DE4400221C2

DE4400221C2 - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers und Anlage hierfür

Info

Publication number: DE4400221C2
Application number: DE4400221A
Authority: DE
Inventors: Shinji Nagatsuka; Takeshi Kagamida
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Current assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 1993-01-11
Filing date: 1994-01-05
Publication date: 1999-03-11
Anticipated expiration: 2014-01-06
Also published as: ITTO940006A0; ITTO940006A1; IT1267970B1; US5427644A; KR100197090B1; KR940018901A; DE4400221A1

Description

Die Erfindung befaßt sich mit einem Verfahren zum Herstel len eines Halbleiterwafers und einer Anlage hierfür, bei denen ein dünner, scheibenförmiger Wafer (Halbleiterscheibe) aus einem Rohblock hergestellt wird.

Bei der Herstellung von Wafern ist es aus US 4 390 392 sowie US 5 227 339, welche EP 0 460 437 A1 entspricht, bekannt, das Abschneiden eines Halbleiterwafers durchzuführen und dann anschließend den so abgeschnittenen Halbleiterwafer anzufa sen.

In dem Stand der Technik nach EP 0 474 329 A2 und EP 0 313 714 A1 ist eine Anlage beschrieben, bei der das Zuschneiden eines Wafers und das Schleifen erfolgen. Aus IBM TDB Vol. 17, No. 2, Juli 1974, Seite 427 und JP 63-43326 A2 ist es bekannt, nach dem Abschneiden des Wafers von einem Silizium- Rohblock ein Waschen durchzuführen. Bei EP 0 354 586 A2 erfolgt das Waschen des abgeschnittenen Wafermaterials nach dem Anfasen. Aus US 5 024 207 und US 4 897 141 ist es bekannt, den Halteträger, an welchem der stabförmige Rohblock insbesondere zum Zuschneiden in der Schneidmaschine angebracht ist, mechanisch abzulösen. Bei dem Stand der Technik nach US 4 638 601 und US 4 984 392 erfolgt eine Oberflächenunter suchung vor dem Anfasen.

Bei üblichen Anlagen zum Herstellen eines Halbleiterwafers sind jedoch die einzelnen Verfahrensschritte unabhängig, so daß der Wafer zum nächsten Bearbeitungsschritt jedesmal nach dem Abschluß eines Bearbeitungsschrittes weitertransportiert werden muß. Daher ist ein Nachteil bei dieser Herstellungs weise in der ineffizienten Weise zu sehen, da die Zeit zwischen den Bearbeitungsschritten verloren geht und Störun gen und dergleichen auftreten können.

Ferner wird der Rohblock, bei dem es sich um das Halbleiter wafermaterial handelt, manuell zu der Rohblock-Halteein richtung angehoben und dort fixiert. Hierbei ist ein Nachteil darin zu sehen, daß die Arbeiten zum Heben des schweren Rohblocks und zum Fixieren desselben in der Rohblock-Hal teeinrichtung arbeitsaufwendig sind und viel Zeit in Anspruch nehmen, und darüber hinaus die Einrichtarbeiten auch Gefahren mit sich bringen.

Da ferner bei dem üblichen Verfahren zum Ablösen des Halte trägers des Halbleiterwafers z. T. chemische Stoffe eingesetzt werden, ergeben sich Schwierigkeiten dahingehend, daß es erforderlich ist, das abgehende Fluid zu behandeln, wenn diese chemischen Stoffe entsorgt werden.

Zum Ablösen des Halteträgers wird der Halbleiterwafer in die chemischen Stoffe eingetaucht, bis der Klebstoff sich auflöst, und hierfür ist also als ein weiterer Nachteil viel Zeit erforderlich.

Zusätzlich muß zum Waschen und Trocknen des Halbleiterwafers der Wafer zum Trockenteil transportiert und getrocknet werden, nachdem er in dem Ultraschallwaschteil gewaschen worden ist. Dadurch bekommt die Anlage große Abmessungen und es wird viel Zeit benötigt, um den Halbleiterwafer zu waschen und zu trocknen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, unter Überwindung der vorstehend genannten Schwierigkeiten ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers und eine Anlage hierfür bereitzustellen, bei denen sich der Halbleiterwafer automa tisch herstellen läßt, sich ein Rohblock leicht in einer Schneidmaschine fixieren läßt, ein Halteträger sich innerhalb kurzer Zeit ohne chemische Stoffe ablösen läßt und der Halb leiterwafer nach dem Zuschneiden mit Hilfe der Schneidma schine auf effiziente Weise innerhalb einer kurzen Zeit gewaschen und getrocknet werden kann.

Nach der Erfindung wird hierzu ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers bereitgestellt, welches im Patent anspruch 1 angegeben ist.

Ferner wird nach der Erfindung eine Anlage hierzu bereitge stellt, die im Patentanspruch 7 angegeben ist.

Nach der Erfindung wird zuerst der Rohblock mit dem ange brachten Halteträger zu der Schneidmaschine mit Hilfe der Rohblock-Fördereinrichtung transportiert und dann dort angeordnet. Dann wird der Rohblock mit dem angebrachten Halteträger in dünne scheibenförmige Waferstücke mit Hilfe der Schneidmaschine geschnitten. Dann wird der Wafer, welcher mit Hilfe der Schneidmaschine bzw. Scheibenschneidmaschine abgetrennt worden ist, zu der Ablöseeinrichtung mit Hilfe der ersten Wafer-Fördereinrichtung transportiert und der Halte träger wird von dem Wafer hierbei mechanisch abgelöst.

Der Wafer, von dem der Halteträger mit Hilfe der Ablösee inrichtung abgelöst worden ist, wird zu der ersten Wasch- Trocken-Einrichtung mit Hilfe der zweiten Wafer-Förder einrichtung transportiert und dort gewaschen und getrocknet. Dann wird der Wafer, welcher mit Hilfe der ersten Wasch- Trocken-Einrichtung gewaschen und getrocknet wurde, zu der Anfaseinrichtung mit Hilfe der dritten Wafer-Fördereinrich tung transportiert und der Rand bzw. die Kante des Wafers wird hierbei angefast.

Dann wird der Wafer, dessen Kante mit Hilfe der Anfaseinrich tung angefast ist, zu der zweiten Wasch-Trocken-Einrichtung mit Hilfe der vierten Wafer-Fördereinrichtung transportiert und hierbei gewaschen und getrocknet. Der Wafer, welcher mit Hilfe der zweiten Wasch-Trockeneinrichtung gewaschen und getrocknet wurde, wird zu dem Ablageteil mit Hilfe der fünften Wafer-Fördereinrichtung transportiert und dort abgelegt und gelagert.

Ferner wird bei der Erfindung der Wafer, welcher mit Hilfe der ersten Wasch-Trocken-Einrichtung gewaschen und getrocknet worden ist, zu einer Oberflächen-Untersuchungseinrichtung mit Hilfe einer sechsten Wafer-Fördereinrichtung transportiert und es wird ein Erfüllen oder ein Defekt gegenüber den Standard vorgaben für den Wafer hiervon bestimmt.

Der Wafer, welcher bei der Oberflächen-Untersuchungseinrichtung unbeanstandet durchgegangen ist, wird zu der Anfaseinrichtung mit Hilfe einer siebten Wafer-Fördereinrichtung transportiert.

Da somit der Wafer, welcher als mangelhaft mit Hilfe der Oberflächenuntersuchungseinrichtung bestimmt worden ist, nicht angefast wird, läßt sich der Wafer mit den Standardangaben auf effiziente Weise herstellen.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterwafers nach der Erfindung wird zuerst eine Mehrzahl von Rohblöcken mit Hilfe eines Rohblock-Trans portwagens zu einer Rohblock-Bereithaltungsstelle in der Nähe einer Stützeinrichtung der Rohblock-Fördereinrichtung trans portiert. Dann wird ein Eingriffsteil am oberen Teil einer am Rohblock-Transportwagen vorgesehenen beweglichen Stange in Eingriff mit einem oberen Eingriffsteil des Rohblocks gebracht, und durch Anheben oder Absenken der Stange wird der mit dem Eingriffsteil der Stange in Eingriff stehende Rohblock zur Position eines Aufgabeteils der Rohblock-Fördereinrichtung gebracht und dann von diesem gehalten. Anschließend wird der von einem Spannteil bzw. dem Rohblock-Auflageteil des Aufgabeteils gehaltene Rohblock zu der Schneidmaschine bewegt und dieser übergeben.

Somit kann der Rohblock leicht an dem Rohblock-Auflageteil der Schneidmaschine ohne zusätzliche Unterstützung fixiert werden.

Ferner wird bei dem Verfahren zum Ablösen des Halteträgers der Wafer in warmes Wasser getaucht, welches eine derartige Tempera tur hat, daß der mittels Wärme erweichbare Klebstoff des Halteträgers eine vorbestimmte Zeit lang mittels Wärme erweicht wird, anschließend der Wafer aus dem warmen Wasser entnommen und mit Hilfe einer Einrichtung zum Halten des Wafers gehalten wird und der Halteträger mit Hilfe einer Schlagbearbeitungseinrichtung schlagbearbeitet wird, um den Halteträger mechanisch von dem Wafer abzulösen.

Anschließend läßt sich der Halteträger ohne den Einsatz von chemischen Stoffen innerhalb einer kurzen Zeit ablösen.

Bei der Ablöseeinrichtung des Halteträgers wird der mittels Wärme erweichbare Klebstoff des Halteträgers, welcher an dem Halbleiterwafer angebracht ist, örtlich erwärmt und durch die Wärme wird der Klebstoff zum Erweichen gebracht, und der Halbleiterwafer, dessen mittels Wärme erweichbarer Klebstoff auf diese Weise erweicht worden ist, und der mit Hilfe der Halteeinrichtung für den Wafer gehalten ist, wird von dem Halteträger durch Abziehen befreit und dieser Halteträger wird mit Hilfe der Ablöseeinrichtung von dem Halbleiterwafer gelöst.

Anschließend läßt sich der Halteeträger ohne den Einsatz von chemischen Stoffen innerhalb einer kurzen Zeit ablösen.

Beim Waschen und Trocknen des Wafers wird zusätzlich der Wafer, welcher mit Hilfe der Schneidmaschine zugeschnitten worden ist, mit Hilfe eines Förderteils dann zu dem Waschteil transportiert und zu diesem übergeben. Dann wird der Wafer zuerst mit Hilfe einer rotierenden Bürste gewaschen und zugleich wird Wasser im Waschteil aufgesprüht, so daß Späne und dergleichen von der Oberfläche entfernt werden. Dann werden an dem Wafer haftende Wassertropfen mit Hilfe eines Abstreifteils entfernt und dann wird Luft gegen den Wafer zum Trocknen des Wafers geblasen.

Auf diese Weise läßt sich der Halbleiterwafer, welcher zuvor mit Hilfe der Schneidmaschine zugeschnitten worden ist, auf effiziente Weise innerhalb kurzer Zeit waschen und trocknen.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von bevorzugten Aus führungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert.

In den Figuren der Zeichnung sind gleiche oder ähnliche Teile mit denselben Bezugszeichen versehen.

In der Zeichnung zeigt:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung der Gesamtkonstruktion einer Anlage zur Herstel lung eines Halbleiterwafers nach der Erfindung,

Fig. 2 eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung einer bevorzugten Ausführungsform einer Rohblock- Aufgabeein richtung,

Fig. 3 eine Vorderansicht zur Verdeutlichung des Zustandes, in welchem ein Rohblock an der Rohblock-Aufgabeein richtung fixiert ist,

Fig. 4 eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung einer bevorzugten Ausführungsform einer Ablöseein richtung des Halteträgers und der Wafer-Wasch- und Trocken-Einrichtung,

Fig. 5 eine schematische Ansicht zur Verdeutlichung der Arbeitsweise der Ablöseeinrichtung für den Halteträger,

Fig. 6 eine beispielhafte Ansicht zum Erläutern der Arbeits weise der Ablöseeinrichtung für den Halteträger,

Fig. 7 eine schematische Ansicht zur Verdeutlichung der Arbeitsweise der Ablöseeinrichtung für den Halteträger,

Fig. 8 eine schematische Ansicht zur Verdeutlichung der Arbeitsweise der Ablöseeinrichtung für den Halteträger,

Fig. 9 eine perspektivische Ansicht einer bevorzugten Ausfüh rungsform einer Oberflächenuntersuchungseinrichtung, welche bei der Anlage zum Herstellen des Halbleiter wafers nach der Erfindung zum Einsatz kommt,

Fig. 10 eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung einer bevorzugten Ausführungsform einer Wafer-Fördereinrich tung,

Fig. 11 eine insgesamt schematische Ansicht zur Verdeutlichung einer bevorzugten Ausführungsform einer Wafer-Anfas einrichtung,

Fig. 12 eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung einer bevorzugten Ausführungsform einer Wafer-Wasch-Trocken- Einrichtung, und

Fig. 13 eine im allgemeinen perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung einer weiteren bevorzugten Ausfüh rungsform der Halbleiterwafer-Fördereinrichtung.

Nachstehend wird eine bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen eines Halbleiterwafers und eine bevorzugte Ausführungsform einer Anlage hierfür unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung der Gesamtkonstruktion einer Anlage zur Herstellung eines Halbleiter wafers nach der Erfindung. Die Anlage 10 zum Herstellen des Halbleiterwafers umfaßt eine Rohblock-Aufgabeeinrichtung 12, eine Schneidmaschine 14, eine Ablöse- und Wasch-Trocken-Einrichtung 16, eine Oberflächenuntersuchungseinrichtung 18, eine Anfasein richtung 20, eine Wasch- und Trocken-Einrichtung 22 und ein Waferablageteil 24.

Die Rohblock-Aufgabeeinrichtung 12 ist derart angeordnet, daß der vordere Teil der Schneidmaschine 14 zwischen einem Paar von Stützen 26, 27 vorgesehen ist, wie dies in den Fig. 1 und 2 gezeigt ist. Ein Stützträger 28 ist über die oberen Enden des Paars von Stützen 26, 27 gespannt und an diesen befestigt. Eine Führungsschiene 30 ist fest mit dem Stützträger 28 rechtwinklig zu dem Stützträger 28 vorgesehen. Die Führungsschiene 30 ist oberhalb eines Rohblock-Transportwagen 52 angeordnet, wie dies in Fig. 2 gezeigt ist. Das heißt, dieser Wagen ist an der Position vorgesehen, an der ein Rohblock 50 mit einem daran befestigten Halteträger 51 zu der oberen Seite einer Bearbeitungs-Weiterschalteinrichtung 62 der Schneidmaschine 14 abgegeben wird. Der Rohblock-Transportwagen 52 und die Schneidmaschine 14 werden nachstehend näher beschrieben. Natürlich sind der Stützträger 28 und die Führungsschiene 30 mit entsprechenden Abdeckungen 32 versehen, wie dies in Fig. 1 gezeigt ist.

Ein Aufgabeteil 36 ist in Verbindung mit der Führungsschiene 30 derart vorgesehen, daß es entlang der Führungsschiene 30 in Richtung des Pfeils (in die X-Richtung) in Fig. 2 bewegt werden kann. Das Aufgabeteil 36 wird unter der Steuerung eines Betriebs teils 35 angetrieben, welches an der Stütze 27 angebracht ist. Ferner umfaßt das Aufgabeteil 36 einen Aufgabeeinrichtungs- Hauptkörper 38, welcher an der Führungsschiene 30 beweglich angebracht ist, und einen Hydraulikzylinder, welcher fest an dem Aufgabeeinrichtungs-Hauptkörper 38 in dem in Fig. 3 gezeigten Zustand angebracht ist, so daß eine Zylinderstange 40 in Richtung nach unten weist. Ein Rohblock-Auflageteil 44 ist fest mit dem Boden der Zylinderstange 40 verbunden, und ein Eingriffsteil 48, welches fest am oberen Ende eines Arbeitsblockes 46 angebracht ist, kommt in Eingriff mit einem Eingriffsschlitz 45 des Rohblock-Auflageteils 44, wodurch der Rohblock 50 gehalten wird.

Der Rohblock 50 wird zu einer Rohblock-Bereithaltungsstelle in der Nähe der Stütze 26 der Rohblock-Aufgabeeinrichtung 12 mit Hilfe des Rohblock-Transportwagens 52 transportiert, wie dies in Fig. 2 gezeigt ist. Eine bewegliche Stange 54, welche auf- und abbewegbar ist, ist fest an dem Rohblock-Transportwagen 52 in einer senkrechten Richtung hierzu vorgesehen, und ein im allgemeinen S-förmiges Hakenteil 56 ist an dem oberen Ende der beweglichen Stange 54 angebracht, welche sich in Richtung nach oben und unten bewegen kann. Der Arbeitsblock 46 ist an einem Paar von Verriegelungsschlitzen 58 und 58 festgelegt, welche in dem Hakenteil 56 ausgebildet sind, wodurch der Rohblock 50 mit Hilfe des Transportwagens 52 gehalten wird. Ferner kann die bewegliche Stange 54 in Aufwärts- und Abwärtsrichtung angehoben und abgesenkt werden, wodurch der Rohblock 50 zu der Position der Aufgabeeinrichtung 36 angehoben und dann von dieser gehalten wird.

Die Schneidmaschine 14 ist eine an sich bekannte Schneidmaschine. In der Schneidmaschine 14 ist die Bearbeitungs-Weiterschaltein richtung 62 an einer Bearbeitungs-Fördereinrichtung 60 an gebracht, welche in X-Richtung bewegbar ist, wie dies in Fig. 1 gezeigt ist. Der Rohblock 50, mit dem daran angebrachten Halteträger 51 welcher mit Hilfe der Rohblock- Aufgabeeinrichtung 12 transportiert worden ist, wird an der Bearbeitungs-Weiterschalteinrichtung 62 festgelegt und in der Schneidrichtung indexiert (die Z-Richtung). Ein innerer Um fangsrand (nicht gezeigt) wird unter die Bearbeitungs-Förderein richtung 60 gelegt, und der Rohblock 50, welcher mit Hilfe der Rohblock-Weiterschalteinrichtung 62 fixiert ist, wird in Halbleiterscheiben, welche auch als Halbleiterwafer bezeichnet werden, mit Hilfe der Innenumfangsschneidkante geschnitten. Die Innenumfangskante ist mit einer ringförmigen bzw. torusförmigen Schneide versehen, welche Diamantkörner umfaßt, die elektrisch auf der inneren Umfangsfläche aufgetragen sind. Ferner ist der innere Umfangsrand mit Hilfe eines Spannkörpers hängend an geordnet, welcher in der Schneidmaschine 14 an dem Außenumfang der Schneide vorgesehen ist, und diese führt eine Drehbewegung mit einer hohen Drehzahl mit Hilfe einer Drehantriebseinrichtung (nicht gezeigt) aus.

Ein mit Hilfe der Schneidmaschine 14 geschnittener Wafer 64 wird mit Hilfe einer an sich bekannten Wafer-Saugeinrichtung (nicht gezeigt) angesaugt und mit Hilfe einer Fördereinrichtung 68 transportiert, welche eine Wafer-Fördereinrichtung 66 und einen stangenlosen Zylinder umfaßt. Der Wafer 64, welcher mit Hilfe der Fördereinrichtung 68 bewegt wird, wird zu der Ablöse- und Wasch- Trocken-Einrichtung 16 transportiert.

Die Ablöse- und Wasch-Trocken-Einrichtung 16 umfaßt eine Ablöse einrichtung 70 für den Halteträger 51 und eine Wasch- Trocken-Einrichtung 72 für den Wafer 64, wie dies in Fig. 4 gezeigt ist. Die Ablöseeinrichtung 70 hat eine Bewegungsein richtung 74 für den Wafer 64, einen Warmwasserbehälter 76 und ein Hammerteil 78. Die Bewegungseinrichtung 74 hat ein Paar von Platten 80 und 80 zum Halten des mit Hilfe der Fördereinrichtung 68 transportierten Wafers 64. Das spitze Endteil des Arms 82, welcher zu einer konkaven Gestalt gebogen ist, ist fest an dem linken Endteil in Fig. 4 der Platten 80 und 80 angebracht. Der Arm 82, welcher an dem Hydraulikzylinder 84 angebracht ist, hat das Vermögen, daß er nach Fig. 5 sich aufwärts und abwärts bewegen kann. Wenn der Arm durch das Arbeiten des Hydraulik zylinders eingefahren wird, wird ein Wafer 64 in das sich im Warmwasserbehälter 76 befindliche warme Wasser 86 mit Hilfe der Platten 80 und 80 eingetaucht. Natürlich muß die Temperatur des warmen Wassers 86 derart gewählt werden, daß der mittels Wärme erweichbare Klebstoff, welcher den Halteträger 51 mit dem Wafer 64 verbindet, durch die Wärme erweicht werden kann, und die Temperatur kann bei einer bevorzugten Ausführungsform beispielsweise 90°C betragen (siehe Fig. 6).

Ferner ist der untere Teil des Hydraulikzylinders 84 fest an der Basis 88 festgelegt, welche auf der Schiene 90 bewegt werden kann. Die Schiene 90 verläuft parallel zu dem Warmwasserbehälter 76. Wenn die Basis auf die in Fig. 7 gezeigte Position zuge schnitten ist und der Arm 82 ausgefahren wird, wird der Wafer 64 zu dem Hammerbearbeitungsteil 78 transportiert.

Andererseits ist das spitze Endteil des Arms 82, welches in Form einer abgesetzten Stufe ausgebildet ist, fest mit dem rechten Endteil der Platten 80 und 80 in Fig. 4 verbunden, und die Basis des Arms ist an dem Teil 24 angebracht und in Achsrichtung hierzu gleitbeweglich. Das Teil 94 liegt parallel zu dem Zylinder 84, wie dies in den Fig. 5 bis 7 gezeigt ist, und es kann in Bewegungsrichtung der Basis 88 unter Ausführung einer Gleit bewegung bewegt werden.

Wie ferner in Fig. 13 gezeigt ist, kann der Wafer 64 an einem schalenförmigen Einsatz 250 angeordnet werden, so daß er zu der Ablöse- und Wasch-Trocken-Einrichtung 16 transportiert werden kann. Der schalenförmige Einsatz 250 kann entlang der Füh rungsschiene 252 bewegt werden, welcher der Ablöse- und Wasch- Trocken-Einrichtung 16 zugewandt ist. Der Wafer 64, welcher an dem schalenförmigen Einsatz 250 angeordnet ist, wird zu der Ablöse- und Wasch-Trocken-Einrichtung 16 transportiert und wird dann mit Hilfe der Halteplatten 254, 254 eingespannt, die auf beiden Seiten des Wafers 64 vorgesehen sind, so daß der Wafer in den Warmwasserbehälter 76, welcher in Fig. 4 gezeigt ist, mit Hilfe der Halteplatten 254, 254 gemäß der Bewegung derselben eingetaucht wird.

Das Hammerbearbeitungsteil 78 hat einen Haltezylinder 96 für den Wafer 64 und einen Ablösezylinder 98 für den Halteträger 51. Bei dem Haltezylinder 96 kann die Zylinderstange 100 ausgefahren werden, wodurch der Wafer mit Hilfe der Haltestange 102 und der Haltebasis 104 gehalten ist, wie dies in Fig. 8 gezeigt ist. Ferner kann sich bei dem Ablösezylinder 98 die Zylinderstange 106 ausfahren, wodurch der Halteträger 51 des Wafers 64 mittels eines Schlags bearbeitet wird und hierdurch der Halteträger 51 abgelöst werden kann. Der abgelöste Halteträger 51 wird in einem Sammelbehälter 110 gesammelt, der unter dem Hammerbearbeitungsteil 78 angeordnet ist.

Die Wasch-Trocken-Einrichtung 72 umfaßt eine Förderwalze 112, eine Wasch-Bürsten-Walze 114, eine Förderwalze 116, ein Waschwas ser-Spritzteil 118, einen Abstreifer 120 und ein Trockenteil 122, wie dies in Fig. 4 gezeigt ist.

Die Förderwalze 112 umfaßt ein Paar von Walzen 124 und 124 und wird durch die Antriebskraft von dem Antriebsteil (nicht gezeigt) in die Richtung des Pfeils in Fig. 4 gedreht, wodurch der Wafer 64, dessen Halteträger 51 in dem Ablöseteil 70 abgelöst worden ist, zwischen die Walzen 124 und 124 kommt, so daß er zu der Wasch-Bürsten-Walze 114 transportiert wird.

Die Wasch-Bürsten-Walze 114 umfaßt ein Paar von Bürstenwalzen 126 und 126 und diese werden mit Hilfe einer Antriebskraft von einem Antriebsteil (nicht gezeigt) drehangetrieben, wodurch der transportierte Wafer 64 zwischen die Walzen 126 und 126 eintritt, so daß Späne und dergleichen, welche an dem Wafer 64 haften, mit Hilfe der Bürste abgebürstet werden können. Die Späne und dergleichen, die an der Bürste haften, können mit Hilfe des Waschwassers abgelöst und entfernt werden, welches über die Düsen der Waschwasser-Einspritzeinrichtung 118 eingespritzt wird.

Die Förderwalze 116 umfaßt ein Paar von Walzen 130 und 130 und wird mit Hilfe einer Antriebskraft von einer Antriebseinrichtung (nicht gezeigt) in Richtung des Pfeils in Fig. 4 drehangetrieben, wodurch der gewaschene Wafer 64 zwischen den Walzen 130 und 130 angeordnet wird, so daß dieser zu dem Abstreifer 120 befördert werden kann.

Der Abstreifer 120 umfaßt ein Paar von Abstreifteilen 132 und 132, und der dazwischen durchgehende Wafer 64 wird von Tropfen befreit, die an der Oberfläche des Wafers 64 haften.

Das Trockenteil 122 umfaßt ein Paar von Luft-Ausblasteilen 134 und 134, und der dazwischen durchgehende Wafer 64 wird durch den Luftstrom von den Ausblasöffnungen 136, 136, ... getrocknet. Der getrocknete Wafer 64 wird zu der Oberflächen-Untersuchungsein richtung 18 nach Fig. 1 mit Hilfe einer Fördereinrichtung 138 transportiert.

Auf dem Untersuchungstisch 140, welcher in Fig. 9 gezeigt ist und zu der Oberflächen-Untersuchungseinrichtung 18 gehört, werden die Dicke, die Ebenheit und dergleichen des Wafers 64 gemessen. Basierend auf den Meßwerten erfolgt eine Sortierung hinsichtlich gut und schlecht bezogen auf die vorgegebenen Werte. Der Wafer 64, welcher als den Vorgaben entsprechend bewertet ist und diese erfüllt, wird zu der bereits bekannten Richtungsumkehreinrichtung 144 mit Hilfe der Fördereinrichtung 142 transportiert und wird dann von der Richtungsumkehreinrichtung 144 aufgenommen und zu der Fördereinrichtung 146 transportiert, welche in den Fig. 1 und 10 gezeigt ist. Der Wafer 64, welcher die Vorgabeanforderungen nicht erfüllt, wird in der Kassette 148 abgelegt, wie dies in den Fig. 1 und 9 gezeigt ist.

Die Fördereinrichtung 146 hat einen schalenförmigen Einsatz 152, welcher entlang eines Paars von stangenlosen Zylindern 150 und 150 nach Fig. 10 bewegbar ist. Wenn der schalenförmige Einsatz 152 an der Ausgangsposition (linkes Endteil in Fig. 10) position iert ist, wird der Wafer 64, welcher mit Hilfe der Richtungsum kehreinrichtung 144 transportiert worden ist, auf den schalen förmigen Einsatz 152 gelegt. Wenn der schalenförmige Einsatz 152 zu dem Endteil der stangenlosen Zylinder 150 und 150 (rechtslie gendes Endteil in Fig. 10) bewegt wird, wird der auf den schalenförmigen Einsatz 152 gelegte Wafer 64 mit Hilfe des Aufnahmearms 156 der Fördereinrichtung 154 aufgenommen, so daß dieser in Richtung des Pfeils in Fig. 10 bewegt und zu der Anfaseinrichtung 20 transportiert wird, welche in Fig. 1 gezeigt ist. Die Anfaseinrichtung 20 hat eine obere, vertikale Achse 158, welche den Wafer 64 zum Einspannen bewegt, und eine untere vertikale Achse 160, welche den Wafer 64 nach der Bearbeitung abgibt, wie dies in Fig. 11 gezeigt ist. Die obere, vertikale Achse 158 ist drehbeweglich mit Hilfe eines Lagerkastens 162 gelagert, welcher derart vorgesehen ist, daß dieser entlang der Führungsschiene 164 eine Gleitbewegung ausführen kann, welche senkrecht zur Richtung hierzu vorgesehen ist. Ferner ist das Hauptteil 166 zum Spannpositionieren des Wafers 64 mit Hilfe einer Saugwirkung an dem Boden der oberen, vertikalen Achse 158 festgelegt, und der Motor 168 ist mit dem Oberteil verbunden.

Die untere vertikale Achse 160 ist mit Hilfe eines Lagerkastens 170 drehbeweglich gelagert. Das Ansaugteil 172, welches den bearbeiteten Wafer anzieht, ist an dem Oberteil desselben fest vorgesehen. Die Zylinderstange 176 des Hydraulikzylinders 174 ist fest mit dem Boden des Lagerkastens 170 verbunden. Wenn bei dieser Anordnung die Zylinderstange 176 eingefahren und ausgefah ren wird, wird der Lagerkasten 162 entlang der Führungsschiene 164 nach oben und unten bewegt, so daß der bearbeitete Wafer 64 abgegeben werden kann.

Die Schleifscheibe 178 zum Anfasen der oberen und unteren Flächenränder des Wafers 64 liegt in der Nähe des aufgenommenen Wafers 64. Die Schleifscheibe 178 ist fest mit der Schleifschei benachse 184 verbunden, welche an einem beweglichen Tisch 180 mittels eines Lagers 182 vorgesehen ist, und die Drehantriebs leistung des Motors 188 wird auf die Schleifscheibenachse 184 über den Riemen 186 übertragen. Der Motor 188 ist an dem beweglichen Tisch 180 festgelegt. Andererseits ist der bewegliche Tisch 180 auf der Führungsschiene 190 derart angebracht, daß er in horizontaler Richtung entlang der Führungsschiene 190 bewegbar ist. Somit wird der bewegliche Tisch 180 hinsichtlich seiner Bewegung in Richtung nach links in Fig. 11 gesteuert, so daß die Schleifscheibe 178 gegen den Rand des Wafers 64 gedrückt wird, wenn der Wafer 64 angefast wird, und daß der Tisch 180 in Richtung nach rechts bewegt wird, um die Schleifscheibe bzw. den Schleifstein 178 von dem Wafer 64 abzurücken, wenn das Anfasen beendet ist. Der angefaste Wafer 64 wird zu der Wasch-Trocken- Einrichtung 22 mit Hilfe der Fördereinrichtung 192 und 194 transportiert, wie dies in Fig. 12 gezeigt ist.

Die Wasch-Trocken-Einrichtung 22 umfaßt eine Förderwalze 196, eine Wasch-Bürstenwalze 198, einen Abstreifer 200, eine Förder walze 220, ein Waschwasser-Spritzteil 204 und ein Trockenteil 206.

Die Förderwalze 196 umfaßt ein Paar von Walzen 208 und 208 und wird in Richtung des Pfeils in Fig. 2 mit Hilfe einer Antriebs leistung von einem Antriebsteil (nicht gezeigt) in Drehung versetzt, wodurch der Wafer 64 zwischen die Walzen 208 und 208 gelangt, um zu der Wasch-Bürstenwalze 198 transportiert zu werden.

Die Wasch-Bürstenwalze 198 umfaßt ein Paar von Bürstenwalzen 210 und 210. Die Wasch-Bürstenwalze 198 wird mit Hilfe einer Antriebsleistung von einem Antriebsteil (nicht gezeigt) in Drehung versetzt, wodurch der Wafer 64 zwischen die Bürstenwalzen 210 und 210 gelangt, so daß Späne und andere, an dem Wafer haftende Teile mit Hilfe der Bürste entfernt werden können. Die Späne und die anderen an der Bürste haftenden Teile können mit Hilfe des Waschwassers abgelöst und entfernt werden, das über die Düse 212 und 212 der Waschwasser-Spritzeinrichtung 204 strahlför mig abgegeben wird.

Die Förderwalze 202 umfaßt ein Paar von Walzen 216 und 216 und wird in Richtung des Pfeils in Fig. 12 mit Hilfe einer Antriebs leistung von einem Antriebsteil (nicht gezeigt) drehangetrieben, und der gewaschene Wafer 64 kommt zwischen die Walzen 216 und 216, so daß er zu dem Abstreif-Trockenteil 206 transportiert werden kann.

Der Abstreifer 200 umfaßt ein Paar von Wischteilen 214 und 214, und der Wafer 64 geht zwischen denselben durch, wodurch an der Oberfläche des Wafers 64 haftende Wassertropfen entfernt werden können.

Das Trockenteil 206 umfaßt ein Paar von Luftausblas-Teilen 218 und 218, und der Wafer 64 geht zwischen denselben durch, wodurch der Wafer 64 mit Hilfe der von den Luftausblas-Öffnungen 220, 220, ... abgegebenen Luft getrocknet werden kann. Der getrocknete Wafer wird zu dem Waferablageteil 24 mit Hilfe der Fördereinrich tung 222 transportiert, welche in der Fig. 1 und 12 gezeigt ist.

Die Kassette 224 ist an dem Waferablageteil 24 vorgesehen, und die mit Hilfe der Fördereinrichtung 222 transportierten Wafer 64 werden dort einzeln abgelegt.

Nunmehr sollen anhand der Fig. 2 und 3 an die Wirkungsweisen der Anlage zum Herstellung eines Halbleiterwafers erläutert werden, welche den vorstehend beschriebenen Aufbau hat. Zuerst wird der Rohblock 50 in dem Hakenteil 56 des Förderwagens 52 gehalten, wie dies in Fig. 2 gezeigt ist, und er wird zu der Abgabeposition der Rohblock-Fördereinrichtung 12 transportiert. Mit Hilfe der beweglichen Stange 54 des Förderwagens 52 wird der Rohblock 50 dann angehoben, und die Zylinderstange 40 an der Rohblock- Fördereinrichtung 12 wird ausgefahren. Der Förderwagen bzw. Transportwagen 52 wird dann gedreht, und das Eingriffsteil 48 des Arbeitsblockes 46 kommt in Eingriff mit dem Eingriffsschlitz 45 des Spannteils 44, und dann ist der Rohblock 50 in der Rohblock- Fördereinrichtung 12 gehalten. Die Zylinderstange 40 wird eingefahren und der Rohblock 50 wird angehoben, wodurch ver hindert wird, daß der Rohblock 50 mit der Schneidmaschine 14 während des Transports kollidiert.

Dann wird das Aufgabeteil 36 der Rohblock-Fördereinrichtung 12 unter- der Steuerung des Betriebsteils 35 angetrieben und in Richtung der Schneidmaschine 14 bewegt. Das Aufgabeteil 36 wird angehalten, wenn sich der Rohblock 50 unter der Bearbeitungs- Weiterschalteinrichtung 62 der Schneidmaschine 14 befindet. Die Zylinderstange 40 der Rohblock-Fördereinrichtung 12 wird ausgefahren und der Rohblock 50 wird in der Nähe der Bear beitungs-Weiterschalteinrichtung 62 abgesenkt, so daß der Rohblock 50 an der Bearbeitungs-Weiterschalteinrichtung 62 fixiert ist, wie dies in Fig. 1 gezeigt ist. Bei diesem Fixier verfahren werden Bolzen (nicht gezeigt) in die Öffnungen 46A, 46A, ... eingesetzt, welche in den jeweiligen Eckteilen des Arbeitsblockes 46 ausgebildet sind, wie dies in Fig. 3 gezeigt ist. Hierdurch wird der Rohblock 50 fixiert.

Bei dieser Auslegung der bevorzugten Ausführungsform wird der Rohblock 50 von der Abgabeposition des Rohblocks 50 zu der Bearbeitungs-Weiterschalteinrichtung 62 der Schneidmaschine 14 mit Hilfe des Aufgabeteils 36 transportiert und dann an der Bearbeitungs-Weiterschalteinrichtung 62 fixiert. Auf diese Weise läßt sich der Rohblock 50 an der Schneidmaschine 14 im Vergleich zu dem üblichen Verfahren des Anbringens des Rohblockes auf einfache Weise fixieren, bei dem der Rohblock angehoben und fixiert wird.

Dann wird die Schneidmaschine 14 in Betrieb gesetzt, wodurch der Rohblock 50 mit Hilfe der Bearbeitungs-Weiterschalteinrichtung 62 indexiert und gegen den inneren Umfangsrand mit Hilfe der Bearbeitungsfördereinrichtung 60 angedrückt wird, so daß der Rohblock zu Halbleiterscheiben bzw. Wafern 64 geschnitten wird. Der mit Hilfe der Schneidmaschine 14 abgetrennte Wafer 64 wird mit Hilfe der Wafersaug-Bewegungseinrichtung 66 aufgenommen und zu der Fördereinrichtung 68 transportiert. Dann wird er zu der Ablöse- und Wasch-Trocken-Einrichtung 16 mit Hilfe der Förderein richtung 68 transportiert.

Dann wird der Wafer 64, welcher zu der Ablöse- und Wasch-Trocken- Einrichtung 16 mit Hilfe der Fördereinrichtung 68 transportiert worden ist, zwischen den Halteplatten 80 und 80 der Ablöseteile 70 gehalten, wie dies in Fig. 4 gezeigt ist. Nachdem der Wafer 64 gehalten ist, wird der Arm 82, wie in Fig. 6 gezeigt, eingefahren und der Wafer 64 wird in das warme Wasser 86 des Warmwasserbehälters 76 eine vorbestimmte Zeit lang (30 Sekunden) getaucht. Als Folge hiervon wird der mittels Wärme erweichbare Klebstoff des Halteträgers 51 bis zum Erweichen erwärmt.

Ferner wird der Arm 82 ausgefahren und zugleich wird die Basis 88 nach Fig. 7 nach einer vorbestimmten Zeit gleitend bewegt, und dann wird der Wafer 64 zu dem Hammerbearbeitungsteil 78 transpor tiert. Wenn der Wafer 64 zu dem Hammerbearbeitungsteil 78 transportiert wird, ist der Wafer 64 mit Hilfe der Haltestange 102 und der Haltebasis 104 gehalten, wie dies in Fig. 8 gezeigt ist. Die Zylinderstange 106 des Ablösezylinders 98 wird ausgefah ren. Somit wird der Halteträger 51 des Wafers 64 mit Hilfe der Hammerbearbeitungsstange 108 bearbeitet und er wird von dem Wafer 64 abgelöst. Da der Klebstoff des Halteträgers 51 zum Erwärmen mit Hilfe des warmen Wassers 86 erwärmt worden ist, läßt sich der Halteträger 51 leicht von dem Wafer 64 lediglich durch eine Stoßbearbeitung ablösen. Der abgelöste Halteträger 51 wird in einem Aufnahmeteil 110 gesammelt.

Gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform wird der mittels Wärme erweichbare Klebstoff des Halteträgers 51 durch Wärme erweicht, anschließend wird der Halteträger 51 von dem Wafer durch eine Schlagbearbeitung mit Hilfe der Hammerbear beitungsstange 108 abgelöst, und der Halteträger 51 läßt sich innerhalb kurzer Zeit ohne den Einsatz von chemischen Stoffen ablösen.

Wenn der Halteträger 51 abgelöst ist, wird dieser durchgetrennt und von der Position nach Fig. 7 in Richtung nach rechts bewegt, und der Wafer 64, dessen Halteträger 51 abgelöst ist, wird zu dem Wasch-Trocken-Teil 72 transportiert, wie dies in Fig. 4 gezeigt ist. Wenn der Wafer 64 zu dem Wasch- Trocken-Teil 72 transportiert wird, wird der Wafer 64 in Richtung zu der Wasch-Bürstenwalze 114 mit Hilfe der Förderwalze 112 transportiert, und an dem Wafer 64 haftende Späne und dergleichen werden entfernt, wenn dieser durch die Wasch- Bürstenwalze 114 geht. Ferner werden Späne oder dergleichen, die an dem Wafer und der Bürste haften, abgelöst und mit Hilfe des Waschwassers entfernt, welches über die Düsen 128 und 128 in dem Waschwasser-Spritzteil 118 strahlförmig abgegeben wird.

Der gewaschene Wafer 64 wird zu dem Abstreifer 120 mit Hilfe der Förderwalze 116 transportiert und Wassertropfen auf der Oberflä che des Wafers 64 werden mit Hilfe des Abstreifers 120 entfernt.

Dann wird der Wafer 64, von dem die Wassertropfen entfernt sind, mit Hilfe von Luft von dem Trockenteil 122 getrocknet, und anschließend wieder zu der Oberflächen-Untersuchungseinrichtung mit Hilfe der Fördereinrichtung 138 transportiert, welche in Fig. 9 gezeigt ist.

Mit Hilfe der Wasch-Trocken-Einrichtung 72 bei dieser bevorzugten Ausführungsform kann aufgrund der Tatsache, daß der Wafer, dessen Halteträger 51 abgelöst worden ist, kontinuierlich einzeln gewaschen und getrocknet wird, der Wafer 64, welcher mit Hilfe der Schneidmaschine 14 zugeschnitten worden ist, auf effiziente Weise innerhalb einer kürzeren Zeit im Vergleich zu dem üblichen Verfahren zum Waschen und Trocknen gewaschen und getrocknet werden.

Der mittels Wärme erweichbare Klebstoff wird durch Wärme mit Hilfe des warmen Wassers 86 zum Erweichen gebracht. Die Erfindung ist jedoch hierauf nicht beschränkt, sondern der mittels Wärme erweichbare Klebstoff kann auch partiell zum Erweichen erwärmt werden, oder der Halbleiterwafer, bei dem der mittels Wärme erweichbare Klebstoff durch Wärme zum Erweichen gebracht worden ist, wird mit Hilfe der Wafer-Halteeinrichtung gehalten. Anschließend kann der Halteträger 51 von dem Halbleiterwafer abgezogen und abgelöst werden.

Dann wird der Wafer 64 zu der Oberflächen-Untersuchungseinrich tung 18 transportiert, ein Erfüllen oder ein Nichterfüllen der Vorgabewerte wird mit Hilfe der Oberflächen-Untersuchungseinrich tung 18 bewertet, und der Wafer 64, welcher als gut befunden worden ist, wird zu der Anfaseinrichtung 20 mit Hilfe der Fördereinrichtung 142, der Richtungs-Umkehreinrichtung 144 und den Fördereinrichtungen 156 und 154 (siehe Fig. 10) transpor tiert.

Dann wird der zu der Anfaseinrichtung 20 transportierte Wafer 64 mit Hilfe des Hauptteils 166 der oberen, vertikalen Achse 158 nach Fig. 11 eingespannt. Der Wafer 64 wird mit Hilfe des Motors 168 in Drehung versetzt und die Schleifscheibe 178 wird mit Hilfe des Motors 188 in Drehung versetzt, wodurch der bewegliche Tisch 180 in Fig. 11 in Richtung nach links derart bewegt wird, daß die Schleifscheibe 178 gegen den Rand des Wafers 64 angedrückt wird. Wenn beispielsweise der Rand der oberen Seite des Wafers 64 zuerst angefast wird, wird der Lagerkasten 162 um einen vorbe stimmten Wert derart nach unten bewegt, daß der Rand der unteren Seite des Wafers 64 angefast werden kann.

Nach dem Anfasen wird der bewegliche Tisch 180 in Trennungsrich tung von dem Wafer 64 bewegt, und der Wafer 64, welcher angefast worden ist, wird mit Hilfe des Saugteils 172 angesaugt und zu der Wasch-Trocken-Einrichtung 22 mit Hilfe von Fördereinrichtungen 192 und 194 transportiert, wie dies in Fig. 12 gezeigt ist. Dann wird der Wafer 64, welcher zu der Wasch-Trocken-Einrichtung 22 transportiert worden ist, zu der Wasch-Bürstenwalze 198 mit Hilfe der Förderwalze 96 bewegt, und Späne und dergleichen, welche an dem Wafer 64 haften, werden mit Hilfe der Wasch-Bürstenwalze 198 entfernt. Ferner werden die Späne und dergleichen, die an der Bürste haften, mit Hilfe des Waschwassers abgelöst und entfernt, welches über die Düsen 212 und 212 in dem Waschwasser-Spritzteil 204 strahlförmig ausgegeben wird.

Dann wird der Wafer 64, von dem die Späne und dergleichen entfernt worden ist, zu dem Abstreifer 200 mit Hilfe der Förderwalze 202 transportiert, und Wassertropfen auf der Oberfläche desselben werden mit Hilfe des Abstreifers 200 entfernt. Daraufhin wird dieser zu dem Trockenteil 206 mit Hilfe der Förderwalze 202 transportiert und der Wafer wird mit Hilfe von Luft von den Luftausblasöffnungen 220, 220, ... des Trocken teils 206 getrocknet.

Bei dieser Auslegungsform der Wasch-Trocken-Einrichtung 72 wird der angefaste Wafer 64 kontinuierlich einzeln gewaschen und getrocknet, und daher kann der Wafer 64 in effizienter Weise und innerhalb kurzer Zeit gewaschen und getrocknet werden.

Der getrocknete Wafer 64 wird einzeln mit Hilfe der Förderein richtung 22 in der Kassette 224 des Waferablageteils 24 abgelegt.

Der Wafer 64, welcher in der Kassette 224 abgelegt ist, wird zu dem nächsten Verarbeitungsschritt transportiert, bei dem es sich beispielsweise um einen Einwickelschritt handeln kann.

Gemäß der Anlage zum Herstellen des Halbleiterwafers nach der bevorzugten Ausführungsform lassen sich die Bearbeitungsschritte, wie das Zuschneiden des Rohblocks 50 mit daran angebrachtem Halteträger 51 zu Wafern 64, das Ablösen des Halteträgers und das Waschen und Trocknen des Wafers, die Untersuchung des Wafers und das Anfasen desselben in Form einer Montagestraße gemäß diesem Betrieb ausführen.

Bei dieser Anordnung läßt sich der Halbleiterwafer automatisch herstellen, und die Herstellungseffizienz läßt sich gegenüber der üblichen Anlage zur Herstellung des Halbleiterwafers steigern.

Wie voranstehend beschrieben worden ist, sind bei dem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers und der Anlage hierfür die Scheibenschneidmaschineneinrichtung, die Ablöseeinrichtung, die erste Wasch-Trocken-Einrichtung, die Oberflächen-Untersuchungseinrichtung, die zweite Wasch-Trocken- Einrichtung, die Anfaseinrichtung und die Ablageeinrichtung über mehrere Wafer-Fördereinrichtungen derart verbunden, daß man eine Herstellung des Wafers in einem Fertigungsstraßenbetrieb ermöglichen kann, und der Rohblock wird zu der Schneidmaschine mit Hilfe der Rohblock-Fördereinrichtung transportiert, so daß man eine vollständig automatische Herstellung des Halbleiter wafers erreichen kann.

Als Folge hiervon läßt sich die Herstellungseffizienz für die Halbleiterwafer steigern.

Ferner wird bei dem Verfahren zum Herstellen des Halbleiterwafers und der Anlage hierfür der Rohblock zu der Nähe der Stütze mit Hilfe der Rohblock-Aufgabeeinrichtung bewegt, das Spannteil wird zu der Nähe der Rohblock-Aufgabeeinrichtung bewegt und abgesenkt, der obere Eingriffsteil des Rohblocks an der Rohblock-Aufgabeeinrichtung kommt in Eingriff mit dem Eingriffsteil des Spannteils, und der Rohblock wird mit Hilfe des Spannteils angehoben und zu dem Rohblock-Auflageteil der Schneidmaschine in hängender Anordnung des Rohblocks transpor tiert. Anschließend wird das Spannteil abgesenkt und der Rohblock wird zu dem Rohblock-Auflageteil abgegeben. Hierdurch läßt sich der Rohblock auf einfache Weise an der Schneidmaschine im Vergleich zu dem üblichen Verfahren zum Anbringen des Rohblocks fixieren, bei dem der Rohblock zu dem Rohblockhalteteil angehoben wird. Ferner werden bei dem Verfahren zum Herstellen des Halbleiterwafers und der Anlage hierfür der Halbleiterwafer eine vorbestimmte Zeit lang in einen Warmwasser behälter getaucht, in welchem Warmwasser mit einer solchen Temperatur vorhanden ist, daß der mittels Wärme erweichbare Klebstoff des Halteträgers 51 durch Wärme erweicht wird, dann wird der Halbleiterwafer aus dem warmen Wasser entnommen und der Halteträger 51 wird mit Hilfe einer Hammerbear beitungseinrichtung einer Stoßbearbeitung ausgesetzt und von dem Halbleiterwafer abgelöst. Somit läßt sich der Halteträger 51 innerhalb einer kurzen Zeit ohne den Einsatz von chemischen Stoffen ablösen.

Ferner werden bei dem Verfahren zum Herstellen des Halbleiter wafers und der Anlage hierfür der Halteträger 51 von dem Halbleiterwafer mit Hilfe der Ablöseeinrich tung abgezogen und abgelöst, nachdem partiell eine Erwärmung des mittels Wärme erweichbaren Klebstoffes durch eine Erwärmungsein richtung erfolgt ist.

Ferner werden bei dem Verfahren zum Herstellen des Halbleiter wafers und der Anlage hierfür die Halbleiter wafer mit Hilfe eines Wasserstrahls gebürstet und gewaschen, welcher an einem Waschteil auf den Halbleiterwafer gerichtet wird, so daß Späne und dergleichen, welche an der Oberfläche desselben haften, entfernt werden, und dann wird der Wafer durch ein Wischteil geleitet, in welchem er mit Hilfe von in dem Trockenteil ausgeblasener Luft getrocknet wird. Somit läßt sich der Halbleiterwafer, welcher zugeschnitten worden ist, auf effiziente Weise und innerhalb einer kurzen Zeit waschen und trocknen.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers, welches folgendes aufweist:

1. ein stabförmiger Rohblock mit einem daran befestigten Halteträger wird zu einer Rohblock-Fördereinrichtung transportiert und an einer Schneidmaschine angebracht;
2. der an der Schneidmaschine angebrachte und mit dem Halteträger versehenen Rohblock wird zu dünnen schei benförmigen Wafern mit Hilfe der Schneidmaschine geschnitten;
3. der mit Hilfe der Schneidmaschine geschnittene Wafer wird mit Hilfe einer ersten Wafer-Fördereinrichtung zu einer Ablöseeinrichtung transportiert, und der Halte träger des Wafers wird von dem Wafer mit Hilfe der Ablöseeinrichtung mechanisch abgelöst;
4. der Wafer, dessen Halteträger mit Hilfe der Ablösee inrichtung abgelöst worden ist, wird zu einer ersten Wasch-Trocken-Einrichtung mit Hilfe einer zweiten Wafer-Fördereinrichtung transportiert und der Wafer wird mit Hilfe der ersten Wasch-Trocken-Einrichtung gewaschen und getrocknet;
5. der Wafer, welcher mit Hilfe der ersten Wasch- und Trocken-Einrichtung gewaschen und getrocknet worden ist, wird zu einer Anfaseinrichtung mit Hilfe einer dritten Wafer-Fördereinrichtung transportiert und die Kanten bzw. Ränder des Wafers werden mit Hilfe der Anfaseinrichtung angefast;
6. der Wafer, welcher mit Hilfe der Anfaseinrichtung angefast worden ist, wird zu einer zweiten Wasch- Trocken-Einrichtung mit Hilfe einer vierten Wafer- Fördereinrichtung transportiert, und der Wafer wird mit Hilfe der zweiten Wasch-Trocken-Einrichtung gewaschen und getrocknet; und
7. der Wafer, der mit Hilfe der zweiten Wasch-Trocken- Einrichtung gewaschen und getrocknet worden ist, wird zu einem Ablageteil mit Hilfe einer fünften Wafer-För dereinrichtung transportiert und in dem Ablageteil abgelegt.

2. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers nach Anspruch 1, bei welchem folgendes vorgesehen ist:

1. der Wafer, welcher mit Hilfe der ersten Wasch- Trocken-Einrichtung gewaschen und getrocknet worden ist, wird zu einer Oberflächen-Untersuchungseinrich tung mit Hilfe einer sechsten Wafer-Fördereinrichtung transportiert und mit Hilfe der Oberflächen-Untersu chungseinrichtung wird eine Bewertung hinsichtlich gut oder schlecht bezüglich den Standardvorgaben für den Wafer vorgenommen; und
2. der Wafer, welcher als akzeptierbar erkannt wurde, wird zu der Anfaseinrichtung mit Hilfe einer siebten Wafer-Fördereinrichtung transportiert.

3. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem der stabförmige Roh block auf folgende Weise zur Rohblock-Fördereinrich tung transportiert und zur Schneidmaschine übergeben wird:

1. eine Mehrzahl von Rohrblöcken wird mit Hilfe eines Rohblock-Transportwagens zu einer Rohblock- Bereithaltungsstelle in der Nähe einer Stützeinrich tung der Rohblock-Fördereinrichtung transportiert;
2. ein Eingriffsteil am oberen Teil einer am Roh block-Transportwagen vorgesehenen beweglichen Stange wird in Eingriff mit einem oberen Eingriffsteil des Rohblocks gebracht, und durch Anheben oder Absenken der Stange wird der mit dem Eingriffsteil der Stange in Eingriff stehende Rohblock zur Position eines Aufgabeteils der Rohblock-Fördereinrichtung gebracht und dann von diesem gehalten; und
3. der von einem Spannteil- bzw. dem Rohblock-Auf lageteil des Aufgabeteils gehaltene Rohblock wird zu der Schneidmaschine bewegt und dieser übergeben.

4. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Ablösen des Halteträgers folgendes umfaßt:

1. der Wafer, an welchem der Halteträger angebracht ist, wird in warmes Wasser eingetaucht, welches eine derartige Temperatur hat, daß der mittels Wärme erweichbare Klebstoff des Halteträgers durch Wärme während einer vorbestimmten Zeit erweicht wird, und
2. anschließend der Wafer aus dem warmen Wasser entnommen wird und der Halteträger einer Hammerbearbeitung derart unterworfen wird, daß der Halteträger von dem Wafer abgelöst wird.

5. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Ablösen des Halteträgers folgendes umfaßt:

1. Erwärmen des durch Wärme erweichbaren Klebstoffs des Halteträgers mit Hilfe einer Heizeinrichtung und Erweichen desselben, und
2. anschließendes Ablösen des Halteträgers von dem Wafer.

6. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Verfahren zum Waschen und Trocknen des Wafers folgendes aufweisen:

1. der Wafer wird mit Hilfe eines Paars von Drehbürsten gewaschen, wobei gleichzeitig Wasser vom Wafer ge trennt wird, und an dem Wafer sowie den Drehbürsten haftende Wassertropfen werden mit Hilfe einer Ab streifeinrichtung entfernt; und
2. Luft wird gegen den Wafer geblasen, von dem die Wassertropfen mit Hilfe der Abstreifeinrichtung entfernt worden sind, so daß der Wafer getrocknet wird.

7. Anlage zum Herstellen eines Halbleiterwafers, welche folgendes aufweist:

1. eine Rohblock-Fördereinrichtung (12) zum Transpor tieren eines säulenförmigen bzw. stabförmigen Roh blocks (50) mit einem daran befestigten Halteträger (51);
2. eine Schneidmaschine (14) für einen Rohblock (50), welcher mit Hilfe der Rohblock-Fördereinrichtung (12) zu dieser befördert wurde, welche den Rohblock (50) mit dem Halteträger (51) in dünne, scheibenförmige Wafer (64) schneidet;
3. eine Ablöseeinrichtung (70), welche mit der Schneid maschine (14) über eine erste Fördereinrichtung (68) verbunden ist, und welche den Halteträger (51) des Wafers (64) ablöst, welcher mit Hilfe der Schneidma schine (14) aus dem Rohblock (50) zugeschnitten wurde;
4. eine erste Wasch-Trocken-Einrichtung (72), welche mit der Ablöseeinrichtung (70) über eine zweite Wafer- Fördereinrichtung (82, 84) verbunden ist und die den Wafer (64) wäscht und trocknet, von dem der Halteträ ger (51) mit Hilfe der Ablöseeinrichtung (70) mechanisch abgelöst worden ist;
5. eine Anfaseinrichtung (20), welche mit der ersten Wasch-Trocken-Einrichtung (72) über eine dritte Wafer- Fördereinrichtung (154) verbunden ist und welche die Ränder des Wafers (64) anfast, welcher mit Hilfe der ersten Wasch-Trocken-Einrichtung (72) gewaschen und getrocknet wurde,
6. eine zweite Wasch-Trocken-Einrichtung (22), welche mit der Anfaseinrichtung (20) über eine vierte Wafer- Fördereinrichtung (192, 194) verbunden ist, und die den Wafer (64) wäscht und trocknet, welcher mit Hilfe der Anfaseinrichtung (20) angefast worden ist, und
7. eine Ablageeinrichtung (24), welche mit der zweiten Wasch-Trocken-Einrichtung (22) über eine fünfte Wafer- Fördereinrichtung (222) verbunden ist, und die Wafer (64) aufnimmt, welche mit Hilfe der zweiten Wasch- Trocken-Einrichtung (22) gewaschen und getrocknet wurden.

8. Anlage zum Herstellen eines Halbleiterwafers nach Anspruch 7, welche eine Oberflächen-Untersuchungseinrichtung (18) zur Bestimmung der Gut- oder Schlechtverhältnisse bezüglich von Standardvorgabewerten für den Wafer (64) aufweist, welcher mit Hilfe der ersten Wasch-Trocken-Einrichtung (72) gewa schen und getrocknet wurde, und welche eine Untersuchung zwischen der ersten Wasch-Trocken-Einrichtung (72) und der Oberflächen-Untersuchungseinrichtung (18) mit Hilfe einer sechsten Fördereinrichtung (138) vornimmt, und bei der der Wafer (64), welcher bei der Oberflächen-Untersuchungseinrichtung (18) als akzeptierbar erkannt worden ist, zu der Anfas einrichtung (20) über eine siebte Fördereinrichtung (154) trans portiert wird.

9. Anlage zum Herstellen eines Halbleiterwafers nach Anspruch 7 oder 8, die weiterhin folgendes umfaßt: einen Rohblock-Transportwagen (52) zum Transportieren einer Mehrzahl von Rohblöcken (50) zu einer Rohblock- Bereithaltungsstelle in der Nähe einer Stützeinrich tung (26, 27, 28) der Rohblock-Fördereinrichtung (12), wobei der Rohblock-Transportwagen (52) eine bewegliche Stange (54) mit einem Eingriffsteil (56, 58) der Stange (54) an ihrem oberen Teil aufweist, wobei das Eingriffsteil (56, 58) in Eingriff mit einem oberen Eingriffsteil (51) des Rohblocks (50) bringbar ist, der durch Anheben oder Absenken der Stange (54) zur Position eines Aufgabeteils (36) der Rohblock-Fördereinrichtung (12) gebracht und dann von diesem gehalten werden kann, wobei das Aufgabeteil einen Rohhlock-Auflage teil (44) umfaßt, der als Spannteil ausgebildet ist und wobei das Aufgabeteil (36) entlang der Stützein richtung (26, 27, 28) vertikal beweglich und linear hin- und hergehend beweglich bezüglich der Schneidma schine (14) ist, zu welcher der durch den Roh block-Auflageteil (44) des Aufgabeteils (36) der Rohblock-Fördereinrichtung (12) gehaltene Rohblock (50) bewegt und dieser übergeben werden kann.

10. Anlage zum Herstellen eines Halbleiterwafers nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei der die Ablöseeinrichtung (70) folgendes umfaßt:

1. einen Warmwasserbehälter (76), welcher Warmwasser mit einer solchen Temperatur aufnimmt, daß der erweichbare Klebstoff des Halteträgers (51), welcher an dem Wafer (64) angebracht ist, zum Erweichen erwärmt wird;
2. eine Einrichtung (74) zum Eintauchen des Wafers (64) in das warme Wasser in dem Warmwasserbehälter (65);
3. eine Einrichtung (80), welche den Wafer aus dem warmen Wasser herausgenommen hält; und
4. eine Hammerbearbeitungseinrichtung (78) zum Hammer bearbeiten des Halteträgers (51) des Wafers (64), welcher mit Hilfe der Wafer-Halteeinrichtung (80) gehalten ist, um den Halteträger (51) von dem Wafer (64) abzulösen.

11. Anlage zum Herstellen eines Halbleiterwafers nach einem der Ansprüche 7 bis 10, bei der die Ablöseeinrichtung (70) folgendes umfaßt:

1. eine Heizeinrichtung zum Erweichen des durch Wärme erweichbaren Klebstoffs des Halteträgers (51) durch Wärme, welcher an dem Wafer (64) angebracht ist;
2. eine Wafer-Halteeinrichtung (80) zum Halten des Wafers (64) in einem Zustand, in welchem der mittels Wärme erweichbare Klebstoff durch Wärme erweicht wird; und
3. eine Ablöseeinrichtung (98) zum Ablösen des Halteträ gers (51) von dem Wafer (64), welcher mittels der Wafer-Halteeinrichtung (80) gehalten ist.

12. Anlage zum Herstellen eines Halbleiterwafers nach einem der Ansprüche 7 bis 11, bei der die erste Wasch-Trocken-Einrichtung (72) folgendes umfaßt:

1. ein Waschteil zum Waschen des Wafers (64) mit Hilfe eines Paars von sich drehenden Bürsten (126, 126) unter gleichzeitigem Aufsprühen von Wasser auf den Wafer (64);
2. ein Abstreifteil (120) zum Entfernen von an dem Wafer (64) haftenden Wassertropfen, welcher durch das Waschteil gegangen ist;
3. ein Trockenteil (122) zum Blasen von Luft gegen den Wafer (64), welcher durch das Abstreifteil (120) gegangen ist, um den Wafer (64) zu trocknen; und
4. ein Förderteil (124, 130) zum kontinuierlichen Trans portieren des Wafers (64) zu dem Waschteil, dem Abstreifteil (120) und dem Trockenteil (122).

13. Anlage zum Herstellen eines Halbleiterwafers nach einem der Ansprüche 7 bis 12, bei der die zweite Wasch-Trocken- Einrichtung (22) folgendes umfaßt:

1. ein Waschteil (198) zum Waschen des Wafers (64) mit Hilfe eines Paars von sich drehenden Bürsten (210, 210) unter gleichzeitigem Aufsprühen von Wasser auf den Wafer (64);
2. ein Abstreifteil (200) zum Entfernen der an dem Wafer (64) haftenden Wassertropfen, welcher durch das Waschteil (198) gegangen ist;
3. ein Trockenteil (206) zum Blasen von Luft gegen den Wafer (64), welcher durch das Abstreifteil (200) gegangen ist, um den Wafer (64) zu trocknen; und
4. ein Förderteil (202) zum kontinuierlichen Transpor tieren des Wafers (64) zu dem Waschteil (198), dem Abstreifteil (200) und dem Trockenteil (206).