JPS61237241A - 光磁気記録再生装置 - Google Patents
光磁気記録再生装置Info
- Publication number
- JPS61237241A JPS61237241A JP60076625A JP7662585A JPS61237241A JP S61237241 A JPS61237241 A JP S61237241A JP 60076625 A JP60076625 A JP 60076625A JP 7662585 A JP7662585 A JP 7662585A JP S61237241 A JPS61237241 A JP S61237241A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- angle
- light beam
- thin plate
- reflected light
- optical
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気光学的カー効果を利用した光磁気記録再
生装置に関する。
生装置に関する。
磁気光学的カー効果（以下、カー効果と略称する）を用
いた光磁気記録再生装置とは、カー回転角を利用する方
式である。カー回転角を利用する方式とは入射光ビーム
が記録膜で反射する際の反射光ビームの偏光の回転を検
出するものである。
いた光磁気記録再生装置とは、カー回転角を利用する方
式である。カー回転角を利用する方式とは入射光ビーム
が記録膜で反射する際の反射光ビームの偏光の回転を検
出するものである。
同方式の原理図を第５図に示す、同図は、再生時レーザ
ー光源からの偏光光ビームが記録媒体表面の記録膜上で
受ける変化についての説明図である。同図において記録
媒体への入射光ビームは■。
ー光源からの偏光光ビームが記録媒体表面の記録膜上で
受ける変化についての説明図である。同図において記録
媒体への入射光ビームは■。
で示される強度をもった偏光光ビームである。
この光ビームは記録膜で反射する際、該記録膜の磁化方
向により入射光ビームより＋０１．−０１の方向に回転
した強度！の光ビームとなって反射される。この各々の
反射光ビームを＋！、−■とすると、入射光ビームと反
射光ビームとの偏光の回転は０重であり、この角度θ、
をカー回転角、この現象をカー現象と称している。
向により入射光ビームより＋０１．−０１の方向に回転
した強度！の光ビームとなって反射される。この各々の
反射光ビームを＋！、−■とすると、入射光ビームと反
射光ビームとの偏光の回転は０重であり、この角度θ、
をカー回転角、この現象をカー現象と称している。
上記カー回転角を利用した記録再生装置の概念図を第４
図に示す、第４図において、光磁気記録再生装置は、レ
ーザー光源１と、コリメートレンズ系２と、ビームスプ
リッタ３と、対物レンズ４と、検光子６と、検出素子７
とからなり、レーザー光源ｌからの光ビームをコリメー
トレンズ系２、ビームスプリッタ３および対物レンズ４
を介して記録媒体５に照射し、この反射光ビームを該ビ
ームスプリッタ３に入射させて検出光学系へ分岐させ検
出素子７に導くように構成されている。
図に示す、第４図において、光磁気記録再生装置は、レ
ーザー光源１と、コリメートレンズ系２と、ビームスプ
リッタ３と、対物レンズ４と、検光子６と、検出素子７
とからなり、レーザー光源ｌからの光ビームをコリメー
トレンズ系２、ビームスプリッタ３および対物レンズ４
を介して記録媒体５に照射し、この反射光ビームを該ビ
ームスプリッタ３に入射させて検出光学系へ分岐させ検
出素子７に導くように構成されている。
レーザー光源１としては、偏光光を出射できる光源、例
えば半導体レーザーが用いられる。この半導体レーザー
を光源とする出射光は、コリメートレンズ系２で波形整
形を施され平行光ビームにされた後、ビームスプリッタ
３および対物レンズ４を通って、記録媒体５の記録膜上
に焦点を結ぶようにされている。記録媒体５の記録膜は
磁性膜であって、この磁性膜において、任意の垂直磁化
が行なわれていると、照射された光ビームはカー効果に
より照射部の磁化の状態に応じて偏光面が回転して反射
される。記録する場合には、レーザー光源１の出射光パ
ワーを記録膜の温度がキューリ一点以上となる値にして
、さらに図示しないバイアス磁界発生装置を作動させる
ことによって行なう。
えば半導体レーザーが用いられる。この半導体レーザー
を光源とする出射光は、コリメートレンズ系２で波形整
形を施され平行光ビームにされた後、ビームスプリッタ
３および対物レンズ４を通って、記録媒体５の記録膜上
に焦点を結ぶようにされている。記録媒体５の記録膜は
磁性膜であって、この磁性膜において、任意の垂直磁化
が行なわれていると、照射された光ビームはカー効果に
より照射部の磁化の状態に応じて偏光面が回転して反射
される。記録する場合には、レーザー光源１の出射光パ
ワーを記録膜の温度がキューリ一点以上となる値にして
、さらに図示しないバイアス磁界発生装置を作動させる
ことによって行なう。
再生時には、上記反射光ビームを対物レンズ４およびビ
ームスプリッタ３を通し、反射光ビームを検出光学系に
分岐させる。ビームスプリッタ３で分岐された反射光ビ
ームは、検光子６を通過させることで特定方向に偏光し
た光ビームのみが検出素子７に入射し、検出素子７によ
り光信号が電気信号に変換され、ここから所定の情報処
理装置に電気信号が入力されるようになっている。
ームスプリッタ３を通し、反射光ビームを検出光学系に
分岐させる。ビームスプリッタ３で分岐された反射光ビ
ームは、検光子６を通過させることで特定方向に偏光し
た光ビームのみが検出素子７に入射し、検出素子７によ
り光信号が電気信号に変換され、ここから所定の情報処
理装置に電気信号が入力されるようになっている。
ところで、現在研究開発が進められている光磁気記録媒
体において、上記カー現象に伴なって検出できるカー回
転角は０．２〜０．３度と非常に小さなもので、この微
小な回転角を上記のような装置で情報信号として検出し
ても感度が低く、Ｓ／Ｎが悪いという問題があった。
体において、上記カー現象に伴なって検出できるカー回
転角は０．２〜０．３度と非常に小さなもので、この微
小な回転角を上記のような装置で情報信号として検出し
ても感度が低く、Ｓ／Ｎが悪いという問題があった。
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので
、その目的は、検出感度が高く、Ｓ／Ｎが良い光磁気記
録再生装置を提供することにある。
、その目的は、検出感度が高く、Ｓ／Ｎが良い光磁気記
録再生装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、光源からコリメー
トレンズ系を通じて形成された平行光ビームを、ビーム
スプリッタと対物レンズを介して記録媒体の記録膜上に
照射し、記録膜上で反射した反射ビームをビームスプリ
ッタまで戻し、このビームスプリッタにおいて検出光を
検出光学系方向へ分岐させて検光子を介して検出素子に
導びき、該記録面においてカー回転した偏光を検出して
電気信号に変換する光磁気記録再生装置において、前記
ビームスプリッタと検光子との光路間に光学的等方性を
有する材料により形成された薄板を、該反射光ビームと
この反射光ビームの入射面の法線とのなす角がブリュー
スタ角となるように配設した構成にしてあり、これによ
り見掛は上のカー回転角を増加せしめ、検出感度とＳ／
Ｎを向上せしめたことに特徴がある。
トレンズ系を通じて形成された平行光ビームを、ビーム
スプリッタと対物レンズを介して記録媒体の記録膜上に
照射し、記録膜上で反射した反射ビームをビームスプリ
ッタまで戻し、このビームスプリッタにおいて検出光を
検出光学系方向へ分岐させて検光子を介して検出素子に
導びき、該記録面においてカー回転した偏光を検出して
電気信号に変換する光磁気記録再生装置において、前記
ビームスプリッタと検光子との光路間に光学的等方性を
有する材料により形成された薄板を、該反射光ビームと
この反射光ビームの入射面の法線とのなす角がブリュー
スタ角となるように配設した構成にしてあり、これによ
り見掛は上のカー回転角を増加せしめ、検出感度とＳ／
Ｎを向上せしめたことに特徴がある。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図に本実施例に係る光磁気記録再生装置の概念図を
示す、以下の説明において、従来例と同一の構成要素に
は同一の符号を付しである。第１図において、光磁気記
録再生装置の光ビームの入射系は、レーザー光源１とコ
リメートレンズ系２と、ビームスプリッタ３と、対物レ
ンズ４とがら従来例と同様に構成されている０反射光ビ
ームのカー回転角を検出する検出光学系は、ビームスプ
リッタ３から分岐された反射光ビームの光路上に配設さ
れた薄板８と、検光子６と、検出素子７とからなってい
る。
示す、以下の説明において、従来例と同一の構成要素に
は同一の符号を付しである。第１図において、光磁気記
録再生装置の光ビームの入射系は、レーザー光源１とコ
リメートレンズ系２と、ビームスプリッタ３と、対物レ
ンズ４とがら従来例と同様に構成されている０反射光ビ
ームのカー回転角を検出する検出光学系は、ビームスプ
リッタ３から分岐された反射光ビームの光路上に配設さ
れた薄板８と、検光子６と、検出素子７とからなってい
る。
この検出光学系に配設された薄板８は、光学的等方性材
料からなり、ビームスプリッタ３によって分岐され検出
光学系に射出される反射光ビームと該薄板８の入射面の
法線とのなす角（入射角）がブリュースタ角１ｍとなる
ように１噴けられている。ブリュースタ角とは、後述す
るが、Ｐ偏光の場合のエネルギ反射率が零となる角度で
ある。
料からなり、ビームスプリッタ３によって分岐され検出
光学系に射出される反射光ビームと該薄板８の入射面の
法線とのなす角（入射角）がブリュースタ角１ｍとなる
ように１噴けられている。ブリュースタ角とは、後述す
るが、Ｐ偏光の場合のエネルギ反射率が零となる角度で
ある。
上記構成の光磁気記録再生装置の原理について述べる。
第３図に光ビームの入射角ｌとその光ビームが材料に対
しＳ偏光である場合のエネルギ反射率Ｒ８およびＰ偏光
である場合のエネルギ反射率Ｒ，の各々についての入射
角とエネルギ反射率の関係を示す、同図において、Ｒｐ
−０となる角度、すなわちＰ偏光の場合のエネルギ反射
率Ｒ２が零となる入射角を上記ブリュースタ角ｉ１と呼
んでいる。
しＳ偏光である場合のエネルギ反射率Ｒ８およびＰ偏光
である場合のエネルギ反射率Ｒ，の各々についての入射
角とエネルギ反射率の関係を示す、同図において、Ｒｐ
−０となる角度、すなわちＰ偏光の場合のエネルギ反射
率Ｒ２が零となる入射角を上記ブリュースタ角ｉ１と呼
んでいる。
ところで、Ｓ、Ｐ各個光に対するエネルギ透過率Ｔｌ
、ＴＰと、エネルギ反射率Ｒｓ、ＲＰとはそれぞれ Ｒｓ ＋Ｔｓ ＝ １． ＲＰ ＋ＴＰ−１の関係があ
る。したがって、もしも入射角をブリュースタ角１．に
して光ビームを入射させると、Ｐ偏光のエネルギ透過率
は、 Ｔ Ｐ −１ となる。
、ＴＰと、エネルギ反射率Ｒｓ、ＲＰとはそれぞれ Ｒｓ ＋Ｔｓ ＝ １． ＲＰ ＋ＴＰ−１の関係があ
る。したがって、もしも入射角をブリュースタ角１．に
して光ビームを入射させると、Ｐ偏光のエネルギ透過率
は、 Ｔ Ｐ −１ となる。
そこで、検出光路内に入射角をブリュースタ角１１に設
定した光学的等方性材料からなる薄板８を設置し、さら
に、そのときの入射面に対し、記録媒体５よりの反射光
がほぼＳ偏向となるように光学系を組む、すると、光ビ
ーム８が該薄板８を通過する際、Ｓ偏光成分は、’ｒ、
（−１−Ｒｓ）で決まる割合だけ強度が小さくなる。ま
た、Ｐ偏光成分は薄板８がブリュースタ角１．に設定さ
れていることによりＴ、−１となり、その強度は変化し
ない、第２図はこの関係を概念的に示したもので、同図
の場合、レーザー光１１１１より出射された光ビームが
記録媒体５によりカー効果を受けずに反射し、検出光学
系へと戻った場合の偏光方向、すなわち第５図における
！０方向がＳ偏光となるように系を設定しである。薄板
８を透過することにより、反射光＋１．−１は各々＋ｘ
’、−ｘ’となるが、この時に見掛は上のカー回転角が
各々＋θに、−〇、より＋θ、′、−θ、′かつ、１θ
Ｋ １〈１θｒ’ｌとなり、角度が増加する効果を生じ
る。
定した光学的等方性材料からなる薄板８を設置し、さら
に、そのときの入射面に対し、記録媒体５よりの反射光
がほぼＳ偏向となるように光学系を組む、すると、光ビ
ーム８が該薄板８を通過する際、Ｓ偏光成分は、’ｒ、
（−１−Ｒｓ）で決まる割合だけ強度が小さくなる。ま
た、Ｐ偏光成分は薄板８がブリュースタ角１．に設定さ
れていることによりＴ、−１となり、その強度は変化し
ない、第２図はこの関係を概念的に示したもので、同図
の場合、レーザー光１１１１より出射された光ビームが
記録媒体５によりカー効果を受けずに反射し、検出光学
系へと戻った場合の偏光方向、すなわち第５図における
！０方向がＳ偏光となるように系を設定しである。薄板
８を透過することにより、反射光＋１．−１は各々＋ｘ
’、−ｘ’となるが、この時に見掛は上のカー回転角が
各々＋θに、−〇、より＋θ、′、−θ、′かつ、１θ
Ｋ １〈１θｒ’ｌとなり、角度が増加する効果を生じ
る。
なお、ここでは薄板８の少なくとも一面である入射面が
ブリュースタ角１．になるように設定しているが、より
望ましくは光学的等方性材料によりブリュースタ角ｉ１
に設定された平行平面薄板あるいは平行平面薄膜および
平行平面薄板や平行平面薄膜の複合体で形成したほうが
よい。
ブリュースタ角１．になるように設定しているが、より
望ましくは光学的等方性材料によりブリュースタ角ｉ１
に設定された平行平面薄板あるいは平行平面薄膜および
平行平面薄板や平行平面薄膜の複合体で形成したほうが
よい。
次に、薄板８の実例を挙げて、本実施例の作用効果につ
いて説明する。
いて説明する。
薄板８の屈折率をｎとすると、ブリュースタ角１、での
エネルギ透過率は、フレネルの式より、Ｔ３ ＝４ｎ”
／ （１＋ｎ” ）” 、ＴＰ ＝１で、該薄板８を
平行平面薄板であると仮定すると、多重反射を考慮して
、 Ｔｓ ＝２ｎ” ／ （１＋ｎ’ ）、Ｔｐ −１−＝
−−（１１となる。
エネルギ透過率は、フレネルの式より、Ｔ３ ＝４ｎ”
／ （１＋ｎ” ）” 、ＴＰ ＝１で、該薄板８を
平行平面薄板であると仮定すると、多重反射を考慮して
、 Ｔｓ ＝２ｎ” ／ （１＋ｎ’ ）、Ｔｐ −１−＝
−−（１１となる。
例えば、従来例で示した記録膜から反射する反射光ビー
ムの強度をｌ Ｉ ｌ−１，カー回転角を０１−０．３
度とし、半導体レーザー（λ−７８０ｎｍ）を光源ｌと
して用い、さらに薄板８が５Ｆ１３の光学ガラスからな
る平行平面ガラスである場合には、λ−７８０ｎｍで５
Ｆ１３の屈折率がｎｍ ｌ。７２であるので、（１）よ
りＴｓ−０，６０７゜ ＴＰ−１ となり、第２図より １１’ｌ−１’ −（（Ｔｌ Ｘ Ｉｃｏａθ１）１ −１− （Ｔ、 Ｘ ｌ５ｌｎθＫ）”）■θｔ ’
＝ｓｉｎ−’ （１／ Ｉ ’ Ｘ５ｉｎθ１）であ
るから、 １’−０，６０７１ θ×’ −０，４９４’２１．６５θＫ（’、’θに−
０，３’″）また、Ｓ／ＮｏｃＪＴθやであることから
、ＪＴ”−θ式′調１．２９１７−ａ。
ムの強度をｌ Ｉ ｌ−１，カー回転角を０１−０．３
度とし、半導体レーザー（λ−７８０ｎｍ）を光源ｌと
して用い、さらに薄板８が５Ｆ１３の光学ガラスからな
る平行平面ガラスである場合には、λ−７８０ｎｍで５
Ｆ１３の屈折率がｎｍ ｌ。７２であるので、（１）よ
りＴｓ−０，６０７゜ ＴＰ−１ となり、第２図より １１’ｌ−１’ −（（Ｔｌ Ｘ Ｉｃｏａθ１）１ −１− （Ｔ、 Ｘ ｌ５ｌｎθＫ）”）■θｔ ’
＝ｓｉｎ−’ （１／ Ｉ ’ Ｘ５ｉｎθ１）であ
るから、 １’−０，６０７１ θ×’ −０，４９４’２１．６５θＫ（’、’θに−
０，３’″）また、Ｓ／ＮｏｃＪＴθやであることから
、ＪＴ”−θ式′調１．２９１７−ａ。
となる。
したがって、見掛は上のカー回転角は１．６５倍となり
、Ｓ／Ｎも１．２９倍となって、検出感度の向上が望め
るとともにＳ／Ｎも向上している。
、Ｓ／Ｎも１．２９倍となって、検出感度の向上が望め
るとともにＳ／Ｎも向上している。
他の例として硫化ヒ素（Ａ３ｍ５ｓ）を用いた例を示す
、Ａｓ、Ｓ３の場合、λ−７８０ｎｍ付近にて、屈折率
がｒｌ −２，５であるので、（１１より’ｒｓ −０
，３１２゜ Ｔ、−１ となる、上記と同様にして計算すると １’−０，３１２１ θ、’−Ｇ、９６２°ｚ３．２１θ。
、Ａｓ、Ｓ３の場合、λ−７８０ｎｍ付近にて、屈折率
がｒｌ −２，５であるので、（１１より’ｒｓ −０
，３１２゜ Ｔ、−１ となる、上記と同様にして計算すると １’−０，３１２１ θ、’−Ｇ、９６２°ｚ３．２１θ。
また、
ｓ／ＮｏＪ”’Ｖ’θｇ’−１．７９ｆ「０厘となる。
したがって、この例の場合、見掛は上のカー回転角は、
３．２１倍、Ｓ／Ｎは１．７９倍になり、前例よりもさ
らにＳ／Ｎが向上しているのがわかる。
３．２１倍、Ｓ／Ｎは１．７９倍になり、前例よりもさ
らにＳ／Ｎが向上しているのがわかる。
以上のように、本発明によれば、検出光学系の光路中に
光学的等方性材料からなる薄板を、反射光ビームと該薄
板の入射面の法線とのなす角がブリュースタ角となるよ
うに配設することにより、光磁気記録再生装置の検出感
度とＳ／Ｎを向上させることができる。
光学的等方性材料からなる薄板を、反射光ビームと該薄
板の入射面の法線とのなす角がブリュースタ角となるよ
うに配設することにより、光磁気記録再生装置の検出感
度とＳ／Ｎを向上させることができる。
第１図ないル第３図は本発明に係る実施例を説明するた
めのもので、第１図は光磁気記録再生装置の概念図、第
２図は反射光ビームの見掛は上のカー回転の様子を示す
説明図、第３図は光ビームの入射角とエネルギ反射率の
関係を示すグラフ、第４図および第５図は従来の光磁気
記録再生装置を説明するためのもので、第４図は光磁気
記録再生装置の概念図、第５図はカー回転の様子を示す
説明図である。 １・・・・光源、２・・・・コリメートレンズ系、３・
・・・ビームスプリッタ、４・・・・対物レンズ、５・
・・・記録媒体、６・・・・検光子、７・・・・検出素
子、８・・・・薄板。 第１８ り 第２ｆｇ 第３図 ／、、 ／ （ｄｅｆ） 第４図 り 第５図
めのもので、第１図は光磁気記録再生装置の概念図、第
２図は反射光ビームの見掛は上のカー回転の様子を示す
説明図、第３図は光ビームの入射角とエネルギ反射率の
関係を示すグラフ、第４図および第５図は従来の光磁気
記録再生装置を説明するためのもので、第４図は光磁気
記録再生装置の概念図、第５図はカー回転の様子を示す
説明図である。 １・・・・光源、２・・・・コリメートレンズ系、３・
・・・ビームスプリッタ、４・・・・対物レンズ、５・
・・・記録媒体、６・・・・検光子、７・・・・検出素
子、８・・・・薄板。 第１８ り 第２ｆｇ 第３図 ／、、 ／ （ｄｅｆ） 第４図 り 第５図
Claims (1)
- 光源からコリメートレンズ系を通して形成された平行光
ビームを、ビームスプリッタおよび対物レンズを介して
記録媒体に照射し、記録媒体からの反射光ビームを対物
レンズを介して該ビームスプリッタに導き、さらにビー
ムスプリッタにより反射光を分岐して検光子に導き、こ
の検光子に導入された光ビームをさらに検出素子に導い
て、該検出素子から出力を得る光磁気記録再生装置にお
いて、該ビームスプリッタと検光子間の光路上に、光学
的等方性材料からなる薄板を、反射光ビームの入射方向
と該薄板の入射面の法線との間でなす反射光ビームの入
射角がブリユースタ角となるように配設したことを特徴
とする光磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60076625A JPS61237241A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 光磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60076625A JPS61237241A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 光磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61237241A true JPS61237241A (ja) | 1986-10-22 |
Family
ID=13610540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60076625A Pending JPS61237241A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 光磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61237241A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63229645A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク装置 |
| JPS63244346A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク装置 |
| EP0420694A2 (en) * | 1989-09-29 | 1991-04-03 | International Business Machines Corporation | Magneto-optical storage system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196640A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Olympus Optical Co Ltd | 磁気光学記録再生装置 |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP60076625A patent/JPS61237241A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196640A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Olympus Optical Co Ltd | 磁気光学記録再生装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63229645A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク装置 |
| JPS63244346A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク装置 |
| EP0420694A2 (en) * | 1989-09-29 | 1991-04-03 | International Business Machines Corporation | Magneto-optical storage system |
| JPH03120645A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気光学的記憶装置における光学的な遷移を検出する検出装置 |
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