JPH08153694A - ポリッシング装置 - Google Patents

ポリッシング装置

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JPH08153694A
JPH08153694A JP29516094A JP29516094A JPH08153694A JP H08153694 A JPH08153694 A JP H08153694A JP 29516094 A JP29516094 A JP 29516094A JP 29516094 A JP29516094 A JP 29516094A JP H08153694 A JPH08153694 A JP H08153694A
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石 俊 夫 大
Shoichi Hata
晶 一 秦
Masafumi Tsunada
田 雅 文 綱
Masahiro Ishida
田 全 寛 石
Koichi Mase
瀬 康 一 間
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  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェーハのポリッシングから洗浄・乾燥まで
一連の工程を合理化するポリッシング装置を提供する。 【構成】 カセットから取り出されたウェーハにポリッ
シング加工を施すポリッシング手段8と、ポリッシング
手段へ前記ウェーハの着脱を行う着脱手段6と、ポリッ
シング加工が施されたウェーハを洗浄する手段12と、
ウェーハを、前記カセット、前記ポリッシング手段、前
記着脱手段、および前記洗浄手段の間で搬送する搬送手
段2,4とを区画された部屋に配置して構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス加工に
用いられるポリッシング装置に係り、特に、ウェーハの
ポリッシング加工から洗浄・乾燥まで一台の装置で自動
化して行えるポリッシング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体のデバイス加工には、従来
から用いられている片面ポリッシング技術が応用され、
ケミカル・メカニカル・ポリッシング技術と呼ばれてい
る。ウェーハ製造工程でのケミカル・メカニカル・ポリ
ッシングの研磨工程は、ウェーハの収納されたカセット
からのウェーハの取り出しや、ポリッシャのトップリン
グへの取り付け、取外し、また、ポリッシング加工され
たウェーハの洗浄、乾燥など多くの工程からなる。従
来、この種のポリッシング装置(以下、CMP装置とい
う)では、洗浄、乾燥装置は内蔵されていないものが多
く、通常は、ポリッシングされたウェーハは、別に設け
た水槽内のカセットに収納され、洗浄、乾燥には、オペ
レータが水槽からカセットを取出し、洗浄乾燥装置へ運
んでいる。
【0003】また、従来のポリッシング装置では、トッ
プリングでウェーハを保持してポリッシングを行なう定
盤部と、ウェーハの取付け、取外しを行なうローダ部
と、トップリング面を洗浄する洗浄部とを各別の位置に
設け、トップリングをこれら三位置の間で移動させて作
業を行なうようにしている。
【0004】さらに、ウェーハをトップリングに取り付
けるなどのハンドリングには、センタリングや反転を行
う専用の装置を設けるなどしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のCM
P装置においては、ウェーハのセンタリングや反転動作
を実現するのに専用の装置を設けたり、トップリングの
旋回動作が多くマシーンタイムがその分余計にかかる問
題があった。、また、ポリッシングと、洗浄・乾燥を行
う装置を個別に設けているため、運搬中の水垂れなどに
よってCMP装置をクリーンルームに設置するのが困難
となり、生産ラインが複雑化するという問題があった。
【0006】本発明の目的は、前記従来技術の有する問
題点を解決し、ウェーハのポリッシングから洗浄・乾燥
まで一連の工程を合理化するポリッシング装置を提供す
ることにある。
【0007】また、本発明の他の目的は、クリーンルー
ム内に設置可能なようにウェーハ収納用のカセットを正
常で乾燥した状態に保てるようにポリッシング加工を行
うことのできるポリッシング装置を提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、カセットから取り出されたウェーハにポリッ
シング加工を施すポリッシング手段と、前記ポリッシン
グ手段へ前記ウェーハの着脱を行う着脱手段と、ポリッ
シング加工が施されたウェーハを洗浄する洗浄手段と、
前記ウェーハを、前記カセット、前記ポリッシング手
段、前記着脱手段、および前記洗浄手段の間で搬送する
搬送手段とを区画された部屋に配置してなることを特徴
とするものである。
【0009】また、本発明は、カセットからのウェーハ
の取り出し及び洗浄乾燥後のウェーハの前記カセットへ
の収納を行う第1の搬送手段と、ウェーハに研磨布によ
るポリッシング加工を施すポリッシング手段と、前記ポ
リッシング手段へ前記ウェーハの着脱を行うローダ装置
と、ポリッシング加工が施されたウェーハを洗浄および
乾燥する洗浄乾燥手段と、前記第1搬送手段により取り
出されたウェーハを前記ローダ装置に搬送し、さらにポ
リッシング加工が施されたウェーハを前記ローダ装置か
ら前記洗浄乾燥手段へ搬送する第2の搬送手段と、研磨
布のドレッシング装置を区画された部屋に配置してなる
ことを特徴とする。
【0010】前記第1搬送手段は、取り出したウェーハ
の芯出し並びにウェーハのオリフラを所定の方向に調整
する機能を備え、また、前記第2搬送手段は、ウェーハ
の反転機構を備えることを特徴とする。
【0011】また、前記ローダ装置は真空チャック方式
のトップリングの吸着面の洗浄を行う洗浄手段を具備す
ることを特徴とする。
【0012】さらに、前記ドレッシング装置は、昇降お
よび旋回自在なアームに取り付けられたチャック手段
と、研磨布のブラッシング用のブラシが用意されたブラ
ッシングステーションと、研磨布のコンディショニング
用のコンディショニングプレートが用意されたコンデイ
ショニングステーションとを備えることを特徴とする。
【0013】前記洗浄乾燥手段は、ウェーハの一方の面
を洗浄する第1の洗浄部と、前記第1洗浄部で洗浄の終
了したウェーハを反転する反転装置と、前記反転装置か
ら渡されたウェーハの他方の面を洗浄する第2の洗浄部
と、前記第2洗浄部で洗浄の終了したウェーハを取り出
し搬出する搬送ロボットと、前記搬送ロボットから渡さ
れたウェーハを乾燥する乾燥部を具備することを特徴と
し、クリーンベンチ内に各部屋が区画され、各区画のウ
ェーハの出入箇所はゲートバルブまたはエアカーテンに
より仕切られ、各区画が最適な圧力に制御されているこ
とを特徴とする。
【0014】
【実施例】図1は、本発明の一実施例に係るCMP装置
の全体構成を示し、CMP装置を構成する各装置の配置
を示す平面図である。このCMP装置1は、ウェーハの
搬送手段を構成する第1のロボット2、第2のロボット
4、ローダ装置6、ポリッシャ8、ドレッシング装置1
0、洗浄乾燥装置12等からなり、これらの各装置はク
リーンベンチ14内で区画された部屋に設けられてい
る。クリーンベンチ14の各部屋は、専用のクリーンユ
ニットにより各部屋ごとに最適な圧力に制御されてい
る。また、各部屋と部屋との間でウェーハが出し入れさ
れる箇所にはゲートバルブやエァーカーテンにより仕切
られるようになっている。
【0015】このCMP装置1は、ウェーハ11の研磨
から洗浄、乾燥の一連の工程を自動化するものである。
未研磨のウェーハ11はカセット16、16に収納され
ており、このカセット16、16からウェーハ11は、
第1ロボット2により取り出され、仮置き台18に一時
的に置かれる。第2ロボット6は、この仮置き台18上
のウェーハ11を受け取り、ウェーハの着脱手段として
用いられるローダ装置6にセットするようになってい
る。
【0016】このローダ装置6では、ウェーハ11は、
ポリッシング手段であるポリッシャ8のトップリング2
0に吸着されて、研磨布が貼着されているポリッシャ8
の定盤22まで移送されてここで研磨される。研磨の終
了したウェーハ11は、再びローダ装置6に戻されてか
ら、第2ロボット4によって、洗浄手段である洗浄乾燥
装置12に渡されるようになっている。この洗浄乾燥装
置12では、ポリッシングの終えたウェーハ11の裏面
を純水で洗浄する第1洗浄部23と、ウェーハ11を反
転させたあとウェーハ11の表面を洗浄する第2洗浄部
25と、表裏の洗浄を終えたウェーハ11を乾燥する乾
燥部25が直列に配置されている。乾燥を終えたウェー
ハ11は、第1ロボット2によってもとのカセット16
に収納される。次に、各装置の構成について詳細に説明
する。図2および図3において、カセット16、16と
第1ロボット2はカセットステーション26に配置され
る。第2ロボット2はエンドエフェクタとしてハンド2
8を有するとともにアーム全体が図3に示すようにカセ
ット16内に積み重ねられたウェーハ11の高さに応じ
て昇降自在な多関節アームを備えている。このカセット
ステーション26では、ウェーハ11は乾いた清浄状態
でハンドリングされるように、第1ロボット2の作動半
径内には、仮置き台18と洗浄乾燥装置12の乾燥部2
5が配置されている。
【0017】また、第1ロボット2には、取り出したウ
ェーハ11をハンド28の中心にセンタリングをし、ウ
ェーハ11のオリフラの位置を所定の方向にセットする
プリアライナーが設けられている(図示せず)。このよ
うなアライメントをウェーハのサイズに対応して行える
ように、第1ロボット2に付設したセンサでは、サイズ
に応じた検出位置の変更を容易に行ない得るようになっ
ている。
【0018】次に、ポリッシングステーション30に
は、第2ロボット4、ローダ装置6、ポリッシャ8、ド
レッシング装置10が配設されており、ここでは、ウェ
ーハ11は、濡れた状態で加工され、またハンドリング
される。
【0019】第2ロボット4は、その動作半径内にロー
ダ装置6、洗浄乾燥装置12の第1洗浄部23が配設さ
れ、仮置き台18に置かれたウェーハ11を掴んでロー
ダ装置6にセットし、また、ローダ装置6からポリッシ
ングの終了したウェーハ11を取り出し、洗浄乾燥装置
12の第1洗浄部23に渡す動作をするロボットであ
る。この第2ロボット4は、第1ロボット2と同様に昇
降自在な多関節アームを備えており、特に、ハンド32
を水平な軸を中心として180°回転させる反転機構3
4を備えている。また、第2ロボット4は、ポリッシン
グ加工後の濡れたウェーハ11を扱うため、多関節アー
ムの摺動部はすべて防水、防滴構造を有している。
【0020】次に、図4は、前記ポリッシャ8の構成を
示す図で、このポリッシャ8は、定盤22およびローダ
装置1の近傍位置に立設されたコラム36と、このコラ
ム36の上端部に設けられた旋回アーム38と、旋回ア
ーム38の先端に設けられた回転、昇降駆動機構40と
を備えており、回転、昇降駆動機構40の下端部には、
回転昇降軸40aを介してトップリング20が取付けら
れている。そして、このトップリング20は、前記回
転、昇降駆動機構40に連結されて回転駆動および昇降
駆動されるとともに、前記旋回アーム38が旋回して、
前記定盤22とローダ装置6との間を移動するようにな
っている。定盤22においては、ポリッシングが行なわ
れ、ローダ装置6においては、ウェーハ11の取付け、
取外しおよびトップリング20の洗浄が行なわれるよう
になっている。
【0021】前記トップリング20は、図5に示すよう
に、内部に真空室20aが形成され、この真空室20a
は、真空源および加工エア源にチューブ42を介し選択
的に連通するようになっている。また、トップリング2
0の下面には、ウェーハ吸着面20bが形成されてお
り、真空室20aにて発生する負圧によってウェーハ1
1は、真空チャック方式によりウェーハ吸着面20bに
保持される。
【0022】次に、この図5は、ローダ装置6の構成を
詳細に示す断面図で、このローダ装置6は、定盤22か
ら旋回した後、所定の定位置にある前記トップリング2
0に対してウェーハ11の取付け、取外しを行なうロー
ダ手段と、取り付け、取外しの定位置でトップリング2
0のウェーハ吸着面20bの洗浄を行なうことのできる
洗浄手段とを備えており、ローダ装置6において、ウェ
ーハ11の取付け、取外しのみならず、ウェーハ吸着面
20bの洗浄をも行なうことができるようになってい
る。
【0023】このローダ装置6は、フレーム44に設け
たガイド46にそって昇降自在な昇降体48を備えてい
る。この昇降体48は、相互に直列に設置されてストロ
ークがそれぞれ異なる爪昇降用エアシリンダ50あるい
はブラシ昇降用エアシリンダ52の進退作動により、ガ
イド46にそって昇降駆動される。
【0024】前記昇降体48上には、下端に排水口54
aを有するハウジング54を介して皿状の水受けカバー
56が設置されており、このハウジング54および水受
けカバー56の内外部には、ローダ手段および洗浄手段
が設けけられている。
【0025】まず、ローダ手段としては、ウェーハ11
を取付け、取外す定位置にあるトップリング20の下面
の吸着面20bの略高さ位置にウェーハ11を支持でき
るように水受けカバー56の周方向に等間隔で配設され
た3個の爪58を備えており、これら各爪58は、爪旋
回用ロータリアクチュエータ60の駆動により、旋回軸
60aを中心に図1に示すウェーハ11の支持位置と、
水受けカバー56の外側まで旋回したトップリング20
が洗浄される間の待機位置との間で水平方向に旋回する
ようになっている。
【0026】これら各爪58の先端上面部には、図5に
示すように、ウェーハ11の外形に倣ったざぐり部58
aが設けられており、このざぐり部58aにより、各爪
58をトップリング20の下方位置まで旋回させてウェ
ーハ11の取付け、取外しを行なう際に、ウェーハ11
が爪58上から外れないように保持できるようになって
いる。
【0027】一方、前記洗浄手段としては、前記爪58
の配列に対して内側下方に前記水受けカバー56の中央
部に設置された円盤状のブラシ62を備えており、この
ブラシ62は、ブラシ回転モータ64の起動により垂直
軸廻りに回転駆動され、トップリング20下面のウェー
ハ吸着面20bを洗浄できるようになっている。
【0028】また、前記ハウジング54の内部には、ブ
ラシ62による洗浄時にウェーハ吸着面20bに洗浄液
を噴射する任意数の洗浄液噴射チューブ66が設けられ
ている。
【0029】次に、図2、図3において、ドレッシング
装置10は、シリンダ70に駆動されて昇降自在な本体
部72から水平に旋回アーム74が連結され、この旋回
アーム74にヘッド76が取り付けられている。このヘ
ッド76の先端には、真空チャック78が設けられ、こ
の真空チャック78によって定盤22上の研磨布のブラ
ッシングをするためのブラシと、研磨布のコンディショ
ニングをするためのダイヤモンドペレットが貼り着けら
れたコンディショニングプレートを選択的に保持できる
ようになっている。なお、このヘッド76は、ブラシま
たはコンディショニングプレートを回転駆動する回転モ
ータ80を備えている。
【0030】また、図2に示すように、旋回アーム74
の旋回半径内には、ブラシが置かれるブラシシングステ
ーション82と、コンディショニングプレートが置かれ
るコンディショニングステーション84が配設されてい
る。
【0031】次に、洗浄乾燥装置12は洗浄ステーショ
ン83に配置され、その第1洗浄部23は、ウェーハ1
1を着脱自在に保持する爪を有し、高速回転する支持体
84を備えている。支持体84にセットされたウェーハ
11には、純水が供給されて、ブラシをウェーハ11に
押し付けて洗浄が施される。このような第1洗浄部23
には、ウェーハ11の表裏を反転させる反転装置90が
設けられている。この反転装置60は、支持部91でウ
ェーハ11を保持したまま180度回転し、第2洗浄部
24の支持体86にセットする動作をするようになって
いる。
【0032】第2洗浄部24も第1洗浄部23と同様に
構成されるものであるが、ここでは、ウェーハ11の表
面は純水を供給しながらブラシを用いて洗浄される。な
お、第1洗浄部23、第2洗浄部24とも、ウェーハ1
1に付着するパーティクルおよび残留金属をより完全に
除去する目的でふっ化水素などの薬液を供給することも
できる。
【0033】乾燥部25では、支持体88で保持したウ
ェーハ11にメガソニック液を吹き付けてパーティクル
をより完全に除去してから、2000回転以上の高回転
で回転しなから清浄な窒素ガスを吹き付けての乾燥が行
われる。
【0034】第2洗浄部24から乾燥部25へはウェー
ハを支持部92で保持しながら自走する搬送ロボット9
3により搬送される。
【0035】次に、本実施例の作用について説明する。
【0036】第1ロボット2がウェーハ11をカセット
16から取り出すと、ウェーハ11はロボットのハンド
28に載せられてセンタリングされてロボットのハンド
28に載せ、仮置き台18まで搬送される。このウェー
ハ11の取出は、ハンド28の代りに真空チャックを用
いてウェーハ11を吸着して行うようにしてもよい。
【0037】第2ロボット4は、仮置き台18からウェ
ーハ11を受け取ると、ハンド32が反転機構34によ
り反転するので、ウェーハ11を裏返しにしてローダ装
置6の爪58上にセットする。
【0038】第2ロボット4から次にポリッシングすべ
きウェーハ11が供給されるときは、図5において、各
爪58は内側の旋回位置にあり、ウェーハ11が爪58
上にセットされると、爪58は上昇してウェーハ11を
トップリング20の下面に押し当てる。トップリング2
0はウェーハ11を真空チャックし、爪58は再び下降
する。その後、旋回アーム38が旋回してトップリング
20を定盤22まで移動させる。この後、回転、昇降駆
動機構40の駆動により、トップリング20が回転しな
がら定盤22の上面の研磨布にウェーハ11を押し付
け、スラリーを流しながらポリッシングが行なわれる。
【0039】図4において、定盤22上でポリッシング
が完了すると、回転、昇降駆動機構40の駆動によりト
ップリング20が上昇するとともに、旋回アーム3が旋
回してトップリング20は、ポリッシング加工が終了し
たウェーハ11を吸着したままローダ装置6上の所定の
取外し位置まで移動する。
【0040】このトップリング20の移動開始と同時あ
るいは相前後して、各爪58が内側に旋回するととも
に、爪昇降用エアシリンダ52の伸長作動により上昇す
る。この旋回並びに上昇後の爪58の位置では、その先
のざぐり部58aにてトップリング20の下面からウェ
ーハ11を支えることができる。
【0041】トップリング20内の真空室20aの真空
状態が破られるとともに、真空室20aに供給される加
圧エアにより、ウェーハ11は吸着面10aから外れ、
爪58に受け渡される。その後、爪58は下降する。
【0042】こうして爪58がウェーハ11を乗せた状
態で下降限まで下降すると、第2ロボット4は、爪58
上のウェーハ11をピックアップして次のステーション
である洗浄乾燥装置14の第1洗浄部23に搬送する。
【0043】このようにして、第2ロボット4は、濡れ
ているウェーハ11をハンドリングするため、搬送中に
滴が滴下する。この滴が乾燥するとパーティクル発生源
となり好ましくないため、図6に示すように、第2ロボ
ットの動作範囲内をトイ86、87、88、89で囲う
ように設け、このトイに常に水を流すことにより滴を洗
い流すようにようにすると、パーティクル発生を防止す
ることができる。
【0044】なお、ウェーハ11を洗浄乾燥装置12に
受け渡した後はローダ装置6の各爪58は、爪旋回用ロ
ータリアクチュエータ60により外側の待機位置まで旋
回する。このように爪58が外側に旋回することで、ブ
ラシ62が上昇してブラッシング可能な状態となる。こ
の場合、ブラシ昇降用エアシリンダ50が伸長作動し、
ブラシ62がトップリング20下面の吸着面20bに接
触する。
【0045】次いで、洗浄液噴射チューブ66からトッ
プリング20下面に向けて洗浄液が噴射されるととも
に、ブラシ62がブラシ回転モータ64により回転駆動
され、トップリング20の吸着面20bの洗浄が行なわ
れる。
【0046】一方、洗浄乾燥装置12においては、第1
洗浄部23では裏面が、第2洗浄部24で表面が洗浄さ
れたウェーハ11は搬送ロボット93により乾燥部25
に移送されてここで乾燥される。
【0047】乾燥を終えたウェーハ11は第1ロボット
2によりカセット16に収納される。一方のカセット1
6のウェーハ11について加工を終了すると、引き続き
もう一方のカセット16のウェーハについてポリッシン
グ加工を実施する。この場合、カセットごとに加工条
件、洗浄条件を変更できることはもちろんである。
【0048】ポリッシングを終えた定盤22上の研磨布
では、必要に応じてドレッシング装置10はそのブラシ
を定盤22上で回転させながら純水を流し、付着したス
ラリーの除去を行う。このブラッシングのタイミング
は、ポリッシャ8がローダ装置6に旋回してトップリン
グ20へのウェーハの着脱および吸着面の洗浄を行って
いる間に実施されるようになっており、スループットへ
の影響を防止している。
【0049】さらに定盤22上の研磨布は、研磨を続け
ていくと、ブラッシングを毎回実施しても、次第にスラ
リーが研磨布表面で凝固し、これにより研磨速度が低下
していく。これを防止するために、所定の回数の研磨を
続けて行った後は、ドレッシング装置10は、コンディ
ショニングステーション84に旋回し、真空チャック7
8でコンディショニングプレートを取り付けてコンディ
ショニングを行い、研磨布の再生が行われる。このコン
ディショニングのタイミングは、事前に加工条件に応じ
て設定できるようになっている。
【0050】以上のようにして、ウェーハ11は、数枚
が常に工程に流れて、各装置は上述した動作を繰返して
いく。その際に、例えば、第2ロボット4がポリッシン
グ加工の終了したウェーハ11を洗浄乾燥装置12の第
1洗浄部23に搬出するときに、洗浄乾燥装置12側で
何等かの故障が発生するようなことがある。この場合に
は、この第2ロボット4はウェーハ11をローダ装置6
に戻すような動作をするようになっている。その時、ロ
ーダ装置6では、爪58が内側に旋回してウェーハ11
を受け取ることができる。しかも、爪上58のウェーハ
11には、チューブ66から純水が供給されウェーハ1
1は濡れた状態で保持されるようになっている。
【0051】また、洗浄乾燥装置12の第1洗浄部2
3、第2洗浄部24でトラブルが生じた場合には、ウェ
ーハ11は洗浄をせずに乾燥部25に移送され、乾燥し
てからカセット16に戻される。他方、乾燥部25でト
ラブルが発生した場合には、第1洗浄部23あるいは第
2洗浄部24に止め置かれたまま、純水が供給されなが
ら保持されるようになっている。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、多
機能の第1の搬送手段で清浄に乾燥した状態のウェーハ
をハンドリングし、ポリッシング加工で濡れたウェーハ
は第2の搬送手段で搬送するようにしているので、カセ
ット内に収納したウェーハを汚すことなくポリッシング
加工の全工程を合理化して効率良く自動化することがで
きる。また、ローダ装置に、ローダ手段とともに洗浄手
段も設けるようにしているので、トップリングの移動に
要する時間を短縮してポリッシャの稼働率を向上させる
ことができる。
【0053】さらに本発明は、ウェーハ搬送中の滴の落
下等により生ずるパーティクルの拡散等について十分な
手当が講じられているので、CMP装置のクリーンルー
ム内への設置が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るCMP装置を示す概略
構成説明図。
【図2】同実施例によるCMP装置の各装置の配置を示
す平面配置図。
【図3】同実施例によるCMP装置の側面図。
【図4】ポッリッシャの動作の説明に供する斜視図。
【図5】ローダ装置の構成を示す断面図。
【図6】第2ロボットおよびローダ装置のウェーハ移送
経路にそって設けたトイを示す説明図。
【符号の説明】
1 CMP装置 2 第1ロボット 4 第2ロボット 6 ローダ装置 8 ポリッシャ 10 ドレッシング装置 11 ウェーハ 12 洗浄乾燥装置 16 カセット 20 トップリング 22 定盤 23 第1洗浄部 24 第2洗浄部 25 乾燥部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B24B 41/06 A (72)発明者 綱 田 雅 文 静岡県沼津市大岡2068の3 東芝機械株式 会社沼津事業所内 (72)発明者 石 田 全 寛 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 間 瀬 康 一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝半導体生産技術推進センター内

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】カセットから取り出されたウェーハにポリ
    ッシング加工を施すポリッシング手段と、 前記ポリッシング手段へ前記ウェーハの着脱を行う着脱
    手段と、 ポリッシング加工が施されたウェーハを洗浄する洗浄手
    段と、 前記ウェーハを、前記カセット、前記ポリッシング手
    段、前記着脱手段、および前記洗浄手段の間で搬送する
    搬送手段とを、区画された部屋に配置してなることを特
    徴とするポリッシング装置。
  2. 【請求項2】前記ポリッシング加工が研磨布を用いて行
    われることを特徴とする請求項1に記載のポリッシング
    装置。
  3. 【請求項3】前記着脱手段がローダ装置であることを特
    徴とする請求項1に記載のポリッシング装置。
  4. 【請求項4】前記洗浄手段がウェーハを乾燥させる手段
    を備えていることを特徴とする請求項1に記載のポリッ
    シング装置。
  5. 【請求項5】前記研磨布のドレッシング装置を備えてい
    ることを特徴とする請求項2に記載のポリッシング装
    置。
  6. 【請求項6】カセットからのウェーハの取り出し及び洗
    浄乾燥後のウェーハの前記カセットへの収納を行う第1
    の搬送手段と、 ウェーハに研磨布によるポリッシング加工を施すポリッ
    シング手段と、 前記ポリッシング手段へ前記ウェーハの着脱を行うロー
    ダ装置と、 ポリッシング加工が施されたウェーハを洗浄および乾燥
    する洗浄乾燥手段と、 前記第1搬送手段により取り出されたウェーハを前記ロ
    ーダ装置に搬送し、さらにポリッシング加工が施された
    ウェーハを前記ローダ装置から前記洗浄乾燥手段へ搬送
    する第2の搬送手段と、 前記研磨布のドレッシング装置とを、 区画された部屋に配置してなることを特徴とするポリッ
    シング装置。
  7. 【請求項7】前記ポリッシングを被加工物に施す手段が
    ケミカル・メカニカル・ポリッシングを被加工物に施す
    手段であることを特徴とする請求項6に記載のポリッシ
    ング装置。
  8. 【請求項8】前記第1搬送手段は、取り出したウェーハ
    の芯出し並びにウェーハのオリフラを所定の方向に調整
    する機能を備えていることを特徴とする請求項6または
    7に記載のポリッシング装置。
  9. 【請求項9】前記第2搬送手段は、ウェーハの反転機構
    を備えることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1
    項に記載のポリッシング装置。
  10. 【請求項10】前記ローダ装置は、真空チャック方式の
    トップリングの吸着面の洗浄を行う洗浄手段を具備する
    こと特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の
    ポリッシング装置。
  11. 【請求項11】前記ドレッシング装置は、昇降および旋
    回自在なアームに取り付けられたチャック手段と、研磨
    布のブラッシング用のブラシが用意されたブラッシング
    ステーションと、研磨布のコンディショニング用のコン
    ディショニングプレートが用意されたコンデイショニン
    グステーションとを備えることを特徴とする請求項6乃
    至10のいずれか1項に記載のポリッシング装置。
  12. 【請求項12】前記洗浄乾燥手段は、ウェーハの一方の
    面を洗浄する第1の洗浄部と、前記第1洗浄部で洗浄の
    終了したウェーハを反転する反転装置と、前記反転装置
    から渡されたウェーハの他方の面を洗浄する第2の洗浄
    部と、前記第2洗浄部で洗浄の終了したウェーハを取り
    出し搬出する搬送ロボットと、前記搬送ロボットから渡
    されたウェーハを乾燥する乾燥部を具備することを特徴
    とする請求項6乃至11のいずれか1項に記載のポリッ
    シング装置。
  13. 【請求項13】クリーンベンチ内に各部屋が区画され、
    各区画のウェーハの出入箇所はゲートバルブまたはエア
    カーテンにより仕切られ、各区画が最適な圧力に制御さ
    れていることを特徴とする請求項6乃至12のいずれか
    1項に記載のポリッシング装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060571A (ja) * 1999-06-18 2001-03-06 Applied Materials Inc ケミカルメカニカルポリッシャ用のウェーハ搬送ステーション
US6293855B1 (en) 1998-03-09 2001-09-25 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP2001274123A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板研磨装置及び基板研磨方法
JP2001274121A (ja) * 2000-03-23 2001-10-05 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェハ研磨装置
KR100487589B1 (ko) * 1996-11-15 2005-07-18 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 평면 피가공물의 폴리싱과 세정방법 및 장치
KR100632412B1 (ko) * 1998-11-06 2006-10-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 세정장치

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100487589B1 (ko) * 1996-11-15 2005-07-18 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 평면 피가공물의 폴리싱과 세정방법 및 장치
US6293855B1 (en) 1998-03-09 2001-09-25 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6929529B2 (en) 1998-03-09 2005-08-16 Ebara Corporation Polishing apparatus
US7063600B2 (en) 1998-03-09 2006-06-20 Ebara Corporation Polishing apparatus
KR100632412B1 (ko) * 1998-11-06 2006-10-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 세정장치
JP2001060571A (ja) * 1999-06-18 2001-03-06 Applied Materials Inc ケミカルメカニカルポリッシャ用のウェーハ搬送ステーション
JP2011061237A (ja) * 1999-06-18 2011-03-24 Applied Materials Inc ケミカルメカニカルポリッシャ用のウェーハ搬送ステーション
JP2001274121A (ja) * 2000-03-23 2001-10-05 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェハ研磨装置
JP2001274123A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板研磨装置及び基板研磨方法

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