JPH0645297A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
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- JPH0645297A JPH0645297A JP4317441A JP31744192A JPH0645297A JP H0645297 A JPH0645297 A JP H0645297A JP 4317441 A JP4317441 A JP 4317441A JP 31744192 A JP31744192 A JP 31744192A JP H0645297 A JPH0645297 A JP H0645297A
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- wafer
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体材料から成るインゴットを支持部材２
に接着し、このインゴットをスライスして複数のウェハ
ー４を形成し、このウェハー４を支持部材２に接着した
状態で洗浄して乾燥し、しかる後前記ウェハー４を支持
部材２から剥離する。 【効果】 ウェハー４の洗浄時間と乾燥時間を短縮する
ことができ、また、ウェハー４を支持部材２から剥離す
る際に、清潔に作業することができ、スライスしたウェ
ハー２を手で押し倒して支持部材から剥離することがで
きる。さらに、インゴットをスライスした後に、支持部
材２をウェハー４を接着したままで洗浄することから、
洗浄用バスケットの中にウェハー４を一枚一枚配列する
ことが不要になり、洗浄工程が簡略化され自動化が容易
になる。
に接着し、このインゴットをスライスして複数のウェハ
ー４を形成し、このウェハー４を支持部材２に接着した
状態で洗浄して乾燥し、しかる後前記ウェハー４を支持
部材２から剥離する。 【効果】 ウェハー４の洗浄時間と乾燥時間を短縮する
ことができ、また、ウェハー４を支持部材２から剥離す
る際に、清潔に作業することができ、スライスしたウェ
ハー２を手で押し倒して支持部材から剥離することがで
きる。さらに、インゴットをスライスした後に、支持部
材２をウェハー４を接着したままで洗浄することから、
洗浄用バスケットの中にウェハー４を一枚一枚配列する
ことが不要になり、洗浄工程が簡略化され自動化が容易
になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の製造方法に
関し、特に太陽電池などを形成するための半導体基板の
製造方法に関する。
関し、特に太陽電池などを形成するための半導体基板の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、太陽電池などを形成するための半
導体基板は、図８および図９に示すような工程で製造さ
れていた。すなわち、引き上げ法や鋳造法によって形成
された半導体材料から成るインゴット１を用意し、この
インゴット１をカーボンなどから成る板状の支持部材２
にエポキシ系接着剤３などで接着し（図９（ａ）参
照）、このインゴット１をマルチワイヤーソーなどでス
ライスして複数のウェハー４を形成（同図（ｂ）参照）
し、次にスライスする際に付着した切削油やスラッジ
（切り屑）などを灯油などの洗油で予備的に洗浄し、し
かる後このウェハー３を熱湯やメチレンクロライドなど
の有機溶剤５に浸してエポキシ系接着剤３を溶解して支
持部材２から一枚一枚のウェハー４に剥離（同図（ｃ）
参照）し、次いで、この一枚一枚に剥離されたウェハー
４を上下面が開口した洗浄用バスケット６に収納し（同
図（ｄ）参照）、この洗浄用バスケット６に詰めた状態
で洗油、洗剤、あるいは水などを用いて洗浄することに
よってウェハー４を洗浄し、洗浄が完了した後に、熱風
や空気をウェハー４に吹き付けて乾燥させていた。
導体基板は、図８および図９に示すような工程で製造さ
れていた。すなわち、引き上げ法や鋳造法によって形成
された半導体材料から成るインゴット１を用意し、この
インゴット１をカーボンなどから成る板状の支持部材２
にエポキシ系接着剤３などで接着し（図９（ａ）参
照）、このインゴット１をマルチワイヤーソーなどでス
ライスして複数のウェハー４を形成（同図（ｂ）参照）
し、次にスライスする際に付着した切削油やスラッジ
（切り屑）などを灯油などの洗油で予備的に洗浄し、し
かる後このウェハー３を熱湯やメチレンクロライドなど
の有機溶剤５に浸してエポキシ系接着剤３を溶解して支
持部材２から一枚一枚のウェハー４に剥離（同図（ｃ）
参照）し、次いで、この一枚一枚に剥離されたウェハー
４を上下面が開口した洗浄用バスケット６に収納し（同
図（ｄ）参照）、この洗浄用バスケット６に詰めた状態
で洗油、洗剤、あるいは水などを用いて洗浄することに
よってウェハー４を洗浄し、洗浄が完了した後に、熱風
や空気をウェハー４に吹き付けて乾燥させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
半導体基板の製造方法では、インゴット１をスライスし
た後に、ウエハー４を一枚一枚に剥離して洗浄用バスケ
ット６に配列して洗浄することから、この洗浄用バスケ
ット６への詰め込み作業が煩雑で、ウェハー４の洗浄工
程で非常に時間が掛かっていた。すなわち、従来の半導
体基板の製造方法では、ウェハー一枚当たりの洗浄時間
は約１５秒掛かっていた。
半導体基板の製造方法では、インゴット１をスライスし
た後に、ウエハー４を一枚一枚に剥離して洗浄用バスケ
ット６に配列して洗浄することから、この洗浄用バスケ
ット６への詰め込み作業が煩雑で、ウェハー４の洗浄工
程で非常に時間が掛かっていた。すなわち、従来の半導
体基板の製造方法では、ウェハー一枚当たりの洗浄時間
は約１５秒掛かっていた。
【０００４】また、従来の半導体基板の製造方法では、
インゴット１をスライスした直後に、ウェハー４を支持
部材２から剥離することから、このウェハー４の剥離工
程と洗浄用バスケット６への詰め込み工程で、インゴッ
ト１をスライスする際に付着した、オイル、砥粒、スラ
ッジ（切り屑）などで作業者の被服などが汚れるため、
ウェハー４を予め洗油などで予備的に洗浄した後にウェ
ハー４を剥離しなければならないと共に、ウェハー４を
支持部材２から剥離して、洗浄用バスケット６へ配列し
なければならないことから、ウェハー４の洗浄工程が煩
雑で自動化が困難であるという問題もあった。
インゴット１をスライスした直後に、ウェハー４を支持
部材２から剥離することから、このウェハー４の剥離工
程と洗浄用バスケット６への詰め込み工程で、インゴッ
ト１をスライスする際に付着した、オイル、砥粒、スラ
ッジ（切り屑）などで作業者の被服などが汚れるため、
ウェハー４を予め洗油などで予備的に洗浄した後にウェ
ハー４を剥離しなければならないと共に、ウェハー４を
支持部材２から剥離して、洗浄用バスケット６へ配列し
なければならないことから、ウェハー４の洗浄工程が煩
雑で自動化が困難であるという問題もあった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体基板
の洗浄方法は、このような従来装置の問題点に鑑みてな
されたものであり、その特徴とするところは、半導体材
料から成るインゴットを支持部材に接着し、このインゴ
ットをスライスして複数のウェハーを形成し、このウェ
ハーを支持部材に接着した状態で洗浄して乾燥し、しか
る後前記ウェハーを支持部材から剥離する点にある。
の洗浄方法は、このような従来装置の問題点に鑑みてな
されたものであり、その特徴とするところは、半導体材
料から成るインゴットを支持部材に接着し、このインゴ
ットをスライスして複数のウェハーを形成し、このウェ
ハーを支持部材に接着した状態で洗浄して乾燥し、しか
る後前記ウェハーを支持部材から剥離する点にある。
【０００６】
【作用】上記のように構成することにより、ウェハーの
洗浄時間と乾燥時間を短縮することができ、またウェハ
ーを洗浄した後に支持部材から剥離するので、この剥離
の際に、清潔に作業することができ、スライスしたウェ
ハーを手で倒して剥離することもできる。さらに、イン
ゴットをスライスした後に、支持部材にウェハーを接着
したままで、洗浄することから、洗浄用バスケットにウ
ェハーを一枚一枚配列することが不要になり、洗浄工程
が簡略化され自動化が容易になる。
洗浄時間と乾燥時間を短縮することができ、またウェハ
ーを洗浄した後に支持部材から剥離するので、この剥離
の際に、清潔に作業することができ、スライスしたウェ
ハーを手で倒して剥離することもできる。さらに、イン
ゴットをスライスした後に、支持部材にウェハーを接着
したままで、洗浄することから、洗浄用バスケットにウ
ェハーを一枚一枚配列することが不要になり、洗浄工程
が簡略化され自動化が容易になる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明に係る半導体基板の製造
方法を説明するための工程図であり、図２はスライスし
たウェハーを洗浄治具にセットした状態を示す図であ
る。
細に説明する。図１は、本発明に係る半導体基板の製造
方法を説明するための工程図であり、図２はスライスし
たウェハーを洗浄治具にセットした状態を示す図であ
る。
【０００８】本発明の半導体基板の製造方法でも、用い
られる半導体材料やインゴットのスライス工程は、従来
の半導体基板の製造方法と同一である。すなわち、引き
上げ法や鋳造法によって形成したシリコンなどの半導体
材料から成るインゴットが用いられ、このインゴットを
カーボン等から成る板状の支持部材２にエポキシ系接着
剤などで接着し、鉱物油などを主成分とする切削用オイ
ルなどを用いてマルチワイヤーソーなどで複数枚にスラ
イスする。この場合、例えば３００μｍ程度の切りしろ
で、３００μｍ程度の厚みにスライスされる。したがっ
て、例えば２５０ｍｍの長さを有するインゴットであれ
ば、一枚の支持部材２には、４００枚程度のウエハー４
が接着した状態になる。一枚一枚のウェハー４が完全に
切り離されるようにスライスすると、支持部材２に多少
の切り込みは生じるが、支持部材２は切断しない。
られる半導体材料やインゴットのスライス工程は、従来
の半導体基板の製造方法と同一である。すなわち、引き
上げ法や鋳造法によって形成したシリコンなどの半導体
材料から成るインゴットが用いられ、このインゴットを
カーボン等から成る板状の支持部材２にエポキシ系接着
剤などで接着し、鉱物油などを主成分とする切削用オイ
ルなどを用いてマルチワイヤーソーなどで複数枚にスラ
イスする。この場合、例えば３００μｍ程度の切りしろ
で、３００μｍ程度の厚みにスライスされる。したがっ
て、例えば２５０ｍｍの長さを有するインゴットであれ
ば、一枚の支持部材２には、４００枚程度のウエハー４
が接着した状態になる。一枚一枚のウェハー４が完全に
切り離されるようにスライスすると、支持部材２に多少
の切り込みは生じるが、支持部材２は切断しない。
【０００９】次に、図２に示すように、スライスしたウ
ェハー４を洗浄治具７にセットする。この洗浄治具７
は、底片７ａと側片７ｂを有し、側片７ｂにはウェハー
４の支持部材２が嵌め込まれる切欠部７ｃが設けられて
いる。すなわち、スライスしたウェハー４を横倒しした
状態で洗浄治具７に取り付ける。
ェハー４を洗浄治具７にセットする。この洗浄治具７
は、底片７ａと側片７ｂを有し、側片７ｂにはウェハー
４の支持部材２が嵌め込まれる切欠部７ｃが設けられて
いる。すなわち、スライスしたウェハー４を横倒しした
状態で洗浄治具７に取り付ける。
【００１０】次に、スライスしたウェハー４を洗浄ライ
ンに投入する。この洗浄ラインは、図３に示すように、
洗油を用いた洗浄、洗剤を用いた洗浄、および水洗を順
次行うために複数工程あり、例えば第６槽まで設けて行
う。まず、洗浄ラインの入口部で灯油などから成る洗油
２の入った槽に入れ、エアーでバブリングを行い、スラ
イスした際に付着したスラッジなどをある程度落とす。
第１槽では、ウェハー４に付着した油やスラッジなどを
シャワーを用いて洗油で洗い落とす。第２槽では、洗油
で超音波洗浄する。第３および４槽では、アルカリ系の
洗剤２などを使用して超音波洗浄する。この場合、例え
ば６０℃程度の水でアルカリ系の洗剤（例えばジョンソ
ン＃２００など）を１５倍程度に薄めて使用する。第５
および６槽では、洗剤２を洗い落とすために、水を用い
て超音波洗浄する。この場合、例えば４５℃程度の水を
用いる。いずれにしても、この洗浄工程は、エポキシ系
接着剤が軟化しない程度の温度で行う必要がある。
ンに投入する。この洗浄ラインは、図３に示すように、
洗油を用いた洗浄、洗剤を用いた洗浄、および水洗を順
次行うために複数工程あり、例えば第６槽まで設けて行
う。まず、洗浄ラインの入口部で灯油などから成る洗油
２の入った槽に入れ、エアーでバブリングを行い、スラ
イスした際に付着したスラッジなどをある程度落とす。
第１槽では、ウェハー４に付着した油やスラッジなどを
シャワーを用いて洗油で洗い落とす。第２槽では、洗油
で超音波洗浄する。第３および４槽では、アルカリ系の
洗剤２などを使用して超音波洗浄する。この場合、例え
ば６０℃程度の水でアルカリ系の洗剤（例えばジョンソ
ン＃２００など）を１５倍程度に薄めて使用する。第５
および６槽では、洗剤２を洗い落とすために、水を用い
て超音波洗浄する。この場合、例えば４５℃程度の水を
用いる。いずれにしても、この洗浄工程は、エポキシ系
接着剤が軟化しない程度の温度で行う必要がある。
【００１１】上記洗浄工程では、図４に示すように、洗
浄治具７にセットされた複数のウェハー４を、ウェハー
載置部８ａと吊設部８ｂを有するキャリア８にセット
し、このキャリア８を搬送路（不図示）に沿って搬送
（上下動も含む）することにより、洗浄ラインを通過さ
せることができる。すなわち、吊設部８ｂの突起部８ｃ
を搬送路にセットして搬送する。したがって、この半導
体基板の洗浄工程では、従来方法のように、一枚一枚の
ウェハー４を洗浄用バスケットに詰め替える必要がな
く、極めて迅速に洗浄することができる。
浄治具７にセットされた複数のウェハー４を、ウェハー
載置部８ａと吊設部８ｂを有するキャリア８にセット
し、このキャリア８を搬送路（不図示）に沿って搬送
（上下動も含む）することにより、洗浄ラインを通過さ
せることができる。すなわち、吊設部８ｂの突起部８ｃ
を搬送路にセットして搬送する。したがって、この半導
体基板の洗浄工程では、従来方法のように、一枚一枚の
ウェハー４を洗浄用バスケットに詰め替える必要がな
く、極めて迅速に洗浄することができる。
【００１２】次に、図５に示すように、エアーガン９で
ウェハー４についた水分を飛ばす。すなわち、ウェハー
４を支持部材２に固定した状態で、エアーガン９を左右
に移動させ、ウェハー４とウェハー４との間にエアー送
り込んで水分などを吹き飛ばす。この工程でも、ウェハ
ー４を支持部材２に接着したままの状態で行う。
ウェハー４についた水分を飛ばす。すなわち、ウェハー
４を支持部材２に固定した状態で、エアーガン９を左右
に移動させ、ウェハー４とウェハー４との間にエアー送
り込んで水分などを吹き飛ばす。この工程でも、ウェハ
ー４を支持部材２に接着したままの状態で行う。
【００１３】その後、図６に示すように、熱風又はエア
ーにより、ウェハー４の表面を完全に乾燥させる。すな
わち、複数のウェハー４をヒータを内蔵する熱風発生器
１０上に載置し、この熱風発生器１０の下方を左右に移
動するエアーノズル１１からエアーを送り込んで、ウェ
ハー４間に熱風をあてる。
ーにより、ウェハー４の表面を完全に乾燥させる。すな
わち、複数のウェハー４をヒータを内蔵する熱風発生器
１０上に載置し、この熱風発生器１０の下方を左右に移
動するエアーノズル１１からエアーを送り込んで、ウェ
ハー４間に熱風をあてる。
【００１４】上述のような洗浄、乾燥工程では、ウェハ
ー４はまだ支持部材２に接着されていることから、この
支持部材２を利用して洗浄や乾燥の自動化ラインにセッ
ティングすることができ、自動化が容易になる。
ー４はまだ支持部材２に接着されていることから、この
支持部材２を利用して洗浄や乾燥の自動化ラインにセッ
ティングすることができ、自動化が容易になる。
【００１５】最後に、図７に示すように、支持部材２か
らウェハー４を剥離して、スライス、洗浄、乾燥工程が
完了する。この剥離工程では、ウェハー４の洗浄・乾燥
が完了していることから、作業者の被服などが汚れるこ
とはなく、ウェハー４を手で押し倒して剥離することが
できる。また、熱湯やメチレンクロライドなどの有機溶
剤に浸して剥離してもよい。
らウェハー４を剥離して、スライス、洗浄、乾燥工程が
完了する。この剥離工程では、ウェハー４の洗浄・乾燥
が完了していることから、作業者の被服などが汚れるこ
とはなく、ウェハー４を手で押し倒して剥離することが
できる。また、熱湯やメチレンクロライドなどの有機溶
剤に浸して剥離してもよい。
【００１６】上述のような工程で、ウェハー４を洗浄・
乾燥すると、ウェハー一枚当たりの洗浄・乾燥を約５秒
で行うことができ、従来の１５秒に比べて、洗浄と乾燥
の時間を大幅に短縮することができる。
乾燥すると、ウェハー一枚当たりの洗浄・乾燥を約５秒
で行うことができ、従来の１５秒に比べて、洗浄と乾燥
の時間を大幅に短縮することができる。
【００１７】また、上述のようにして洗浄・乾燥された
ウェハー４は、例えば太陽電池を形成するための半導体
基板などに用いられる。
ウェハー４は、例えば太陽電池を形成するための半導体
基板などに用いられる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体基板
の製造方法によれば、半導体材料から成るインゴットを
支持部材に接着し、このインゴットをスライスして複数
のウェハーを形成し、このウェハーを支持部材に接着し
た状態で洗浄して乾燥し、しかる後ウェハーを支持部材
から剥離することから、ウェハーの洗浄時間と乾燥時間
を短縮することができ、また、ウェハーを支持部材から
剥離する際に、清潔に作業することができ、スライスし
たウェハーを手で押し倒して支持部材から剥離すること
ができる。さらに、インゴットをスライスした後に、支
持部材をウェハーを接着したままで洗浄することから、
洗浄用バスケットの中にウェハーを一枚一枚配列するこ
とが不要になり、洗浄工程が簡略化され自動化が容易に
なる。
の製造方法によれば、半導体材料から成るインゴットを
支持部材に接着し、このインゴットをスライスして複数
のウェハーを形成し、このウェハーを支持部材に接着し
た状態で洗浄して乾燥し、しかる後ウェハーを支持部材
から剥離することから、ウェハーの洗浄時間と乾燥時間
を短縮することができ、また、ウェハーを支持部材から
剥離する際に、清潔に作業することができ、スライスし
たウェハーを手で押し倒して支持部材から剥離すること
ができる。さらに、インゴットをスライスした後に、支
持部材をウェハーを接着したままで洗浄することから、
洗浄用バスケットの中にウェハーを一枚一枚配列するこ
とが不要になり、洗浄工程が簡略化され自動化が容易に
なる。
【図１】本発明に係る半導体基板の製造方法の工程を説
明するための図である。
明するための図である。
【図２】本発明のスライスしたウェハーを洗浄治具にセ
ットした状態を示す図である。
ットした状態を示す図である。
【図３】本発明のウェハーの洗浄ラインを示す図であ
る。
る。
【図４】本発明のウェハーを洗浄ラインのキャリアにセ
ットした状態を示す図である。
ットした状態を示す図である。
【図５】本発明のウェハーの水分除去工程を示す図であ
る。
る。
【図６】本発明のウェハーの乾燥工程を示す図である。
【図７】本発明のウェハーの剥離工程を示す図である。
【図８】従来の半導体基板の製造工程を模式的に示す図
である。
である。
【図９】従来の半導体基板の製造工程の概要を示す図で
ある。
ある。
１・・・インゴット、２・・・支持基板、４・・・ウェ
ハー。
ハー。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体材料から成るインゴットを支持部
材に接着し、このインゴットをスライスして複数のウェ
ハーを形成し、このウェハーを支持部材に接着した状態
で洗浄して乾燥し、しかる後前記ウェハーを支持部材か
ら剥離する半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4317441A JP2902880B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-11-26 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-138426 | 1992-05-29 | ||
| JP13842692 | 1992-05-29 | ||
| JP4317441A JP2902880B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-11-26 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645297A true JPH0645297A (ja) | 1994-02-18 |
| JP2902880B2 JP2902880B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=26471453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4317441A Expired - Lifetime JP2902880B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-11-26 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2902880B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100471936B1 (ko) * | 1996-06-04 | 2005-09-09 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 웨이퍼의세정·박리방법및장치 |
| JP2010051900A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Kyocera Corp | 洗浄装置、基板の製造方法、および太陽電池素子 |
| KR102519871B1 (ko) * | 2022-10-28 | 2023-04-11 | 손귀욱 | 반도체 웨이퍼 낱장 분리시스템 |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP4317441A patent/JP2902880B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100471936B1 (ko) * | 1996-06-04 | 2005-09-09 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 웨이퍼의세정·박리방법및장치 |
| DE19723078B4 (de) * | 1996-06-04 | 2007-02-15 | Mitsubishi Materials Silicon Corp. | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Wafern |
| JP2010051900A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Kyocera Corp | 洗浄装置、基板の製造方法、および太陽電池素子 |
| KR102519871B1 (ko) * | 2022-10-28 | 2023-04-11 | 손귀욱 | 반도체 웨이퍼 낱장 분리시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2902880B2 (ja) | 1999-06-07 |
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