JPH06201795A - 半導体装置テスト回路 - Google Patents

半導体装置テスト回路

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JPH06201795A
JPH06201795A JP4348106A JP34810692A JPH06201795A JP H06201795 A JPH06201795 A JP H06201795A JP 4348106 A JP4348106 A JP 4348106A JP 34810692 A JP34810692 A JP 34810692A JP H06201795 A JPH06201795 A JP H06201795A
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JP
Japan
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serial
semiconductor device
test
parallel conversion
conversion register
Prior art date
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Application number
JP4348106A
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English (en)
Inventor
Atsushi Doi
淳 土井
Akio Nakamura
彰男 中村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Priority to JP4348106A priority Critical patent/JPH06201795A/ja
Publication of JPH06201795A publication Critical patent/JPH06201795A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 少ない数のテスト端子で多くのテストモード
が設定できる半導体装置テスト回路を提供する。 【構成】 半導体装置内にシリアル・パラレル変換レジ
スタ14(mビット)を具備し、シリアル・パラレル変
換レジスタ14に接続された少なくとも2本の外部端子
でデータの書き込み、シフトを行い、さらにテストタイ
ミングを生成してシリアル・パラレル変換レジスタ14
の出力に接続されたデコーダ22により半導体装置のテ
ストモード設定をシリアル・パラレル変換レジスタ14
の大きさ分(2m)可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置のテスト
を容易にする半導体テスト回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置設計技術の進展による
半導体装置の大規模化とターン・アラウンド・タイム
(Turn Around Time)短縮に伴って、既存回路の利用
と、それに伴うテスト方法の複雑化およびテスト端子の
増加への対応が要求されるようになってきた。
【0003】以下に、従来の既存回路を利用した半導体
装置のテスト回路について、図4を参照して説明する。
【0004】図4は、従来の半導体装置のテスト回路の
構成を示す概念図である。図4において、1〜4は半導
体装置のI/Oブロックを示し、5はn本のテスト端子
を持つI/Oブロックを示す。また、6はデコーダ/制
御部で、テスト端子であるI/Oブロック5からn本の
入力がなされ、テストモードを決定する。7〜9は従来
個別に作られた既存回路のブロックであり、10〜12
はデコーダ/制御部6からブロック7〜9への制御・デ
ータをやり取りする信号線であり、13はデコーダ/制
御部6とI/Oブロック1〜4とをつなぐバスである。
【0005】以上のように構成された半導体装置のテス
ト回路について、以下その動作を説明する。ここでは、
内部ブロックが三つの場合を示し、各ブロック7〜9か
らI/Oブロック1〜4への直接接続される配線につい
ては図示を省略している。
【0006】まず、半導体装置内にn本のテスト信号が
I/Oブロック5を介してデコーダ/制御部6へ入力さ
れる。テスト信号はここでデコードされ、2n通りのテ
ストモードに設定される。デコーダ/制御部6からブロ
ック7〜9に対して制御し、データのやり取りをする信
号線10〜12が存在しており、設定されたテストモー
ドに応じて、いずれか一つがアクティブになり、デコー
ダ/制御部6からマルチプレックスされた信号がバス1
3としてI/Oブロック1〜4へつながり、外部端子か
ら入力・出力される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構成では、n本のテスト端子に対して、たかだか2n
りのテストモードでしかテストが行えない。そのため、
回路の大規模化に伴って外部端子の増加する場合にも、
テスト端子を多数設けなければならないといった問題が
あった。
【0008】この発明は、上記問題点を解決するもの
で、少ないテスト端子で多くのテストモードが設定でき
る半導体装置テスト回路を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この発明の半導体装置テスト回路は、半導体装置内
にシリアル・パラレル変換レジスタ(mビット)を具備
し、前記シリアル・パラレル変換レジスタに接続された
少なくとも2本以上の外部端子でデータの書き込み、シ
フトを行い、さらにテストタイミングを生成、制御して
前記シリアル・パラレル変換レジスタの出力に接続され
たデコーダにより半導体装置のテストモード設定を前記
シリアル・パラレル変換レジスタの大きさ分(2m)可
能としたものである。
【0010】
【作用】上記構成によれば、デコーダにより半導体装置
のテストモード設定をシリアル・パラレル変換レジスタ
の大きさ分可能とするため、少なくとも二つ以上のテス
ト用外部端子の増加のみによって半導体装置のテストを
容易にするテスト回路が実現できる。
【0011】
【実施例】以下、この発明の第1の実施例について、図
面を参照しながら説明する。
【0012】図1(a)はこの発明の第1の実施例にお
ける半導体装置テスト回路の構成を示すブロック図、図
1(b)はその動作タイミング図である。
【0013】図1(a)において、14はシリアル・パ
ラレル変換レジスタ、15はシリアル・パラレル変換レ
ジスタ14内部の1ビット分のレジスタでmビット分存
在し、16はタイミング生成回路、17はタイミング制
御信号、18は外部端子から入力されるデータ入力、1
9は外部端子から入力される書き込みクロック、20、
21はタイミング制御部、22はデコーダである。
【0014】この実施例において、シリアル・パラレル
変換レジスタ14の内部には、1ビット分のレジスタ1
5がmビット並び、データ入力18(外部端子)、書き
込みクロック19(外部端子)によって必要なデータが
書き込まれる。書き込みのタイミングは、データ入力1
8の値が確定しているとき、書き込みクロック19のエ
ッジ(この場合は立ち下がりの例を示す)で、LSBへ
の書き込みを行い、MSBへ向かってのシフトを行う。
この動作の繰り返しによって、シリアル・パラレル変換
レジスタ14の内部の全ビットへの書き込みを実施す
る。続いて、データ入力18、書き込みクロック19が
同時変化する時点(図1(b)では同時に低レベルにな
る時点)をタイミング生成回路16で捉え、タイミング
制御信号17をタイミング制御部20、21に対して発
信する。一回目の同時変化では、タイミング制御部20
が動作し、デコーダ22に対して少なくともm本以下の
信号を送る。二回目の同時変化で、タイミング制御部2
1が動作して、デコーダ22でデコードされたテストモ
ード設定の信号が少なくとも2m発生される。
【0015】以上のように本実施例によれば、半導体装
置内にシリアル・パラレル変換レジスタ14(mビッ
ト)を具備し、シリアル・パラレル変換レジスタ14に
接続された少なくとも2本の外部端子でデータの書き込
み、シフトを行い、さらにテストタイミングを生成し
て、シリアル・パラレル変換レジスタ14の出力に接続
されたデコーダにより半導体装置のテストモード設定を
シリアル・パラレル変換レジスタ14の大きさ分
(2m)可能としたことで、外部端子を少なくとも2本
増加するのみで、半導体装置のテストを容易にする半導
体装置テスト回路を実現することができる。
【0016】次に、この発明の第2の実施例の半導体テ
スト回路について、図2のブロック図を参照しながら説
明する。
【0017】図2において、23、24はタイミング端
子であり、その他の構成要素については図1の第1の実
施例の要素と対応するものに同じ符号を付した。
【0018】この実施例において、シリアル・パラレル
変換レジスタ14の内部には、1ビット分のレジスタ1
5がmビット並び、データ入力18(外部端子)、書き
込みクロック19(外部端子)によって必要なデータが
書き込まれる。書き込みのタイミングは、データ入力1
8の値が確定してる時、書き込みクロック19のエッジ
(この場合には立ち下がり)で、LSBへの書き込みを
行い、MSBへ向かってのシフトを行う。この動作の繰
り返しによって、シリアル・パラレル変換レジスタ14
の内部の全ビットへの書き込みを実施する。続いて、タ
イミング端子23、24(外部端子)からの入力によっ
て、タイミング制御部20、21に対して入力する。タ
イミング端子24からの入力では、タイミング制御部2
0が動作し、デコーダ22に対して少なくともm本以下
の信号を送る。タイミング端子23からの入力でタイミ
ング制御部21が動作して、デコーダ22でデコードさ
れたテストモード設定の信号が少なくとも2m発生され
る。
【0019】以上のようにこの実施例によれば、半導体
装置内にシリアル・パラレル変換レジスタ14(mビッ
ト)を具備し、シリアル・パラレル変換レジスタ14に
接続された少なくとも4本の外部端子でデータの書き込
み、シフトを行い、テストモードへの設定・移行タイミ
ングを外部端子から直接に制御することができ、シリア
ル・パラレル変換レジスタ14の出力に接続されたデコ
ーダ22により半導体装置のテストモード設定をシリア
ル・パラレル変換レジスタ14の大きさ分(2 m)可能
とすることができる。したがって、外部端子を少なくと
も4本増加することで、テストモードへの設定・移行の
タイミングをより容易にとることができ、半導体装置の
テストを容易にする。
【0020】以下、この発明の第3の実施例の半導体装
置テスト回路について、図3のブロック図を参照しなが
ら説明する。
【0021】この実施例は、既存設計の半導体装置テス
ト回路に対して追加すべき新設計側に第1および第2の
実施例のテスト回路を用いた場合の例である。スイッチ
端子27の切り替えで、既存設計側のテストと新設計側
のテストをセレクタ26を使用して区別して行う。この
とき、新設計側のテスト回路へのデータ入力、書き込み
クロックは既存設計側に用いられていたテスト端子25
を使用する。図3に示した例では3本のテスト端子を使
用しているが、少なくとも2本でも可能である。
【0022】以上のようにこの実施例によれば、既存設
計の半導体装置テスト回路と追加すべき新設計の半導体
装置内にシリアル・パラレル変換レジスタ14(mビッ
ト)を具備し、既存設計のテスト回路に使用されていた
テスト端子を接続された少なくとも2本の信号でデータ
の書き込み、シフトを行い、既存設計のテストと新設計
のテストの切り替え、およびテストモードへの設定・移
行タイミングをスイッチ端子27で制御でき シリアル
・パラレル変換レジスタ14の出力に接続されたデコー
ダ22により半導体装置のテストモード設定をシリアル
・パラレル変換レジスタ14の大きさ分(2m)可能と
したことにより、スイッチ端子27を少なくとも1本増
加することで、既存設計されていた半導体装置テスト回
路に対して、テストモードを豊富に持ちうる追加すべき
新設計側のテスト回路を容易に融合させた半導体装置テ
スト回路を実現できる。
【0023】
【発明の効果】この発明は、半導体装置内にシリアル・
パラレル変換レジスタ(mビット)を具備し、前記シリ
アル・パラレル変換レジスタに接続された少なくとも2
本以上の外部端子でデータの書き込み、シフトを行い、
さらにテストタイミングを生成して前記シリアル・パラ
レル変換レジスタの出力に接続されたデコーダにより半
導体装置のテストモード設定を前記シリアル・パラレル
変換レジスタの大きさ分(2m)可能とすることによ
り、外部端子を少なくとも2本以上増加するのみで半導
体装置のテストを容易にする半導体装置テスト回路を実
現できる。
【0024】また、既存設計の半導体装置内に作り込ま
れていたデコーダ/制御部とセレクタに対し、シリアル
・パラレル変換レジスタ(mビット)とデコーダを具備
し、前記デコーダ/制御部に入力されていた外部端子を
シリアル・パラレル変換レジスタにも接続し、少なくと
も1本のスイッチ端子(外部端子)で切り換えることに
より、既存設計の半導体装置のテストモードに新設計半
導体装置に必要なテストモードの追加を容易に実現でき
ることにより半導体装置のテストを容易にする半導体装
置テスト回路が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)はこの発明の第1の実施例における半導
体装置テスト回路のブロック図 (b)はその動作タイミング図
【図2】この発明の第2の実施例における半導体装置テ
スト回路のブロック図
【図3】この発明の第3の実施例における半導体装置テ
スト回路のブロック図
【図4】従来の半導体装置テスト回路のブロック図
【符号の説明】
1〜5 I/Oブロック 6 デコーダ/制御部 7〜9 ブロック 10〜12 信号線 13 バス 14 シリアル・パラレル変換レジスタ 15 1ビット分のレジスタ 16 タイミング生成回路 17 タイミング制御信号 18 データ入力 19 書き込みクロック 20、21 タイミング制御部 22 デコーダ 23、24 タイミング端子 25 テスト端子 26 セレクタ 27 スイッチ端子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体装置内にシリアル・パラレル変換レ
    ジスタ(mビット)を具備し、前記シリアル・パラレル
    変換レジスタに接続された少なくとも2本の外部端子で
    データの書き込み、シフトを行い、さらにテストタイミ
    ングを生成して前記シリアル・パラレル変換レジスタの
    出力に接続されたデコーダにより半導体装置のテストモ
    ード設定を前記シリアル・パラレル変換レジスタの大き
    さ分(2 m)可能とした半導体装置テスト回路。
  2. 【請求項2】半導体装置内にシリアル・パラレル変換レ
    ジスタ(mビット)を具備し、前記シリアル・パラレル
    変換レジスタに接続された2本の外部端子でデータの書
    き込み、シフトを行い、さらに前記2本の外部端子とは
    異なる2本の外部端子でテストタイミングを生成して、
    前記シリアル・パラレル変換レジスタの出力に接続され
    たデコーダにより半導体装置のテストモード設定を前記
    シリアル・パラレル変換レジスタの大きさ分(2m)可
    能とした半導体装置テスト回路。
  3. 【請求項3】既存設計の半導体装置内に作り込まれてい
    たデコーダ/制御部とセレクタに対して、シリアル・パ
    ラレル変換レジスタ(mビット)とデコーダを具備し、
    前記デコーダ/制御部に入力されていた外部端子を前記
    シリアル・パラレル変換レジスタにも接続し、少なくと
    も1本のスイッチ端子で前記シリアル・パラレル変換レ
    ジスタと前記セレクタを切り換えることにより、前記既
    存設計の半導体装置のテストモードに新設計半導体装置
    に必要なテストモードを追加した半導体装置テスト回
    路。
JP4348106A 1992-12-28 1992-12-28 半導体装置テスト回路 Pending JPH06201795A (ja)

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JP (1) JPH06201795A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6928596B2 (en) 2000-09-07 2005-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Test circuit of semiconductor integrated circuit
JP2007294816A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6928596B2 (en) 2000-09-07 2005-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Test circuit of semiconductor integrated circuit
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