KR970053725A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR970053725A
KR970053725A KR1019960060275A KR19960060275A KR970053725A KR 970053725 A KR970053725 A KR 970053725A KR 1019960060275 A KR1019960060275 A KR 1019960060275A KR 19960060275 A KR19960060275 A KR 19960060275A KR 970053725 A KR970053725 A KR 970053725A
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photosensitive thermosetting
thermosetting resin
semiconductor device
semiconductor chip
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KR1019960060275A
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Inventor
마사즈미 아마가이
Original Assignee
윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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Abstract

반도체 칩(10)의 보호막(13) 상부에 제공된 광감지 열경화성 수지층(64)을 구비한 반도체 장치. 리드 프레임(11)이 상기 광감지 열경화성 수지층(64)의 표면에 지지 핀 셋션들(60, 61)로만 부착되며, 상기 리드 프레임(11)은 반도체 칩(10)의 표면에 전기적으로 접속된다. 리드 프레임의 가압 본딩 장착 후 와이어의 파괴 및 칩 크래킹이 방지된다. 패키지 크래킹 및 패키지 휨이 IR 리플로우와 수지 밀봉과 같은 열공정에서 훌륭하게 제어되기 때문에 반도체 장치 및 제조 방법이 저가로 이루어질 수 있다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예에 기초한 LOC 구조의 IC 패키지의 단면도(제4도의 라인 I-I을 따름).

Claims (14)

  1. 전기 회로들을 구비한 반도체 칩; 상기 반도체 칩에 부착된 광감지 열경화성 수지층; 및 상기 광감지 열경화성 수지층에 의해 상기 반도체 칩에 부착된 리드 프레임을 포함하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치의 상부에 형성되며 그 상부에 상기 광감지 열경화성 수지층이 배치되는 보호막을 더 포함하며; 상기 리드 프레임은 상기 광감지 열경화성 수지층에 부착되며 상기 전기 회로들에 전기적으로 접속된 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 리드 프레임은 내측 리드 섹션, 외측 리드 섹션, 및 지지 핀 섹션을 포함하며, 상기 지지 핀 섹션만이 상기 광감지 열경화성 수지층에 부착된 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 내측 리드 섹션은 상기 광감지 열경화성 수지층의 표면으로부터 0.010-0.20mm의 간격으로 이격된 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광감지 열경화성 수지층은 폴리마이드 수지를 포함하는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 광감지 열경화성 폴리마이드 수지층의 두께는 20 내지 40㎛인 반도체 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 광감지 열경화성 폴리마이드 수지층의 유리 전이점은 245-350℃인 반도체 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 광감지 열경화성 폴리마이드 수지층의 표면 거칠기 (Ra)는 3.0mm 보다 작은 반도체 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 반도체 칩은 전기 회로에 접속된 본딩 패드들을 구비하며, 상기 리드 프레임과 상기 본딩 패드들은 상기 광감지 열경화성 수지층이 선택적으로 제거된 영역에 와이어 본딩되며 상기 반도체 칩의 전체는 성형 수지로 밀봉된 반도체 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 리드 프레임은 신호 라인들로 사용되는 제1리드 프레임 섹션과 전력 공급 라인들로 사용되는 제2리드 프레임 섹션을 포함하는 반도체 장치.
  11. 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 칩을 제공하는 단계; 상기 반도체 칩의 상부에 광감지 열경화성 수지층을 코팅하는 단계; 상기 광감지 열경화성 수지층을 광학적인 노광에 의해 소정의 패턴으로 광학적으로 경화시키는 단계; 상기 광감지 열경화성 수지층의 노광되지 않은 부분들을 제거하는 단계; 상기 반도체 칩의 상부에 잔류하는 상기 광감지 열경화성 수지층을 열적으로 경화시키는 단계; 및 상기 열적으로 경화된 광감지 열경화성 수지층의 상부에 리드 프레임을 가열, 가압에 의해 본딩하는 단계를 포함하는 반도체 장치 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 열경화 후 상기 광감지 열경화성 수지층의 표면의 플라즈마 식각에 의해 처리된 다음, 상기 리드 프레임은 상기 광감지 열경화성 수지층의 표면상에 가열, 가압을 통해 본딩되는 반도체 장치 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 광감지 열경화성 수지층이 반도체 칩의 보호막의 상부에 코팅되며, 코팅된 상기 광감지 열경화성 수지층은 자외선에 의해 소정의 패턴으로 경화되는 반도체 장치 제조방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 반도체 칩은 상기 광감지 열경화성 수지층이 선택적으로 제거된 영역에서 서로 와이어 본딩된 리드 프레임과 본딩 패드들을 구비하며, 상기 반도체 칩의 전체는 성형 수지로 밀봉되는 반도체 장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960060275A 1995-12-01 1996-11-30 반도체 장치 KR970053725A (ko)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10258798A1 (de) * 2002-12-16 2004-07-22 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum partiellen Aufbringen von Klebstoff auf elektronische Bauelemente, Bestückvorrichtung zum Bestücken von Bauelementen
DE10258800A1 (de) * 2002-12-16 2004-07-08 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer Klebstoffschicht auf flächige Bauelemente, Bestückvorrichtung zum Bestücken von flächigen Bauelementen
JP4624813B2 (ja) * 2005-01-21 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP5271972B2 (ja) * 2010-06-21 2013-08-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP5686469B2 (ja) * 2011-01-28 2015-03-18 富士機械製造株式会社 ダイ供給装置
JP7184006B2 (ja) * 2019-10-01 2022-12-06 三菱電機株式会社 半導体チップのピックアップ治具、半導体チップのピックアップ装置およびピックアップ治具の調節方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6239018A (ja) * 1985-08-14 1987-02-20 Mitsubishi Electric Corp パツシベ−シヨン膜の形成方法
JPH02198163A (ja) * 1989-01-27 1990-08-06 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH05218111A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Hitachi Cable Ltd 半導体集積回路
JPH0621111A (ja) * 1992-07-03 1994-01-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR940013668U (ko) * 1992-11-30 1994-06-25 현대전자산업 주식회사 리드 온 칩 패키지

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6239018A (ja) * 1985-08-14 1987-02-20 Mitsubishi Electric Corp パツシベ−シヨン膜の形成方法
JPH02198163A (ja) * 1989-01-27 1990-08-06 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH05218111A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Hitachi Cable Ltd 半導体集積回路
JPH0621111A (ja) * 1992-07-03 1994-01-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR940013668U (ko) * 1992-11-30 1994-06-25 현대전자산업 주식회사 리드 온 칩 패키지

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