JPH053667B2 - - Google Patents
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- JPH053667B2 JPH053667B2 JP58125890A JP12589083A JPH053667B2 JP H053667 B2 JPH053667 B2 JP H053667B2 JP 58125890 A JP58125890 A JP 58125890A JP 12589083 A JP12589083 A JP 12589083A JP H053667 B2 JPH053667 B2 JP H053667B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 18
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 27
- 101100510299 Oryza sativa subsp. japonica KIN7A gene Proteins 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 11
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 1-[6-[4-(5-chloro-6-methyl-1H-indazol-4-yl)-5-methyl-3-(1-methylindazol-5-yl)pyrazol-1-yl]-2-azaspiro[3.3]heptan-2-yl]prop-2-en-1-one Chemical compound ClC=1C(=C2C=NNC2=CC=1C)C=1C(=NN(C=1C)C1CC2(CN(C2)C(C=C)=O)C1)C=1C=C2C=NN(C2=CC=1)C AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、二波長ビームスプリツターを備えた
磁気光学記録再生装置に関するものである。
磁気光学記録再生装置に関するものである。
（発明の背景）
最近の情報化社会の発展は著しく、それに伴な
い大容量の記録媒体並びに記録再生方式の必要性
が急速に高まつており、一部既にレーザービデオ
デイスク、静電容量式ビデオデイスク、デジタル
オーデイオデイスク等が実用化されている。しか
しながら、これまでに実用化された記録媒体は書
換えができない欠点があり、書換え可能な記録媒
体並びに記録再生方式が望まれており、そのよう
な書換え可能な記録媒体の１つとして磁気光学記
録媒体が提案されている。
い大容量の記録媒体並びに記録再生方式の必要性
が急速に高まつており、一部既にレーザービデオ
デイスク、静電容量式ビデオデイスク、デジタル
オーデイオデイスク等が実用化されている。しか
しながら、これまでに実用化された記録媒体は書
換えができない欠点があり、書換え可能な記録媒
体並びに記録再生方式が望まれており、そのよう
な書換え可能な記録媒体の１つとして磁気光学記
録媒体が提案されている。
磁気光学記録媒体は、例えばGdCo，GdTbFe
のような垂直磁化膜を記録層とするもので、この
垂直磁化膜の磁化の方向を一旦上向きか下向きの
いずれかに揃えておき、記録したいビツトにレー
ザービームを照射して、そのピツトの温度を例え
ば磁性材料のキユリー点以上に加熱することによ
り、元の磁化方向を自力に解放し、同時に反対向
きの弱い磁場をそのピツトに印加することで、そ
のピツトの磁化方向を膜の磁化方向とは反対向き
にし、その上でレーザービームの照射を止めて、
その反対向きの磁化を固定する。これにより仮に
膜の磁化方向を０とし、反対方向を１とすれば、
レーザービームの照射は０，１のデジタル信号の
「１」として記録されることになる。
のような垂直磁化膜を記録層とするもので、この
垂直磁化膜の磁化の方向を一旦上向きか下向きの
いずれかに揃えておき、記録したいビツトにレー
ザービームを照射して、そのピツトの温度を例え
ば磁性材料のキユリー点以上に加熱することによ
り、元の磁化方向を自力に解放し、同時に反対向
きの弱い磁場をそのピツトに印加することで、そ
のピツトの磁化方向を膜の磁化方向とは反対向き
にし、その上でレーザービームの照射を止めて、
その反対向きの磁化を固定する。これにより仮に
膜の磁化方向を０とし、反対方向を１とすれば、
レーザービームの照射は０，１のデジタル信号の
「１」として記録されることになる。
こうして記録されたピツトの磁化方向の相違つ
まり、上向き、下向きは、直線偏光を照射して、
その反射光の偏光面の回転状況が磁化の向きによ
つて相違する現象（磁気カー効果）を利用して読
み取られる。つまり、入射光に対して磁化の向き
が上向きのとき、反射光の偏光面が入射光の偏光
面に対してθK度回転したとすると、入射光に対し
て磁化の向きが下向きのときは−θK度回転する。
従つて、反射光の先に偏光子（アナライザーとも
呼ばれる）の主軸を−θK度面にほぼ直交するよう
に置いておくと、下向き磁化のピツトからの光は
アナライザーをほとんど透過せず、上向きの磁化
のビツトからの光はsin2θKを乗じた分だけ透過す
るので、アナライザーの先にデイテクター（光電
変換素子）を設置しておけば、記録媒体を高速で
スキヤンニングして行くと、記録されたピツトに
基づいて電気信号の強弱として再生されるのであ
る。
まり、上向き、下向きは、直線偏光を照射して、
その反射光の偏光面の回転状況が磁化の向きによ
つて相違する現象（磁気カー効果）を利用して読
み取られる。つまり、入射光に対して磁化の向き
が上向きのとき、反射光の偏光面が入射光の偏光
面に対してθK度回転したとすると、入射光に対し
て磁化の向きが下向きのときは−θK度回転する。
従つて、反射光の先に偏光子（アナライザーとも
呼ばれる）の主軸を−θK度面にほぼ直交するよう
に置いておくと、下向き磁化のピツトからの光は
アナライザーをほとんど透過せず、上向きの磁化
のビツトからの光はsin2θKを乗じた分だけ透過す
るので、アナライザーの先にデイテクター（光電
変換素子）を設置しておけば、記録媒体を高速で
スキヤンニングして行くと、記録されたピツトに
基づいて電気信号の強弱として再生されるのであ
る。
以上述べたような原理に基づく再生装置を磁気
光学再生装置と言うが、この装置は例えば第１図
に示す如き基本構成を有する。つまり、レーザー
光源Ｌからの偏光ビームをビームスプリツター
BSで進行方向を90度曲げた後、記録媒体Ｍに対
しほぼ垂直に照射し、その反射光を前記ビームス
プリツターBSを通して信号光検出系Ｎに受光さ
せ、電気信号として再生する。信号光検出系Ｎは
直接法と差動法とに２分されるが、直接法では第
１Ａ図に示すように信号光をアナライザーＡに通
し、その透過光をデイテクターＤで受けて電気信
号に変換する。差動法では第１Ｂ図に示すように
信号光をウオーラストンプリズム、トムソンプリ
ズム、ロシヨンプリズム、薄膜型などの偏光ビー
ムスプリツターPBSに導き、信号光を互いに直
交した偏光成分を持ち、かつほぼ等しい光強度に
二分し、それらを各デイテクターD1，D2に受光
させ、それにより各々電気信号に変換し、各々の
電気信号を差動増幅器Ｑに導いて両電気信号の差
を取る。
光学再生装置と言うが、この装置は例えば第１図
に示す如き基本構成を有する。つまり、レーザー
光源Ｌからの偏光ビームをビームスプリツター
BSで進行方向を90度曲げた後、記録媒体Ｍに対
しほぼ垂直に照射し、その反射光を前記ビームス
プリツターBSを通して信号光検出系Ｎに受光さ
せ、電気信号として再生する。信号光検出系Ｎは
直接法と差動法とに２分されるが、直接法では第
１Ａ図に示すように信号光をアナライザーＡに通
し、その透過光をデイテクターＤで受けて電気信
号に変換する。差動法では第１Ｂ図に示すように
信号光をウオーラストンプリズム、トムソンプリ
ズム、ロシヨンプリズム、薄膜型などの偏光ビー
ムスプリツターPBSに導き、信号光を互いに直
交した偏光成分を持ち、かつほぼ等しい光強度に
二分し、それらを各デイテクターD1，D2に受光
させ、それにより各々電気信号に変換し、各々の
電気信号を差動増幅器Ｑに導いて両電気信号の差
を取る。
第１図に於いて光源Ｌからのビームをｓ偏光、
そのビームのビームスプリツターBSへの入射時
の光強度をISI，ビームスプリツターBSのｓ偏光
反射率をRsとすると、ビームスプリツターBSの
反射光強度はISI×RSで表わされる。しかし、こ
れが記録媒体Ｍに達するまでには対物レンズ等の
透過効率が１でないためにある程度減衰する。従
つて、透過効率をηとすると、記録媒体Ｍに照射
される光強度Ｉは、 Ｉ＝η×ISI×RS で表わされるが、ηは通常0.95程度であること
と、計算の展開の簡単のためにη＝１とみなして Ｉ＝ISI×RS ……（式１） と表わすことにする。
そのビームのビームスプリツターBSへの入射時
の光強度をISI，ビームスプリツターBSのｓ偏光
反射率をRsとすると、ビームスプリツターBSの
反射光強度はISI×RSで表わされる。しかし、こ
れが記録媒体Ｍに達するまでには対物レンズ等の
透過効率が１でないためにある程度減衰する。従
つて、透過効率をηとすると、記録媒体Ｍに照射
される光強度Ｉは、 Ｉ＝η×ISI×RS で表わされるが、ηは通常0.95程度であること
と、計算の展開の簡単のためにη＝１とみなして Ｉ＝ISI×RS ……（式１） と表わすことにする。
一方、偏光の回転状況について考えてみると、
今、記録媒体Ｍに入射する光ベクトルを第２図に
於いてベクトルOS→で表わす。ベクトルOS→は、媒
体Ｍで反射されると、カー回転を受けてそのピツ
トの磁化の向きに応じてベクトルOK1→又はOK2→に
変化する。
今、記録媒体Ｍに入射する光ベクトルを第２図に
於いてベクトルOS→で表わす。ベクトルOS→は、媒
体Ｍで反射されると、カー回転を受けてそのピツ
トの磁化の向きに応じてベクトルOK1→又はOK2→に
変化する。
更に、これらのベクトルOK1→又はOK2→は、ビー
ムスプリツターBSのｓ偏光及びｐ偏光に対する
透過率TS，TPの相違（相違があると仮定する）
から、見掛上更に回転を受けてベクトルOK1′→又
はOK1′→に変わる。
ムスプリツターBSのｓ偏光及びｐ偏光に対する
透過率TS，TPの相違（相違があると仮定する）
から、見掛上更に回転を受けてベクトルOK1′→又
はOK1′→に変わる。
アナライザーＡの主軸（第２図Ａ軸）をｐ方向
に対しθ度傾けておくと、デイテクターＤに受光
される偏光は、ベクトルOK1′→又はOK2′→のＡ軸に
対する写影ベクトルOM1→又はOM2→で表わされる。
従つて、デイテクターＤの再生信号強度Ｓは、光
強度が光ベクトルの２乗で表わされることから、
（OM1→）2−（OK2→）2に比例することになる。
に対しθ度傾けておくと、デイテクターＤに受光
される偏光は、ベクトルOK1′→又はOK2′→のＡ軸に
対する写影ベクトルOM1→又はOM2→で表わされる。
従つて、デイテクターＤの再生信号強度Ｓは、光
強度が光ベクトルの２乗で表わされることから、
（OM1→）2−（OK2→）2に比例することになる。
OK1→は第２図から明らかなようにOK1′→×cos
（π／２−θ−θk′）で表わされ、OM2→はOK2′→×c
os （π／２−θ−θk′）で表わされるから、 Ｓ∝（OM1→）2−（OM2→）2＝｛OK1′→×cos（π／２
−θ −θk′）｝2−｛OK2′→×cos（π／２−θ−θk′）
｝2とな る。
（π／２−θ−θk′）で表わされ、OM2→はOK2′→×c
os （π／２−θ−θk′）で表わされるから、 Ｓ∝（OM1→）2−（OM2→）2＝｛OK1′→×cos（π／２
−θ −θk′）｝2−｛OK2′→×cos（π／２−θ−θk′）
｝2とな る。
ところで、（OK1′→）2＝OK2′→2であるから、
Ｓ∝OK1′→2×｛cos2（（π／２−θ−θk′）−cos2
（π／２ −θ−θk′）｝となり、 Ｓ∝（OK1′→）2×（−sin2θ）・2sinθk′・cosθk
′
…（式２） と展開される。
（π／２ −θ−θk′）｝となり、 Ｓ∝（OK1′→）2×（−sin2θ）・2sinθk′・cosθk
′
…（式２） と展開される。
ここに於いて、sinθk′は第２図を簡単にした第
２Ａ図から明らかなように、sinθk′＝y′／OK1′→で
表わされ、cosθk′はcosθk′＝x′／OK1′→で表わさ
れ
る。
２Ａ図から明らかなように、sinθk′＝y′／OK1′→で
表わされ、cosθk′はcosθk′＝x′／OK1′→で表わさ
れ
る。
ところでベクトルOK1→のOK1′→への変化は、ビ
ームスプリツターBSの透過によつてもたらされ
るのであるから、第２Ａ図に於いてOK1→のｐ成分
ベクトルに等しい長さを有するｙとOK1′→のｐ成
分ベクトルに等しい長さを有するy′とは、 （y′）2／y2＝Tp ……（式３） （Tpはｐ偏光の透過率） という関係があり、ｓ成分については、 （x′）2／x2＝Ts ……（式４） （Tsはｓ偏光の透過率） という関係がある。そして、第２Ａ図から、 ｘ＝OK1→XcosθK ，ｙ＝OK1→×sinθk という関係が知れるから、 x′＝OK1→×cosθk×√ y′＝OK1→×sinθk×√ の関係式が得られ、その結果 sinθk′＝y′／OK1′→ ＝OK1→×sinθk√×１／OK1′ cosθk′＝y′／OK1′→ ＝OK1→×cosθk×√×１／OK1′ となる。
ームスプリツターBSの透過によつてもたらされ
るのであるから、第２Ａ図に於いてOK1→のｐ成分
ベクトルに等しい長さを有するｙとOK1′→のｐ成
分ベクトルに等しい長さを有するy′とは、 （y′）2／y2＝Tp ……（式３） （Tpはｐ偏光の透過率） という関係があり、ｓ成分については、 （x′）2／x2＝Ts ……（式４） （Tsはｓ偏光の透過率） という関係がある。そして、第２Ａ図から、 ｘ＝OK1→XcosθK ，ｙ＝OK1→×sinθk という関係が知れるから、 x′＝OK1→×cosθk×√ y′＝OK1→×sinθk×√ の関係式が得られ、その結果 sinθk′＝y′／OK1′→ ＝OK1→×sinθk√×１／OK1′ cosθk′＝y′／OK1′→ ＝OK1→×cosθk×√×１／OK1′ となる。
これらのsinθk′及びcosθk′の値を上述の式２に
代入すると、上述の式２は、 Ｓ∝−sin2θ×２×（ok1）2×√ ×sinθk・cosθk ……（式５） と展開される。
代入すると、上述の式２は、 Ｓ∝−sin2θ×２×（ok1）2×√ ×sinθk・cosθk ……（式５） と展開される。
ここでOK1→は記録媒体の反射光であるから、そ
の強度（OK1→）2は、記録媒体Ｍに入射する光ベク
トルOS→の強度（OS→）2に記録媒体Ｍの反射率Ｒを
乗じたものに等しい。そして、記録媒体への入射
光の強度Ｉは、上述の式１からＩ＝ISI・RSであ
るから （Ok1→）2＝（OS→）2×Ｒ ＝Ｉ×Ｒ＝ISI・RS・Ｒ となる。
の強度（OK1→）2は、記録媒体Ｍに入射する光ベク
トルOS→の強度（OS→）2に記録媒体Ｍの反射率Ｒを
乗じたものに等しい。そして、記録媒体への入射
光の強度Ｉは、上述の式１からＩ＝ISI・RSであ
るから （Ok1→）2＝（OS→）2×Ｒ ＝Ｉ×Ｒ＝ISI・RS・Ｒ となる。
従つて、この関係式を上述の式５に代入する
と、 Ｓ∝−sin2θ×２×ISI×RS×Ｒ ×√×sinθk・cosθk ＝−ISI・Ｒ・RS√ ・sin2θksin2θ ……（式６） となる。
と、 Ｓ∝−sin2θ×２×ISI×RS×Ｒ ×√×sinθk・cosθk ＝−ISI・Ｒ・RS√ ・sin2θksin2θ ……（式６） となる。
従つて、記録媒体Ｍの反射率Ｒが一定、カー回
転角が一定、アナライザーＡの軸の傾きθが一定
とすれば、式６は、 Ｓ∝ISI・RS√ ……（式７） となる。
転角が一定、アナライザーＡの軸の傾きθが一定
とすれば、式６は、 Ｓ∝ISI・RS√ ……（式７） となる。
以上の論理展開は信号光検出系Ｎが直接法（第
１Ａ図）である場合について行なつたが、差動法
（第１Ｂ図）についても、ほぼ同様に展開され、
再生信号強度Ｓは Ｓ∝ISI・RS√ ……（式７） が成立する。
１Ａ図）である場合について行なつたが、差動法
（第１Ｂ図）についても、ほぼ同様に展開され、
再生信号強度Ｓは Ｓ∝ISI・RS√ ……（式７） が成立する。
してみると、再生信号強度Ｓは、式７の右辺の
値が大きい程大きくなり、Ｓ／Ｎ比は向上する。
しかしながら、記録媒体Ｍに照射される光強度を
表わすISI・RSは、媒体Ｍによつて最適範囲があ
り、むやみに高めることはできない。何故なら
ば、仮に本装置を再生に使用する場合に、ISI・
RSは余りに小さいと読み取りが不可能になるし、
余りに大きいと照射部分の温度が向上して記録を
消去するか記録の強度を低下させることになるの
で、最適強度範囲が自ずと決まつてくるからであ
る。
値が大きい程大きくなり、Ｓ／Ｎ比は向上する。
しかしながら、記録媒体Ｍに照射される光強度を
表わすISI・RSは、媒体Ｍによつて最適範囲があ
り、むやみに高めることはできない。何故なら
ば、仮に本装置を再生に使用する場合に、ISI・
RSは余りに小さいと読み取りが不可能になるし、
余りに大きいと照射部分の温度が向上して記録を
消去するか記録の強度を低下させることになるの
で、最適強度範囲が自ずと決まつてくるからであ
る。
従つて、再生の場合の最適光強度をIRとすれ
ば、式１より IR＝ISI・RS ……（式８） となり、式７は、 Ｓ∝IR√ と書き換えられ、IR＝一定であるからＳを大きく
するには√を高くすればよい。
ば、式１より IR＝ISI・RS ……（式８） となり、式７は、 Ｓ∝IR√ と書き換えられ、IR＝一定であるからＳを大きく
するには√を高くすればよい。
ところでTSは、ビームスプリツターに吸収が
ないとすればTS＋RS＝１であるから、RSを小さ
くすればTSを大きくすることができる。式８か
ら今IRより十分に大きな光強度（ISI）を与えるハ
イパワーの光源を入手することができるとすれば
（事実、入手可能である）、RSは小さくする（例
えば25％程度）ことができ、その結果TSは大き
くなり、一方TPはこの場合無関係であるから可
能な限り１に近ずければ√は理論的最大値
１に近ずき、その結果、再生信号強度Ｓは向上す
ることになる。
ないとすればTS＋RS＝１であるから、RSを小さ
くすればTSを大きくすることができる。式８か
ら今IRより十分に大きな光強度（ISI）を与えるハ
イパワーの光源を入手することができるとすれば
（事実、入手可能である）、RSは小さくする（例
えば25％程度）ことができ、その結果TSは大き
くなり、一方TPはこの場合無関係であるから可
能な限り１に近ずければ√は理論的最大値
１に近ずき、その結果、再生信号強度Ｓは向上す
ることになる。
他方、同じ装置を同じ光源を用いて記録・消去
も実行しようとすると、記録媒体Ｍに照射される
光強度（ISI・RS）にもまた最適光強度IWがあり、
光強度が余りに小さいと記録・消去が不可能であ
るし、余りに大きいと記録媒体を焼却破壊する恐
れがあるので、 IW＝ISI・RS ……（式９） としなければならない。従つて、記録・消去の場
合にはビームスプリツターのRSが小さいとISIつ
まりは光源の光強度を相当に高くしなければなら
ない。
も実行しようとすると、記録媒体Ｍに照射される
光強度（ISI・RS）にもまた最適光強度IWがあり、
光強度が余りに小さいと記録・消去が不可能であ
るし、余りに大きいと記録媒体を焼却破壊する恐
れがあるので、 IW＝ISI・RS ……（式９） としなければならない。従つて、記録・消去の場
合にはビームスプリツターのRSが小さいとISIつ
まりは光源の光強度を相当に高くしなければなら
ない。
一般にIWはIRの数倍とされているから、記録・
消去の場合には光源の光強度を数倍にしなければ
ならず、そのようなハイパワーのレーザー光源を
入手することは、現在のところ困難か、又は仮に
入手できても、光源のエネルギーの相当な割合を
無駄に捨てることになる。
消去の場合には光源の光強度を数倍にしなければ
ならず、そのようなハイパワーのレーザー光源を
入手することは、現在のところ困難か、又は仮に
入手できても、光源のエネルギーの相当な割合を
無駄に捨てることになる。
そのような理由から、記録・消去時は、ビーム
スプリツターBSのｓ偏光反射率RSは出来るだけ
高い方が好ましい。
スプリツターBSのｓ偏光反射率RSは出来るだけ
高い方が好ましい。
以上述べたとおり、再生時はRSは出来るだけ
低い方が好ましく、記録及び消去時はRSは出来
るだけ高い方が好ましいが、１つのビームスプリ
ツターBSでそのような特性を持つものを入手す
るのは不可能である。
低い方が好ましく、記録及び消去時はRSは出来
るだけ高い方が好ましいが、１つのビームスプリ
ツターBSでそのような特性を持つものを入手す
るのは不可能である。
以上の論理展開はｓ偏光に代れてｐ偏光を使用
した場合にも同様に可能であり、この場合には式
７は、 Ｓ∝IPI・RP√ となり、ｐ偏光反射率RpについてもRSと同様の
ことが言える。
した場合にも同様に可能であり、この場合には式
７は、 Ｓ∝IPI・RP√ となり、ｐ偏光反射率RpについてもRSと同様の
ことが言える。
更にまた、第３図に示すようにビームスプリツ
ターBSを透過したビームを媒体Ｍにほぼ垂直に
照射し、媒体Ｍで反射された信号光をBSに導き、
BSでの反射されたビームを信号光検出系Ｎに受
光させる再生装置に於いても、同様の論理展開が
でき、 Ｓ偏光の場合：Ｓ∝ISI・TS√ Ｐ偏光の場合：Ｓ∝IPI・TP√ が成立する。
ターBSを透過したビームを媒体Ｍにほぼ垂直に
照射し、媒体Ｍで反射された信号光をBSに導き、
BSでの反射されたビームを信号光検出系Ｎに受
光させる再生装置に於いても、同様の論理展開が
でき、 Ｓ偏光の場合：Ｓ∝ISI・TS√ Ｐ偏光の場合：Ｓ∝IPI・TP√ が成立する。
（発明の目的）
従つて、本発明の目的は、再生時並びに記録・
消去時の各々に適した偏光反射率又は透過率を有
するビームスプリツターを備えた効率の高い磁気
光学記録再生装置を提供することにある。
消去時の各々に適した偏光反射率又は透過率を有
するビームスプリツターを備えた効率の高い磁気
光学記録再生装置を提供することにある。
（発明の概要）
本発明者らは当初ビームスプリツターを２種設
けることを試みたが、２種のビームスプリツター
を機械的に交互に変換する駆動系が複雑になる欠
点が生じ、また２種のビームスプリツターと各々
にレーザー光源を設ける試みは、装置の主要部を
納めるピツクアツプが大きく重くなつてしまい、
ピツクアツプの機械的駆動系の負担が大きくなる
欠点があり、いずれも実用的ではなかつた。
けることを試みたが、２種のビームスプリツター
を機械的に交互に変換する駆動系が複雑になる欠
点が生じ、また２種のビームスプリツターと各々
にレーザー光源を設ける試みは、装置の主要部を
納めるピツクアツプが大きく重くなつてしまい、
ピツクアツプの機械的駆動系の負担が大きくなる
欠点があり、いずれも実用的ではなかつた。
そこで更に研究を進めた結果、ビームスプリツ
ターの中でも、無機誘導体の多層干渉膜を主体と
するものは、波長によつて偏光反射率又は透過率
を変えて設計、製作することは可能であることを
知り、再生時と記録・消去時に各々波長の異なる
偏光ビームを使用することを着想し、本発明を成
すに至つた。
ターの中でも、無機誘導体の多層干渉膜を主体と
するものは、波長によつて偏光反射率又は透過率
を変えて設計、製作することは可能であることを
知り、再生時と記録・消去時に各々波長の異なる
偏光ビームを使用することを着想し、本発明を成
すに至つた。
即ち、本発明は記録及び消去用に波長λ1の偏光
ビームと、再生用にλ1と異なる波長λ2の偏光ビー
ムとを発する光源Ｌを備え、波長λ1の偏光ビーム
をビームスプリツターBSを経て磁気光学記録媒
体Ｍにほぼ垂直に照射することにより記録又は消
去を行ない、波長λ2の偏光ビームを前記BSを経
て前記媒体Ｍにほぼ垂直に照射し、媒体Ｍで反射
された信号光を再び前記BSを経て信号光検出系
Ｎで受光させて電気信号として再生する磁気光学
記録再生装置に於いて、前記BSとして、波長λ1
の偏光ビームに対して射出光強度／入射光強度の
割合が高く、波長λ2の偏光ビームに対して出射光
強度／入射光強度の割合が低い二波長ビームスプ
リツターDBSを使用することを特徴とする磁気
光学記録再生装置を提供する。
ビームと、再生用にλ1と異なる波長λ2の偏光ビー
ムとを発する光源Ｌを備え、波長λ1の偏光ビーム
をビームスプリツターBSを経て磁気光学記録媒
体Ｍにほぼ垂直に照射することにより記録又は消
去を行ない、波長λ2の偏光ビームを前記BSを経
て前記媒体Ｍにほぼ垂直に照射し、媒体Ｍで反射
された信号光を再び前記BSを経て信号光検出系
Ｎで受光させて電気信号として再生する磁気光学
記録再生装置に於いて、前記BSとして、波長λ1
の偏光ビームに対して射出光強度／入射光強度の
割合が高く、波長λ2の偏光ビームに対して出射光
強度／入射光強度の割合が低い二波長ビームスプ
リツターDBSを使用することを特徴とする磁気
光学記録再生装置を提供する。
本発明に於いて、互いに波長の異なる２本のビ
ームを得るのに単一の光源Ｌで済ませることもで
きるが、現在のところスケールが大きくなりすぎ
て実用化は難しいので、各々に別の光源L1，L2
を使用することが好ましい。
ームを得るのに単一の光源Ｌで済ませることもで
きるが、現在のところスケールが大きくなりすぎ
て実用化は難しいので、各々に別の光源L1，L2
を使用することが好ましい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
（実施例 １）
本例の記録再生装置は、第４図（磁気光学記録
媒体Ｍを除く）に示すように、波長λ1＝780nmの
記録・消去用レーザービームを発する光源L1と、
それに並列に並べた波長λ2＝830nmの再生用レー
ザービームを発する光源L2と、二波長ビームス
プリツターDBSと、信号光検出系Ｎとからなる。
信号検出系は第１Ａ図又は第１Ｂ図に示すものと
同じである。
媒体Ｍを除く）に示すように、波長λ1＝780nmの
記録・消去用レーザービームを発する光源L1と、
それに並列に並べた波長λ2＝830nmの再生用レー
ザービームを発する光源L2と、二波長ビームス
プリツターDBSと、信号光検出系Ｎとからなる。
信号検出系は第１Ａ図又は第１Ｂ図に示すものと
同じである。
本例に用いるDBSは、第５図（断面図）に示
すように屈折率ｎ＝1.72のガラスプリズムＧの斜
面にTiO2とSiO2との多層誘電体膜MLを形成し
た後、その上に同一のプリズムＧを密着させたも
ので、この多層誘電体膜MLの層構造を第６図及
び第１表に示す。また、このDBSの分光反射透
過特性を第７図に示す。
すように屈折率ｎ＝1.72のガラスプリズムＧの斜
面にTiO2とSiO2との多層誘電体膜MLを形成し
た後、その上に同一のプリズムＧを密着させたも
ので、この多層誘電体膜MLの層構造を第６図及
び第１表に示す。また、このDBSの分光反射透
過特性を第７図に示す。
第７図から明らかなように、このDBSは波長
λ＝780nmのｐ偏光入射光に対して反射率Rp≒
０％、透過率Tp≒100％で同ｓ偏光入射光に対し
て反射率Rs≒100％、透過率TS≒０％である。ま
た波長λ2＝830nmのｐ偏光入射光に対して反射率
RP≒０％、透過率TP≒100％、同ｓ偏光に対して
反射率RS≒12％、透過率TS≒88％の特性を示す。
λ＝780nmのｐ偏光入射光に対して反射率Rp≒
０％、透過率Tp≒100％で同ｓ偏光入射光に対し
て反射率Rs≒100％、透過率TS≒０％である。ま
た波長λ2＝830nmのｐ偏光入射光に対して反射率
RP≒０％、透過率TP≒100％、同ｓ偏光に対して
反射率RS≒12％、透過率TS≒88％の特性を示す。
ところで、記録媒体Ｍとして、ここでは反射率
40％、カー回転角θk＝0.35゜のGdCo磁性薄膜を有
する記録媒体を使用する。この記録媒体Ｍの再生
に最適な光強度IRは1.5mWで、記録及び消去に最
適な光強度IWは6mWである。
40％、カー回転角θk＝0.35゜のGdCo磁性薄膜を有
する記録媒体を使用する。この記録媒体Ｍの再生
に最適な光強度IRは1.5mWで、記録及び消去に最
適な光強度IWは6mWである。
本例の装置に於ける光源L1，L2からDBSまで
の透過効率η′は0.74でDBSから媒体Ｍまでの透過
効率ηは１とみなす。そうすると記録又は消去時
に光源L1から光強度8.1mW、波長λ2＝780nmの
ｓ偏光ビームをDBSに入射させ、その反射光を
記録媒体Ｍに照射すると、DBSへの入射光強度
ISIは8.1×0.74mWであるから、媒体Ｍに照射され
る光強度Ｉは式１より Ｉ＝8.1×0.74×１ ≒6.0mW となり、これは最適光強度IW＝6mWと一致する。
の透過効率η′は0.74でDBSから媒体Ｍまでの透過
効率ηは１とみなす。そうすると記録又は消去時
に光源L1から光強度8.1mW、波長λ2＝780nmの
ｓ偏光ビームをDBSに入射させ、その反射光を
記録媒体Ｍに照射すると、DBSへの入射光強度
ISIは8.1×0.74mWであるから、媒体Ｍに照射され
る光強度Ｉは式１より Ｉ＝8.1×0.74×１ ≒6.0mW となり、これは最適光強度IW＝6mWと一致する。
一方、再生時には光源L2から光強度16.9mW波
長λ2＝830nmのｓ偏光ビームをDBSに入射させ、
その反射光を記録媒体Ｍに垂直に照射すると、
DBSに入射する光強度ISIは16.9×0.74mWである
から、媒体Ｍに照射される光強度は式１より Ｉ＝16.9×0.74×0.12 ≒1.5mW となり、これは最適光強度IR＝1.5mWと一致す
る。
長λ2＝830nmのｓ偏光ビームをDBSに入射させ、
その反射光を記録媒体Ｍに垂直に照射すると、
DBSに入射する光強度ISIは16.9×0.74mWである
から、媒体Ｍに照射される光強度は式１より Ｉ＝16.9×0.74×0.12 ≒1.5mW となり、これは最適光強度IR＝1.5mWと一致す
る。
媒体Ｍで反射された信号光は再びDBSを通つ
て検出系Ｎに受光されるが、その結果式７の右辺
は、 16.9×0.74×0.12×√0.88×１≒1.41 という値になる。
て検出系Ｎに受光されるが、その結果式７の右辺
は、 16.9×0.74×0.12×√0.88×１≒1.41 という値になる。
（比較例 1a）
実施例１の装置に於いて、仮に光源L1を使用
せずに光源L2を用いて記録・消去も実施しよう
とすると、記録・消去に最適の光強度IWはこの媒
体Ｍでは6mWであるから、光源L2の光強度ｘは、 ６＝ｘ×0.74×0.12×１ からｘ＝6.76mW必要である。
せずに光源L2を用いて記録・消去も実施しよう
とすると、記録・消去に最適の光強度IWはこの媒
体Ｍでは6mWであるから、光源L2の光強度ｘは、 ６＝ｘ×0.74×0.12×１ からｘ＝6.76mW必要である。
しかし、このようにレーザー光源L2のパワー
を上げることは困難であるか、又は仮に上げ得て
も高価な光源になるか、若しくは消費電力が高く
なる。それに対し、実施例１では記録・消去時に
8.1で済む。
を上げることは困難であるか、又は仮に上げ得て
も高価な光源になるか、若しくは消費電力が高く
なる。それに対し、実施例１では記録・消去時に
8.1で済む。
（比較例 1b）
実施例１の装置に於いて、DBSの代りに最も
慣用的なハーフミラー（波長によらずｐ偏光及び
ｓ偏光入射光に対して共に反射率透過率50％であ
る）を使用する。この場合、 (1)記録・消去時には、 ６＝ｘ×0.74×0.5 ｘ＝16.2mWの光源L1光強度でなければな
らず、 (2)再生時には 1.5＝x′×0.74×0.5 x′＝4.1mWの光源L2光強度でなければな
らない。そのため式７の右辺は、 4.1×0.74×0.5×√0.5×0.5≒0.76 という値になる。従つて、実施例１の装置は比較
例1bの装置に比べて再生信号強度Ｓが1.4／0.76
＝1.84倍向上していると言える。
慣用的なハーフミラー（波長によらずｐ偏光及び
ｓ偏光入射光に対して共に反射率透過率50％であ
る）を使用する。この場合、 (1)記録・消去時には、 ６＝ｘ×0.74×0.5 ｘ＝16.2mWの光源L1光強度でなければな
らず、 (2)再生時には 1.5＝x′×0.74×0.5 x′＝4.1mWの光源L2光強度でなければな
らない。そのため式７の右辺は、 4.1×0.74×0.5×√0.5×0.5≒0.76 という値になる。従つて、実施例１の装置は比較
例1bの装置に比べて再生信号強度Ｓが1.4／0.76
＝1.84倍向上していると言える。
（実施例 ２）
本例は、第８図（媒体Ｍを除く）に示すよう
に、波長λ1＝780nmの記録・消去用レーザービー
ムを発する光源L1と、波長λ2＝830nmの再生用レ
ーザービームを発する光源L2と、二波長ビーム
スプリツターDBS１，２と、再生光検出系Ｎと
からなる記録再生装置である。
に、波長λ1＝780nmの記録・消去用レーザービー
ムを発する光源L1と、波長λ2＝830nmの再生用レ
ーザービームを発する光源L2と、二波長ビーム
スプリツターDBS１，２と、再生光検出系Ｎと
からなる記録再生装置である。
ここで用いるDBS１は、屈折率ｎ＝1.52の平行
平面ガラス板Ｇの片面に多層誘電体膜MLとして
ZrO2（ｎ＝2.0，nd＝0.28413λ0）とMgF2（ｎ＝
138，nd＝0.30289λ0）とを交互に20層（最後の20
層目はMgF2）積層したものである。基準波長λ0
は614nmとしている。このDBS1の分光透過特性
グラフを第９図に示す。
平面ガラス板Ｇの片面に多層誘電体膜MLとして
ZrO2（ｎ＝2.0，nd＝0.28413λ0）とMgF2（ｎ＝
138，nd＝0.30289λ0）とを交互に20層（最後の20
層目はMgF2）積層したものである。基準波長λ0
は614nmとしている。このDBS1の分光透過特性
グラフを第９図に示す。
DBS2は基本的には第５図の如き断面構造を有
するもので、ガラスプリズムＧの屈折率ｎも1.72
である。但し、多層誘電体膜MLは第１０図及び
第２表に示す層構造を有する。このDBS2の分光
反射特性グラフを第１１図に示す。
するもので、ガラスプリズムＧの屈折率ｎも1.72
である。但し、多層誘電体膜MLは第１０図及び
第２表に示す層構造を有する。このDBS2の分光
反射特性グラフを第１１図に示す。
第９図及び第１１図からDBS1と２の特性は次
の通りである。
の通りである。
DBS1……780nmの入射光に対しR
S≒100％ 830nmの入射光に対しTS＝97％ BS2……780nmの入射光に対しRS
＝99％ 〃 TP＝99％ 830nmの入射光に対しRS＝28％ 〃 TS＝72％ 〃 TP＝99％ ところで、記録媒体Ｍとして、カー回転角0.4
度、記録・消去に最適な光強度IW＝6.7mW、再
生に最適な光強度IR＝2mWのGdTbFe磁性薄膜
を有するものを使用する。
S≒100％ 830nmの入射光に対しTS＝97％ BS2……780nmの入射光に対しRS
＝99％ 〃 TP＝99％ 830nmの入射光に対しRS＝28％ 〃 TS＝72％ 〃 TP＝99％ ところで、記録媒体Ｍとして、カー回転角0.4
度、記録・消去に最適な光強度IW＝6.7mW、再
生に最適な光強度IR＝2mWのGdTbFe磁性薄膜
を有するものを使用する。
本例の装置に於ける光源L1，L2からDBS1まで
の透過効率η′は0.74で、DBS1からDBS2までの透
過効率η″及びDBS2から媒体Ｍまでの透過効率η
はそれぞれ１とみなす。そうすると、記録・消去
時に光源L1から光強度9.1mW、波長λ1＝780nm
のｓ偏光ビームをDBS1に入射させ、その反射光
をDBS2に入射させ、その反射光を媒体Ｍに照射
すると、媒体Ｍへの照射光強度Ｉは、式１より Ｉ＝9.1×0.74×１×0.99 ≒6.7mW であり、これは最適光強度IW＝6.7mWと一致す
る。
の透過効率η′は0.74で、DBS1からDBS2までの透
過効率η″及びDBS2から媒体Ｍまでの透過効率η
はそれぞれ１とみなす。そうすると、記録・消去
時に光源L1から光強度9.1mW、波長λ1＝780nm
のｓ偏光ビームをDBS1に入射させ、その反射光
をDBS2に入射させ、その反射光を媒体Ｍに照射
すると、媒体Ｍへの照射光強度Ｉは、式１より Ｉ＝9.1×0.74×１×0.99 ≒6.7mW であり、これは最適光強度IW＝6.7mWと一致す
る。
一方、再生時に光源L2から光強度9.9mW、波
長λ2＝830nmのｓ偏光ビームをDBS1に入射さ
せ、その透過光をDBS2に入射させ、その反射光
を媒体Ｍにほぼ垂直に照射すると、媒体Ｍへの照
射光強度Ｉは、式１より Ｉ＝9.9×0.74×0.97×0.28 ≒2.0mW であり、最適再生光強度IR＝2mWと一致する。
長λ2＝830nmのｓ偏光ビームをDBS1に入射さ
せ、その透過光をDBS2に入射させ、その反射光
を媒体Ｍにほぼ垂直に照射すると、媒体Ｍへの照
射光強度Ｉは、式１より Ｉ＝9.9×0.74×0.97×0.28 ≒2.0mW であり、最適再生光強度IR＝2mWと一致する。
媒体Ｍで反射された信号光は再びDBS2を通つ
て検出系Ｎに入射し受光されるが、式７の右辺は 9.9×0.74×0.97×0.28×√0.72×0.99≒1.68 という値になる。
て検出系Ｎに入射し受光されるが、式７の右辺は 9.9×0.74×0.97×0.28×√0.72×0.99≒1.68 という値になる。
（比較例 2a）
実施例２の装置に於いて、仮に光源L1を使用
せずに光源L2を用いて記録・消去も実施しよう
とすると、記録・消去に最適の光強度IWは、この
媒体Ｍでは6.7mWであるから、光源L2の光強度
ｘは、式１より 6.7＝ｘ×0.74×0.97×0.28 からｘ＝33.3mW必要であり、実施例２の9.9mW
と比べると、約3.4倍となる。
せずに光源L2を用いて記録・消去も実施しよう
とすると、記録・消去に最適の光強度IWは、この
媒体Ｍでは6.7mWであるから、光源L2の光強度
ｘは、式１より 6.7＝ｘ×0.74×0.97×0.28 からｘ＝33.3mW必要であり、実施例２の9.9mW
と比べると、約3.4倍となる。
（比較例 2b）
実施例２の装置に於いて、DBS2の代りにハー
フミラーを使用する。この場合、 (1) 記録・消去時には 6.7＝ｘ×0.74×１×0.5 からｘ＝18.1mWの光源L1光強度でなければなら
ず、 (2) 再生時には ２＝x′×0.74×0.97×0.5 からx′≒5.6mWの光源L2光強度でなければなら
ない。そのため、式７の右辺は、 5.6×0.74×0.97×0.5×√0.5×0.5 ≒1.00 となる。この値を実施例２の1.68と比較すると、
実施例２の装置の再生信号強度Ｓは比較例2bの
それの1.7倍高いと言える。
フミラーを使用する。この場合、 (1) 記録・消去時には 6.7＝ｘ×0.74×１×0.5 からｘ＝18.1mWの光源L1光強度でなければなら
ず、 (2) 再生時には ２＝x′×0.74×0.97×0.5 からx′≒5.6mWの光源L2光強度でなければなら
ない。そのため、式７の右辺は、 5.6×0.74×0.97×0.5×√0.5×0.5 ≒1.00 となる。この値を実施例２の1.68と比較すると、
実施例２の装置の再生信号強度Ｓは比較例2bの
それの1.7倍高いと言える。
（実施例 ３）
本例は実施例２の変形例であり、本例の装置の
全体的な構成を第１２図（斜視説明図）に示す。
全体的な構成を第１２図（斜視説明図）に示す。
ここで使用するDBS1は、ｎ＝1.52の平行平面
ガラス板Ｇの片面にNrO2（ｎ＝2.0，nd＝
0.28413λ0）とMgF2（ｎ＝1.38，nd＝0.30289λ0）
とを交互に20層（１層目は基板側でZrO2）積層
してなる多層誘電体膜MLを形成したものであ
る。基準波長λ0は656nmである。このDBS1の分
光透過特性グラフを第１３図に示す。それによれ
ば780nmのｐ偏光入射光に対しRP≒97％で
830nmのｐ偏光入射光に対しTP≒100％である。
ガラス板Ｇの片面にNrO2（ｎ＝2.0，nd＝
0.28413λ0）とMgF2（ｎ＝1.38，nd＝0.30289λ0）
とを交互に20層（１層目は基板側でZrO2）積層
してなる多層誘電体膜MLを形成したものであ
る。基準波長λ0は656nmである。このDBS1の分
光透過特性グラフを第１３図に示す。それによれ
ば780nmのｐ偏光入射光に対しRP≒97％で
830nmのｐ偏光入射光に対しTP≒100％である。
一方、DBS2は、実施例２で使用したDBS2と
同じものである。つまり、DBS2は 780nmの入射光に対し RS＝99％ 830nmの入射光に対しRS＝28％ TS＝72％ TP＝99％ の特性を有する。
同じものである。つまり、DBS2は 780nmの入射光に対し RS＝99％ 830nmの入射光に対しRS＝28％ TS＝72％ TP＝99％ の特性を有する。
記録媒体Ｍも実施例２で使用したものと同じも
の（IR＝2mW，IW＝6.7mW）を使用する。
の（IR＝2mW，IW＝6.7mW）を使用する。
本例の装置に於ける光源（L1，L2）からDBS1
までの透過効率η′は0.74で、DBS1からDBS2まで
の透過効率η″及びDBS２から媒体Ｍまでの透過
効率ηはそれぞれ１とみなす。
までの透過効率η′は0.74で、DBS1からDBS2まで
の透過効率η″及びDBS２から媒体Ｍまでの透過
効率ηはそれぞれ１とみなす。
記録・消去時には、光源L1からλ1＝780nmのｐ
偏光ビームをDBS1に入射させ、その反射光を
DBSに入射させると、入射面の関係でｓ偏光と
して入射することになり、その反射光を媒体Ｍに
ほぼ垂直に照射する。光源L1の光強度を9.4mW
とすると、媒体Ｍに照射される光強度Ｉは、 Ｉ＝9.4×0.74×0.97×１×0.99 ≒6.7mW であり、これは媒体Ｍの最適記録・消去光強度IW
＝6.7mWに一致する。
偏光ビームをDBS1に入射させ、その反射光を
DBSに入射させると、入射面の関係でｓ偏光と
して入射することになり、その反射光を媒体Ｍに
ほぼ垂直に照射する。光源L1の光強度を9.4mW
とすると、媒体Ｍに照射される光強度Ｉは、 Ｉ＝9.4×0.74×0.97×１×0.99 ≒6.7mW であり、これは媒体Ｍの最適記録・消去光強度IW
＝6.7mWに一致する。
再生時には、光源L2からλ2＝830nmのｐ偏光ビ
ームをDBS1に入射させ、その透過光をDBS2に
入射させると、入射面との関係でｓ偏光として入
射することになり、DBS2での反射光を媒体Ｍに
ほぼ垂直に照射し、媒体Ｍで反射された信号光を
再びDBS2に導き、その透過光を検出系Ｎに導
く。光源L2の光強度は今9.7mWであるので媒体
Ｍに照射される光強度Ｉは Ｉ＝9.7×0.74×１×0.28 ≒2.0mW となり、これは最適再生光強度IR＝2mWと一致
し、また式７の右辺は、 9.7×0.74×１×0.28×√0.72×0.99 ≒1.70 となり、比較例2bと比べて再生信号強度Ｓは約
1.7倍となる。
ームをDBS1に入射させ、その透過光をDBS2に
入射させると、入射面との関係でｓ偏光として入
射することになり、DBS2での反射光を媒体Ｍに
ほぼ垂直に照射し、媒体Ｍで反射された信号光を
再びDBS2に導き、その透過光を検出系Ｎに導
く。光源L2の光強度は今9.7mWであるので媒体
Ｍに照射される光強度Ｉは Ｉ＝9.7×0.74×１×0.28 ≒2.0mW となり、これは最適再生光強度IR＝2mWと一致
し、また式７の右辺は、 9.7×0.74×１×0.28×√0.72×0.99 ≒1.70 となり、比較例2bと比べて再生信号強度Ｓは約
1.7倍となる。
尚、実施例２，３に於いて、記録消去の際に再
生用のビームを媒体Ｍへの照射位置を変えて同時
に照射することにより、記録・消去の予備チエツ
ク又は確認チエツクの機能を持たせてもよい。こ
の場合、記録・消去用のビームが記録媒体Ｍで反
射されて、その反射光がDBS2を透過して検出系
Ｎに入射し、それが再生用ビームの信号光に対す
るノイズとなることがあるので、その場合には
DBS2と検出系Ｎとの間に、再生用ビームλ1は透
過し、記録・消去用ビームλ2は反射する干渉フイ
ルターを挿入するとよい。
生用のビームを媒体Ｍへの照射位置を変えて同時
に照射することにより、記録・消去の予備チエツ
ク又は確認チエツクの機能を持たせてもよい。こ
の場合、記録・消去用のビームが記録媒体Ｍで反
射されて、その反射光がDBS2を透過して検出系
Ｎに入射し、それが再生用ビームの信号光に対す
るノイズとなることがあるので、その場合には
DBS2と検出系Ｎとの間に、再生用ビームλ1は透
過し、記録・消去用ビームλ2は反射する干渉フイ
ルターを挿入するとよい。
（実施例 ４）
本例の全体構成を第１４図（説明図）に示す。
L1は波長λ1＝780nmのレーザー光源で記録・消去
用に使用する。L2は波長λ2＝830nmのレーザー光
源で再生用に使用する。DBSは実施例２で使用
したDBS2と同じものである。FRはフアラデー
ローテーターで入射光の偏光面を45゜回転させる
性質を有する。Ｆは波長λ1＝780nmのビームを99
％反射し、波長λ2＝830nmのビームを98％透過す
る干渉フイルターである。この干渉フイルターＦ
は屈折率ｎ＝1.52のガラス基板の上に、Ｈ層（ｎ
＝2.0のZrO2で光学的膜厚nd＝0.25λ0）とＬ層
（ｎ＝1.38のMgF2で光学的膜厚nd＝0.25λ0）とを
基板側から（HL）2HLL（HL）5HLL（HL）2Hの順
に25層積層したもので、第１５図に示す分光透過
特性を有する。ここで、λ0＝830nmである。記
録・消去時に光源L1からｓ偏光ビームDBSに入
射させると、99％反射される。その反射光をフア
ラデーローテーターFRに通すと偏光面は45゜回転
する。FRの透過光を干渉フイルターＦに入射さ
せると99％反射される。その反射光を再びFRに
通すと偏光面は更に45゜回転させられ、そのため
今度はｐ偏光としてDBSに入射する。DBSはｐ
偏光を99％透過し、ｐ偏光は記録媒体Ｍにほぼ垂
直に入射する。
L1は波長λ1＝780nmのレーザー光源で記録・消去
用に使用する。L2は波長λ2＝830nmのレーザー光
源で再生用に使用する。DBSは実施例２で使用
したDBS2と同じものである。FRはフアラデー
ローテーターで入射光の偏光面を45゜回転させる
性質を有する。Ｆは波長λ1＝780nmのビームを99
％反射し、波長λ2＝830nmのビームを98％透過す
る干渉フイルターである。この干渉フイルターＦ
は屈折率ｎ＝1.52のガラス基板の上に、Ｈ層（ｎ
＝2.0のZrO2で光学的膜厚nd＝0.25λ0）とＬ層
（ｎ＝1.38のMgF2で光学的膜厚nd＝0.25λ0）とを
基板側から（HL）2HLL（HL）5HLL（HL）2Hの順
に25層積層したもので、第１５図に示す分光透過
特性を有する。ここで、λ0＝830nmである。記
録・消去時に光源L1からｓ偏光ビームDBSに入
射させると、99％反射される。その反射光をフア
ラデーローテーターFRに通すと偏光面は45゜回転
する。FRの透過光を干渉フイルターＦに入射さ
せると99％反射される。その反射光を再びFRに
通すと偏光面は更に45゜回転させられ、そのため
今度はｐ偏光としてDBSに入射する。DBSはｐ
偏光を99％透過し、ｐ偏光は記録媒体Ｍにほぼ垂
直に入射する。
光源L1からDBSへの透過効率η′は0.74でDBSか
らFRまでの透過効率、FRからＦまで及びその逆
の透過効率並びにDBSから媒体Ｍまでの透過効
率ηはいずれも１とみなす。従つて、光源L1の
光強度を8.3mWとすると、媒体Ｍに照射される
光強度Ｉは Ｉ＝8.3×0.74×0.99×１×１×0.99×１ ×１×0.99≒6.0mW であり、DBSでの損失は僅か２％である。
らFRまでの透過効率、FRからＦまで及びその逆
の透過効率並びにDBSから媒体Ｍまでの透過効
率ηはいずれも１とみなす。従つて、光源L1の
光強度を8.3mWとすると、媒体Ｍに照射される
光強度Ｉは Ｉ＝8.3×0.74×0.99×１×１×0.99×１ ×１×0.99≒6.0mW であり、DBSでの損失は僅か２％である。
一方、再生時には光源L2からｓ偏光ビームを
DBSに入射させると、28％反射させる。その反
射光を記録媒体Ｍにほぼ垂直に照射し、媒体Ｍで
反射された信号光を再びDBSに入射させ、今度
はその透過光をFRを通してＦに導くと、99％透
過して検出系Ｎに入射し、受光される。
DBSに入射させると、28％反射させる。その反
射光を記録媒体Ｍにほぼ垂直に照射し、媒体Ｍで
反射された信号光を再びDBSに入射させ、今度
はその透過光をFRを通してＦに導くと、99％透
過して検出系Ｎに入射し、受光される。
従つて、光源L2の光強度9.7mWとすると媒体
Ｍに照射される光強度Ｉは、式１より、 Ｉ＝9.7×0.74×0.28 ≒2.0mW であり、式７の右辺は 9.7×0.74×0.28×√0.72×0.99×0.99 ≒1.7 となる。
Ｍに照射される光強度Ｉは、式１より、 Ｉ＝9.7×0.74×0.28 ≒2.0mW であり、式７の右辺は 9.7×0.74×0.28×√0.72×0.99×0.99 ≒1.7 となる。
（実施例 ５）
本例は実施例４の変形例であり、その全体構成
を第１６図（説明図）に示す。
を第１６図（説明図）に示す。
DBSは実施例４のそれと同じものであり、
Γ780nmの入射光に対し RS＝99％
〃 TP＝99％
Γ830nmの入射光に対し RS＝28％
〃 TS＝72％
〃 TP＝99％
の分光反射透過特性を示す。
フアラデーローテーターFR及び干渉フイルタ
ーＦも実施例４のそれと同じものである。
ーＦも実施例４のそれと同じものである。
記録・消去時には光源L1から光強度8.3mW、
波長λ1＝780nmのｐ偏光ビームをDBSに入射さ
せ、その透過光をFRに導き、それにより偏光面
を45゜回転させた上で干渉フイルターＦに入射さ
せる。干渉フイルターＦは780nmの光は99％反射
するので、ほとんどが再びFRに入射し、そこで
偏光面が更に45゜回転させられ、その結果FRから
DBSに戻るビームはｓ偏光としてDBSに入射し、
DBSで反射されたｓ偏光ビームが記録媒体Ｍに
入射する。
波長λ1＝780nmのｐ偏光ビームをDBSに入射さ
せ、その透過光をFRに導き、それにより偏光面
を45゜回転させた上で干渉フイルターＦに入射さ
せる。干渉フイルターＦは780nmの光は99％反射
するので、ほとんどが再びFRに入射し、そこで
偏光面が更に45゜回転させられ、その結果FRから
DBSに戻るビームはｓ偏光としてDBSに入射し、
DBSで反射されたｓ偏光ビームが記録媒体Ｍに
入射する。
光源L1からDBSまでの透過効率が0.74で、
DBSからFRを通つてフイルターＦで反射され、
再びFRを通つてDBSに戻る透過効率を１とみな
し、DBSから媒体Ｍまでの透過効率を１とみな
すと、媒体Ｍに照射される光強度Ｉは、 Ｉ＝8.3×0.74×0.99×１×0.99×0.99 ≒6.0mW となる。
DBSからFRを通つてフイルターＦで反射され、
再びFRを通つてDBSに戻る透過効率を１とみな
し、DBSから媒体Ｍまでの透過効率を１とみな
すと、媒体Ｍに照射される光強度Ｉは、 Ｉ＝8.3×0.74×0.99×１×0.99×0.99 ≒6.0mW となる。
一方、再生時には光源L2から光強度9.7mW、
波長λ2＝830nmの45゜偏光ビームをフイルターＦ
に通すと、フイルターＦは830nmの光を99％透過
する。フイルターＦを透過した45゜偏光ビームは
FRを通ると偏光面が45゜回転させられて、ｓ偏光
としてDBSに入射する。そしてDBSで反射され
たｓ偏光は媒体Ｍにほぼ垂直に入射する。
波長λ2＝830nmの45゜偏光ビームをフイルターＦ
に通すと、フイルターＦは830nmの光を99％透過
する。フイルターＦを透過した45゜偏光ビームは
FRを通ると偏光面が45゜回転させられて、ｓ偏光
としてDBSに入射する。そしてDBSで反射され
たｓ偏光は媒体Ｍにほぼ垂直に入射する。
媒体Ｍで反射された信号光は再びDBSを通し
て検出系Ｎに導く。その結果、光源L2からフイ
ルターＦまでの透過効率を0.74、フイルターＦか
らDBSまでの透過効率を１、DBSから媒体Ｍま
での透過効率を１とすると、媒体Ｍに照射される
光強度Ｉは、 Ｉ＝9.7×0.74×0.99×１×0.28 ≒2.0mW となる。また、式７の右辺は、 9.7×0.74×0.99×１×0.28 ×√0.72×0.99≒1.7 となる。
て検出系Ｎに導く。その結果、光源L2からフイ
ルターＦまでの透過効率を0.74、フイルターＦか
らDBSまでの透過効率を１、DBSから媒体Ｍま
での透過効率を１とすると、媒体Ｍに照射される
光強度Ｉは、 Ｉ＝9.7×0.74×0.99×１×0.28 ≒2.0mW となる。また、式７の右辺は、 9.7×0.74×0.99×１×0.28 ×√0.72×0.99≒1.7 となる。
以上の実施例１〜５で光源としてλ1＝780nmλ2
＝830nmの２種類のレーザー光源を使用したが、
現在のところ容易に入手し得る光源がそれらであ
るから使用したまでで、入手可能ならば他の波長
の光源を使用してもよいことはもちろんである。
＝830nmの２種類のレーザー光源を使用したが、
現在のところ容易に入手し得る光源がそれらであ
るから使用したまでで、入手可能ならば他の波長
の光源を使用してもよいことはもちろんである。
また、第１７図のような構成の記録再生装置も
考えられるが、現在のところ適当なDBSが入手
するのは難しい。
考えられるが、現在のところ適当なDBSが入手
するのは難しい。
（発明の効果）
以上の通り、本発明によれば記録・消去時に光
源のパワーが高効率で利用されるので相対的に小
さなパワーで済み、再生時には高い再生信号強度
Ｓが得られる。
源のパワーが高効率で利用されるので相対的に小
さなパワーで済み、再生時には高い再生信号強度
Ｓが得られる。
第１図は従来の磁気光学再生装置の概念的構成
を示す説明図である。第１Ａ図及び第１Ｂ図は信
号光検出系Ｎの構成を示す説明図である。第２図
は光ベクトルの説明図である。第２Ａ図は第２図
の部分図である。第３図は、従来の磁気光学再生
装置の概念的構成を示す図である。第４図は本発
明の実施例１にかかる装置の概念的構成を示す説
明図である。第５図は二波長ビームスプリツター
DBSの断面図である。第６図はDBSに使用され
る多層誘電体膜の層構造図である。第７図は
DBSの分光反射特性グラフである。第８図は実
施例２の装置の概念的構成を示す説明図である。
第９図はDBSの分光透過特性グラフである。第
１０図はDBSに使用される多層誘電体膜の層構
造図である。第１１図はDBSの分光反射特性グ
ラフである。第１２図は実施例３の装置の概念的
構成を示す説明図である。第１３図はDBSの分
光透過特性グラフである。第１４図は実施例４の
装置の概念的構成を示す説明図である。第１５図
は干渉フイルターの分光透過特性グラフである。
第１６図は実施例５の装置の概念的構成を示す説
明図である。第１７図は他の実施例の装置の概念
的構成を示す図である。 主要部分の符号の説明、Ｌ，L1，L2……レー
ザー光源、DBS……二波長ビームスプリツター、
Ｎ……信号光検出系、Ｍ……磁気光学記録媒体。
を示す説明図である。第１Ａ図及び第１Ｂ図は信
号光検出系Ｎの構成を示す説明図である。第２図
は光ベクトルの説明図である。第２Ａ図は第２図
の部分図である。第３図は、従来の磁気光学再生
装置の概念的構成を示す図である。第４図は本発
明の実施例１にかかる装置の概念的構成を示す説
明図である。第５図は二波長ビームスプリツター
DBSの断面図である。第６図はDBSに使用され
る多層誘電体膜の層構造図である。第７図は
DBSの分光反射特性グラフである。第８図は実
施例２の装置の概念的構成を示す説明図である。
第９図はDBSの分光透過特性グラフである。第
１０図はDBSに使用される多層誘電体膜の層構
造図である。第１１図はDBSの分光反射特性グ
ラフである。第１２図は実施例３の装置の概念的
構成を示す説明図である。第１３図はDBSの分
光透過特性グラフである。第１４図は実施例４の
装置の概念的構成を示す説明図である。第１５図
は干渉フイルターの分光透過特性グラフである。
第１６図は実施例５の装置の概念的構成を示す説
明図である。第１７図は他の実施例の装置の概念
的構成を示す図である。 主要部分の符号の説明、Ｌ，L1，L2……レー
ザー光源、DBS……二波長ビームスプリツター、
Ｎ……信号光検出系、Ｍ……磁気光学記録媒体。
【表】
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 記録及び消去用に波長λ1の偏光ビームと、再
生用にλ1と異なる波長λ2の偏光ビームとを発する
光源Ｌを備え、波長λ1の偏光ビームをビームスプ
リツターBSを経て磁気光学記録媒体Ｍにほぼ垂
直に照射することにより記録又は消去を行ない、
波長λ2の偏光ビームを前記BSを経て前記媒体Ｍ
にほぼ垂直に照射し、媒体Ｍで反射された信号光
を再び前記BSを経て信号光検出系Ｎで受光させ
て電気信号として再生する磁気光学記録再生装置
に於いて、前記BSとして、波長λ1の偏光ビーム
に対して出射光強度／入射光強度の割合が高く、
波長λ2の偏光ビームに対して出射光強度／入射光
強度の割合が低い二波長ビームスプリツター
DBSを使用することを特徴とする磁気光学記録
再生装置。 ２ 前記光源Ｌが波長λ1の偏光ビームを発する光
源L1と波長λ2の偏光ビームを発する光源L2とか
らなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁気光学再生記録装置。 ３ 前記二波長ビームスプリツターDBSが波長
λ1の偏光ビームに対する反射率が70％以上で、波
長λ2の偏光ビームに対する反射率が50％未満で、
かつ該波長λ1の入射光の偏光面と直交する偏光面
を有する波長λ2の偏光ビームに対する透過率が70
％以上であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項記載の磁気光学記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125890A JPS6018833A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 二波長ビ−ムスプリツタ−を備えた磁気光学記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125890A JPS6018833A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 二波長ビ−ムスプリツタ−を備えた磁気光学記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018833A JPS6018833A (ja) | 1985-01-30 |
| JPH053667B2 true JPH053667B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=14921447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58125890A Granted JPS6018833A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 二波長ビ−ムスプリツタ−を備えた磁気光学記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018833A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0777038B2 (ja) * | 1986-12-25 | 1995-08-16 | ソニー株式会社 | 光学ピツクアツプ装置 |
| US5687209A (en) * | 1995-04-11 | 1997-11-11 | Hewlett-Packard Co. | Automatic warp compensation for laminographic circuit board inspection |
| EP1050877B1 (en) * | 1998-08-28 | 2011-11-02 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Opto-magnetic recording medium and its manufacturing method, and opto-magnetic information recording/reproducing device |
-
1983
- 1983-07-11 JP JP58125890A patent/JPS6018833A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6018833A (ja) | 1985-01-30 |
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