JPH06208978A - ウェーハのスライスベースの剥離方法及びその装置 - Google Patents
ウェーハのスライスベースの剥離方法及びその装置Info
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- JPH06208978A JPH06208978A JP5002867A JP286793A JPH06208978A JP H06208978 A JPH06208978 A JP H06208978A JP 5002867 A JP5002867 A JP 5002867A JP 286793 A JP286793 A JP 286793A JP H06208978 A JPH06208978 A JP H06208978A
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薬液を使用することなくスライスベースを半
導体ウェーハから短時間で剥離させることができるスラ
イスベースの剥離方法及びその装置を提供する。 【構成】 ウェーハ１２を挟持板２２、２２間で保持し
た後、アーム２４を収縮させてウェーハ１２を温水槽１
６の温水３０中に所定時間（３０秒）浸漬して、スライ
スベース２８の熱軟化性接着剤を熱軟化させる。そし
て、所定時間経過後、架台３４をスライド移動しながら
前記アーム２４を伸長して、前記ウェーハ１２をハンマ
部１８に移送した後、押さえロッド４６と押さえ台４８
とでウェーハ１２を挟持し、剥離用シリンダ４２のシリ
ンダロッド５０を伸長する。これにより、前記ウェーハ
１２のスライスベース２８がハンマロッド５２で槌打さ
れてウェーハ１２から剥離する。即ち、スライスベース
２８の熱軟化性接着剤が温水３０によって熱軟化されて
いるので、スライスベース２８は槌打されるだけでウェ
ーハ１２から容易に剥離する。
導体ウェーハから短時間で剥離させることができるスラ
イスベースの剥離方法及びその装置を提供する。 【構成】 ウェーハ１２を挟持板２２、２２間で保持し
た後、アーム２４を収縮させてウェーハ１２を温水槽１
６の温水３０中に所定時間（３０秒）浸漬して、スライ
スベース２８の熱軟化性接着剤を熱軟化させる。そし
て、所定時間経過後、架台３４をスライド移動しながら
前記アーム２４を伸長して、前記ウェーハ１２をハンマ
部１８に移送した後、押さえロッド４６と押さえ台４８
とでウェーハ１２を挟持し、剥離用シリンダ４２のシリ
ンダロッド５０を伸長する。これにより、前記ウェーハ
１２のスライスベース２８がハンマロッド５２で槌打さ
れてウェーハ１２から剥離する。即ち、スライスベース
２８の熱軟化性接着剤が温水３０によって熱軟化されて
いるので、スライスベース２８は槌打されるだけでウェ
ーハ１２から容易に剥離する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェーハのスライスベー
スの剥離方法及びその装置に係り、特にスライシングマ
シンで切断された半導体ウェーハに接着しているスライ
スベースを剥離させるウェーハのスライスベースの剥離
方法及びその装置に関する。
スの剥離方法及びその装置に係り、特にスライシングマ
シンで切断された半導体ウェーハに接着しているスライ
スベースを剥離させるウェーハのスライスベースの剥離
方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ材料である円柱状のシリ
コンインゴットには、スライスベースがインゴットの軸
方向に接着されており、インゴットをスライシングマシ
ンで半導体ウェーハに切断する際に、前記スライスベー
スで切り終わり部分の欠損を防止している。
コンインゴットには、スライスベースがインゴットの軸
方向に接着されており、インゴットをスライシングマシ
ンで半導体ウェーハに切断する際に、前記スライスベー
スで切り終わり部分の欠損を防止している。
【０００３】従来、半導体ウェーハに接着しているスラ
イスベースは、半導体ウェーハを薬液槽に所定時間浸漬
してスライスベースの接着剤を薬液で溶解させることに
より、半導体ウェーハから剥離される。
イスベースは、半導体ウェーハを薬液槽に所定時間浸漬
してスライスベースの接着剤を薬液で溶解させることに
より、半導体ウェーハから剥離される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ウェーハのスライスベースの剥離方法では、薬液を使用
しているので、この薬液を廃棄する場合に廃液処理を行
わなければならないという欠点がある。また、前記接着
剤が溶解するまで半導体ウェーハを薬液に浸漬しなけれ
ばならないので、時間がかかるという欠点がある。
ウェーハのスライスベースの剥離方法では、薬液を使用
しているので、この薬液を廃棄する場合に廃液処理を行
わなければならないという欠点がある。また、前記接着
剤が溶解するまで半導体ウェーハを薬液に浸漬しなけれ
ばならないので、時間がかかるという欠点がある。
【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、薬液を使用することなくスライスベースを短時
間で剥離させることができるウェーハのスライスベース
の剥離方法及びその装置を提供することを目的とする。
もので、薬液を使用することなくスライスベースを短時
間で剥離させることができるウェーハのスライスベース
の剥離方法及びその装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】本発明の第１発明は、前記
目的を達成する為に、スライシングマシンで切断された
半導体ウェーハを、この半導体ウェーハに接着されてい
るスライスベースの熱軟化性接着材が熱軟化する温度の
温水中に所定時間浸漬し、所定時間経過後、前記半導体
ウェーハを前記温水中から取り出し、前記スライスベー
スを槌打して半導体ウェーハから剥離させることを特徴
としている。
目的を達成する為に、スライシングマシンで切断された
半導体ウェーハを、この半導体ウェーハに接着されてい
るスライスベースの熱軟化性接着材が熱軟化する温度の
温水中に所定時間浸漬し、所定時間経過後、前記半導体
ウェーハを前記温水中から取り出し、前記スライスベー
スを槌打して半導体ウェーハから剥離させることを特徴
としている。
【０００７】本発明の第２発明は、スライシングマシン
で切断された半導体ウェーハに接着されているスライス
ベースの熱軟化性接着材を、ヒータによって熱軟化させ
た後、前記スライスベースを半導体ウェーハから剥離さ
せることを特徴としている。本願発明の第３発明は、ス
ライシングマシンで切断された半導体ウェーハが浸漬さ
れると共に、この半導体ウェーハに接着されているスラ
イスベースの熱軟化性接着材が熱軟化する温度の温水が
貯留された温水槽と、前記温水中に所定時間浸漬されて
取り出された前記半導体ウェーハを保持するウェーハ保
持手段と、前記ウェーハ保持手段で保持されたウェーハ
のスライスベースを槌打して半導体ウェーハから剥離さ
せるハンマ手段と、から成ることを特徴としている。
で切断された半導体ウェーハに接着されているスライス
ベースの熱軟化性接着材を、ヒータによって熱軟化させ
た後、前記スライスベースを半導体ウェーハから剥離さ
せることを特徴としている。本願発明の第３発明は、ス
ライシングマシンで切断された半導体ウェーハが浸漬さ
れると共に、この半導体ウェーハに接着されているスラ
イスベースの熱軟化性接着材が熱軟化する温度の温水が
貯留された温水槽と、前記温水中に所定時間浸漬されて
取り出された前記半導体ウェーハを保持するウェーハ保
持手段と、前記ウェーハ保持手段で保持されたウェーハ
のスライスベースを槌打して半導体ウェーハから剥離さ
せるハンマ手段と、から成ることを特徴としている。
【０００８】本発明の第４手段は、スライシングマシン
で切断された半導体ウェーハに接着されているスライス
ベースの熱軟化性接着材を熱軟化させるヒータと、前記
熱軟化性接着材が熱軟化した前記半導体ウェーハを保持
するウェーハ保持手段と、前記ウェーハ保持手段で保持
されたウェーハのスライスベースを半導体ウェーハから
剥離させる剥離手段と、から成ることを特徴としてい
る。
で切断された半導体ウェーハに接着されているスライス
ベースの熱軟化性接着材を熱軟化させるヒータと、前記
熱軟化性接着材が熱軟化した前記半導体ウェーハを保持
するウェーハ保持手段と、前記ウェーハ保持手段で保持
されたウェーハのスライスベースを半導体ウェーハから
剥離させる剥離手段と、から成ることを特徴としてい
る。
【０００９】
【作用】本発明によれば、スライスベースの熱軟化性接
着材が熱軟化する温度の温水が貯留された温水槽に、半
導体ウェーハを所定時間浸漬し、そして、所定時間経過
後、前記半導体ウェーハを前記温水中から取り出して、
ウェーハ保持手段で保持し、前記スライスベースをハン
マ手段で槌打して半導体ウェーハから剥離させる。
着材が熱軟化する温度の温水が貯留された温水槽に、半
導体ウェーハを所定時間浸漬し、そして、所定時間経過
後、前記半導体ウェーハを前記温水中から取り出して、
ウェーハ保持手段で保持し、前記スライスベースをハン
マ手段で槌打して半導体ウェーハから剥離させる。
【００１０】これにより、薬液を使用することなくスラ
イスベースを短時間で剥離させることができる。また、
本発明によれば、ヒータで半導体ウェーハに接着されて
いるスライスベースの熱軟化性接着材を局部的に加熱し
て熱軟化させ、そして、熱軟化性接着材が熱軟化した前
記半導体ウェーハをウェーハ保持手段で保持した後、剥
離手段でスライスベースを半導体ウェーハから引き倒し
て剥離させる。
イスベースを短時間で剥離させることができる。また、
本発明によれば、ヒータで半導体ウェーハに接着されて
いるスライスベースの熱軟化性接着材を局部的に加熱し
て熱軟化させ、そして、熱軟化性接着材が熱軟化した前
記半導体ウェーハをウェーハ保持手段で保持した後、剥
離手段でスライスベースを半導体ウェーハから引き倒し
て剥離させる。
【００１１】これにより、薬液を使用することなくスラ
イスベースを短時間で剥離させることができる。
イスベースを短時間で剥離させることができる。
【００１２】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係るウェーハ
のスライスベースの剥離方法及びその装置の好ましい実
施例について詳説する。図１は本発明に係るウェーハの
スライスベースの剥離装置１０の実施例を示す斜視図で
ある。
のスライスベースの剥離方法及びその装置の好ましい実
施例について詳説する。図１は本発明に係るウェーハの
スライスベースの剥離装置１０の実施例を示す斜視図で
ある。
【００１３】前記剥離装置１０は、ウェーハ１２の移動
機構１４、温水槽１６、及びハンマ部１８を有してい
る。前記移動機構１４は、搬送装置２０から搬送されて
きた切断されたばかりのウェーハ１２を挟持する一対の
挟持板２２、２２を有している。挟持板２２、２２の図
中左端部には、凹状に折り曲げられたアーム２４の先端
部が固着されている。このアーム２４は図２に示すよう
に、油圧シリンダ２６に伸縮自在に取り付けられてい
る。油圧シリンダ２６を作動してアームを収縮させる
と、前記温水槽１６に貯留された温水（スライスベース
２８をウェーハ１２に接着させている熱軟化性接着剤を
熱軟化させる温度、例えば本実施例では、９０°Ｃの温
水とする）３０に前記ウェーハ１２が挟持板２２、２２
とともに浸漬される。（図３参照） また、前記油圧シリンダ２６の下部は架台３２に固定さ
れ、この架台３２はレール３４上に移動可能に載置され
る。前記レール３４は、温水槽１６に対して並設されて
いる。このレール３４に対して前記架台３２が図４に示
す位置にスライド移動され、また前記アーム２４が伸長
されると、前記ウェーハ１２がハンマ部１８に移送され
る。
機構１４、温水槽１６、及びハンマ部１８を有してい
る。前記移動機構１４は、搬送装置２０から搬送されて
きた切断されたばかりのウェーハ１２を挟持する一対の
挟持板２２、２２を有している。挟持板２２、２２の図
中左端部には、凹状に折り曲げられたアーム２４の先端
部が固着されている。このアーム２４は図２に示すよう
に、油圧シリンダ２６に伸縮自在に取り付けられてい
る。油圧シリンダ２６を作動してアームを収縮させる
と、前記温水槽１６に貯留された温水（スライスベース
２８をウェーハ１２に接着させている熱軟化性接着剤を
熱軟化させる温度、例えば本実施例では、９０°Ｃの温
水とする）３０に前記ウェーハ１２が挟持板２２、２２
とともに浸漬される。（図３参照） また、前記油圧シリンダ２６の下部は架台３２に固定さ
れ、この架台３２はレール３４上に移動可能に載置され
る。前記レール３４は、温水槽１６に対して並設されて
いる。このレール３４に対して前記架台３２が図４に示
す位置にスライド移動され、また前記アーム２４が伸長
されると、前記ウェーハ１２がハンマ部１８に移送され
る。
【００１４】一方、前記挟持板２２、２２の図１中右端
部には段付き状に折り曲げられたアーム３６の先端部が
固着されており、このアーム３６の基端部はバー３８の
軸方向に摺動可能に取り付けられている。バー３８は図
２乃至図５に示した油圧シリンダ２６に対して並設され
ると共に、前記架台３２のスライド移動に連動して架台
３２の移動方向と同方向に移動されるようになってい
る。
部には段付き状に折り曲げられたアーム３６の先端部が
固着されており、このアーム３６の基端部はバー３８の
軸方向に摺動可能に取り付けられている。バー３８は図
２乃至図５に示した油圧シリンダ２６に対して並設され
ると共に、前記架台３２のスライド移動に連動して架台
３２の移動方向と同方向に移動されるようになってい
る。
【００１５】前記ハンマ部１８は、ウェーハ１２の押さ
え用シリンダ４０、スライスベース２８の剥離用シリン
ダ４２を有している。前記押さえ用シリンダ４０は、シ
リンダロッド４４を伸長させることにより、ウェーハ１
２を図５に示すように、押さえロッド４６と押さえ台４
８とで挟持して保持することができる。また、剥離用シ
リンダ４２は、シリンダロッド５０を伸長させることに
より、前記ウェーハ１２のスライスベース２８をハンマ
ロッド５２でハンマリングしてウェーハ１２から剥離さ
せることができる。剥離された前記スライスベース２８
は、ハンマ部１８の下方に設置されたバケット５４に回
収される。
え用シリンダ４０、スライスベース２８の剥離用シリン
ダ４２を有している。前記押さえ用シリンダ４０は、シ
リンダロッド４４を伸長させることにより、ウェーハ１
２を図５に示すように、押さえロッド４６と押さえ台４
８とで挟持して保持することができる。また、剥離用シ
リンダ４２は、シリンダロッド５０を伸長させることに
より、前記ウェーハ１２のスライスベース２８をハンマ
ロッド５２でハンマリングしてウェーハ１２から剥離さ
せることができる。剥離された前記スライスベース２８
は、ハンマ部１８の下方に設置されたバケット５４に回
収される。
【００１６】次に、前記の如く構成されたウェーハのス
ライスベースの剥離装置１０の作用について説明する。
先ず、搬送装置２０で搬送されてきたウェーハ１２を、
図１に示した挟持板２２、２２間で保持する。ウェーハ
１２を保持した後、図３に示すようにアーム２４を収縮
させてウェーハ１２を温水槽１６の温水３０中に所定時
間（３０秒）浸漬する。これにより、スライスベース２
８の熱軟化性接着剤が熱軟化される。
ライスベースの剥離装置１０の作用について説明する。
先ず、搬送装置２０で搬送されてきたウェーハ１２を、
図１に示した挟持板２２、２２間で保持する。ウェーハ
１２を保持した後、図３に示すようにアーム２４を収縮
させてウェーハ１２を温水槽１６の温水３０中に所定時
間（３０秒）浸漬する。これにより、スライスベース２
８の熱軟化性接着剤が熱軟化される。
【００１７】次に、所定時間経過後、架台３２を図４に
示す位置にスライド移動しながら前記アーム２４を伸長
して、前記ウェーハ１２をハンマ部１８に移送する。ハ
ンマ部１８にウェーハ１２が移送されると、図５に示す
ように押さえロッド４６と押さえ台４８とでウェーハ１
２を挟持し、そして、剥離用シリンダ４２のシリンダロ
ッド５０を伸長する。これにより、前記ウェーハ１２の
スライスベース２８がハンマロッド５２で叩かれてウェ
ーハ１２から剥離する。即ち、スライスベース２８の熱
軟化性接着剤が温水３０によって熱軟化されているの
で、スライスベース２８は槌打されるだけでウェーハ１
２から容易に剥離する。剥離した前記スライスベース２
８は、バケット５４に回収される。
示す位置にスライド移動しながら前記アーム２４を伸長
して、前記ウェーハ１２をハンマ部１８に移送する。ハ
ンマ部１８にウェーハ１２が移送されると、図５に示す
ように押さえロッド４６と押さえ台４８とでウェーハ１
２を挟持し、そして、剥離用シリンダ４２のシリンダロ
ッド５０を伸長する。これにより、前記ウェーハ１２の
スライスベース２８がハンマロッド５２で叩かれてウェ
ーハ１２から剥離する。即ち、スライスベース２８の熱
軟化性接着剤が温水３０によって熱軟化されているの
で、スライスベース２８は槌打されるだけでウェーハ１
２から容易に剥離する。剥離した前記スライスベース２
８は、バケット５４に回収される。
【００１８】このように、本実施例では、温水３０でス
ライスベース２８の熱軟化性接着剤を熱軟化させた後、
このスライスベース２８をハンマロッド５２で槌打して
ウェーハ１２から剥離させるようにしたので、薬液を使
用することなく、また従来よりも短時間でスライスベー
ス２８を剥離させることができる。スライスベース２８
が剥離すると、前記架台３４を図４に示した位置から更
に右方向にスライド移動させて、スライスベース２８が
剥離した前記ウェーハ１２を、図１に示した洗浄・乾燥
装置５６に搬送する。洗浄・乾燥装置５６にウェーハ１
２が搬送されると、搬送ローラ５８、５８でウェーハ１
２が洗浄ブラシローラ６０、６０に向けて送り出され、
洗浄ブラシローラ６０、６０間の通過中にウェーハ１２
に付着した切削屑等が払い落とされる。また、ブラシ６
０、６０に付着した前記切削屑等は、前記洗浄水噴射部
６２のノズル６４、６４から噴射される洗浄水によって
剥離除去される。
ライスベース２８の熱軟化性接着剤を熱軟化させた後、
このスライスベース２８をハンマロッド５２で槌打して
ウェーハ１２から剥離させるようにしたので、薬液を使
用することなく、また従来よりも短時間でスライスベー
ス２８を剥離させることができる。スライスベース２８
が剥離すると、前記架台３４を図４に示した位置から更
に右方向にスライド移動させて、スライスベース２８が
剥離した前記ウェーハ１２を、図１に示した洗浄・乾燥
装置５６に搬送する。洗浄・乾燥装置５６にウェーハ１
２が搬送されると、搬送ローラ５８、５８でウェーハ１
２が洗浄ブラシローラ６０、６０に向けて送り出され、
洗浄ブラシローラ６０、６０間の通過中にウェーハ１２
に付着した切削屑等が払い落とされる。また、ブラシ６
０、６０に付着した前記切削屑等は、前記洗浄水噴射部
６２のノズル６４、６４から噴射される洗浄水によって
剥離除去される。
【００１９】そして、切削屑等が払い落とされたウェー
ハ１２は、搬送ローラ６６でスクレーパ６８に向けて送
り出され、スクレーパ６８でウェーハ１２の表面に付着
した水滴が除去される。そして、水滴が除去されたウェ
ーハ１２は、乾燥部７０から供給されるエアーによって
乾燥された後、搬送装置７２によって図示しない面検装
置に搬送される。
ハ１２は、搬送ローラ６６でスクレーパ６８に向けて送
り出され、スクレーパ６８でウェーハ１２の表面に付着
した水滴が除去される。そして、水滴が除去されたウェ
ーハ１２は、乾燥部７０から供給されるエアーによって
乾燥された後、搬送装置７２によって図示しない面検装
置に搬送される。
【００２０】尚、本実施例では、温水３０で熱軟化性接
着剤を熱軟化させるようにしたが、これに限られるもの
ではなく、ヒータで前記熱軟化性接着材を局部的に加熱
して熱軟化させ、そして、熱軟化性接着材が熱軟化した
前記半導体ウェーハをウェーハ保持機構で保持した後、
スライスベースを半導体ウェーハから引き倒して剥離さ
せるようにしても良い。
着剤を熱軟化させるようにしたが、これに限られるもの
ではなく、ヒータで前記熱軟化性接着材を局部的に加熱
して熱軟化させ、そして、熱軟化性接着材が熱軟化した
前記半導体ウェーハをウェーハ保持機構で保持した後、
スライスベースを半導体ウェーハから引き倒して剥離さ
せるようにしても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハのスライスベースの剥離方法及びその装置によれば、
スライスベースの熱軟化性接着材が熱軟化する温度の温
水が貯留された温水槽に、半導体ウェーハを所定時間浸
漬し、そして、所定時間経過後、前記半導体ウェーハを
前記温水中から取り出し、前記ウェーハをウェーハ保持
手段で保持してスライスベースをハンマ手段で槌打して
半導体ウェーハから剥離させるようにしたので、薬液を
使用することなくスライスベースを短時間で剥離させる
ことができる。
ハのスライスベースの剥離方法及びその装置によれば、
スライスベースの熱軟化性接着材が熱軟化する温度の温
水が貯留された温水槽に、半導体ウェーハを所定時間浸
漬し、そして、所定時間経過後、前記半導体ウェーハを
前記温水中から取り出し、前記ウェーハをウェーハ保持
手段で保持してスライスベースをハンマ手段で槌打して
半導体ウェーハから剥離させるようにしたので、薬液を
使用することなくスライスベースを短時間で剥離させる
ことができる。
【００２２】また、ヒータで前記熱軟化性接着材を局部
的に加熱して熱軟化させ、熱軟化性接着材が熱軟化した
前記半導体ウェーハをウェーハ保持手段で保持した後、
剥離手段でスライスベースを半導体ウェーハから引き倒
して剥離させても良い。
的に加熱して熱軟化させ、熱軟化性接着材が熱軟化した
前記半導体ウェーハをウェーハ保持手段で保持した後、
剥離手段でスライスベースを半導体ウェーハから引き倒
して剥離させても良い。
【図１】本発明に係るウェーハのスライスベースの剥離
装置の実施例を示す斜視図
装置の実施例を示す斜視図
【図２】本発明に係るウェーハのスライスベースの剥離
装置の作動説明図
装置の作動説明図
【図３】本発明に係るウェーハのスライスベースの剥離
装置の作動説明図
装置の作動説明図
【図４】本発明に係るウェーハのスライスベースの剥離
装置の作動説明図
装置の作動説明図
【図５】本発明に係るウェーハのスライスベースの剥離
装置の作動説明図
装置の作動説明図
１０…スライスベースの剥離装置 １２…ウェーハ １６…温水槽 １８…ハンマ部 ２２…挟持板 ２８…スライスベース ３０…温水
Claims (4)
- 【請求項１】 スライシングマシンで切断された半導体
ウェーハを、この半導体ウェーハに接着されているスラ
イスベースの熱軟化性接着材が熱軟化する温度の温水中
に所定時間浸漬し、 所定時間経過後、前記半導体ウェーハを前記温水中から
取り出し、前記スライスベースを槌打して半導体ウェー
ハから剥離させることを特徴とするウェーハのスライス
ベースの剥離方法。 - 【請求項２】 スライシングマシンで切断された半導体
ウェーハに接着されているスライスベースの熱軟化性接
着材を、ヒータによって熱軟化させた後、前記スライス
ベースを半導体ウェーハから剥離させることを特徴とす
るウェーハのスライスベースの剥離方法。 - 【請求項３】 スライシングマシンで切断された半導体
ウェーハが浸漬されると共に、この半導体ウェーハに接
着されているスライスベースの熱軟化性接着材が熱軟化
する温度の温水が貯留された温水槽と、 前記温水中に所定時間浸漬されて取り出された前記半導
体ウェーハを保持するウェーハ保持手段と、 前記ウェーハ保持手段で保持されたウェーハのスライス
ベースを槌打して半導体ウェーハから剥離させるハンマ
手段と、 から成ることを特徴とするウェーハのスライスベースの
剥離装置。 - 【請求項４】 スライシングマシンで切断された半導体
ウェーハに接着されているスライスベースの熱軟化性接
着材を熱軟化させるヒータと、 前記熱軟化性接着材が熱軟化した前記半導体ウェーハを
保持するウェーハ保持手段と、 前記ウェーハ保持手段で保持されたウェーハのスライス
ベースを半導体ウェーハから剥離させる剥離手段と、 から成ることを特徴とするウェーハのスライスベースの
剥離装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05002867A JP3119324B2 (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | ウェーハのスライスベースの剥離装置 |
| US08/167,025 US5427644A (en) | 1993-01-11 | 1993-12-16 | Method of manufacturing semiconductor wafer and system therefor |
| DE4400221A DE4400221C2 (de) | 1993-01-11 | 1994-01-05 | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers und Anlage hierfür |
| IT94TO000006 IT1267970B1 (it) | 1993-01-11 | 1994-01-10 | Procedimento per produrre un wafer di semiconduttore e corrispondente sistema. |
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1993
- 1993-01-11 JP JP05002867A patent/JP3119324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
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| US5759344A (en) * | 1994-03-22 | 1998-06-02 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer slicer base peeling system |
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| US5853533A (en) * | 1994-03-22 | 1998-12-29 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer slice base peeling system |
| JP2011249523A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Naoetsu Electronics Co Ltd | ウエハ製造方法及びウエハ製造装置 |
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