されると、光磁気材料の照射場
所にお１ノる磁化方向の違いによってその反！１・ｊ光
ｉｌｌ光Ｍ差が大きくなる方向に変化さ・けられるとと
もに１．その反射光は波長の違いによってダイクロ・イ
ックミラーで分離されてそれぞれ異なる検出装置によっ
”（検出されるので、光磁気飼料を局部的に磁化するご
とによって書き込まれた情報かそのＰｌき込み場所から
反射された波長の異なる一種類の光量差に基づいて読み
出される際、高いＳ／Ｎ比が１Ｍられるのである。
実施例
以下、本発明の一実施例を示す図面に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図において、レーザ光源１ｏおよび１２がら出力さ
れた互いに異なる波長のレーザ光は、偏光子１４および
１６において直線偏光に変換された後、光学構造体１８
の偏光ビームスプリ、ツタ部２０および２２に入射させ
られる。第２図にｉｉＹルく示ずように、偏光ビームス
プリッタ部２０および２２には光の進行方向に対して４
５°領い）こ互いに直交する方向の接合部２０ａおよび
２２ａがそれぞれ設りられており、１扁光子１４および
１６によって直線偏光に変換された光は、それぞれ接合
部２０ａおよび２２ａに対するＰ偏光およびＳ偏光に近
いやや傾いた直線偏光とされているので、偏光子１４に
よって変換された直線偏光は殆ど接合部２０ａを通過さ
−Ｕられるが、一部が反射されてホトダイオード２４に
よって受光される。また、偏光子１６によって変換され
た直線偏光は接合部２２ａによって殆ど反射されるが、
一部が通過させられてホトダイオード２６によって受け
られる。
れた互いに異なる波長のレーザ光は、偏光子１４および
１６において直線偏光に変換された後、光学構造体１８
の偏光ビームスプリ、ツタ部２０および２２に入射させ
られる。第２図にｉｉＹルく示ずように、偏光ビームス
プリッタ部２０および２２には光の進行方向に対して４
５°領い）こ互いに直交する方向の接合部２０ａおよび
２２ａがそれぞれ設りられており、１扁光子１４および
１６によって直線偏光に変換された光は、それぞれ接合
部２０ａおよび２２ａに対するＰ偏光およびＳ偏光に近
いやや傾いた直線偏光とされているので、偏光子１４に
よって変換された直線偏光は殆ど接合部２０ａを通過さ
−Ｕられるが、一部が反射されてホトダイオード２４に
よって受光される。また、偏光子１６によって変換され
た直線偏光は接合部２２ａによって殆ど反射されるが、
一部が通過させられてホトダイオード２６によって受け
られる。
上記偏光ビームスプリンタ部２ｏおよび２２は偏光フィ
ルタの一種であってそれ等の接合部２゜ａおよび２２ａ
に対するＰ偏光（入射面内の振動面をイ１する直線偏光
）を通過させるが、Ｓ偏光（入射面に直角な振動面を有
する直線偏光）を反射するものである。前記光学構造体
１８には、接合部２２ａに平行なミラー面を有するダイ
クロイックミラ一部２８が備えられている。ダイクロイ
ックミラ一部２８のミラー面２８ａば、レーザ光源１（
）の波１並を含む一定の領域の光を効率良く通過さ−ｌ
るが、レーザ光源１２の波長を含む他の領域の光を反射
する性質を備えており、接合部２０ａを通過したレーザ
光源１ （ｌがらの直線（１））偏光はミラー面２８ａ
を通過さ・ｌられた後、光学構造体１８に設りられた１
／４波長板３ｏ、および対物レンズ３２を経て光磁気デ
ィスク３４に入射さ・υられる。一方、接合部２２ａに
ょゲζ反射されたレーザ光源１２がらの直線（Ｓ）偏光
はミラー面２８ａによって反射させられた後、１／４波
長板３０および対物レンズ３２を経て光磁気ディスク３
４上の同一場所に入射さセられる。ここで、１／４波長
板３０は光線の進行方向に対して直交する面内において
偏光ビームスブリック部２ｏがらのＰ偏光の振動方向に
対して光学軸が４５°伸いて配置されており、そのＰ偏
光を円偏光に変換して通過させる。逆に、Ｓ偏光はその
円偏光に対して逆廻りの円偏光に変換して透過さ−ｌる
。円偏光はその電気ベクトルが進行方向に刻して右廻り
のものと左廻りのものと二種類存在するものであり、１
／４波長板３０においては一定方向から見て、右廻りあ
るいは左廻りの円偏光がそれぞれ、たとえばＰ偏光ある
いはＳ偏光に変換され、一方、Ｐ偏光あるいはＳ偏光は
それぞれ左廻りあるいは右廻りの円偏光に変換されるよ
うになっている。
ルタの一種であってそれ等の接合部２゜ａおよび２２ａ
に対するＰ偏光（入射面内の振動面をイ１する直線偏光
）を通過させるが、Ｓ偏光（入射面に直角な振動面を有
する直線偏光）を反射するものである。前記光学構造体
１８には、接合部２２ａに平行なミラー面を有するダイ
クロイックミラ一部２８が備えられている。ダイクロイ
ックミラ一部２８のミラー面２８ａば、レーザ光源１（
）の波１並を含む一定の領域の光を効率良く通過さ−ｌ
るが、レーザ光源１２の波長を含む他の領域の光を反射
する性質を備えており、接合部２０ａを通過したレーザ
光源１ （ｌがらの直線（１））偏光はミラー面２８ａ
を通過さ・ｌられた後、光学構造体１８に設りられた１
／４波長板３ｏ、および対物レンズ３２を経て光磁気デ
ィスク３４に入射さ・υられる。一方、接合部２２ａに
ょゲζ反射されたレーザ光源１２がらの直線（Ｓ）偏光
はミラー面２８ａによって反射させられた後、１／４波
長板３０および対物レンズ３２を経て光磁気ディスク３
４上の同一場所に入射さセられる。ここで、１／４波長
板３０は光線の進行方向に対して直交する面内において
偏光ビームスブリック部２ｏがらのＰ偏光の振動方向に
対して光学軸が４５°伸いて配置されており、そのＰ偏
光を円偏光に変換して通過させる。逆に、Ｓ偏光はその
円偏光に対して逆廻りの円偏光に変換して透過さ−ｌる
。円偏光はその電気ベクトルが進行方向に刻して右廻り
のものと左廻りのものと二種類存在するものであり、１
／４波長板３０においては一定方向から見て、右廻りあ
るいは左廻りの円偏光がそれぞれ、たとえばＰ偏光ある
いはＳ偏光に変換され、一方、Ｐ偏光あるいはＳ偏光は
それぞれ左廻りあるいは右廻りの円偏光に変換されるよ
うになっている。
なお、対物レンス３２は上記二種類の円偏光を光磁気デ
ィスク３４上の同一場所に微小スポットとじて垂直に入
射させるものである。
ィスク３４上の同一場所に微小スポットとじて垂直に入
射させるものである。
光磁気ディスク３４は、たとえば第３図に示す、１−う
に、数百人の光磁気材木４３６がガラス基板３８とアル
ミ反射膜４０とによって挟まれた多層構造によって構成
されている。光磁気材料３６としては、非晶質のＧｄＴ
ｂＦｅ、 ＴｂＦＥ、 ＧｄＣｏ、多結晶のＭｎＣｕ１
ｌｉＪｌ結晶のＴｂＦｅ０３１ガ一ネツト等磁化の存在
下では（＝Ｊ加的な光学異方性が生じる物質が用いられ
、その面に対して垂直方向に磁化されることにより情報
が店き込まれる。なお、ガラス基板３８は光磁気材料３
６を支持し且つ保護するものであってアクリル樹脂等の
透光性の優れた樹脂であっても１スいのである。また、
アルミ反射膜４０は光磁気＋、４料３６による反射光量
を増大させるためのものであるから、多少の反射光量の
低下が許容されれば他の誘電体層であっても良いのであ
る。
に、数百人の光磁気材木４３６がガラス基板３８とアル
ミ反射膜４０とによって挟まれた多層構造によって構成
されている。光磁気材料３６としては、非晶質のＧｄＴ
ｂＦｅ、 ＴｂＦＥ、 ＧｄＣｏ、多結晶のＭｎＣｕ１
ｌｉＪｌ結晶のＴｂＦｅ０３１ガ一ネツト等磁化の存在
下では（＝Ｊ加的な光学異方性が生じる物質が用いられ
、その面に対して垂直方向に磁化されることにより情報
が店き込まれる。なお、ガラス基板３８は光磁気材料３
６を支持し且つ保護するものであってアクリル樹脂等の
透光性の優れた樹脂であっても１スいのである。また、
アルミ反射膜４０は光磁気＋、４料３６による反射光量
を増大させるためのものであるから、多少の反射光量の
低下が許容されれば他の誘電体層であっても良いのであ
る。
１１；１記光研気デイスク３４から反射された反射光は
、それ・＼の入射光と同様に進行方向に幻して右廻りの
円偏光および左廻りの円偏光が存在するが、１／４波長
板３０から見れば入射光に対して反射光Ｃ才逆廻りの円
偏光となる。このため、光磁気ディスク３４で反射され
た円偏光が１／４波長板３０によって直線偏光に変換さ
れるときは、入射光路におけるＰ偏光がＳ偏光に、入射
光路におけるＳ偏光がＰ偏光に変換される。この結果、
ｌ／−ザ光源１０に基づく光磁気ディスク３４からの反
射光（円偏光）は１ ／ ４ ｔ＆長板３０によってＳ
偏光に変換させられた後、グイクロイックミラ一部２８
を通過させられて、偏光ビームスプリッタ部２０に到達
し、その接合部２２ａによって反射さゼられ、反射光量
の検出装置であるボ１−ダイオード４２によって受光さ
れる。同様に、レーザ光源１２に基づく光磁気ディスク
３４からの反射光（円偏光）は１／４波長板３２によっ
て）〕偏光に変換さ−Ｕられた後、ダイクロインクミラ
一部２Ｂによって反射させられるとともに偏光ビームス
プリンタ部２２の接合部２２ａを通過さ七られで、反射
光量の検出装置であるホトダイオード４４によって受光
される。前記ホトダイオード２４，２６゜４２．４４は
その受光量（光の強度）を検出するものであって、入射
された光の光量に応した電気信号を出力するものである
。
、それ・＼の入射光と同様に進行方向に幻して右廻りの
円偏光および左廻りの円偏光が存在するが、１／４波長
板３０から見れば入射光に対して反射光Ｃ才逆廻りの円
偏光となる。このため、光磁気ディスク３４で反射され
た円偏光が１／４波長板３０によって直線偏光に変換さ
れるときは、入射光路におけるＰ偏光がＳ偏光に、入射
光路におけるＳ偏光がＰ偏光に変換される。この結果、
ｌ／−ザ光源１０に基づく光磁気ディスク３４からの反
射光（円偏光）は１ ／ ４ ｔ＆長板３０によってＳ
偏光に変換させられた後、グイクロイックミラ一部２８
を通過させられて、偏光ビームスプリッタ部２０に到達
し、その接合部２２ａによって反射さゼられ、反射光量
の検出装置であるボ１−ダイオード４２によって受光さ
れる。同様に、レーザ光源１２に基づく光磁気ディスク
３４からの反射光（円偏光）は１／４波長板３２によっ
て）〕偏光に変換さ−Ｕられた後、ダイクロインクミラ
一部２Ｂによって反射させられるとともに偏光ビームス
プリンタ部２２の接合部２２ａを通過さ七られで、反射
光量の検出装置であるホトダイオード４４によって受光
される。前記ホトダイオード２４，２６゜４２．４４は
その受光量（光の強度）を検出するものであって、入射
された光の光量に応した電気信号を出力するものである
。
レーザ先高ｔ ｉ ｏの出力光量を検出するためのホト
ダイオード２４の出力信号およびレーザ光源１０に基づ
く光磁気ディスク３４からの反射光量を受光するボトダ
イオード４２の出力信号はそれぞれ差動増幅器４６に供
給されるとともに、レーザ光源１２の出力光量を検出す
るためのホトダイオ−１２６の出力信号およびレーザ光
源１２に基づく光磁気ディスク３４からの反射光量を受
光するホトダイオード４４の出力信号はそれぞれ差１ｌ
ｔｌＪ増＋１’ｉｉ器４８に供給される。差動増幅器４
６および４８ｔ１１、ボトダイオード４２および４４の
出力信号からレーザ光源ＩＯおよびＩ２の出力光量の変
動分をそれぞれ差し引いた量を増幅して、出力信号を差
動増幅器５０にそれぞれ供給する。
ダイオード２４の出力信号およびレーザ光源１０に基づ
く光磁気ディスク３４からの反射光量を受光するボトダ
イオード４２の出力信号はそれぞれ差動増幅器４６に供
給されるとともに、レーザ光源１２の出力光量を検出す
るためのホトダイオ−１２６の出力信号およびレーザ光
源１２に基づく光磁気ディスク３４からの反射光量を受
光するホトダイオード４４の出力信号はそれぞれ差１ｌ
ｔｌＪ増＋１’ｉｉ器４８に供給される。差動増幅器４
６および４８ｔ１１、ボトダイオード４２および４４の
出力信号からレーザ光源ＩＯおよびＩ２の出力光量の変
動分をそれぞれ差し引いた量を増幅して、出力信号を差
動増幅器５０にそれぞれ供給する。
以上のように構成された光磁気再生装置によれば、光磁
気ディスク３４の光磁気材料３６の磁化方向に対応した
光量の反射光がホトダイオード４２および４４によって
受けられ、しかもそれ等ホトダイオード４２および４４
によって受けられる光量が光磁気材料３６の同一磁化方
向に対して、逆方向に増減するので、差動増幅器５０か
ら出力される信号は光磁気材料３６の一磁化方向に対す
る変化量が大きく得られ、高いＳ／Ｎ比が得られるので
ある。したがって、光磁気材料３６に書き込まれた情報
が極めて低い誤り率にで正確に読み出され得るのである
。
気ディスク３４の光磁気材料３６の磁化方向に対応した
光量の反射光がホトダイオード４２および４４によって
受けられ、しかもそれ等ホトダイオード４２および４４
によって受けられる光量が光磁気材料３６の同一磁化方
向に対して、逆方向に増減するので、差動増幅器５０か
ら出力される信号は光磁気材料３６の一磁化方向に対す
る変化量が大きく得られ、高いＳ／Ｎ比が得られるので
ある。したがって、光磁気材料３６に書き込まれた情報
が極めて低い誤り率にで正確に読み出され得るのである
。
以下、ホトダイオード４２および４４に光磁気材料３６
の磁化方向の相違に対応して逆方向に増減する光量の反
射光が入射さ−Ｕられる点について説明する。
の磁化方向の相違に対応して逆方向に増減する光量の反
射光が入射さ−Ｕられる点について説明する。
一般に、電磁波の進行方向が光磁気材料３６の磁化の方
向と平行であるときには所謂ファラデー配置に相当する
から、光の固有モードは正、立垂つの円偏光Ｅや、Ｅ、
（電気ベクトルが右廻りの円偏光および左廻りの円偏光
）であり、光磁気材料３６のそれ等円偏光に対する（複
素）屈折率ｎ÷は次式（１１で表される。
向と平行であるときには所謂ファラデー配置に相当する
から、光の固有モードは正、立垂つの円偏光Ｅや、Ｅ、
（電気ベクトルが右廻りの円偏光および左廻りの円偏光
）であり、光磁気材料３６のそれ等円偏光に対する（複
素）屈折率ｎ÷は次式（１１で表される。
”； ２−（ｎ２ ＋ ｉｋ、）２−８よ±ｊε’ （
１１但し、ｎ、は屈折率、ｋ士は減衰係数である。ε工
は光磁気材料の誘電率テンソルの対角成分（ｘｘ、ｙｙ
酸成分であり、ε′は非対角成分（ｘｙ酸成分である。
１１但し、ｎ、は屈折率、ｋ士は減衰係数である。ε工
は光磁気材料の誘電率テンソルの対角成分（ｘｘ、ｙｙ
酸成分であり、ε′は非対角成分（ｘｙ酸成分である。
ｉは複素数である。
上式（１）における士の符号は、光磁気材料の磁化方向
に対応するものであり、円偏光の入射条件が同しでも光
磁気材料３６内の磁化方向が逆であれば士の符号を逆と
すれば良い。したがって、層状の光磁気材料２２からの
振幅反射率ｒ１は次式（２）％式％ ）） （２） 上記δ′は多重反射による位相項で、光磁気材料２２の
厚さをｄ、光源の波長をλとずれば、δ“−４πｎｏｄ
／λ ゛（表されるものである。また、ｒ５＋ ｒ２１はフレ
ネルの反射係数と呼ばれるもので、 ｒ Ｎ−（ｎ ！ ｎ ｑ ） ／ （ｎ １ ＋ ｎ
卆）ｒ八−（ｎ； ｎ ３ ） ／ （ｎ２ ４− ｎ
３ ）により表わされるものである。
に対応するものであり、円偏光の入射条件が同しでも光
磁気材料３６内の磁化方向が逆であれば士の符号を逆と
すれば良い。したがって、層状の光磁気材料２２からの
振幅反射率ｒ１は次式（２）％式％ ）） （２） 上記δ′は多重反射による位相項で、光磁気材料２２の
厚さをｄ、光源の波長をλとずれば、δ“−４πｎｏｄ
／λ ゛（表されるものである。また、ｒ５＋ ｒ２１はフレ
ネルの反射係数と呼ばれるもので、 ｒ Ｎ−（ｎ ！ ｎ ｑ ） ／ （ｎ １ ＋ ｎ
卆）ｒ八−（ｎ； ｎ ３ ） ／ （ｎ２ ４− ｎ
３ ）により表わされるものである。
したがって、（２）式からｎ′＋による振幅反射率ｒ゛
とｎ二による振幅反射率ｒ−とは互いに異なるものであ
ることが明らかであり、右廻りの円偏光を光磁気材料の
磁化方向に平行に同様に入射さセたときの反射光量と左
廻りの円偏光を入射させたときの反射光量とが異なる。
とｎ二による振幅反射率ｒ−とは互いに異なるものであ
ることが明らかであり、右廻りの円偏光を光磁気材料の
磁化方向に平行に同様に入射さセたときの反射光量と左
廻りの円偏光を入射させたときの反射光量とが異なる。
換言すれば、右廻りまたは左廻りの一定回転方向の円偏
光を入射し続けたとき、光磁気材料の磁化の向きに応し
て反射光量が二種類に変化することになり、その反射光
量の変化に基づいて、光磁気材料３６を局部的に磁化す
ることにより書き込まれた信号（情報）が検出されるの
である。なお、第４図は、光磁気材料３６の磁化方向が
上記反射光量を変化させることを示すために、上記方法
によって実験的に確認された光磁気材料３６の磁化曲線
である。
光を入射し続けたとき、光磁気材料の磁化の向きに応し
て反射光量が二種類に変化することになり、その反射光
量の変化に基づいて、光磁気材料３６を局部的に磁化す
ることにより書き込まれた信号（情報）が検出されるの
である。なお、第４図は、光磁気材料３６の磁化方向が
上記反射光量を変化させることを示すために、上記方法
によって実験的に確認された光磁気材料３６の磁化曲線
である。
ここで、光磁気材料３６上の同一場所にはレーザ光源Ｉ
Ｏおよび１２に基づく二種類の逆廻りの円偏光が入射さ
せられるが、前記（２）式からそれぞれの反射光は光磁
気材料３６の同一の磁化方向に対して光量が逆方向に変
化することになるので、ホトダイオード４２および４４
から出力される電気信号はそれぞれ逆方向に変化する。
Ｏおよび１２に基づく二種類の逆廻りの円偏光が入射さ
せられるが、前記（２）式からそれぞれの反射光は光磁
気材料３６の同一の磁化方向に対して光量が逆方向に変
化することになるので、ホトダイオード４２および４４
から出力される電気信号はそれぞれ逆方向に変化する。
したがって、差動増幅器４６および４８によってレーザ
光源１０およびＩ２の出力光量の変動分が差し引かれた
後のボ］・ダイオード４２および４４の出力信号は光磁
気材料３６の磁化方向が異なる毎に信号差が大きくなる
方向に変化するので、差動増幅器５０から出力される電
気信号において高いＳ／Ｎ比が得られるのである。
光源１０およびＩ２の出力光量の変動分が差し引かれた
後のボ］・ダイオード４２および４４の出力信号は光磁
気材料３６の磁化方向が異なる毎に信号差が大きくなる
方向に変化するので、差動増幅器５０から出力される電
気信号において高いＳ／Ｎ比が得られるのである。
このように、本実施例によれば、光磁気材料３〔ｊ上の
同一場所からの波長の異なる２種類の反射光がホトダイ
オード４２および４４によって検出されるとき、それ等
の反射光量が光磁気材料３６のＩＦｉＪ−磁化方向に対
して逆方向に変化させられているので、それ等ホトダイ
オード４２および４４の出力信月差によって光磁気材料
３６に書き込まれた情報が検出されるに際して高いＳ／
Ｎ比が得られるとともに情報が一層正確に読み出され得
るのである。
同一場所からの波長の異なる２種類の反射光がホトダイ
オード４２および４４によって検出されるとき、それ等
の反射光量が光磁気材料３６のＩＦｉＪ−磁化方向に対
して逆方向に変化させられているので、それ等ホトダイ
オード４２および４４の出力信月差によって光磁気材料
３６に書き込まれた情報が検出されるに際して高いＳ／
Ｎ比が得られるとともに情報が一層正確に読み出され得
るのである。
また、本実施例によれば、差動増幅器４６および４８に
おいて、ホトダイオード４２および４４の出力信号と、
レーザ光源１０および１２の出力光量の変動を表すホト
ダイオード２４および２６の出力信号との差にもとづい
て増幅されるので、作動増幅器５０に供給される各信号
から電源のドリフトやレーザ光源１０．１２の特性の変
動に起因するノイズが除去されて一層高いＳ／Ｎ比が得
られる利点がある。
おいて、ホトダイオード４２および４４の出力信号と、
レーザ光源１０および１２の出力光量の変動を表すホト
ダイオード２４および２６の出力信号との差にもとづい
て増幅されるので、作動増幅器５０に供給される各信号
から電源のドリフトやレーザ光源１０．１２の特性の変
動に起因するノイズが除去されて一層高いＳ／Ｎ比が得
られる利点がある。
さらに、本実施例によれば、光磁気材料３６の垂直磁化
方向に対応した反射光量の変化が、ホトダイオード４２
および４４によって検出されることにより、光磁気ディ
スク３４に居き込まれた情報が再生されるので、従来の
光磁気再生装置に比較して、反射または透過によって振
動面が僅かに回転直線偏光の振動面の回転を検出するだ
めの高価なアナライザ（検光装置）等が不要となり、装
置が簡単且つ安価に構成されるのである。
方向に対応した反射光量の変化が、ホトダイオード４２
および４４によって検出されることにより、光磁気ディ
スク３４に居き込まれた情報が再生されるので、従来の
光磁気再生装置に比較して、反射または透過によって振
動面が僅かに回転直線偏光の振動面の回転を検出するだ
めの高価なアナライザ（検光装置）等が不要となり、装
置が簡単且つ安価に構成されるのである。
次に、本発明の他の実施例を説明する。なお、以下の説
明において前述の実施例と共通する部分には同一の符号
を付して説明を省略する。
明において前述の実施例と共通する部分には同一の符号
を付して説明を省略する。
第５図に示すように、前述の実施例における光学構造体
１８に設けられた１／４波長板３ｏの代わりに、１／４
波長板５２および５４が偏光ビームスプリッタ部２０と
ダイクロイックミラ一部２Ｂとの間および偏光ビームス
プリッタ部２２とダイクロイックミラ一部２８との間に
それぞれ設けられている。本実施例によれば、前述の実
施例と同様なリノ果が得られるのに加えて、前述の実施
例の１／４波長板３０がレーザ光源１ｏおよび１２のそ
れぞれの波長に対して１／４波長ずらずように作成され
ねばならないのに対し、本実施例のｌ／４波長板５２お
よび５４がレーザ光源１ｏおよび１２の出力光の波長の
みに対してそれぞれ１／４波長ずらずように製作されれ
ば良いので、１／４波長板５２および５４の製作が容易
となる利点がある。
１８に設けられた１／４波長板３ｏの代わりに、１／４
波長板５２および５４が偏光ビームスプリッタ部２０と
ダイクロイックミラ一部２Ｂとの間および偏光ビームス
プリッタ部２２とダイクロイックミラ一部２８との間に
それぞれ設けられている。本実施例によれば、前述の実
施例と同様なリノ果が得られるのに加えて、前述の実施
例の１／４波長板３０がレーザ光源１ｏおよび１２のそ
れぞれの波長に対して１／４波長ずらずように作成され
ねばならないのに対し、本実施例のｌ／４波長板５２お
よび５４がレーザ光源１ｏおよび１２の出力光の波長の
みに対してそれぞれ１／４波長ずらずように製作されれ
ば良いので、１／４波長板５２および５４の製作が容易
となる利点がある。
第６図は、本発明が適用された光磁気再生装置を用いて
信号を読み出す際の最適な光磁気ディスク３４の断面構
造を示す一例である。ずなわぢ、光磁気材料３６は表面
反射防止用誘電体膜５６と誘電体膜５８との間に挟まれ
ており、それ等が反射用金属板であるア月べ基板６０十
、に固着されている。誘電体膜５６および５８はＳｉ０
２およびＳｉＯであってそれぞれ１１００人および１８
００人の膜厚である。また、光磁気月相３６は膜厚が１
２５人のＧｄＴｂＦｅであって、次式（３）の如くの屈
折率ｎ ′を備えたものである。
信号を読み出す際の最適な光磁気ディスク３４の断面構
造を示す一例である。ずなわぢ、光磁気材料３６は表面
反射防止用誘電体膜５６と誘電体膜５８との間に挟まれ
ており、それ等が反射用金属板であるア月べ基板６０十
、に固着されている。誘電体膜５６および５８はＳｉ０
２およびＳｉＯであってそれぞれ１１００人および１８
００人の膜厚である。また、光磁気月相３６は膜厚が１
２５人のＧｄＴｂＦｅであって、次式（３）の如くの屈
折率ｎ ′を備えたものである。
ｎ ’ ＝ （２，３−３，Ｏｉ ）±（０，０２５−
〇、（ｌｌｉ ）−−（３１ 本発明者の実験によれば、」二記構成の光磁気ディスク
１８を用いると光磁気Ｈ料３Ｇの磁化方向の変化に応じ
て約１％の反射率差（（ｌｒ＋２１−ｌ ｒ”” ｌ）
ｘｌｏｏ ） 、換言すれば約３％の反射率比率（（
ｌｒ＋２ｌ−ｌｒ−２１）／ｌｒ＋２１ｘｌｏＯ）が得
られた。なお、上記のように多重反射を利用するとき高
効率をめようとすると、光磁気材料２２を挟む誘電体層
の屈折率は現実には得られない値が要求されるが、上記
第９図の光磁気ディスク１８の構造において最終膜構成
として光磁気ヰ」料２２の下層に誘電体膜４６およびア
ルミ基板４８（金属反射膜）を用いると、多重反射に最
適の仮想屈折率が得られるのである。
〇、（ｌｌｉ ）−−（３１ 本発明者の実験によれば、」二記構成の光磁気ディスク
１８を用いると光磁気Ｈ料３Ｇの磁化方向の変化に応じ
て約１％の反射率差（（ｌｒ＋２１−ｌ ｒ”” ｌ）
ｘｌｏｏ ） 、換言すれば約３％の反射率比率（（
ｌｒ＋２ｌ−ｌｒ−２１）／ｌｒ＋２１ｘｌｏＯ）が得
られた。なお、上記のように多重反射を利用するとき高
効率をめようとすると、光磁気材料２２を挟む誘電体層
の屈折率は現実には得られない値が要求されるが、上記
第９図の光磁気ディスク１８の構造において最終膜構成
として光磁気ヰ」料２２の下層に誘電体膜４６およびア
ルミ基板４８（金属反射膜）を用いると、多重反射に最
適の仮想屈折率が得られるのである。
以−Ｆ、本発明の一実施例を示す図面に基づいてｉｆ′
ｆ細に説明したが、本発明はその他の態様においても適
用されるものである。
ｆ細に説明したが、本発明はその他の態様においても適
用されるものである。
たとえば、レーザ光源１０および１２はレーザ光源のめ
ならず他の単色光源であっても良く、またレーザ光源１
（ｌおよび１２が外部共振器型レー号′光源、半導体
レーザ光源等のように直線偏光を出力するものにあって
は、偏光子１４および１６が不要となる。
ならず他の単色光源であっても良く、またレーザ光源１
（ｌおよび１２が外部共振器型レー号′光源、半導体
レーザ光源等のように直線偏光を出力するものにあって
は、偏光子１４および１６が不要となる。
また、第１図において、レンズ、ミラー等の光学４；子
が、レーザ光源１０．１２と光学構造体１８との間、各
ボトダイオード２４．，２６，４２゜４４との間等にお
いて必要に応じて適宜用いられろものである。
が、レーザ光源１０．１２と光学構造体１８との間、各
ボトダイオード２４．，２６，４２゜４４との間等にお
いて必要に応じて適宜用いられろものである。
前述の実施例においては、円盤状の光磁気ディスク３４
が用いられているが、その形状はドラム状またはテープ
状であっても同等差支えないのである。
が用いられているが、その形状はドラム状またはテープ
状であっても同等差支えないのである。
また、１／４波長板３０，５２．５４の代わりにフレネ
ルの菱面体等の１／４λの位相差を（＝Ｊ与グする素子
が用いられても良いのである。
ルの菱面体等の１／４λの位相差を（＝Ｊ与グする素子
が用いられても良いのである。
また、反射光量を検出するためにボ１〜ダイオードが珀
いられているが、光電子倍増管とその他の光量検出素子
が用いられても良いことは言うまでもない。
いられているが、光電子倍増管とその他の光量検出素子
が用いられても良いことは言うまでもない。
また、第１図の実施例において、レーザ光源１０および
１２の出力光量の変動をモニタ（キャンセル）するため
にホトダイオード２４．２６や差動増幅器４６．４８が
設けられているが、ポ１−ダイオード４２および４４の
出力信号が直接差動増幅器５０に入力させられていても
本発明の効果が十分得られるのである。
１２の出力光量の変動をモニタ（キャンセル）するため
にホトダイオード２４．２６や差動増幅器４６．４８が
設けられているが、ポ１−ダイオード４２および４４の
出力信号が直接差動増幅器５０に入力させられていても
本発明の効果が十分得られるのである。
なお、上述したのはあくまでも本発明の一実施例であり
、本発明はその精神を逸脱しない範囲において種々変更
が加えられ得るものである。
、本発明はその精神を逸脱しない範囲において種々変更
が加えられ得るものである。
第１図は本発明が適用された光磁気再生装置の一例を示
す構成図である。第２図は第１図の光学構造体の要部を
示す図である。第３図は第１図の光磁気ディスクの要部
断面部である。第４図は第１図の装置を用いて実験的に
検出した光磁気材料の磁化曲線を示す図である。第５図
は本発明の他の実施例を示す第２図に相当する図である
。第６図は光磁気ディスクの他の構成例を示す部分断面
部である。 ２８：ダイクロイソクミラ一部 ３６：光磁気月料 ４２．４４：ホトダイオード（検出装置）出願人 ブラ
ザー工業株式会社 第３図 第４図 第６図
す構成図である。第２図は第１図の光学構造体の要部を
示す図である。第３図は第１図の光磁気ディスクの要部
断面部である。第４図は第１図の装置を用いて実験的に
検出した光磁気材料の磁化曲線を示す図である。第５図
は本発明の他の実施例を示す第２図に相当する図である
。第６図は光磁気ディスクの他の構成例を示す部分断面
部である。 ２８：ダイクロイソクミラ一部 ３６：光磁気月料 ４２．４４：ホトダイオード（検出装置）出願人 ブラ
ザー工業株式会社 第３図 第４図 第６図
Claims (1)
- 波長および回転方向がそれぞれ異なる二種類の円偏光を
同時に光磁気材料上の同一場所に照射するとともに、そ
の光磁気材料によって反射された二種耕の反射光をその
波長の違いによりダイクロイックミラーで分離し、その
分離された二種類の反射光の光量をそれぞれ異なる検出
装置で検出するとともに雨検出装置の出力に基づいて前
記光磁気ＪｔＡ別］−に記録された情報を読み出すよう
にしたことを特徴とする光磁気再生装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14403183A JPS6035353A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | 光磁気再生装置 |
| EP84305355A EP0156058A3 (en) | 1983-08-06 | 1984-08-06 | Magneto-optical reading apparatus |
| US06/816,999 US5007021A (en) | 1983-08-06 | 1986-01-09 | Magneto-optical data reading apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14403183A JPS6035353A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | 光磁気再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035353A true JPS6035353A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15352714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14403183A Pending JPS6035353A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | 光磁気再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035353A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250548A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | デイスクプレイヤ |
| KR100447149B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2004-11-06 | 엘지전자 주식회사 | 이종광디스크용광픽업장치 |
-
1983
- 1983-08-06 JP JP14403183A patent/JPS6035353A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250548A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | デイスクプレイヤ |
| KR100447149B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2004-11-06 | 엘지전자 주식회사 | 이종광디스크용광픽업장치 |
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