JPH06208979A - 半導体ウェーハの製造システム - Google Patents

半導体ウェーハの製造システム

Info

Publication number
JPH06208979A
JPH06208979A JP5002865A JP286593A JPH06208979A JP H06208979 A JPH06208979 A JP H06208979A JP 5002865 A JP5002865 A JP 5002865A JP 286593 A JP286593 A JP 286593A JP H06208979 A JPH06208979 A JP H06208979A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cleaning
ingot
drying
chamfering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5002865A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3116619B2 (ja
Inventor
Masashi Nagatsuka
真史 永塚
Takeshi Kanda
武史 鑑田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP286593A priority Critical patent/JP3116619B2/ja
Priority to US08/167,025 priority patent/US5427644A/en
Priority to DE4400221A priority patent/DE4400221C2/de
Priority to IT94TO000006 priority patent/IT1267970B1/it
Priority to KR1019940000301A priority patent/KR100197090B1/ko
Publication of JPH06208979A publication Critical patent/JPH06208979A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3116619B2 publication Critical patent/JP3116619B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 インゴットから半導体ウェーハを自動で製造
する。 【構成】 インゴットローダー12でインゴット50を
スライシングマシン14まで搬送して固定し、ウェーハ
64に切断する。これを剥離部70に搬送し温水槽76
に所定時間浸漬しスライスベース51の接着剤を熱軟化
させ、ハンマリングロッド108でウェーハ64から剥
離させる。これを洗浄・乾燥部72に搬送し、洗浄・乾
燥されたウェーハ64を、搬送装置138で面検装置1
8に搬送しウェーハの規格に対する合否を判定する。合
格品を面取り装置20に搬送し、エッジを面取りし洗浄
・乾燥装置22で洗浄して乾燥した後、搬送装置222
で収納部24に搬送して収納する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハの製造シ
ステムに係り、特に半導体ウェーハ材料であるシリコン
インゴットから薄片状の半導体ウェーハを製造するまで
の半導体ウェーハの製造システムに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体ウェーハの製造工程は、先
ず、シリコンインゴットをスライシングマシンまで持ち
運んでスライシングマシンに固定し、そして、スライシ
ングマシンを作動させてインゴットから所定の厚さの半
導体ウェーハを切断する。次に、スライシングマシンで
切断したウェーハを、独立したスライスベースの剥離装
置に持ち運び、この剥離装置に設置された薬液槽にウェ
ーハを所定時間浸漬させてスライスベースの接着剤を溶
解させ、ウェーハからスライスベースを剥離する。
【0003】次いで、スライスベースが剥離したウェー
ハを、洗浄・乾燥装置に持ち運び、この洗浄・乾燥装置
で洗浄・乾燥した後、ウェーハを面取り装置に持ち運
ぶ。そして、この面取り装置でウェーハのエッジを面取
りした後、再び洗浄・乾燥装置に持ち運び、この洗浄・
乾燥装置で洗浄・乾燥してカセットに収納する。このよ
うな工程でインゴットからウェーハを製造している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウェーハの製造システムでは、各処理工程が独立
しており、1つの処理工程を終了する毎に、次の処理工
程にウェーハを持ち運ばなければならないので、工程間
のウェーハ滞留、手間等で製造効率が悪いという欠点が
ある。
【0005】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、半導体ウェーハを自動で製造することができる
半導体ウェーハの製造システムを提供することを目的と
する。
【0006】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
する為に、円柱状のインゴットを搬送するインゴット搬
送手段と、前記インゴット搬送手段で搬送されたインゴ
ットが装着されて、このインゴットを薄片状のウェーハ
に切断するスライシングマシンと、前記スライシングマ
シンに第1のウェーハ搬送手段を介して連結され、スラ
イシングマシンで切断されたウェーハのスライスベース
をウェーハから剥離させる剥離手段と、前記剥離手段に
第2のウェーハ搬送手段を介して連結され、剥離手段で
スライスベースが剥離されたウェーハを洗浄して乾燥す
る第1の洗浄・乾燥手段と、前記第1の洗浄・乾燥手段
に第3のウェーハ搬送手段を介して連結され、第1の洗
浄・乾燥手段で洗浄・乾燥されたウェーハの規格に対す
る合否を判定する面検手段と、前記面検手段に第4のウ
ェーハ搬送手段を介して連結され、面検手段で合格と判
定されたウェーハのエッジを面取りする面取手段と、前
記面取手段に第5のウェーハ搬送手段を介して連結さ
れ、面取手段で面取りされたウェーハを洗浄して乾燥す
る第2の洗浄・乾燥手段と、前記第2の洗浄・乾燥手段
に第6のウェーハ搬送手段を介して連結され、第2の洗
浄・乾燥手段で洗浄・乾燥されたウェーハを収納する収
納部と、から成ることを特徴としている。
【0007】
【作用】本発明によれば、先ず、インゴット搬送手段で
インゴットをスライシングマシンまで搬送してスライシ
ングマシンに固定する。次に、スライシングマシンで前
記インゴットを薄片状のウェーハに切断する。次いで、
スライシング手段で切断されたウェーハを、第1のウェ
ーハ搬送手段で剥離手段に搬送し、この剥離手段でウェ
ーハのスライスベースをウェーハから剥離させる。
【0008】そして、剥離手段でスライスベースが剥離
されたウェーハを、第2のウェーハ搬送手段で第1の洗
浄・乾燥手段に搬送し、この第1の洗浄・乾燥手段でウ
ェーハを洗浄して乾燥する。そして、第1の洗浄・乾燥
手段で洗浄・乾燥されたウェーハを、第3のウェーハ搬
送手段で面検手段に搬送し、この面検手段でウェーハの
規格に対する合否を判定する。そして、面検手段で合格
と判定されたウェーハを、第4のウェーハ搬送手段で面
取り手段に搬送し、この面取り手段でウェーハのエッジ
を面取りする。
【0009】そして、面取手段でエッジが面取りされた
ウェーハを、第5のウェーハ搬送手段で第2の洗浄・乾
燥手段に搬送し、この第2の洗浄・乾燥手段でウェーハ
を洗浄して乾燥する。そして、第2の洗浄・乾燥手段で
洗浄・乾燥されたウェーハを第6のウェーハ搬送手段で
収納部に搬送して収納する。
【0010】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係る半導体ウ
ェーハの製造システムの好ましい実施例について詳説す
る。図1は本発明に係る半導体ウェーハの製造システム
10の全体構成を示す斜視図である。この半導体ウェー
ハの製造システム10は、インゴットローダー12、ス
ライシングマシン14、剥離・洗浄・乾燥装置16、面
検装置18、面取り装置20、洗浄・乾燥装置22、及
びウェーハ収納部24から構成される。
【0011】前記インゴットローダー12は図1、図2
に示すように、一対のポスト26、26がスライシング
マシン14の前部を挟むようにして設置される。一対の
ポスト26、26の上部には支持梁28が架け渡されて
固定されており、この支持梁28にはガイドレール30
が支持梁28に直交する方向に固定されている。尚、前
記支持梁28、ガイドレール30には、それぞれカバー
32、34が被覆されている。
【0012】前記ガイドレール30には、ローダ部36
がガイドレール30に沿って図中矢印方向(X軸方向)
に往復移動可能に設けられる。このローダ部36は図3
に示すように、ガイドレール30に移動自在に設けられ
たローダ本体38と、このローダ本体38にシリンダロ
ッド40を下方に向けて固定された油圧シリンダ42
と、から構成される。前記シリンダロッド40の下端部
には、インゴット支持部材44が固着されており、この
インゴット支持部材44の係合溝45に、ワークブロッ
ク46の上端部に固着された係合部48が係合されてイ
ンゴット50が保持される。
【0013】インゴット50は図2に示すインゴット搬
送台車52によって、インゴット保管場所からインゴッ
トローダー12のポスト26近傍まで搬送される。この
搬送台車52には昇降ロッド54が鉛直方向に固定され
ており、この昇降ロッド54の上端部には略S字状のフ
ック部56が固着されている。インゴット50は、前記
フック部56に形成された一対の掛け溝58、58に前
記ワークブロック46が嵌合されることにより搬送台車
52に保持され、また昇降ロッド54を上昇させること
により前記ローダ部36の位置まで上昇されてローダ部
36に保持される。
【0014】前記スライシングマシン14は、既知のス
ライシングマシンである。このスライシングマシン14
は図1に示すように、X方向に移動されるワーク送り機
構60にワーク割り出し機構62が搭載されている。前
記インゴットローダ12で搬送されてきたインゴット5
0は、このワーク割り出し機構62に固定されて切断方
向(Z軸方向)に割り出しされる。前記ワーク送り機構
60の下方には、図示しない内周刃が設けられており、
この内周刃によって前記ワーク割り出し機構62に固定
されたインゴット50がウェーハに切断される。この内
周刃は、ドーナツ状に形成されたブレードの内周縁にダ
イヤモンド砥粒が電着されて形成される。また、内周刃
は、スライシングマシン14に内設されたチャックボデ
ィに前記ブレードの外周縁が張り上げられると共に、図
示しない回転機構により高速回転される。
【0015】スライシングマシン14で切断されたウェ
ーハ64は、図示しない既知のウェーハ吸着・移動装置
によって吸着され、ウェーハ移送装置66によってロッ
ドレスシリンダで構成される搬送装置68で移送され
る。搬送装置68で移送されたウェーハ64は、前記剥
離・洗浄・乾燥装置16まで搬送される。前記剥離・洗
浄・乾燥装置16は図4に示すように、スライスベース
51の剥離部70と、ウェーハ64の洗浄・乾燥部72
とから構成される。
【0016】前記剥離部70は、ウェーハ64の移動機
構74、温水槽76、及びハンマ部78を有している。
前記移動機構74は、前述した搬送装置68から搬送さ
れてきたウェーハ64を挟持する一対の挟持板80、8
0を有している。挟持板80、80の図中左端部には、
凹状に折り曲げられたアーム82の先端部が固着されて
いる。このアーム82は図5に示すように、シリンダ8
4に伸縮自在に取り付けられている。シリンダ84を作
動してアームを収縮させると、前記温水槽76に貯留さ
れた温水(スライスベース51をウェーハ64に接着さ
せている熱軟化性接着剤を熱軟化させる温度、例えば本
実施例では、90°Cの温水とする)86に前記ウェー
ハ64が挟持板80、80とともに浸漬される。(図6
参照)また、前記シリンダ84の下部は架台88に固定
され、この架台88は移動レール90上に移動可能に載
置される。前記移動レール90は、温水槽76に対して
並設されている。この移動レール90に対して前記架台
88が図7に示す位置にスライド移動され、また前記ア
ーム82が伸長されると、前記ウェーハ64がハンマ部
78に移送される。
【0017】一方、前記挟持板80、80の図4中右端
部には段付き状に折り曲げられたアーム92の先端部が
固着されており、このアームの基端部はバー94の軸方
向に摺動可能に取り付けられている。バー94は図5乃
至図7に示したシリンダ84に対して並設されると共
に、前記架台88のスライド移動に連動して架台88の
移動方向と同方向に移動されるようになっている。
【0018】前記ハンマ部78は、ウェーハ64の押さ
え用シリンダ96、スライスベース51の剥離用シリン
ダ98を有している。前記押さえ用シリンダ96は、シ
リンダロッド100を伸長させることにより、ウェーハ
64を図8に示すように、押さえロッド102と押さえ
台104とで挟持して保持することができる。また、剥
離用シリンダ98は、シリンダロッド106を伸長させ
ることにより、前記ウェーハ64のスライスベース51
をハンマロッド108でハンマリングしてウェーハ64
から剥離させることができる。剥離された前記スライス
ベース51は、ハンマ部78の下方に設置されたバケッ
ト110に回収される。
【0019】前記洗浄・乾燥部72は図4に示すよう
に、搬送ローラ112、洗浄ブラシローラ114、搬送
ローラ116、洗浄水噴射部118、スクレーパ12
0、及び乾燥部122から構成される。前記搬送ローラ
112は一対のローラ124、124から構成されて、
図示しない駆動部からの駆動力によって図中矢印方向に
回転されることにより、剥離部70でスライスベース5
1が剥離されたウェーハ64を、ローラ124、124
間に挟み込んで洗浄ブラシローラ114に向けて送り出
すことができるようになっている。
【0020】前記洗浄ブラシローラ114は、一対のブ
ラシローラ126、126から構成されている。洗浄ブ
ラシローラ114は、図示しない駆動部からの駆動力に
よって回転されることにより、送られてきたウェーハ6
4をローラ126、126間に挟み込んでウェーハ64
に付着した切削屑等をそのブラシで払い落とすことがで
きる。ブラシに付着した前記切削屑等は、前記洗浄水噴
射部118のノズル128、128から噴射される洗浄
水によって剥離除去される。
【0021】前記搬送ローラ116は一対のローラ13
0、130から構成されて、図示しない駆動部からの駆
動力によって図中矢印方向に回転されることにより、洗
浄されたウェーハ64を、ローラ130、130間に挟
み込んで前記スクレーパ120に向けて送り出すことが
できるようになっている。前記スクレーパ120は一対
のワイパ部材132、132から構成されて、そのワイ
パ部材132、132間をウェーハ64が通過すること
により、ウェーハ64の表面に付着した水滴が除去され
る。
【0022】前記乾燥部122は一対のエアー吹出部1
34、134から構成されて、そのエアー吹出部13
4、134間をウェーハ64が通過することにより、エ
アー吹出部134、134のエアー吹出孔136、13
6…から吹き出されるエアーによって乾燥される。乾燥
されたウェーハ64は、搬送装置138によって図1に
示した面検装置18に搬送される。
【0023】ウェーハ64は、前記面検装置18の図9
に示す検査テーブル140上でウェーハ64の厚さ、平
坦度等が測定され、その測定値に基づいて規格に対する
合否が判定される。合格と判定されたウェーハ64は、
搬送装置142で既知の方向転換装置144まで搬送さ
れ、そして方向転換装置144で吸着されて図1、図1
0に示す搬送装置146まで搬送される。尚、規格に対
して不合格となったウェーハ64は図1、図9に示すカ
セット148に収納される。
【0024】前記搬送装置146は図10に示すよう
に、一対のロッドレスシリンダ150、150に沿って
往復移動可能なトレイ152を有しており、このトレイ
152が始端部(図中左端部)に位置されている時に前
記方向転換装置144で移送されたウェーハ64がトレ
イ152上に載置される。トレイ152に載置されたウ
ェーハ64は、トレイ152がロッドレスシリンダ15
0、150の終端部(図中右端部)まで移動されると、
搬送装置154の吸着アーム156に吸着されて図中矢
印方向に移送され、図1に示した面取り装置20に搬送
される。
【0025】前記面取り装置20は図11に示すよう
に、ウェーハ64をクランプする上の垂直軸158と下
の垂直軸160とを有している。前記上垂直軸158
は、軸受ボックス162に回転可能に支持されており、
この軸受ボックス162は鉛直方向に立設されたガイド
レール164に沿って摺動可能に設けられている。ま
た、上垂直軸158は、その下端部にウェーハ64のク
ランプ位置を位置決めするマスタ166が固着され、ま
た上端部にはモータ168が連結されている。
【0026】前記下垂直軸160は、軸受ボックス17
0に回転可能に支持されると共に、その上端部にウェー
ハの吸着部172が固着される。この軸受ボックス17
0の下部にはシリンダ174のシリンダロッド176が
固着されている。これにより、前記シリンダロッド17
6を伸縮させると、軸受ボックス162がガイドレール
164に沿って上下移動するので、ウェーハ64の上下
方向に対する位置決めを行うことができる。
【0027】吸着されたウェーハ64の近傍には、ウェ
ーハ64の上・下面エッジを面取りする砥石178が設
けられる。この砥石178は、移動テーブル180に軸
受182を介して取り付けられた砥石軸184に固着さ
れており、この砥石軸184にはベルト186を介して
モータ188の回転力が伝達される。このモータ188
も前記移動テーブル180上に固定されている。一方、
移動テーブル180はガイドレール190上に載置さ
れ、このガイドレール190に沿って水平方向に移動自
在に設けられる。即ち、移動テーブル180は、ウェー
ハ64の面取り時には、ウェーハ64のエッジに砥石1
78が押圧するように図中左方向に移動され、また、面
取り終了時にはウェーハ64から退避するように図中右
方向に移動されるように制御されている。面取りが終了
したウェーハ64は図12に示す搬送装置192、19
4を介して前述した洗浄・乾燥装置22に搬送される。
【0028】洗浄・乾燥装置22は搬送ローラ196、
洗浄ブラシローラ198、スクレーパ200、搬送ロー
ラ202、洗浄水噴射部204、及び乾燥部206から
構成される。前記搬送ローラ196は一対のローラ20
8、208から構成されて、図示しない駆動部からの駆
動力によって図中矢印方向に回転されることにより、ウ
ェーハ64をローラ208、208間に挟み込んで洗浄
ブラシローラ198に向けて送り出すことができるよう
になっている。
【0029】前記洗浄用ローラ198は、一対のブラシ
ローラ210、210から構成されている。洗浄ブラシ
ローラ198は、図示しない駆動部からの駆動力によっ
て回転されることにより、ウェーハ64をブラシローラ
210、210間に挟み込んでウェーハ64に付着した
切削屑等をそのブラシで払い落とすことができるように
なっている。ブラシに付着した前記切削屑等は、前記洗
浄水噴射部204のノズル212、212から噴射され
る洗浄水によって剥離除去される。
【0030】前記スクレーパ200は一対のワイパ部材
214、214から構成されて、そのワイパ部材21
4、214間をウェーハ64が通過することにより、ウ
ェーハ64の表面に付着した水滴が除去される。前記搬
送ローラ202は一対のローラ216、216から構成
されて、図示しない駆動部からの駆動力によって図中矢
印方向に回転されることにより、洗浄されたウェーハ6
4を、ローラ216、216間に挟み込んで前記乾燥部
206に向けて送り出すことができるようになってい
る。
【0031】前記乾燥部206は一対のエアー吹出部2
18、218から構成されて、そのエアー吹出部21
8、218間をウェーハ64が通過することにより、エ
アー吹出部218、218のエアー吹出孔220、22
0…から吹き出されるエアーによって乾燥される。乾燥
されたウェーハ64は、搬送装置222によって図1、
図12に示したウェーハ収納部24に搬送される。
【0032】ウェーハ収納部24にはカセット224が
取り付けられており、前記搬送装置222で搬送された
ウェーハ64が順次収納されるようになっている。次
に、前記の如く構成された半導体ウェーハの製造システ
ム10の作用について説明する。先ず、図2に示した搬
送台車52のフック部56にインゴット50を保持し
て、インゴット50をインゴットローダー12の近傍ま
で搬送する。そして、搬送台車52の昇降ロッドでイン
ゴット50を上昇させると共に、インゴットローダ12
側のシリンダロッド40を伸長し、インゴット支持部材
44の係合溝45にワークブロック46の係合部48を
係合させてインゴット50をインゴットローダー12に
保持させる。
【0033】次に、インゴットローダー12を駆動して
ローダ本体38をスライシングマシン14の方向に移動
させ、スライシングマシン14のワーク割り出し機構6
2の下方に位置した時にローダ本体38を停止させる。
そして、インゴット50を図1に示したように前記ワー
ク割り出し機構62に固定する。次に、スライシングマ
シン14を駆動して、インゴット50をワーク割り出し
機構62で割り出しすると共にワーク送り機構60で内
周刃に押し付けてウェーハ64に切断する。そして、ス
ライシングマシン14で切断されたウェーハ64を、ウ
ェーハ吸着・移動装置66で吸着して搬送装置68に移
送した後、搬送装置68で剥離・洗浄・乾燥装置16に
搬送する。
【0034】次に、剥離・洗浄・乾燥装置16に搬送し
てきたウェーハ64を、図4に示した剥離部70の挟持
板80、80間で保持する。ウェーハ64を保持した
後、図6に示すようにアーム82を収縮させてウェーハ
64を温水槽76の温水86中に所定時間(30秒)浸
漬する。これにより、スライスベース51の熱軟化性接
着剤が熱軟化される。
【0035】そして、所定時間経過後、架台88を図7
に示す位置にスライド移動しながら前記アーム82を伸
長して、前記ウェーハ64をハンマ部78に移送する。
ハンマ部78にウェーハ64が移送されると、図8に示
すように押さえロッド102と押さえ台104とでウェ
ーハ64を挟持し、そして、剥離用シリンダ98のシリ
ンダロッド106を伸長する。これにより、前記ウェー
ハ64のスライスベース51がハンマロッド108でハ
ンマリングされてウェーハ64から剥離する。即ち、ス
ライスベース51の接着剤が温水86によって熱軟化さ
れているので、スライスベース51はハンマリングされ
るだけでウェーハ64から容易に剥離する。剥離した前
記スライスベース51は、バケット110に回収され
る。
【0036】次に、前記架台88を図7に示した位置か
ら更に右方向にスライド移動させて、スライスベース5
1が剥離した前記ウェーハ64を、図4に示した洗浄・
乾燥部72に搬送する。洗浄・乾燥部72にウェーハ6
4を搬送すると、搬送ローラ112でウェーハ64を洗
浄ブラシローラ114に向けて送り出し、洗浄ブラシロ
ーラ114の通過中にウェーハ64に付着した切削屑等
を払い落とす。また、ブラシに付着した前記切削屑等
は、前記洗浄水噴射部118のノズル128、128か
ら噴射される洗浄水によって剥離除去される。
【0037】そして、切削屑等が払い落とされたウェー
ハ64を、搬送ローラ116でスクレーパ120に向け
て送り出し、スクレーパ120でウェーハ64の表面に
付着した水滴を除去する。そして、水滴が除去されたウ
ェーハ64を、乾燥部122から供給されるエアーによ
って乾燥した後、搬送装置138によって図9に示した
面検装置18に搬送する。
【0038】次に、面検装置18にウェーハ64が搬送
されると、面検装置18で規格に対する合否が判定さ
れ、合格と判定されたウェーハ64を搬送装置142、
方向転換装置144、及び搬送装置146、154(図
10参照)によって面取り装置20に搬送する。次に、
面取り装置20に搬送されたウェーハ64を、図11に
示すシリンダ174のシリンダロッド176を伸長させ
て上垂直軸158のマスタ166と下垂直軸160の吸
着部172との間でクランプする。そして、モータ16
8でウェーハ64を回転させると共に砥石178をモー
タ188で回転させて、ウェーハ64のエッジに砥石1
78が押圧するように移動テーブル180を図中左方向
に移動する。例えば、ウェーハ64の上面側のエッジを
先に面取りした場合には、シリンダロッド176を所定
量収縮させてウェーハ64の下面側のエッジを面取りす
る。
【0039】面取りが終了時すると、移動テーブル18
0をウェーハ64から退避する方向に移動し、そして、
面取りが終了した前記ウェーハ64を図12に示す搬送
装置192、194で洗浄・乾燥装置22に搬送する。
そして、洗浄・乾燥装置22に搬送されてきたウェーハ
64を、搬送ローラ196によって洗浄ブラシローラ1
98側に送り出して、洗浄ブラシローラ198でウェー
ハ64に付着した切削屑等が払い落とす。また、ブラシ
に付着した前記切削屑等は、前記洗浄水噴射部204の
ノズル212、212から噴射される洗浄水によって剥
離除去される。
【0040】次に、切削屑等が払い落とされたウェーハ
64を、スクレーパ200でその表面に付着した水滴を
除去した後、搬送ローラ202で乾燥部206に向けて
送り出して乾燥部206のエアー吹出孔220、220
…から供給されるエアーによって乾燥する。そして、乾
燥されたウェーハ64を、搬送装置222によってウェ
ーハ収納部24のカセット224内に順次収納する。
【0041】従って、本実施例の半導体ウェーハの製造
システム10によれば、インゴット50からウェーハ6
4の切断、スライスベース51の剥離・洗浄・乾燥、ウ
ェーハ64の面検、及び面取り等の各製造工程を流れ作
業化した。これにより、半導体ウェーハを自動で製造す
ることができ、また、従来の半導体ウェーハの製造シス
テムと比較して製造効率も向上する。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウェーハの製造システムによれば、スライシングマシン
手段、剥離手段、第1の洗浄・乾燥手段、面検手段、第
2の洗浄・乾燥手段、面取り手段、及び収納部を複数の
ウェーハ搬送手段で連結して、ウェーハの製造を流れ作
業で行うようにし、また、インゴットの搬送もインゴッ
ト搬送手段で前記スライシング装置まで搬送するように
したので、半導体ウェーハを自動で製造することができ
る。これにより、半導体ウェーハの製造効率を向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体ウェーハの製造システムの
全体構成を示す斜視図
【図2】インゴットローダーの実施例を示す斜視図
【図3】インゴットローダーにインゴットが固定された
状態を示す正面図
【図4】スライスベースの剥離装置と、ウェーハ洗浄・
乾燥装置の実施例を示す斜視図
【図5】スライスベースの剥離装置の作動説明図
【図6】スライスベースの剥離装置の作動説明図
【図7】スライスベースの剥離装置の作動説明図
【図8】スライスベースの剥離装置の作動説明図
【図9】面検装置の実施例を示す斜視図
【図10】ウェーハの搬送装置の実施例を示す斜視図
【図11】ウェーハの面取装置の実施例を示す要部説明
【図12】ウェーハ洗浄・乾燥装置の実施例を示す斜視
【符号の説明】
10…半導体ウェーハの製造システム 12…インゴットローダー 14…スライシングマシン 16…剥離・洗浄・乾燥装置 18…面検装置 20…面取り装置 22…洗浄・乾燥装置 24…ウェーハ収納部 50…インゴット 51…スライスベース 64…ウェーハ 68、138、142、146、154、192、19
4、222…搬送装置 70…剥離部 72…洗浄・乾燥部 76…温水槽 78…ハンマ部 112、116、196、202…搬送ローラ 114、198…洗浄ブラシローラ 118、204…洗浄水噴射部 120、200…スクレーパ 122、206…乾燥部 178…砥石 224…カセット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 A 8418−4M

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 円柱状のインゴットを搬送するインゴッ
    ト搬送手段と、 前記インゴット搬送手段で搬送されたインゴットが装着
    されて、このインゴットを薄片状のウェーハに切断する
    スライシングマシンと、 前記スライシングマシンに第1のウェーハ搬送手段を介
    して連結され、スライシングマシンで切断されたウェー
    ハのスライスベースをウェーハから剥離させる剥離手段
    と、 前記剥離手段に第2のウェーハ搬送手段を介して連結さ
    れ、剥離手段でスライスベースが剥離されたウェーハを
    洗浄して乾燥する第1の洗浄・乾燥手段と、 前記第1の洗浄・乾燥手段に第3のウェーハ搬送手段を
    介して連結され、第1の洗浄・乾燥手段で洗浄・乾燥さ
    れたウェーハの規格に対する合否を判定する面検手段
    と、 前記面検手段に第4のウェーハ搬送手段を介して連結さ
    れ、面検手段で合格と判定されたウェーハのエッジを面
    取りする面取手段と、 前記面取手段に第5のウェーハ搬送手段を介して連結さ
    れ、面取手段で面取りされたウェーハを洗浄して乾燥す
    る第2の洗浄・乾燥手段と、 前記第2の洗浄・乾燥手段に第6のウェーハ搬送手段を
    介して連結され、第2の洗浄・乾燥手段で洗浄・乾燥さ
    れたウェーハを収納する収納部と、 から成ることを特徴とする半導体ウェーハの製造システ
    ム。
JP286593A 1993-01-11 1993-01-11 半導体ウェーハの製造システム Expired - Fee Related JP3116619B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP286593A JP3116619B2 (ja) 1993-01-11 1993-01-11 半導体ウェーハの製造システム
US08/167,025 US5427644A (en) 1993-01-11 1993-12-16 Method of manufacturing semiconductor wafer and system therefor
DE4400221A DE4400221C2 (de) 1993-01-11 1994-01-05 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers und Anlage hierfür
IT94TO000006 IT1267970B1 (it) 1993-01-11 1994-01-10 Procedimento per produrre un wafer di semiconduttore e corrispondente sistema.
KR1019940000301A KR100197090B1 (ko) 1993-01-11 1994-01-10 반도체 웨이퍼의 제조방법 및 그 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP286593A JP3116619B2 (ja) 1993-01-11 1993-01-11 半導体ウェーハの製造システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06208979A true JPH06208979A (ja) 1994-07-26
JP3116619B2 JP3116619B2 (ja) 2000-12-11

Family

ID=11541264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP286593A Expired - Fee Related JP3116619B2 (ja) 1993-01-11 1993-01-11 半導体ウェーハの製造システム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3116619B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5950643A (en) * 1995-09-06 1999-09-14 Miyazaki; Takeshiro Wafer processing system
KR100471936B1 (ko) * 1996-06-04 2005-09-09 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 웨이퍼의세정·박리방법및장치
WO2005109492A1 (en) * 2004-05-07 2005-11-17 Hanmi Semiconductor Co., Ltd Sawing and handler system for manufacturing semiconductor package
JP2009054708A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd 面取り機能つき洗浄装置
WO2011002242A3 (ko) * 2009-07-03 2011-04-28 다이섹(주) 태양전지 잉곳용 스퀘어 컷팅장치
KR101043797B1 (ko) * 2009-02-02 2011-06-22 주식회사 포틱스 솔라 셀 웨이퍼의 선별수납장치
JP2013110235A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0553067U (ja) * 1991-12-13 1993-07-13 東京瓦斯株式会社 スイッチ装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5950643A (en) * 1995-09-06 1999-09-14 Miyazaki; Takeshiro Wafer processing system
KR100471936B1 (ko) * 1996-06-04 2005-09-09 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 웨이퍼의세정·박리방법및장치
WO2005109492A1 (en) * 2004-05-07 2005-11-17 Hanmi Semiconductor Co., Ltd Sawing and handler system for manufacturing semiconductor package
JP2009054708A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd 面取り機能つき洗浄装置
KR101043797B1 (ko) * 2009-02-02 2011-06-22 주식회사 포틱스 솔라 셀 웨이퍼의 선별수납장치
WO2011002242A3 (ko) * 2009-07-03 2011-04-28 다이섹(주) 태양전지 잉곳용 스퀘어 컷팅장치
JP2013110235A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3116619B2 (ja) 2000-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100197090B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 제조방법 및 그 시스템
JP2001007058A (ja) 切削装置
KR20060135790A (ko) 판재의 종형 가공 라인
JP4502260B2 (ja) スピンナー洗浄装置及びダイシング装置
JP4813855B2 (ja) 切削装置および加工方法
JP6329813B2 (ja) 搬送ロボット
JPH06208979A (ja) 半導体ウェーハの製造システム
TWI327132B (ja)
JPH1131674A (ja) ウェーハ洗浄装置
JP2002353169A (ja) ワーク搬送装置及びダイシング装置
JP2917262B2 (ja) 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置
JP4488590B2 (ja) 被加工物の分割方法
JP4758457B2 (ja) ウェーハ面取り装置
JP4089837B2 (ja) スピンナー装置
JP2010087443A (ja) 搬送機構
JP4385390B2 (ja) ウェーハ面取り装置
JP2801489B2 (ja) リングフレーム自動洗浄装置
JP4295469B2 (ja) 研磨方法
JP3033058B2 (ja) ウェーハ面取り装置
JP4616969B2 (ja) 切断機
JP3053256B2 (ja) ウェハのスライスベース剥離・洗浄方法及び装置並びにウェハの処理搬送装置
JPS59166444A (ja) 工作機械による自動加工ラインの切粉除去装置
CN111341694A (zh) 晶片制造装置
CN212750854U (zh) 一种晶圆片涂布机
JPH08153694A (ja) ポリッシング装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees