JPH0621111A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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Publication number
JPH0621111A
JPH0621111A JP17707292A JP17707292A JPH0621111A JP H0621111 A JPH0621111 A JP H0621111A JP 17707292 A JP17707292 A JP 17707292A JP 17707292 A JP17707292 A JP 17707292A JP H0621111 A JPH0621111 A JP H0621111A
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JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
lead
resin
insulating sheet
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP17707292A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Yamaguchi
忠士 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication of JPH0621111A publication Critical patent/JPH0621111A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215Layer and wire connectors

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 リードと絶縁シート、および半導体素子と絶
縁シートとを接着する際に、各工程で発生する問題点を
除去し、管理面の容易化と量産面の均質化に優れた信頼
性を有する装置を提供する。 【構成】 表裏両面に接着剤の塗布された絶縁シート9
を介して半導体素子12とこれに接続するリード8とを
固定してなる半導体装置において、絶縁シート9として
一方の面には熱硬化性樹脂接着剤10、他方の面には熱
可塑性樹脂接着剤11からなる接着剤を塗布したシート
を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特に樹脂封
止型半導体装置における半導体素子とリードとを固定す
る構造に関する。
【0002】
【従来の技術】通常、樹脂封止型半導体装置は次の工程
により形成される。まず、極薄の金属板を所定の形状に
パターニングして得られたリードフレームに半導体素子
を搭載し、半導体素子内部に形成されたパッドとリード
端部に形成されたパッドとをAuワイヤー等の金属細線
により配線接続する。その後、エポキシ樹脂等の安価な
成形材料により半導体素子とリードの端部とを封止し、
そして得られたパッケージの外部に延在するリード部分
を折曲加工して半導体装置を完成する。
【0003】この樹脂封止型半導体装置は低いコストで
高い量産性が得られるため、民生用の電子機器を中心に
広く用いられている。なかでも内部にメモリー系の半導
体素子を組み込んだ、いわゆるメモリーLSIの分野で
は、この樹脂封止型半導体装置が主流であり、メモリー
LSI全体の9割以上を占めている。
【0004】しかし近年、この分野の製品における市場
要求、とりわけメモリーの大容量化に対する市場要求は
止まるところを知らず、それに伴い半導体素子自体のサ
イズも大型化の一途をたどり、最近では半導体パッケー
ジの中で素子の占める割合(素子占有率)が90%近い
ものまで出現してきている。こうした大容量のメモリー
素子を搭載する有効な手段として、L.O.C(Lea
d On Chip)と称される手法が用いられてお
り、特開昭61−218139号公報等に開示されてい
る。その概要を図2を参照して説明する。図2(a)は
従来の樹脂封止型半導体装置を示す平面図、図2(b)
はその断面図である。
【0005】ここで半導体素子1は、リード2の下部に
貼付された絶縁シート3を介して接着固定され、半導体
素子1の表面に形成されたボンディングパッド4とリー
ド2の先端部とをAuワイヤー等のワイヤー5にて配線
接続する。さらに、破線6にて示された範囲を封止樹脂
7により封止成形し、そして得られたパッケージの外部
に延在するリード2を折曲加工する。ここで図2(b)
より、半導体素子1、リード2の先端部、絶縁シート3
が封止樹脂7により封止成形されているのがわかる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現在素
子固定用として市販されている絶縁シートは、その表裏
面に塗布された接着剤に、熱硬化性あるいは熱可塑性の
樹脂のうちどちらか一種類を表裏面に統一して採用して
いるのがほとんどである。したがって、例えば熱硬化性
樹脂を採用しているものは、リードへの仮接着から半導
体素子との本接着までのライフが短く、また低温保管等
の厳密な管理が必要とされていた。また熱可塑性樹脂を
採用しているものは、リードに仮接着し、後に半導体素
子に本接着する際、リード側の樹脂も一緒に軟化してし
まうので均一な接着状態を確保するのが難しかった。
【0007】本発明は、以上述べたようにリードと絶縁
シート、および半導体素子と絶縁シートとを接着する際
に、各工程で発生する問題点を除去し、管理面の容易化
と量産面の均質化において優れた信頼性を有する装置の
提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、表裏両面に接
着剤の塗布された絶縁シートを介して、半導体素子とこ
れに接続されるリードとを固定してなる半導体装置にお
いて、絶縁シートとして一方の面には熱硬化性樹脂、他
方の面には熱可塑性樹脂からなる接着剤を塗布したシー
トを用いたものである。
【0009】
【作用】上記構成の絶縁シートを使用し、リード又は半
導体素子を、まず熱硬化性樹脂の塗布された面に貼付
し、完全硬化させて固定する。次に半導体素子又はリー
ドを、熱可塑性樹脂からなる接着剤の塗布された面に貼
付して固定する。その後の工程は従来と同様、半導体素
子内部に形成されたパッドとリード端部に形成されたパ
ッドとを金属細線等で配線接続し、半導体素子とリード
の端部を封止樹脂により封止し、そして得られたパッケ
ージの外部に延在するリード部分を折曲加工する。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。図1は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を
示す断面図である。
【0011】図1(a)において、リード8の裏面の所
定位置に絶縁シート9を貼付する。この絶縁シート9の
リード8側の面には熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を
用いた接着剤10があらかじめ塗布されており、貼付
後、所定の硬化条件の処理を施し絶縁シート9とリード
8とを完全に固定する。
【0012】また、絶縁シート9がリード8と固定され
ている面の逆側には、あらかじめ熱可塑性樹脂としてア
クリルや塩化ビニルを用いた接着剤11が塗布されてい
る。図1(b)において、接着剤11を介し絶縁シート
9と半導体素子12とが固定される。この際、接着剤1
1には熱可塑性樹脂が用いられているので、所定の熱処
理にて接着剤11を軟化させ、半導体素子12の接着が
行われる。また、リード8を固定している接着剤10に
は熱硬化性樹脂が用いられ、すでに完全硬化処理がなさ
れているので、半導体素子12を接着する際にリード8
側が一緒に軟化しまうようなことはない。
【0013】以上の工程において、リード8と半導体素
子12とを絶縁シート9に固定する順序は逆であっても
構わない。つまり、まず半導体素子12の表面に、絶縁
シート9の熱硬化性樹脂接着剤10が塗布された面を対
応させて貼付し、完全硬化処理の後、逆側の面に塗布さ
れた熱可塑性樹脂接着剤11を用いてリード8を固定し
てもよい。
【0014】さらにその後の工程としては、図示されて
はいないが、従来例同様、半導体素子12の表面に形成
されているボンディングパッドとリード8の先端部と
を、Au等のワイヤーを用いて配線接続し、封止樹脂1
3により封止成形後、封止樹脂13によって形成された
パッケージの外部にあるリード8を折曲加工して半導体
装置を完成する。その完成した状態を示したものが図1
(c)であり、半導体素子12とリード8の先端部が絶
縁シート9を介して固定され、さらに封止樹脂13によ
って封止成形されているのがわかる。
【0015】
【発明の効果】以上、実施例において説明したとおり、
半導体素子とリードとの固定に用いる絶縁シートの表裏
面に塗布されている接着剤について、従来、熱硬化性樹
脂あるいは熱可塑性樹脂のうちいずれか一種類を表裏統
一して採用していたのに対し、本発明においては両者を
組み合わせて用いるように改良している。したがって、
リード(又は半導体素子)と絶縁シートとを、まず熱硬
化性樹脂により完全硬化し、固定した状態にて次工程ま
での保管が可能となる。つまり、本接着時までのライフ
を長く保つことができ、また低温保管等の厳密な管理を
必要としない。
【0016】また次工程において、半導体素子(又はリ
ード)と絶縁シートとを熱可塑性樹脂により固定するの
で、熱処理を施すことにより半導体素子(又はリード)
の接着を正確に行うことができる。さらに、対面のリー
ド(又は半導体素子)と絶縁シートはすでに完全硬化処
理がなされているので、本接着時に一緒に軟化してしま
うような事態もさけられる。したがって、両面に熱可塑
性樹脂を採用しているものと比較して均一な接着状態を
確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示
す断面図である。
【図2】樹脂封止型半導体装置の従来例を示す平面図、
および断面図である。
【符号の説明】
8 リード 9 絶縁シート 10 熱硬化性樹脂接着剤 11 熱可塑性樹脂接着剤 12 半導体素子 13 封止樹脂

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表裏両面に接着剤の塗布された絶縁シー
    トを介して半導体素子とこれに接続されるリードとを固
    定してなる半導体装置において、 前記絶縁シートとして一方の面には熱硬化性樹脂、他方
    の面には熱可塑性樹脂からなる接着剤を塗布したシート
    を用いる事を特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 一方の面には熱硬化性樹脂、他方の面に
    は熱可塑性樹脂からなる接着剤を塗布した絶縁シートを
    用意する第1のステップと、 リード又は半導体素子を前記熱硬化性樹脂の塗布された
    面に貼付し、硬化させて固定する第2のステップと、 前記第2のステップ終了後に半導体素子又はリードを前
    記熱可塑性樹脂からなる接着剤の塗布された面に貼付し
    て固定する第3のステップとから成る半導体装置の製造
    方法。
JP17707292A 1992-07-03 1992-07-03 半導体装置及びその製造方法 Pending JPH0621111A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970053725A (ko) * 1995-12-01 1997-07-31 윌리엄 이. 힐러 반도체 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970053725A (ko) * 1995-12-01 1997-07-31 윌리엄 이. 힐러 반도체 장치

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