JPS59171056A - 磁気光学再生装置 - Google Patents
磁気光学再生装置Info
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- JPS59171056A JPS59171056A JP4559683A JP4559683A JPS59171056A JP S59171056 A JPS59171056 A JP S59171056A JP 4559683 A JP4559683 A JP 4559683A JP 4559683 A JP4559683 A JP 4559683A JP S59171056 A JPS59171056 A JP S59171056A
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- Japan
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- light
- polarized light
- beam splitter
- magneto
- recording medium
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は再生のみに使用されるか又は記録及び消去も可
能な磁気光学再生装置に関する。更に詳しくは、いずれ
の場合にせよ、本発明はビームスプリッタ−を改良する
ことにより再生信号強度を向上させた磁気光学再生装置
に関する。
能な磁気光学再生装置に関する。更に詳しくは、いずれ
の場合にせよ、本発明はビームスプリッタ−を改良する
ことにより再生信号強度を向上させた磁気光学再生装置
に関する。
（発明の背景）
磁気光学記録媒体は、例えばＧｄＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ
のよう−な垂直磁化膜を主体とするもので、この垂直磁
化膜の磁化の方向を一旦上向きか下向きのいずれかに揃
えておき、記録したい部分にレーザー光線を照射して、
その部分の温度を例えば磁性材料のキュリ一点以上に加
熱することにより、元の磁化方向を自由に解放し、同時
に反対向きの弱い磁場をその部分に印加することで、そ
の部分の磁化方向を膜の磁化方向とは反対向きにし、そ
の上でレーザー光線の照射を止めて、その反対向きの磁
化を固定する。これにより仮に膜の磁化方向を０とし、
反対方向を１とすれば、レーザー光線の照射は０．１の
デジタル信号の１として記録されることになる。
のよう−な垂直磁化膜を主体とするもので、この垂直磁
化膜の磁化の方向を一旦上向きか下向きのいずれかに揃
えておき、記録したい部分にレーザー光線を照射して、
その部分の温度を例えば磁性材料のキュリ一点以上に加
熱することにより、元の磁化方向を自由に解放し、同時
に反対向きの弱い磁場をその部分に印加することで、そ
の部分の磁化方向を膜の磁化方向とは反対向きにし、そ
の上でレーザー光線の照射を止めて、その反対向きの磁
化を固定する。これにより仮に膜の磁化方向を０とし、
反対方向を１とすれば、レーザー光線の照射は０．１の
デジタル信号の１として記録されることになる。
こうして記録された磁化膜の磁化方向の相違つまり、上
向き、下向きは、直線偏光を照射して、その反射光又は
透過光の偏光面のｍｌ転状況が磁化の向きによって相違
する現象（磁気カー効果又は磁気ファラデー効果）を利
用して読み取られる。
向き、下向きは、直線偏光を照射して、その反射光又は
透過光の偏光面のｍｌ転状況が磁化の向きによって相違
する現象（磁気カー効果又は磁気ファラデー効果）を利
用して読み取られる。
つまり、入射光に対して磁化の向きが上向きのとき、反
射光又は透過光の偏光面が入射光の偏光面に対してθに
度回転したとすると、入射光に対して磁化の向きが下向
きのときは一部に度回転する。従って、反射光又は透過
光の先に偏光子（アナライザーとも呼ばれる）の主軸を
−θに変面にほぼ直交するように置いておくと、下向き
磁化の部分からの光はアナライザーをほとんど透過せず
、上向きの磁化の部分からの光は由２θＫを乗じた分た
け透過するので、アナライザーの先にディテクター（光
電変換素子）を設置しておけば、記録媒体を高速でスキ
ャンニングして行くと、記録されプこ磁化状態に基づい
て電流の強弱信号として再生される。
射光又は透過光の偏光面が入射光の偏光面に対してθに
度回転したとすると、入射光に対して磁化の向きが下向
きのときは一部に度回転する。従って、反射光又は透過
光の先に偏光子（アナライザーとも呼ばれる）の主軸を
−θに変面にほぼ直交するように置いておくと、下向き
磁化の部分からの光はアナライザーをほとんど透過せず
、上向きの磁化の部分からの光は由２θＫを乗じた分た
け透過するので、アナライザーの先にディテクター（光
電変換素子）を設置しておけば、記録媒体を高速でスキ
ャンニングして行くと、記録されプこ磁化状態に基づい
て電流の強弱信号として再生される。
しかしながら、現実にはθにの大きい磁性材料が乏しく
、再生信号の強度（出力電流の強弱の差）は小さく、Ｓ
／／Ｎ比は小さいのが現状である。
、再生信号の強度（出力電流の強弱の差）は小さく、Ｓ
／／Ｎ比は小さいのが現状である。
（発明の目的）
従って、本発明の目的は磁性利料以外の再生装置の改良
によって再生信号強度つまるところＳハ比を向上させる
ことにある。
によって再生信号強度つまるところＳハ比を向上させる
ことにある。
（発明の概要）
以上述べたような原理、に基づく再生装置を磁気光学再
生装置と言うが、この装置は例えば第１図に示す如き基
本構成を有する。つまり、レーザー光源（１）かラノ偏
光をビームスプリッタ−（２）で進行方向を９０度曲げ
た後、記録媒体（３）にほぼ垂直に照射し、その反射光
を再びビームスプリッタ−（２）を通してアナライザー
（４）に通し、その透過光を光電変換素子のようなディ
テクター（５）で受光させる。
生装置と言うが、この装置は例えば第１図に示す如き基
本構成を有する。つまり、レーザー光源（１）かラノ偏
光をビームスプリッタ−（２）で進行方向を９０度曲げ
た後、記録媒体（３）にほぼ垂直に照射し、その反射光
を再びビームスプリッタ−（２）を通してアナライザー
（４）に通し、その透過光を光電変換素子のようなディ
テクター（５）で受光させる。
それに対して、ビームスプリッタ−（２）の代りに偏光
ビームスプリッタ−を用い、アナライザー（４）を使用
せずに偏光ビームスプリッタ−と記録媒体との間にファ
ラデーローチーターを使用するタイプの磁気光学再生装
置もある（％開昭５７−１１１８４３ ）ｎここに使用
される偏光ビームスプリンターは、前記ビームスプリッ
タ−（２）とは全く異なるもので、偏光ビームスプリッ
タ−（薄膜型あるいはトムソンプリズム型など）は入射
光を一部透過させ、残りを反射するが、その際透過光の
偏光面が入射面内に牟るとき、反射光の偏光面は入射面
に対し直／ 交するか、又はその逆に透過光の偏光面が入射面に対し
直交しているとき、反射光の偏光面は入射面内にあると
いう作用を有するのに対して、ビームスプリンターは同
じように入射光を一部透過させ、残りを反射するが、そ
の際、反射光も透過光も共に入射面内成分とそれに直交
する成分の両方の偏光成分を持つという作用を有する。
ビームスプリッタ−を用い、アナライザー（４）を使用
せずに偏光ビームスプリッタ−と記録媒体との間にファ
ラデーローチーターを使用するタイプの磁気光学再生装
置もある（％開昭５７−１１１８４３ ）ｎここに使用
される偏光ビームスプリンターは、前記ビームスプリッ
タ−（２）とは全く異なるもので、偏光ビームスプリッ
タ−（薄膜型あるいはトムソンプリズム型など）は入射
光を一部透過させ、残りを反射するが、その際透過光の
偏光面が入射面内に牟るとき、反射光の偏光面は入射面
に対し直／ 交するか、又はその逆に透過光の偏光面が入射面に対し
直交しているとき、反射光の偏光面は入射面内にあると
いう作用を有するのに対して、ビームスプリンターは同
じように入射光を一部透過させ、残りを反射するが、そ
の際、反射光も透過光も共に入射面内成分とそれに直交
する成分の両方の偏光成分を持つという作用を有する。
このように本明細書に於いても、偏光ビームスプリンタ
ーとビームスプリシタ−とは、区別して使用される。
ーとビームスプリシタ−とは、区別して使用される。
従って、前記特開昭５７−１１１８４３号に開示された
再生装置では、例えば光源からのｐ偏光を偏光ビ−ムス
プリッター（以下、ＰＢＳと略称する）で反射させ、こ
の際ＰＢＳにＳ偏光を入射させ名と１００４ｓ偏光が反
射され、この反射光が記録媒体に照射されると、その媒
体からの反射光は、カー回転（＋θＫ又は−〇Ｋ）を受
け、（カー回転角は０．３〜０．５度と小さいので僅か
ではあるが）ｐ偏光成分を持つので、再びＰＢＳに入射
すると、今度はＳ偏光は透過せず、ｐ偏光成分のみ透過
し、透過したｐ偏光成分がディテクターで受光される。
再生装置では、例えば光源からのｐ偏光を偏光ビ−ムス
プリッター（以下、ＰＢＳと略称する）で反射させ、こ
の際ＰＢＳにＳ偏光を入射させ名と１００４ｓ偏光が反
射され、この反射光が記録媒体に照射されると、その媒
体からの反射光は、カー回転（＋θＫ又は−〇Ｋ）を受
け、（カー回転角は０．３〜０．５度と小さいので僅か
ではあるが）ｐ偏光成分を持つので、再びＰＢＳに入射
すると、今度はＳ偏光は透過せず、ｐ偏光成分のみ透過
し、透過したｐ偏光成分がディテクターで受光される。
しかしながら、これでは磁化の上向き、下向きに応じて
カー回転がＳ偏光の偏光面に対して＋θにと−０に生じ
るだけでＰＢＳを透過するｐ成分の大きさは全く同じで
あるからディテクターの受光量は変化しない。
カー回転がＳ偏光の偏光面に対して＋θにと−０に生じ
るだけでＰＢＳを透過するｐ成分の大きさは全く同じで
あるからディテクターの受光量は変化しない。
従って、記録が読み取れないことがら、ＰＢｓと媒体と
の間にファラデーローチーターを挿入し、媒体の反射光
の偏光面を全体に０〜９００の間で回転させる。そうす
ると、＋θにの場合と、−〇にとの場合ではｐ成分の大
きさが異なって来るので、今度はディテクターで受ける
光量□が変化し、記録の読み取りが可能になる。
の間にファラデーローチーターを挿入し、媒体の反射光
の偏光面を全体に０〜９００の間で回転させる。そうす
ると、＋θにの場合と、−〇にとの場合ではｐ成分の大
きさが異なって来るので、今度はディテクターで受ける
光量□が変化し、記録の読み取りが可能になる。
しかしながら、ファラデーローデー ターは、（イ）フ
ァラデーガラスの周囲に永久磁石又は空心コイルを配置
したタイプにせよ、（ロ）ＹＩＧのようなファラデー効
果の大きな結晶板の周囲に永久磁石を配置したタイプに
せよ、磁気光学再生装置に使用するのは今のところ実用
上無理である。例数ならば前者（イ）は重量及び体積の
点でピックアンプ・に取り付けられるＰＢＳと媒体との
間に挿入することは無理で、後者（ロ）は多少コンパク
トになるものの、結晶成長により製作されるだめ高価で
あり、しかも光の吸収があるため、ただでさえ少ない再
生信号強度を低下させる欠点があ゛す、同様に無理であ
る。
ァラデーガラスの周囲に永久磁石又は空心コイルを配置
したタイプにせよ、（ロ）ＹＩＧのようなファラデー効
果の大きな結晶板の周囲に永久磁石を配置したタイプに
せよ、磁気光学再生装置に使用するのは今のところ実用
上無理である。例数ならば前者（イ）は重量及び体積の
点でピックアンプ・に取り付けられるＰＢＳと媒体との
間に挿入することは無理で、後者（ロ）は多少コンパク
トになるものの、結晶成長により製作されるだめ高価で
あり、しかも光の吸収があるため、ただでさえ少ない再
生信号強度を低下させる欠点があ゛す、同様に無理であ
る。
従って、磁気光学再生装置としては、ＰＢＳを使用しな
い第１図に示す如き構成のものが実用的である。
い第１図に示す如き構成のものが実用的である。
第１図に於いて光源（１）からの偏光をＳ偏光、その偏
光のビームスプリッタ−（２）への入射時の光強度をＩ
ｓ ■、ビームスプリッタ−（２）のＳ偏光反射率をＲ
ｓとすると、ビームスプリッタ−（２）の反射光強度は
ｌ５ＩＸＲ１１ｉで表わされる。しかし、これが記録媒
体（３）に達するまでには対物レンズ（７）等の透過効
率が１でないためにある程度減衰する。従って、透過効
率をηとすると、記録媒体（３）に照射される光強度（
Ｉ）は、 Ｉ ＝ηＸＩｓ＋ＸＲ８ で表わされるが、ηは通常０．９５程度であることと、
計算の展開の簡単のために省略して Ｉ ＝ Ｉｓ＋ ｘ Ｒｓ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・（式１）％式％ 一方、偏光の回転状況について考えてみると、今、記録
媒体（３）に入射する光ベクトルを第２図に於いてベク
トル昌で表わす。ベクトル晶は、媒体（３）で反射され
ると、カー回転を受けてその照射部分の磁化の向きに応
じてベクトルな１又は江、に変化する。
光のビームスプリッタ−（２）への入射時の光強度をＩ
ｓ ■、ビームスプリッタ−（２）のＳ偏光反射率をＲ
ｓとすると、ビームスプリッタ−（２）の反射光強度は
ｌ５ＩＸＲ１１ｉで表わされる。しかし、これが記録媒
体（３）に達するまでには対物レンズ（７）等の透過効
率が１でないためにある程度減衰する。従って、透過効
率をηとすると、記録媒体（３）に照射される光強度（
Ｉ）は、 Ｉ ＝ηＸＩｓ＋ＸＲ８ で表わされるが、ηは通常０．９５程度であることと、
計算の展開の簡単のために省略して Ｉ ＝ Ｉｓ＋ ｘ Ｒｓ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・（式１）％式％ 一方、偏光の回転状況について考えてみると、今、記録
媒体（３）に入射する光ベクトルを第２図に於いてベク
トル昌で表わす。ベクトル晶は、媒体（３）で反射され
ると、カー回転を受けてその照射部分の磁化の向きに応
じてベクトルな１又は江、に変化する。
更にこれらのベクトルよ又はす、は、ビームスプリッタ
−（２）のＳ偏光及びｐ偏光に対する透過率Ｔｓ、 Ｔ
ｐの相違（相違があると仮定する）から、見掛上更に回
転を受けてベクトル計１′又はイ、′に変アナライザー
（３）の主軸（第２図Ａ軸）をｐ方向に対しθ度傾けて
おくと、′ディテクター（５）に受光される偏光は、ベ
クトル蒲、′又はす、′のＡ軸に対する写影ベクトル晶
１又は晶、で表わされる。従って、ディテクター（５）
の再生信号強度（Ｓ）は、光強ｉが光ベクトルの２乗で
表わされることから、（晶、 、、 、＝、 ）、に
比例することになる。
−（２）のＳ偏光及びｐ偏光に対する透過率Ｔｓ、 Ｔ
ｐの相違（相違があると仮定する）から、見掛上更に回
転を受けてベクトル計１′又はイ、′に変アナライザー
（３）の主軸（第２図Ａ軸）をｐ方向に対しθ度傾けて
おくと、′ディテクター（５）に受光される偏光は、ベ
クトル蒲、′又はす、′のＡ軸に対する写影ベクトル晶
１又は晶、で表わされる。従って、ディテクター（５）
の再生信号強度（Ｓ）は、光強ｉが光ベクトルの２乗で
表わされることから、（晶、 、、 、＝、 ）、に
比例することになる。
ＯＭ、は第２図から明らかなようにＯＫ、’Ｘ０ＯＳ
（２−θ−θに／ ）で表わされ、ＯＭ、はＯＫ、’Ｘ
房（ｌ−θｌ−θに／ ）で表わされるから、 ＳＱＺ（ｏＭ、）’ −（ｏｇ）”−（ｏＫ＜ Ｘｃｏ
ｓ（−ｚ−θ−θに’））’−（ＯＫ、’ Ｘ邸（ｉ−
θ＋θに’））’ となる。
（２−θ−θに／ ）で表わされ、ＯＭ、はＯＫ、’Ｘ
房（ｌ−θｌ−θに／ ）で表わされるから、 ＳＱＺ（ｏＭ、）’ −（ｏｇ）”−（ｏＫ＜ Ｘｃｏ
ｓ（−ｚ−θ−θに’））’−（ＯＫ、’ Ｘ邸（ｉ−
θ＋θに’））’ となる。
ところで、（ＯＫ、’）”−（ＯＫ４′）Ｉであるから
、Ｓ ＣＸ−（ＯＫＩ’）’ Ｘ （ｃｏｓ’ （−−
θ−θに’） ｎ’（−一〇−θに′））２ となり、 Ｓ ｔｘ （ＯＫ、’）’ Ｘ （−５ｉｎ ２θ）
・２ｔｈθＫ”ＣＱＳθに／ 、、、 、、・（式２）
と展開される。
、Ｓ ＣＸ−（ＯＫＩ’）’ Ｘ （ｃｏｓ’ （−−
θ−θに’） ｎ’（−一〇−θに′））２ となり、 Ｓ ｔｘ （ＯＫ、’）’ Ｘ （−５ｉｎ ２θ）
・２ｔｈθＫ”ＣＱＳθに／ 、、、 、、・（式２）
と展開される。
ここに於いて、ｓｉｎθに′は第２図を簡単にした第３
図から明らかなように、ｓＩｎθに／ ＝＝ ｙ／／
ＯＫ＋’で表わされ、（ト）θに′は房θに’ ＝ ｘ
’ １０Ｋ、’で表わされる。
図から明らかなように、ｓＩｎθに／ ＝＝ ｙ／／
ＯＫ＋’で表わされ、（ト）θに′は房θに’ ＝ ｘ
’ １０Ｋ、’で表わされる。
ところでベクトルＯＫ、のＯＫ１′への変化は、ビーム
スプリッタ＝（２）の透過によってもたらされるのであ
るから、第３図に於いて靜、のＩ）成分ベクトルに等し
い長さを有するｙと縄１′のｐ成分ベクトルに等（〜い
長さを有するｙ′とは、 （ｙＴ／ｙ’＝ Ｔｐ 、・・・・・・・・ （式３）
（Ｔｐはｐ偏光の透過率） という関係があり、Ｓ成分については、（Ｘ／ ）ｉ
／ ｘ！ ＝ ＴＳ・・・・・・・・・（式４）（Ｔ、
はＳ偏光の透過率） という関係がある。そして、第３図から、Ｘ ”” Ｏ
Ｋｌ Ｘ ＣＱＳθＫ 、 ｙ＝ ＯＫＩ Ｘ ｓｔｎ
θにという関係が知れるから、 Ｘ’ ＝ ＯＫｌ Ｘ Ｃｆ１ｌＳθＫＸ〜ｙ′＝ Ｏ
Ｋｌ Ｘ ｓｌｌ θＫ Ｘｌ−ｐの関係式が得
られ、その結果 これらのｓｉｎθに′及び焦θに′の値を上述の式２に
代入すると、上述の式２は、 Ｓｏ： −ｓｐｎ ２θ×２×（ＯＫｌ）！×邑Ｘ ｓ
ｉｎθに一弼θＫ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・（式５ ）と展開される。
スプリッタ＝（２）の透過によってもたらされるのであ
るから、第３図に於いて靜、のＩ）成分ベクトルに等し
い長さを有するｙと縄１′のｐ成分ベクトルに等（〜い
長さを有するｙ′とは、 （ｙＴ／ｙ’＝ Ｔｐ 、・・・・・・・・ （式３）
（Ｔｐはｐ偏光の透過率） という関係があり、Ｓ成分については、（Ｘ／ ）ｉ
／ ｘ！ ＝ ＴＳ・・・・・・・・・（式４）（Ｔ、
はＳ偏光の透過率） という関係がある。そして、第３図から、Ｘ ”” Ｏ
Ｋｌ Ｘ ＣＱＳθＫ 、 ｙ＝ ＯＫＩ Ｘ ｓｔｎ
θにという関係が知れるから、 Ｘ’ ＝ ＯＫｌ Ｘ Ｃｆ１ｌＳθＫＸ〜ｙ′＝ Ｏ
Ｋｌ Ｘ ｓｌｌ θＫ Ｘｌ−ｐの関係式が得
られ、その結果 これらのｓｉｎθに′及び焦θに′の値を上述の式２に
代入すると、上述の式２は、 Ｓｏ： −ｓｐｎ ２θ×２×（ＯＫｌ）！×邑Ｘ ｓ
ｉｎθに一弼θＫ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・（式５ ）と展開される。
ここで晶１け記録媒体の反射光であるから、その強度（
ＯＲ３戸は、記録媒体（３）に入射する光ベクトルｅの
強度（メ）′に記録媒体（３）の反射率）ｔを乗じたも
のに等しい。そして、記録媒体への入射光の強度（１）
は、上述の式１からＩ＝Ｉｓｒ・Ｒｓであるから（諜＋
）’＝（ｏｉ”＠）’ｘＲ＝ＩｘＲ＝Ｉｓ＋・Ｒｓ・Ｉ
（となる。
ＯＲ３戸は、記録媒体（３）に入射する光ベクトルｅの
強度（メ）′に記録媒体（３）の反射率）ｔを乗じたも
のに等しい。そして、記録媒体への入射光の強度（１）
は、上述の式１からＩ＝Ｉｓｒ・Ｒｓであるから（諜＋
）’＝（ｏｉ”＠）’ｘＲ＝ＩｘＲ＝Ｉｓ＋・Ｒｓ・Ｉ
（となる。
従って、この関係式を上述の式５に代入すると、Ｓα−
５ｉｎ２θＸ ２ Ｘ Ｉｓ ＩＸＲ８ＸＲＸ４ｓＴｐ
Ｘ５ｌｎθＫ”ＯＯＳθに＝ −Ｉｓ＋−Ｒ−Ｒｓ％
ｍ５１１２θＫｓｉｎ２θ・・・・・・・・（式６）
、従って、記録媒体（３）の反射率Ｒが一定、カー回転
角が一定、アナライザーの軸の傾きθが−・定とすれば
、弐６は、 ５ｃｔＩｓ＋−Ｒｓ巨五・・・・・・・・・・・・・・
・・・・（式７）してみると、再生信号強度（Ｓ）は、
右辺の値が大きい程大きくなす、Ｓ、／Ｎ比は向上する
。口かしながら、記録媒体に照射される光強度を表わす
ＩｓＩ・Ｒ，ｓは、媒体によって最適範囲があり、むや
みに高めることはできない。何故ならば、仮に本装置を
再生にのみ使用する場合には、ｌ５ｘ−Ｒ，ｓは余りに
小さいと読み取りが不可能になるし、余りに大きいと照
射部分の温度が向上して記録を消去するか記録の強度を
低下させることになるので、最適強度範囲が自ずと決ま
ってくるからである。また、一般に記録及び消去に必要
な光強度は再生に必要な光強度よりも約３倍程大きいの
で、仮に本装置を記録及び消去も可能にし記録装置と兼
用させようとすれば、Ｉｓ＋−Ｒｓは（イ）記録及び消
去時の光強度と（ロ）再生時の光強度との間で切替えら
れるようにしなければならないが、前者（イ）の場合に
も余りに小さいと記録及び消去が不可能であるし、余り
に大きいと記録媒体を焼却破壊する恐れがあるので自ず
と最適範囲がある。
５ｉｎ２θＸ ２ Ｘ Ｉｓ ＩＸＲ８ＸＲＸ４ｓＴｐ
Ｘ５ｌｎθＫ”ＯＯＳθに＝ −Ｉｓ＋−Ｒ−Ｒｓ％
ｍ５１１２θＫｓｉｎ２θ・・・・・・・・（式６）
、従って、記録媒体（３）の反射率Ｒが一定、カー回転
角が一定、アナライザーの軸の傾きθが−・定とすれば
、弐６は、 ５ｃｔＩｓ＋−Ｒｓ巨五・・・・・・・・・・・・・・
・・・・（式７）してみると、再生信号強度（Ｓ）は、
右辺の値が大きい程大きくなす、Ｓ、／Ｎ比は向上する
。口かしながら、記録媒体に照射される光強度を表わす
ＩｓＩ・Ｒ，ｓは、媒体によって最適範囲があり、むや
みに高めることはできない。何故ならば、仮に本装置を
再生にのみ使用する場合には、ｌ５ｘ−Ｒ，ｓは余りに
小さいと読み取りが不可能になるし、余りに大きいと照
射部分の温度が向上して記録を消去するか記録の強度を
低下させることになるので、最適強度範囲が自ずと決ま
ってくるからである。また、一般に記録及び消去に必要
な光強度は再生に必要な光強度よりも約３倍程大きいの
で、仮に本装置を記録及び消去も可能にし記録装置と兼
用させようとすれば、Ｉｓ＋−Ｒｓは（イ）記録及び消
去時の光強度と（ロ）再生時の光強度との間で切替えら
れるようにしなければならないが、前者（イ）の場合に
も余りに小さいと記録及び消去が不可能であるし、余り
に大きいと記録媒体を焼却破壊する恐れがあるので自ず
と最適範囲がある。
従って、ビームスプリンターとしてＩｓ’−Ｒｓが一定
のときに再生信号強度（Ｓ）を大きくするにｄ５、式７
よりＴｓＴｐを大きくすればよいことがわかる。
のときに再生信号強度（Ｓ）を大きくするにｄ５、式７
よりＴｓＴｐを大きくすればよいことがわかる。
従来、ビームスプリンターとして使用されているハーフ
ミラ−は、Ｓ偏光ｐ偏光共に透過率５０係反射率５０％
で〆る。つまり、ＴＳＴＰ＝Ｏ９２５である。
ミラ−は、Ｓ偏光ｐ偏光共に透過率５０係反射率５０％
で〆る。つまり、ＴＳＴＰ＝Ｏ９２５である。
してみれば、少なくともＴＳＴＰ＞ ０．２５ のビー
ムスプリッタ−を使用すれば、通常のハーフミラ−に比
べ再生信号強度（Ｓ）は必ず向上する。
ムスプリッタ−を使用すれば、通常のハーフミラ−に比
べ再生信号強度（Ｓ）は必ず向上する。
以上の論理展開はＳ偏光に代えてｐ偏光を使用した場合
にも同様に可能であり、この場合には式％式％（８） となる。この場合にも再生信号強度（Ｓ）は、ＴｓＴｐ
） ０．２５のとき向上する。
にも同様に可能であり、この場合には式％式％（８） となる。この場合にも再生信号強度（Ｓ）は、ＴｓＴｐ
） ０．２５のとき向上する。
なお、これまでカー回転を受けだ反射光の同転状況（θ
Ｋ又は−θＫ）の検出のためにアナライザー（４）を使
用する方法を説明して来たが、このようなアナライザー
を使用する直接法の他に、第４図に示すようにウオーラ
ストンプリズム、トムソンプリズム、ロションプリズム
、薄膜型などの偏光ビ−ムスブリッタ−（４’＞を使用
し、これにより光を豆いに直交した偏光成分を持ち、か
つほぼ等しい光強度に二分して各ディテクター（５ａ）
、 （５ｂ）に導き、差動増幅器（８）により両ディテ
クターからの出力差を取る、いわゆる差動法も知られて
いる。差動法は直接法に比べＳハ比の点で有利な場合が
ある。
Ｋ又は−θＫ）の検出のためにアナライザー（４）を使
用する方法を説明して来たが、このようなアナライザー
を使用する直接法の他に、第４図に示すようにウオーラ
ストンプリズム、トムソンプリズム、ロションプリズム
、薄膜型などの偏光ビ−ムスブリッタ−（４’＞を使用
し、これにより光を豆いに直交した偏光成分を持ち、か
つほぼ等しい光強度に二分して各ディテクター（５ａ）
、 （５ｂ）に導き、差動増幅器（８）により両ディテ
クターからの出力差を取る、いわゆる差動法も知られて
いる。差動法は直接法に比べＳハ比の点で有利な場合が
ある。
従って、以上の論理展開はアナライザーの代りに同じ位
置にウオーラストンプリズム、ローションプリズム、ト
ムソンプ゛リズム、薄膜型などのＩ）ＢＳを使用する差
動法の場合にも何ら変らない。
置にウオーラストンプリズム、ローションプリズム、ト
ムソンプ゛リズム、薄膜型などのＩ）ＢＳを使用する差
動法の場合にも何ら変らない。
それ故、本発明（第１発明）はＳ偏光（又はｐ偏光）を
ビームスプリッタ−で反射させた後、磁気光学記録媒体
に対し、はぼ垂直に照射し、該媒体からのカー回転を受
けだ反射光を前記ビームスプリンターに透過させ、この
透過光を（イ）アナラ・イザーに通してディデクターに
受光させるか又は（ロ）偏光ビームスプリンターにより
２つの直交する偏光に分割して各々ディテクターに受光
させる磁気光学再生装置に於いて、前記ビームスプリッ
タ−としてｐ偏光の透過率′ＰｐとＳ偏光の透過率Ｔｓ
との９ ＴＳＴＰが０２５より大きいビームスプリンタ
ーを使用することを特徴とする磁気光学再生装置と定義
される。
ビームスプリッタ−で反射させた後、磁気光学記録媒体
に対し、はぼ垂直に照射し、該媒体からのカー回転を受
けだ反射光を前記ビームスプリンターに透過させ、この
透過光を（イ）アナラ・イザーに通してディデクターに
受光させるか又は（ロ）偏光ビームスプリンターにより
２つの直交する偏光に分割して各々ディテクターに受光
させる磁気光学再生装置に於いて、前記ビームスプリッ
タ−としてｐ偏光の透過率′ＰｐとＳ偏光の透過率Ｔｓ
との９ ＴＳＴＰが０２５より大きいビームスプリンタ
ーを使用することを特徴とする磁気光学再生装置と定義
される。
これまでビームスプリンターの反射率Ｒ，ｓ（又はＲｐ
）については具体的に触れなかった。しかしながら、Ｒ
ｓ（又はＲＰ）を次のように決定することは一実施例と
して好ｔｌ〜い。つまり、再生のほかに記録及び消去も
可能にする場合には、記録及び消去に必要な最適光強度
をＩ−とするとき、Ｉｓ＋−Ｒ，ｓ ＝ Ｉｗ 又は Ｉｐ＋・Ｒ，Ｐ ＝ Ｊｗ となるようにＲｓ （又はＲ，ｐ ）を決めるのである
。ここに於いて、Ｉｓｘ ＝ Ｉｐ＋であるから、両者
をＩｒ（ビーｌ、スブリ゛ツタ−への入射光強度）と表
現すると、■尤Ｓ（又はＲＰ）を １ｗ Ｉ’＋ ＝ Ｒ・Ｓ（又はＩ（、ｐ ）・・・・・・
・・・（式９）で決める訳である。
）については具体的に触れなかった。しかしながら、Ｒ
ｓ（又はＲＰ）を次のように決定することは一実施例と
して好ｔｌ〜い。つまり、再生のほかに記録及び消去も
可能にする場合には、記録及び消去に必要な最適光強度
をＩ−とするとき、Ｉｓ＋−Ｒ，ｓ ＝ Ｉｗ 又は Ｉｐ＋・Ｒ，Ｐ ＝ Ｊｗ となるようにＲｓ （又はＲ，ｐ ）を決めるのである
。ここに於いて、Ｉｓｘ ＝ Ｉｐ＋であるから、両者
をＩｒ（ビーｌ、スブリ゛ツタ−への入射光強度）と表
現すると、■尤Ｓ（又はＲＰ）を １ｗ Ｉ’＋ ＝ Ｒ・Ｓ（又はＩ（、ｐ ）・・・・・・
・・・（式９）で決める訳である。
また、本発明の再生装置を再生のみに使用する場合には
、記録媒体の再生に必要な最適光強度をＩＲとすると、
””（又は）１．ｐ）を次のように決定することは一実
施例として好ましい。
、記録媒体の再生に必要な最適光強度をＩＲとすると、
””（又は）１．ｐ）を次のように決定することは一実
施例として好ましい。
つまり、ｌ：ｓ＋・Ｉ（、ｓ−丁Ｒ
又は ＩＰＩ・Ｒｐ＝ｉＲ
とおき、Ｒｓ （又はＲ，ｐ ）を
ＩＲ
ｒ 、 −Ｒｓ （又はＲｐ）・・・・・・・・・（
式１０）で決める訳である。但し、Ｉｒはビームスプリ
ンターへの入射光強度である。
式１０）で決める訳である。但し、Ｉｒはビームスプリ
ンターへの入射光強度である。
ところでビームスプリッタ−は誘電体の多層膜を使用し
ている場合が多く、この場合には反射率と透過率との和
は１００％になる。つまり、Ｔｓ ＋Ｒ，ｓ’ ＝ １
、 ＴＰ−４−Ｒｐ ＝ １である。従って、Ｉｒが
光源の事情その他によって決められ、その結果Ｒｓ（又
はＲｐ）が上述の式９又は式９のように決められると、
ＴＳ（又はＴｐ）も決められてしまう。それにもかかわ
らずＴＳＴＰの値を最大にするには、直接関係のないＴ
ｐ（又はＴｓ）を１にすることである。
ている場合が多く、この場合には反射率と透過率との和
は１００％になる。つまり、Ｔｓ ＋Ｒ，ｓ’ ＝ １
、 ＴＰ−４−Ｒｐ ＝ １である。従って、Ｉｒが
光源の事情その他によって決められ、その結果Ｒｓ（又
はＲｐ）が上述の式９又は式９のように決められると、
ＴＳ（又はＴｐ）も決められてしまう。それにもかかわ
らずＴＳＴＰの値を最大にするには、直接関係のないＴ
ｐ（又はＴｓ）を１にすることである。
つます、Ｒ，ｓ（又はＲＰ）が決められた場合に於いて
、再生信号強度（８）を最大にするには、ビームスプリ
ッタ−への入射光としてＳ偏光（又１ｒｉ−ｐ偏光）を
使用するとき、ビームスプリッタ−としてｐ偏光（又は
Ｓ偏光）の透過率ｑｌＰ（又は’Ｊ−”ｓ）がｌ′ｆ′
、は１００チのものを使用すればよく、これが好ましい
実施態様と＾える。
、再生信号強度（８）を最大にするには、ビームスプリ
ッタ−への入射光としてＳ偏光（又１ｒｉ−ｐ偏光）を
使用するとき、ビームスプリッタ−としてｐ偏光（又は
Ｓ偏光）の透過率ｑｌＰ（又は’Ｊ−”ｓ）がｌ′ｆ′
、は１００チのものを使用すればよく、これが好ましい
実施態様と＾える。
更にまた第１発明に至る論理展開は、第５図に示すよう
にＳ偏光（又はｐ偏光）を先ずビームスプリッタ−（２
）を透過させ、そ、の後記録媒体（３）に対しほぼ垂直
に照射し、カー回転を受けだ反射光を今度はビームスプ
リッタ−（２）で反射させて、この反射光をアナライザ
ー（４）又はＰＨ１（４勺を通してディテクター（５）
に受光させる磁気光学再生装置に於いても、式３及び式
４の ０・勺″／ｙ′、−ＴＰ （Ｘ’）’／Ｘ″−１゛Ｓ という関係式が、 （ｙ′）／ｙ’−Ｒｐ （ｘ／戸／ ｘ’ ＝ Ｊ（、ｓ という関係式に代わるだけで、同じように展開される。
にＳ偏光（又はｐ偏光）を先ずビームスプリッタ−（２
）を透過させ、そ、の後記録媒体（３）に対しほぼ垂直
に照射し、カー回転を受けだ反射光を今度はビームスプ
リッタ−（２）で反射させて、この反射光をアナライザ
ー（４）又はＰＨ１（４勺を通してディテクター（５）
に受光させる磁気光学再生装置に於いても、式３及び式
４の ０・勺″／ｙ′、−ＴＰ （Ｘ’）’／Ｘ″−１゛Ｓ という関係式が、 （ｙ′）／ｙ’−Ｒｐ （ｘ／戸／ ｘ’ ＝ Ｊ（、ｓ という関係式に代わるだけで、同じように展開される。
そ（７て、との場合には入射光がＳ偏光の場合：Ｓｏｌ
：ｌＪＳ■・Ｔｓ、／”−前〒・・・・・・・・・（式
１１）Ｐ偏光の場合： Ｓ ＱＣＩｐｉ −Ｔｐ ｐ・
・・・・・・・・（°式１２）が成立する。
：ｌＪＳ■・Ｔｓ、／”−前〒・・・・・・・・・（式
１１）Ｐ偏光の場合： Ｓ ＱＣＩｐｉ −Ｔｐ ｐ・
・・・・・・・・（°式１２）が成立する。
この場合にも、記録媒体に照１律される光強度を表わす
Ｉｐｉ・Ｔｓ（又はＩｐｒ−Ｔｐ）は本装置を再生専用
にするにせよ、記録装置と兼用するにせよ、記録媒体に
よって最適範囲があり、むやみに高める訳にはいかない
。従って、信号強度（Ｓ）を向上させるには、ＲｓＲｐ
ｆ高めれば良い訳であり、通常ゝのノ・−フミラー（
ＲｓＲｐ ＝ ０．５ Ｘ Ｏ，５＝ ０．２５ ）と
比べると、ＲｓＲｐ ） ０．２５のビームスプリッタ
−を使用すれば、信号強度（８）は必ず向」ニする。
Ｉｐｉ・Ｔｓ（又はＩｐｒ−Ｔｐ）は本装置を再生専用
にするにせよ、記録装置と兼用するにせよ、記録媒体に
よって最適範囲があり、むやみに高める訳にはいかない
。従って、信号強度（Ｓ）を向上させるには、ＲｓＲｐ
ｆ高めれば良い訳であり、通常ゝのノ・−フミラー（
ＲｓＲｐ ＝ ０．５ Ｘ Ｏ，５＝ ０．２５ ）と
比べると、ＲｓＲｐ ） ０．２５のビームスプリッタ
−を使用すれば、信号強度（８）は必ず向」ニする。
従って、本願の第２発明は、Ｓ偏光（又はｐ偏光）をビ
ームスブリスターを透過させた後、磁気光学記録媒体に
対１〜、はぼ垂直に照射し、該媒体からのカー回転を受
けた反射光を前記ビームスプリッタ−で反射させ、この
反射光−ｅ（イ）アナライザーに通してディテクターに
受光させるか又は（ロ）偏光ビームスプリッタ−により
２つの直交する偏光に分割（〜で各々ディテクターに受
光させる磁気光学再生装置に於いて、前記ビームスプリ
ッタ−として、ｐ偏光の反射率とＳ偏光の反射率との積
が０．２５より大きいビームスブリスターを使用するこ
とを特徴とする磁気光学再生装置と定義される。
ームスブリスターを透過させた後、磁気光学記録媒体に
対１〜、はぼ垂直に照射し、該媒体からのカー回転を受
けた反射光を前記ビームスプリッタ−で反射させ、この
反射光−ｅ（イ）アナライザーに通してディテクターに
受光させるか又は（ロ）偏光ビームスプリッタ−により
２つの直交する偏光に分割（〜で各々ディテクターに受
光させる磁気光学再生装置に於いて、前記ビームスプリ
ッタ−として、ｐ偏光の反射率とＳ偏光の反射率との積
が０．２５より大きいビームスブリスターを使用するこ
とを特徴とする磁気光学再生装置と定義される。
この第２発明に於いても１、記録及び消去も可能にする
場合、記録及び消去に必要な最適光強度を■Ｗトスルト
、ビームスプリンターから記録媒体重での透過効率ηを
省略して、 となるようにｌ１ｌＳ又はｌ１ｌｐを決めるのも一実施
例として好ましい。まプこ、再生専用に使用する場合に
は、再生に最適な光強度をＩＲとすると、透過効率ηを
省略して、 となるようにＴＳ又はＴＰを決めるのも一実施例として
好ましい。
場合、記録及び消去に必要な最適光強度を■Ｗトスルト
、ビームスプリンターから記録媒体重での透過効率ηを
省略して、 となるようにｌ１ｌＳ又はｌ１ｌｐを決めるのも一実施
例として好ましい。まプこ、再生専用に使用する場合に
は、再生に最適な光強度をＩＲとすると、透過効率ηを
省略して、 となるようにＴＳ又はＴＰを決めるのも一実施例として
好ましい。
そして、既述のようにＴｓ十丁（ｓ ＝ １ 、 Ｔｐ
＋Ｒ，Ｐ ＝： １であるから、仮にｌ５ｒ（又はＩ
ｐｉ）が光源の事情その他によって決められ、その結果
Ｔｓ（又はＴＰ）が式１３又は式１４によって決定され
ると、ＲｓＲｐ ：） ０．２５とは言いながら、Ｒｓ
（又はＲ，ｐ）が決定されて（〜まりので、それにも
かかわらずＲ５１（、ｐの値を出来るだけ高くするには
、直接関係のない１％ｐ （又はＲｓ）で、再生信号強
度（Ｓ）を最大にするには、ビームスプリッタ−への入
射光としてＳ偏光（又はｐ偏光）・矛のものを使用すれ
ばよく、これが第２発明の好ましい実施態様と商える。
＋Ｒ，Ｐ ＝： １であるから、仮にｌ５ｒ（又はＩ
ｐｉ）が光源の事情その他によって決められ、その結果
Ｔｓ（又はＴＰ）が式１３又は式１４によって決定され
ると、ＲｓＲｐ ：） ０．２５とは言いながら、Ｒｓ
（又はＲ，ｐ）が決定されて（〜まりので、それにも
かかわらずＲ５１（、ｐの値を出来るだけ高くするには
、直接関係のない１％ｐ （又はＲｓ）で、再生信号強
度（Ｓ）を最大にするには、ビームスプリッタ−への入
射光としてＳ偏光（又はｐ偏光）・矛のものを使用すれ
ばよく、これが第２発明の好ましい実施態様と商える。
ところで、第１発明、第２発明共に論理展開に於いて、
これ丑でビームスプリッタ−（２）に於けるＳ偏光とｐ
偏光との位相差△を考えなかった。しかしながら、仮に
位相差△があると、再生信号強度Ｓは部△を乗じた値へ
と低下する。
これ丑でビームスプリッタ−（２）に於けるＳ偏光とｐ
偏光との位相差△を考えなかった。しかしながら、仮に
位相差△があると、再生信号強度Ｓは部△を乗じた値へ
と低下する。
従って、第１発明、第゛２角明共に位相差Δがゼロ又は
出来るだけゼロに近い（つ△ご１ ）ビームスプリ
ッタ−を使用することが好ま（−い。
出来るだけゼロに近い（つ△ご１ ）ビームスプリ
ッタ−を使用することが好ま（−い。
従って、仮に位相差△がゼロのビームスプリッタ−（２
）を設計することが困難な場合には、ビームスプリッタ
−（２）と媒体（３）との間又はビームスプリッタ−（
２）とアナライザー（４）もしくは偏光ビームスプリッ
タ−（４勺との間のいずれかの光路上に位相差が一△の
位相子を配置して、位相差Δをゼロに補正してもよい。
）を設計することが困難な場合には、ビームスプリッタ
−（２）と媒体（３）との間又はビームスプリッタ−（
２）とアナライザー（４）もしくは偏光ビームスプリッ
タ−（４勺との間のいずれかの光路上に位相差が一△の
位相子を配置して、位相差Δをゼロに補正してもよい。
もちろん、この補正用の位相子はビームスプリンター（
２）の多層干渉膜に接して配置してもよい。
２）の多層干渉膜に接して配置してもよい。
以下、実施例により本発明を説明する。
（実施例１）
詑６図（断面図）に示すように、屈折率ｎ ＝ １．５
１のガラスプリズム（５１）の斜面に、ＺｒＯ，（屈折
率ｎ＝２．０）を光学膜厚で０．２９５７λ（λ＝Ｆ！
３Ｑｎｍ）の厚さに蒸着して（５２）を形成した後、そ
の上に同じ材質のガラスプリズム（５１）の斜面を密着
させ、ビームスプリッタ−を得る。
１のガラスプリズム（５１）の斜面に、ＺｒＯ，（屈折
率ｎ＝２．０）を光学膜厚で０．２９５７λ（λ＝Ｆ！
３Ｑｎｍ）の厚さに蒸着して（５２）を形成した後、そ
の上に同じ材質のガラスプリズム（５１）の斜面を密着
させ、ビームスプリッタ−を得る。
このビームスプリレターは、ｐ偏光の透過率ＴＰが９９
チで、Ｓ偏光の透過率ＴＳが８２チ、反射率が１８％で
、位相差はゼロである。
チで、Ｓ偏光の透過率ＴＳが８２チ、反射率が１８％で
、位相差はゼロである。
一方、記録媒体としては反射率４０チ、カー回転角θＫ
＝ ０．３５°のＧｄＣｏ磁性薄膜を有する記録媒体
を使用する。この記録媒体の再生に最適な光強度ＩＲは
２ｍＷである。
＝ ０．３５°のＧｄＣｏ磁性薄膜を有する記録媒体
を使用する。この記録媒体の再生に最適な光強度ＩＲは
２ｍＷである。
第１図に示すようにレーザー光源（１）から強度１６ｍ
ＷのＳ偏光（波長λ＝ ８３０ ｎ ｍ ）を前述のビ
ームスプリンターで反射させた後、記録媒体（３）に対
しはソ垂直に照射す、る。この装置の光源（１）からビ
ームスプリンター（２）までの透過効率は０．７４で、
ビームスプリッタ−（２）から媒体（３）までの透過効
率は、０．９５であるから、媒体（３）に照射される光
強度は、１６ Ｘ Ｏ，７４Ｘｏ、９５ Ｘｏ、１８
＃ ２ｍＷとなり、最適光強度ＩＲと一致する。一致す
ると言うよりも、むしろ一致するようにレーザー光源（
１）のパワーを決めるか、ビームスプリッタ−（２）の
反射率Ｒｓを決めた訳である。そして、媒体（３）で反
射された反射光は再びビームスプリッタ−（２）に導き
、今度は透過光をアナライザー（４）を通してディテク
ター（５）で受光させる。この場合、式７の右辺ＩｓＩ
・Ｒｓβ五−を計算する（透過効率ηも入れる）と、１
６Ｘ０．７４Ｘ０．９５Ｘ０．１８Ｘ面［ｉｈ而面舞１
．８となる。
ＷのＳ偏光（波長λ＝ ８３０ ｎ ｍ ）を前述のビ
ームスプリンターで反射させた後、記録媒体（３）に対
しはソ垂直に照射す、る。この装置の光源（１）からビ
ームスプリンター（２）までの透過効率は０．７４で、
ビームスプリッタ−（２）から媒体（３）までの透過効
率は、０．９５であるから、媒体（３）に照射される光
強度は、１６ Ｘ Ｏ，７４Ｘｏ、９５ Ｘｏ、１８
＃ ２ｍＷとなり、最適光強度ＩＲと一致する。一致す
ると言うよりも、むしろ一致するようにレーザー光源（
１）のパワーを決めるか、ビームスプリッタ−（２）の
反射率Ｒｓを決めた訳である。そして、媒体（３）で反
射された反射光は再びビームスプリッタ−（２）に導き
、今度は透過光をアナライザー（４）を通してディテク
ター（５）で受光させる。この場合、式７の右辺ＩｓＩ
・Ｒｓβ五−を計算する（透過効率ηも入れる）と、１
６Ｘ０．７４Ｘ０．９５Ｘ０．１８Ｘ面［ｉｈ而面舞１
．８となる。
それに対して、比較のために、この装置にビームスプリ
ッタ−として通常の）・−フミラーを使用すると、同じ
光源パワーの時には、媒体（３）に照射される光強度は
、 １６刈）、７４Ｘ０．９５Ｘ０．５ ＝５．６ｍＷとな
り、最適光強度ＩＲ＝２ｍＷより大きく上回ってしまい
、媒体（３）の記録を消去してしまう恐れがあるので、
光源（１）のパワーを５ｍＷに落とす。この場合には、
媒体（３）に照射される光強度は、６ＸＯ，’７４Ｘ０
．９５Ｘ０．５ ＃ ２．１ｍＷとなり、最適値１．Ｒ
とほぼ等しくなる。そこで、式７の右辺ｆｓ＋−Ｒｓβ
五を計算すると、６Ｘ０．７４Ｘ０．９５Ｘ０．５Ｘ
）／ｉ且剋可増１．０５となる。
ッタ−として通常の）・−フミラーを使用すると、同じ
光源パワーの時には、媒体（３）に照射される光強度は
、 １６刈）、７４Ｘ０．９５Ｘ０．５ ＝５．６ｍＷとな
り、最適光強度ＩＲ＝２ｍＷより大きく上回ってしまい
、媒体（３）の記録を消去してしまう恐れがあるので、
光源（１）のパワーを５ｍＷに落とす。この場合には、
媒体（３）に照射される光強度は、６ＸＯ，’７４Ｘ０
．９５Ｘ０．５ ＃ ２．１ｍＷとなり、最適値１．Ｒ
とほぼ等しくなる。そこで、式７の右辺ｆｓ＋−Ｒｓβ
五を計算すると、６Ｘ０．７４Ｘ０．９５Ｘ０．５Ｘ
）／ｉ且剋可増１．０５となる。
従って、実施例の再生信号強度（Ｓ）は、比較例に比べ
て１．８／１．０５ ＃ １．７倍に向上する。
て１．８／１．０５ ＃ １．７倍に向上する。
（実施例２）
第６図に示すように、屈折率ｎ ＝ １．４５７の浴融
石英製のプリズム（５１）の斜面に、 Ｈ層： ’ｌｌ’ｉｏ、 ／ｎ ＝２．２／光学膜厚０
．２８６λＬ層： Ｓ ｉＯ，／ｎ ＝１．４５３／光
学膜厚０．３６７６λ（λ＝８３０ｎｍ） の２層を１−１（ＬＨ）’の順に交互に１１層蒸着して
（５２）全形成した後、その上に同じ材質のプリズム（
５１）の斜面を密着させ、ビームスプリッタ−を得る。
石英製のプリズム（５１）の斜面に、 Ｈ層： ’ｌｌ’ｉｏ、 ／ｎ ＝２．２／光学膜厚０
．２８６λＬ層： Ｓ ｉＯ，／ｎ ＝１．４５３／光
学膜厚０．３６７６λ（λ＝８３０ｎｍ） の２層を１−１（ＬＨ）’の順に交互に１１層蒸着して
（５２）全形成した後、その上に同じ材質のプリズム（
５１）の斜面を密着させ、ビームスプリッタ−を得る。
このと−ムスプリンターは、ｐ偏光の反射率６６チ透過
率３４チ、Ｓ偏光の反射率９’１％、位相差ゼロである
。
率３４チ、Ｓ偏光の反射率９’１％、位相差ゼロである
。
一方、記録媒体としては実施例１と同じもの（記録及び
消去に最適な光強度ＩＷは５ｍＷである）を使用す、る
。
消去に最適な光強度ＩＷは５ｍＷである）を使用す、る
。
す
ここでは上記ビームスグリツタ−を第５図に示す構成の
装置に取り付け、記録及び消去も可能とするためレーザ
ー光源（１）から２５ｍＷのｐ偏光（波長λ＝ ８３０
ｎ ｍ ）を発光させ、これをビームスプリンター（
２）に導き、その透過光を記録媒体（３）に照射する。
装置に取り付け、記録及び消去も可能とするためレーザ
ー光源（１）から２５ｍＷのｐ偏光（波長λ＝ ８３０
ｎ ｍ ）を発光させ、これをビームスプリンター（
２）に導き、その透過光を記録媒体（３）に照射する。
この装置の光源（１）からビームスプリッタ−（２）壕
での透過効率は０．７４で、ビームスグリツタ−（２）
から記録媒体（３）までの透過効率は０．９５であるか
ら、媒体（３）に照射される光強度は、２５ Ｘｏ、７
４ Ｘｏ、９５ Ｘｏ、３４ ＃ ６ ｍＷとなり、記
録及び消去に最適な光強度６ｍＷと一致する。むしろ、
一致するように、光源パワーを決めるか、ビームスプリ
ッタ−の透過率Ｔｓを決めた訳である。
での透過効率は０．７４で、ビームスグリツタ−（２）
から記録媒体（３）までの透過効率は０．９５であるか
ら、媒体（３）に照射される光強度は、２５ Ｘｏ、７
４ Ｘｏ、９５ Ｘｏ、３４ ＃ ６ ｍＷとなり、記
録及び消去に最適な光強度６ｍＷと一致する。むしろ、
一致するように、光源パワーを決めるか、ビームスプリ
ッタ−の透過率Ｔｓを決めた訳である。
従って、再生の場合には光源パワーを３．４ｍＷに落と
し、記録媒体（３）には再生に最適な光強度（ＩＲ＝２
ｍＷ）となるようにする。この場合には式７の右辺を計
算すると、 ８．４Ｘ０．７４Ｘ０．９５Ｘ０．３４Ｘへτ心雇肺８
＃ １．６となる。
し、記録媒体（３）には再生に最適な光強度（ＩＲ＝２
ｍＷ）となるようにする。この場合には式７の右辺を計
算すると、 ８．４Ｘ０．７４Ｘ０．９５Ｘ０．３４Ｘへτ心雇肺８
＃ １．６となる。
それに対して比較のためにビームスプリッタ−として通
常のハーフミラ−を使用しり場合には、記録及び消去時
には、光源パワーを１７ｍＷにし、再生時には光源で々
ワーを５．７ｍＷにそれぞれ落とさなければ、媒体（３
）に照射される光強度を最適値Ｉｗ：６ｍＷ、 丁Ｒ＝
２ｍＷとすることができない。そうして、式７の右辺を
計算すると、 ５．７Ｘ０．７４Ｘ０．９５Ｘ０．５Ｘ６区気買Ｌ：ｔ
１となる。
常のハーフミラ−を使用しり場合には、記録及び消去時
には、光源パワーを１７ｍＷにし、再生時には光源で々
ワーを５．７ｍＷにそれぞれ落とさなければ、媒体（３
）に照射される光強度を最適値Ｉｗ：６ｍＷ、 丁Ｒ＝
２ｍＷとすることができない。そうして、式７の右辺を
計算すると、 ５．７Ｘ０．７４Ｘ０．９５Ｘ０．５Ｘ６区気買Ｌ：ｔ
１となる。
従って、本実施例の再生信号強度（Ｓ）は、比較例に比
べ］、、６／１ ＝ １．６倍に向上する。
べ］、、６／１ ＝ １．６倍に向上する。
（実施例３）
第６図に示すように屈折率ｎ ＝ １．’！５１のガラ
スプリズム（５１）の斜面に、 ８層： Ｔｉｅ、 ／ｎ ＝ ２．２／光学膜厚６．２
８６λＬ層： Ｓｉｎ、 ／ｎ ＝ １．４５３／光学
膜厚０．３６７６λ（λ＝ ８３０ｎｍ ） の２層をＨ（ＬＨ）“の順に交互に９′！蒸着して（５
２）を形成した後、その上に同じ材質のプリズム（５１
）を密着させてビームスプリッタ−４ｎる。
スプリズム（５１）の斜面に、 ８層： Ｔｉｅ、 ／ｎ ＝ ２．２／光学膜厚６．２
８６λＬ層： Ｓｉｎ、 ／ｎ ＝ １．４５３／光学
膜厚０．３６７６λ（λ＝ ８３０ｎｍ ） の２層をＨ（ＬＨ）“の順に交互に９′！蒸着して（５
２）を形成した後、その上に同じ材質のプリズム（５１
）を密着させてビームスプリッタ−４ｎる。
このビームスプリッタ−はミ ｐ偏光の反射率４３．８
チ透過率５６．２チ、Ｓ偏光の反射率９９．４チ、位相
差ゼロである。このビームスプリンターを実施例２の装
置に取付ける。
チ透過率５６．２チ、Ｓ偏光の反射率９９．４チ、位相
差ゼロである。このビームスプリンターを実施例２の装
置に取付ける。
一方、媒体（３）としては、カー回転角０．４度、記録
及び消去に最適な光強度Ｉｗ＝ ６．７ ｍＷ、再生に
最適な光強度ＩＲ＝２ｍＷの−ＴｂＦｅ磁性薄膜を使用
する。
及び消去に最適な光強度Ｉｗ＝ ６．７ ｍＷ、再生に
最適な光強度ＩＲ＝２ｍＷの−ＴｂＦｅ磁性薄膜を使用
する。
この場合には、記録及び消去時には光源パワーを１７ｍ
Ｗとし、再生時には光源パワーを５ｍＷに落とす。そし
て、式７の右辺を計算すると、５Ｘ０．７４Ｘ０．９５
Ｘ０．５６２Ｘ篩１逍迅硅−１，３となる。
Ｗとし、再生時には光源パワーを５ｍＷに落とす。そし
て、式７の右辺を計算すると、５Ｘ０．７４Ｘ０．９５
Ｘ０．５６２Ｘ篩１逍迅硅−１，３となる。
それに対して比較のためにビームスプリンターと（〜で
ハーフミラ−を使用すると、記録及び消去時には光源パ
ワーを１９ｍＷとし、再生時には光源パワーを５．７ｍ
Ｗに落とす。この場合には式７の右辺は、 ５．７Ｘ０．７４Ｘ０．９５Ｘ０．５Ｘ西ｉヌ■［墳ｌ
となる。
ハーフミラ−を使用すると、記録及び消去時には光源パ
ワーを１９ｍＷとし、再生時には光源パワーを５．７ｍ
Ｗに落とす。この場合には式７の右辺は、 ５．７Ｘ０．７４Ｘ０．９５Ｘ０．５Ｘ西ｉヌ■［墳ｌ
となる。
従って、実施例３の再生信号強度（Ｓ）は、比較例に比
べて１．３／１ ＝ １．３倍に向上する。
べて１．３／１ ＝ １．３倍に向上する。
（発明の効果）
以上の通り、本願発明によれば、再生信号強度という関
係にあることが知れ、ここに於いて■ＳＩ・Ｒｓ、 Ｉ
ｐ＋−Ｒｐ、７Ｉｓ＋−’ｒｓ及びＩ？−’Ｉ’ｐは記
録媒体に照射される光強度に当る（透過効率ηを省略し
である）ので一定（例えば再生に最適な光強度ＩＲ又は
記録及び消去に最適な光強度■Ｗとする）にしなければ
ならず、そのため、どんな場合にも再生信号強度（Ｓ）
はρ立又は６市に比例することになり、それ故、本願発
明に従いＴｓＴｐ ） ０．２５ （第１発明Σ又はＲ
・ＳＲＰ ） ０．２５ （第２発明）であるビームス
プリッタ−を使用することにより、ハニフミラーを使用
した場合に比べ、再生信号強度（Ｓ）ひいてはＳハ比を
向上させることができる。従って、より大きな光源パワ
ーが入手できれば、それだけＲｓ（又はＲＰ）又はＴｓ
（又はＴＰ）を小さくして、その大きな光源を利用する
ことができ、その結果ｒ−内の’］：’ｓＴｐ又はＲｓ
几Ｐをそれだけ最大極限値１に近ずける（そのほか、１
に近ずけるには、好ましい実施態様で述べたように無関
係のＴｐ（又はＴｓ）又はＲｐ（又は）（Ｓ）を１に近
ずける必要があるが）ことができる。それに対して、ハ
ーフミラ−では］゛Ｓ＝’Ｉ”Ｐ＝Ｉ尤ｓ ＝ Ｒｐ
＝ ５０チ と決まっているので、最適値■Ｗ又はＩＲ
により、光源パワーは一定限度に抑えられ、その結果、
大きな再生信号強度が得られない。
係にあることが知れ、ここに於いて■ＳＩ・Ｒｓ、 Ｉ
ｐ＋−Ｒｐ、７Ｉｓ＋−’ｒｓ及びＩ？−’Ｉ’ｐは記
録媒体に照射される光強度に当る（透過効率ηを省略し
である）ので一定（例えば再生に最適な光強度ＩＲ又は
記録及び消去に最適な光強度■Ｗとする）にしなければ
ならず、そのため、どんな場合にも再生信号強度（Ｓ）
はρ立又は６市に比例することになり、それ故、本願発
明に従いＴｓＴｐ ） ０．２５ （第１発明Σ又はＲ
・ＳＲＰ ） ０．２５ （第２発明）であるビームス
プリッタ−を使用することにより、ハニフミラーを使用
した場合に比べ、再生信号強度（Ｓ）ひいてはＳハ比を
向上させることができる。従って、より大きな光源パワ
ーが入手できれば、それだけＲｓ（又はＲＰ）又はＴｓ
（又はＴＰ）を小さくして、その大きな光源を利用する
ことができ、その結果ｒ−内の’］：’ｓＴｐ又はＲｓ
几Ｐをそれだけ最大極限値１に近ずける（そのほか、１
に近ずけるには、好ましい実施態様で述べたように無関
係のＴｐ（又はＴｓ）又はＲｐ（又は）（Ｓ）を１に近
ずける必要があるが）ことができる。それに対して、ハ
ーフミラ−では］゛Ｓ＝’Ｉ”Ｐ＝Ｉ尤ｓ ＝ Ｒｐ
＝ ５０チ と決まっているので、最適値■Ｗ又はＩＲ
により、光源パワーは一定限度に抑えられ、その結果、
大きな再生信号強度が得られない。
また、逆に問えば本発明によれば同じ再生信号強度を得
ようとすると、好ましい実施態様で述べた無関係のＴｐ
（又はＴｓ）又はＲＰ（又はＲｓ）を１に近ずけること
により％又は１ＲＩｌのｒ−内の相手側を小さくするこ
とができ、その結果ｒ−−−外のＩｓｒ−几Ｓ（又はＲ
，ＰＩ・Ｒ・Ｐ）又はＩｓｒ・Ｔｓ（又は１円・ＴＰ）
Ｋ於ｋｊ 、７） ：Ｒｓ （又ハＲｐ）又はＴｓ
（又ｉｔ： ’Ｉ”Ｐ ）’！ｒ太きくすることができ
るので、必要な光源パワーを、ハーフミラ−を使用した
場合に比べて小さくすることができ、省エネルギーにな
る。
ようとすると、好ましい実施態様で述べた無関係のＴｐ
（又はＴｓ）又はＲＰ（又はＲｓ）を１に近ずけること
により％又は１ＲＩｌのｒ−内の相手側を小さくするこ
とができ、その結果ｒ−−−外のＩｓｒ−几Ｓ（又はＲ
，ＰＩ・Ｒ・Ｐ）又はＩｓｒ・Ｔｓ（又は１円・ＴＰ）
Ｋ於ｋｊ 、７） ：Ｒｓ （又ハＲｐ）又はＴｓ
（又ｉｔ： ’Ｉ”Ｐ ）’！ｒ太きくすることができ
るので、必要な光源パワーを、ハーフミラ−を使用した
場合に比べて小さくすることができ、省エネルギーにな
る。
第１図は本願の第１発明にかかる磁気光学再生装置でア
ナライザーを使用したものの概念的な構成を示す説明図
である。 第２図は光ベクトルの変化を示す図である。 第３図は第２図の部分図である。 第４図は本願の第１発明にかかる磁気光学再生装置で偏
光ビー・ムスブリノターを使用したものの概念的な構成
を示す説明図である。 第５図は本願の第２発明にかかる磁気光学再生装置の概
念的な構成を示す説明図である。 第６図はビームスプリッタ−の断面を示す概念図である
。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・・・・レーザー光ｓ ２・・・・・・・・・ビームスプリッタ−３・・・・・
・・・・光磁気記録媒体 ４・・・・・・・・・アナライザー ４′・・・・・・・・・偏光ビームスプリッタ−５，５
ａ、 ５ｂ・・・・・・・・・ティチクター６・・・・
・・・・・コリメーターレンズ７・・・・・・・・・対
物レンズ ８・・・・・・・・・差動増幅器 ５１・・・・・・・・・プリズム ５２・・・・・・・・・誘電体層 出願人 日本光学工業株式会社 代理人 渡辺隆男 第４図 矛５図 矛６囚 光
ナライザーを使用したものの概念的な構成を示す説明図
である。 第２図は光ベクトルの変化を示す図である。 第３図は第２図の部分図である。 第４図は本願の第１発明にかかる磁気光学再生装置で偏
光ビー・ムスブリノターを使用したものの概念的な構成
を示す説明図である。 第５図は本願の第２発明にかかる磁気光学再生装置の概
念的な構成を示す説明図である。 第６図はビームスプリッタ−の断面を示す概念図である
。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・・・・レーザー光ｓ ２・・・・・・・・・ビームスプリッタ−３・・・・・
・・・・光磁気記録媒体 ４・・・・・・・・・アナライザー ４′・・・・・・・・・偏光ビームスプリッタ−５，５
ａ、 ５ｂ・・・・・・・・・ティチクター６・・・・
・・・・・コリメーターレンズ７・・・・・・・・・対
物レンズ ８・・・・・・・・・差動増幅器 ５１・・・・・・・・・プリズム ５２・・・・・・・・・誘電体層 出願人 日本光学工業株式会社 代理人 渡辺隆男 第４図 矛５図 矛６囚 光
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉ Ｓ偏光（又はｐ偏光）をビームスプリッタ−で反射
させた後、磁気光学記録媒体に対し、はぼ垂１μに照射
し、該媒体からのカー回転を受けた反射光を前記ビーム
スプリッタ−に透過させ、この透過光をアナライザーに
通してディテクターに受光させるか又は偏光ビームスグ
リツタ−により２つの直交する偏光に分割して各々ディ
テクターに受光させる磁気光学再生装置に於いて、前記
ビームスプリッタ−としてｐ偏光の透過率とＳ偏光の透
過率との積が０２５より大きいビームスプリッタ−を使
用することを髄徴とする磁気光学再生装置。 ２ 前記ビームスシリツタ−への入射光としてＳ偏光（
父はｐ偏光）を使用する場合には、前記ビームスプリッ
タ−としてｐ偏光（又はＳ偏光）の透過率がほぼ１００
チのものを使用すること全特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の磁気光学再生装置。 ３ Ｓ偏光（父はｐ偏光）をビームスプリッタ−を透過
させた後、磁気光学記録媒体に対し、はぼ垂直に照射し
、該媒体からのカー回転を受けた反射光を前記ビームス
プリッタ−で反射させ、この反射光をアナライザーに通
してティチクターに受光させるか又は偏光ビームスプリ
ッタ−によ＋７２つの直交する偏光に分割して各々ディ
テクターに受光させる磁気光学再生装置に於いて、前記
ビームスプリッタ−として、ｐ偏光の反射率とＳ偏光の
反射率との積が０２５より大きいビームスプリッタ−を
使用することを特徴とする磁気光学再生装置。 ４ 前記ビームスプリッタ−への入射光とし７で５偏光
（又はｐ偏光）を使用−ｒる場合には、前記ビームスプ
リッタ−としてｐ偏光（又はＳ偏光）の反射率がほぼ１
００チのものを使用することを特徴とする特許請求の範
囲第３項記載の磁気光学再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4559683A JPS59171056A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 磁気光学再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4559683A JPS59171056A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 磁気光学再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171056A true JPS59171056A (ja) | 1984-09-27 |
Family
ID=12723727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4559683A Pending JPS59171056A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 磁気光学再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171056A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353731A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-03-08 | オプチカル コ−テイング ラボラトリ− インコ−ポレ−テツド | 光学ディスク読取装置用光学系及び部品 |
| US4729502A (en) * | 1985-12-27 | 1988-03-08 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Apparatus for treating ends of large-diameter welded pipe |
| US4778098A (en) * | 1985-11-19 | 1988-10-18 | Jeumont-Schneider Corporation | Process for mechanical/welded assembly of chassis elements for railway vehicles |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP4559683A patent/JPS59171056A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4778098A (en) * | 1985-11-19 | 1988-10-18 | Jeumont-Schneider Corporation | Process for mechanical/welded assembly of chassis elements for railway vehicles |
| US4729502A (en) * | 1985-12-27 | 1988-03-08 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Apparatus for treating ends of large-diameter welded pipe |
| JPS6353731A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-03-08 | オプチカル コ−テイング ラボラトリ− インコ−ポレ−テツド | 光学ディスク読取装置用光学系及び部品 |
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