JPH06162585A - 光磁気記録ディスク - Google Patents
光磁気記録ディスクInfo
- Publication number
- JPH06162585A JPH06162585A JP33542992A JP33542992A JPH06162585A JP H06162585 A JPH06162585 A JP H06162585A JP 33542992 A JP33542992 A JP 33542992A JP 33542992 A JP33542992 A JP 33542992A JP H06162585 A JPH06162585 A JP H06162585A
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- Japan
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- optical recording
- reverse sputtering
- recording disk
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリカ−ボネ−ト基板上に希土類−遷移金属
のアモルファスの記録磁性層を成膜して成る光磁気記録
ディスクに於いて、磁気光学特性を最適化し得る基板の
表面の微細な条件を具体的に与えること。 【構成】 案内溝とピットの形成されているポリカ−ボ
ネ−ト基板の表面に逆スパッタリング処理を施して、繰
り返し周期が５０ｎｍより小さな凹凸構造を形成した
後、該表面側に、スパッタリング処理により希土類−遷
移金属のアモルファスの記録磁性層を成膜して成る光磁
気記録ディスク。
のアモルファスの記録磁性層を成膜して成る光磁気記録
ディスクに於いて、磁気光学特性を最適化し得る基板の
表面の微細な条件を具体的に与えること。 【構成】 案内溝とピットの形成されているポリカ−ボ
ネ−ト基板の表面に逆スパッタリング処理を施して、繰
り返し周期が５０ｎｍより小さな凹凸構造を形成した
後、該表面側に、スパッタリング処理により希土類−遷
移金属のアモルファスの記録磁性層を成膜して成る光磁
気記録ディスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリカ−ボネ−ト基板
上に、希土類−遷移金属のアモルファスの記録磁性層を
成膜して成る光磁気記録ディスクに関する。
上に、希土類−遷移金属のアモルファスの記録磁性層を
成膜して成る光磁気記録ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス又は樹脂の基板上にＳｉＮ等の下
地層を成膜し、その上に、希土類−遷移金属（ＲＥ−Ｔ
Ｍ）のアモルファスの合金層を、記録磁性層として成膜
して成る、情報の記録・再生・消去可能な光磁気記録デ
ィスクが提供されている。
地層を成膜し、その上に、希土類−遷移金属（ＲＥ−Ｔ
Ｍ）のアモルファスの合金層を、記録磁性層として成膜
して成る、情報の記録・再生・消去可能な光磁気記録デ
ィスクが提供されている。
【０００３】特開平2-168452号公報には、樹脂基板の表
面に逆スパッタリング処理を施した後、該表面側に、例
えば、ＴｂＦｅＣｏの記録磁性層を形成することによ
り、基板と記録磁性層との密着性を改善する技術が開示
されている。特開平3-122846号公報には、基板の表面に
逆スパッタリング処理を施して水に対する接触角を10°
以下とした後、該表面側に、Ｐｔ／Ｃｏ等の交互積層膜
の記録磁性層を形成することにより、膜質を向上させ
て、磁気光学特性を改善する技術が開示されている。
面に逆スパッタリング処理を施した後、該表面側に、例
えば、ＴｂＦｅＣｏの記録磁性層を形成することによ
り、基板と記録磁性層との密着性を改善する技術が開示
されている。特開平3-122846号公報には、基板の表面に
逆スパッタリング処理を施して水に対する接触角を10°
以下とした後、該表面側に、Ｐｔ／Ｃｏ等の交互積層膜
の記録磁性層を形成することにより、膜質を向上させ
て、磁気光学特性を改善する技術が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光磁気記録ディスクに
用いられるポリカ−ボネ−ト基板は、射出成形による大
量生産が可能である等の種々の利点を有するが、ガラス
基板に比して磁気光学特性が劣るため、その改善が望ま
れている。前記特開平2-168452号公報、及び、前記特開
平3-122846号公報の開示は、上記改善方法を与えるもの
ではあるが、光磁気記録ディスクの磁気光学特性を最適
化し得るポリカ−ボネ−ト基板の表面の微細な条件につ
いての具体的な言及はない。本発明は、ポリカ−ボネ−
ト基板上に希土類−遷移金属のアモルファスの記録磁性
層を成膜して成る光磁気記録ディスクに於いて、磁気光
学特性を最適化し得る基板の表面の微細な条件を具体的
に与えることを目的とする。
用いられるポリカ−ボネ−ト基板は、射出成形による大
量生産が可能である等の種々の利点を有するが、ガラス
基板に比して磁気光学特性が劣るため、その改善が望ま
れている。前記特開平2-168452号公報、及び、前記特開
平3-122846号公報の開示は、上記改善方法を与えるもの
ではあるが、光磁気記録ディスクの磁気光学特性を最適
化し得るポリカ−ボネ−ト基板の表面の微細な条件につ
いての具体的な言及はない。本発明は、ポリカ−ボネ−
ト基板上に希土類−遷移金属のアモルファスの記録磁性
層を成膜して成る光磁気記録ディスクに於いて、磁気光
学特性を最適化し得る基板の表面の微細な条件を具体的
に与えることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、案内溝とピッ
トの形成されているポリカ−ボネ−ト基板の表面に逆ス
パッタリング処理を施して、繰り返し周期が５０ｎｍよ
り小さな凹凸構造を形成した後、該表面側に、スパッタ
リング処理により希土類−遷移金属のアモルファスの記
録磁性層を成膜して成る光磁気記録ディスクである。上
記に於いて、逆スパッタリング処理は、通常のスパッタ
リング処理と電極を逆にして基板側の負電位を大とし、
基板側を陽イオンで叩くものである。逆スパッタリング
処理の投入電力，雰囲気等の各種の条件は、上記の微細
な凹凸構造を形成し得るものであればよい。
トの形成されているポリカ−ボネ−ト基板の表面に逆ス
パッタリング処理を施して、繰り返し周期が５０ｎｍよ
り小さな凹凸構造を形成した後、該表面側に、スパッタ
リング処理により希土類−遷移金属のアモルファスの記
録磁性層を成膜して成る光磁気記録ディスクである。上
記に於いて、逆スパッタリング処理は、通常のスパッタ
リング処理と電極を逆にして基板側の負電位を大とし、
基板側を陽イオンで叩くものである。逆スパッタリング
処理の投入電力，雰囲気等の各種の条件は、上記の微細
な凹凸構造を形成し得るものであればよい。
【０００６】
【作用】ポリカ−ボネ−ト基板表面の微細な凹凸の繰り
返し周期が５０ｎｍより小さくなると、希土類−遷移金
属のアモルファスの記録磁性層と基板との密着性が大き
く改善される。また、ノイズ成分が大幅に減少して、Ｃ
／Ｎ比が向上する。
返し周期が５０ｎｍより小さくなると、希土類−遷移金
属のアモルファスの記録磁性層と基板との密着性が大き
く改善される。また、ノイズ成分が大幅に減少して、Ｃ
／Ｎ比が向上する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は逆
スパッタリング処理後の基板表面のＡＦＭ（原子間力顕
微鏡）による測定結果を示す写真、図２は逆スパッタリ
ング処理前の基板表面のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によ
る測定結果を示す写真、図３は実施例及び比較例の光磁
気記録ディスクの斜視図及び断面模式図、図４は実施例
及び比較例の光磁気記録ディスクのＣ／Ｎ及びＮを示す
特性図である。
スパッタリング処理後の基板表面のＡＦＭ（原子間力顕
微鏡）による測定結果を示す写真、図２は逆スパッタリ
ング処理前の基板表面のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によ
る測定結果を示す写真、図３は実施例及び比較例の光磁
気記録ディスクの斜視図及び断面模式図、図４は実施例
及び比較例の光磁気記録ディスクのＣ／Ｎ及びＮを示す
特性図である。
【０００８】まず、ポリカ−ボネ−ト樹脂の射出成形に
より、直径120mm 、厚さ1.2mm であり、且つ、一方の面
に案内溝とピットの形成されているディスク状基板5
を、下記の実施例１，実施例２，比較例用に、各々製造
した。
より、直径120mm 、厚さ1.2mm であり、且つ、一方の面
に案内溝とピットの形成されているディスク状基板5
を、下記の実施例１，実施例２，比較例用に、各々製造
した。
【０００９】実施例１ 上記ディスク基板5 の案内溝とピットの形成されている
面に、逆スパッタリング処理を20分間施して、該表面の
微細な凹凸構造の繰り返し周期を、20〜40nm程度にし
た。なお、上記の繰り返し周期（20〜40nm程度）は、Ａ
ＦＭ（原子間力顕微鏡）による測定で確認した（図１参
照）。次に、スパッタリングの極性を切り換えて、上記
ディスク基板5 の案内溝とピットの形成されている面
に、まず、ＳｉＮの保護層6 を厚さ800 Å程度に形成し
た後、その上に、Ｇｄ16Ｄｙ12Ｆｅ62Ｃｏ10のアモルフ
ァス垂直磁化膜7 を厚さ800 Åに形成し、さらに、Ｓｉ
Ｎの保護層8 を厚さ1000Å程度に形成した。また、上記
スパッタリングの終了後、ＳｉＮの保護層8 の上に、樹
脂のオ−バ−コ−ト層9 を厚さ20μm に塗布形成した。
面に、逆スパッタリング処理を20分間施して、該表面の
微細な凹凸構造の繰り返し周期を、20〜40nm程度にし
た。なお、上記の繰り返し周期（20〜40nm程度）は、Ａ
ＦＭ（原子間力顕微鏡）による測定で確認した（図１参
照）。次に、スパッタリングの極性を切り換えて、上記
ディスク基板5 の案内溝とピットの形成されている面
に、まず、ＳｉＮの保護層6 を厚さ800 Å程度に形成し
た後、その上に、Ｇｄ16Ｄｙ12Ｆｅ62Ｃｏ10のアモルフ
ァス垂直磁化膜7 を厚さ800 Åに形成し、さらに、Ｓｉ
Ｎの保護層8 を厚さ1000Å程度に形成した。また、上記
スパッタリングの終了後、ＳｉＮの保護層8 の上に、樹
脂のオ−バ−コ−ト層9 を厚さ20μm に塗布形成した。
【００１０】実施例２ 実施例２の光磁気記録ディスク1 は、上記実施例１の光
磁気記録ディスク1 と略同様である。異なる点は、案内
溝とピットの形成されている基板5 の表面に対する逆ス
パッタリング処理を40分間施した点である。なお、逆ス
パッタリング処理時の投入電力等の条件は、実施例１と
同じである。実施例２の逆スパッタリング処理後の基板
表面の微細な凹凸構造の繰り返し周期は、ＡＦＭ（原子
間力顕微鏡）の測定によると、20〜40nm程度であった。
磁気記録ディスク1 と略同様である。異なる点は、案内
溝とピットの形成されている基板5 の表面に対する逆ス
パッタリング処理を40分間施した点である。なお、逆ス
パッタリング処理時の投入電力等の条件は、実施例１と
同じである。実施例２の逆スパッタリング処理後の基板
表面の微細な凹凸構造の繰り返し周期は、ＡＦＭ（原子
間力顕微鏡）の測定によると、20〜40nm程度であった。
【００１１】比較例 比較例の光磁気記録ディスク1 は、逆スパッタリング処
理を施さない点を除いては、上記実施例１及び実施例２
の光磁気記録ディスク1 と同じである。比較例の案内溝
とピットの形成されている表面の微細な凹凸構造の繰り
返し周期は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）の測定による
と、図２に示すように、100 〜200nm 程度であった。
理を施さない点を除いては、上記実施例１及び実施例２
の光磁気記録ディスク1 と同じである。比較例の案内溝
とピットの形成されている表面の微細な凹凸構造の繰り
返し周期は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）の測定による
と、図２に示すように、100 〜200nm 程度であった。
【００１２】上記の如く作成した実施例１，実施例２，
比較例の各光磁気記録ディスク1 について、まず、Ｃ／
Ｎ（キャリヤ／ノイズ）、及び、Ｎ（ノイズ）を、各々
印加磁界を変えて測定した。測定結果を図４に示す。図
中、四角形のプロットが実施例２を、三角形のプロット
が実施例１を、また、丸のプロットが比較例を、各々示
す。なお、測定条件は、記録時のレ−ザパワ−を3.9mW
、再生時のレ−ザパワ−を0.7mW 、記録線速度を1.4m/
sec、キャリヤ周波数を720KHzとした。
比較例の各光磁気記録ディスク1 について、まず、Ｃ／
Ｎ（キャリヤ／ノイズ）、及び、Ｎ（ノイズ）を、各々
印加磁界を変えて測定した。測定結果を図４に示す。図
中、四角形のプロットが実施例２を、三角形のプロット
が実施例１を、また、丸のプロットが比較例を、各々示
す。なお、測定条件は、記録時のレ−ザパワ−を3.9mW
、再生時のレ−ザパワ−を0.7mW 、記録線速度を1.4m/
sec、キャリヤ周波数を720KHzとした。
【００１３】図４に示すように、ノイズは実施例２が最
も小さく、次いで、実施例１、比較例の順である。な
お、何れのディスクも、印加磁界が大きくなるにつれて
ノイズが小さくなっている。また、Ｃ／Ｎも実施例２が
最も良好であり、同様に、実施例１、比較例の順であ
る。例えば、印加磁界が200[Oe] の場合、実施例２のＣ
／Ｎは47dB、実施例１のＣ／Ｎは43dB、比較例のＣ／Ｎ
は41dBである。なお、何れのディスクも、印加磁界が大
きくなるにつれてＣ／Ｎも良好になっている。
も小さく、次いで、実施例１、比較例の順である。な
お、何れのディスクも、印加磁界が大きくなるにつれて
ノイズが小さくなっている。また、Ｃ／Ｎも実施例２が
最も良好であり、同様に、実施例１、比較例の順であ
る。例えば、印加磁界が200[Oe] の場合、実施例２のＣ
／Ｎは47dB、実施例１のＣ／Ｎは43dB、比較例のＣ／Ｎ
は41dBである。なお、何れのディスクも、印加磁界が大
きくなるにつれてＣ／Ｎも良好になっている。
【００１４】次に、実施例１，実施例２，比較例の各光
磁気記録ディスク1 について、温度80℃、湿度85％の環
境下での耐久試験を行って、希土類−遷移金属の記録磁
性層7 と基板5 とが剥離するまでの時間を測定した。そ
の結果、実施例１及び実施例２の各光磁気記録ディスク
1 では、1000時間で剥離が生じたのに対して、比較例の
光磁気記録ディスク1 では、300 時間で剥離が生じた。
即ち、実施例１及び実施例２は、耐久性の点でも比較例
より優れていた。
磁気記録ディスク1 について、温度80℃、湿度85％の環
境下での耐久試験を行って、希土類−遷移金属の記録磁
性層7 と基板5 とが剥離するまでの時間を測定した。そ
の結果、実施例１及び実施例２の各光磁気記録ディスク
1 では、1000時間で剥離が生じたのに対して、比較例の
光磁気記録ディスク1 では、300 時間で剥離が生じた。
即ち、実施例１及び実施例２は、耐久性の点でも比較例
より優れていた。
【００１５】また、上記環境下に1000時間放置した後、
各光磁気記録ディスク1 のエラ−レ−ト（ＢＬＥＲ）を
測定したところ、実施例１及び実施例２では、各々2 ×
10-2であったのに対して、比較例では、2 ×10-1であっ
た。即ち、実施例１及び実施例２は、耐久後のエラ−レ
−トの点でも比較例より優れていた。なお、測定条件
は、記録時のレ−ザパワ−を3.9mW 、再生時のレ−ザパ
ワ−を0.7mW 、記録線速度を1.4m/sec、印加磁界を200
[Oe] とし、また、記録信号としてＥＦＭ信号（コンパ
クトディスクのフォ−マット）を用い、エラ−レ−トと
してブロックエラ−レ−ト（コンパクトディスクのフォ
−マット）を用いた。
各光磁気記録ディスク1 のエラ−レ−ト（ＢＬＥＲ）を
測定したところ、実施例１及び実施例２では、各々2 ×
10-2であったのに対して、比較例では、2 ×10-1であっ
た。即ち、実施例１及び実施例２は、耐久後のエラ−レ
−トの点でも比較例より優れていた。なお、測定条件
は、記録時のレ−ザパワ−を3.9mW 、再生時のレ−ザパ
ワ−を0.7mW 、記録線速度を1.4m/sec、印加磁界を200
[Oe] とし、また、記録信号としてＥＦＭ信号（コンパ
クトディスクのフォ−マット）を用い、エラ−レ−トと
してブロックエラ−レ−ト（コンパクトディスクのフォ
−マット）を用いた。
【００１６】
【発明の効果】以上、本発明では、逆スパッタリングに
より、ポリカ−ボネ−ト基板表面の微細な凹凸の繰り返
し周期を５０ｎｍより小さくすることで、希土類−遷移
金属の記録磁性層と基板との密着性を大きく改善でき、
キャリヤ信号成分を低下させることなく、記録時のノイ
ズ成分を大幅に減少させ得る。このため、Ｃ／Ｎ比を向
上させることができる。
より、ポリカ−ボネ−ト基板表面の微細な凹凸の繰り返
し周期を５０ｎｍより小さくすることで、希土類−遷移
金属の記録磁性層と基板との密着性を大きく改善でき、
キャリヤ信号成分を低下させることなく、記録時のノイ
ズ成分を大幅に減少させ得る。このため、Ｃ／Ｎ比を向
上させることができる。
【図１】逆スパッタリング処理後のポリカ−ボネ−ト基
板表面のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による測定結果を示
す写真である。
板表面のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による測定結果を示
す写真である。
【図２】逆スパッタリング処理を施さないポリカ−ボネ
−ト基板表面のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による測定結
果を示す写真である。
−ト基板表面のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による測定結
果を示す写真である。
【図３】実施例１，実施例２，及び比較例の光磁気記録
ディスクの外観を示す概略斜視図と、その一部の断面を
示す模式図である。
ディスクの外観を示す概略斜視図と、その一部の断面を
示す模式図である。
【図４】実施例１，実施例２，及び比較例の光磁気記録
ディスクのＣ／Ｎ（キャリヤ／ノイズ）と、Ｎ（ノイ
ズ）を、印加磁界を横軸として示す特性図である。
ディスクのＣ／Ｎ（キャリヤ／ノイズ）と、Ｎ（ノイ
ズ）を、印加磁界を横軸として示す特性図である。
１ 光磁気記録ディスク ５ 基板 ７ Ｇｄ16Ｄｙ12Ｆｅ62Ｃｏ10のアモルファス垂直磁化
膜
膜
Claims (1)
- 【請求項１】 案内溝とピットの形成されているポリカ
−ボネ−ト基板の表面に逆スパッタリング処理を施し
て、繰り返し周期が５０ｎｍより小さな凹凸構造を形成
した後、該表面側に、スパッタリング処理により希土類
−遷移金属のアモルファスの記録磁性層を成膜して成る
光磁気記録ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33542992A JPH06162585A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 光磁気記録ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33542992A JPH06162585A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 光磁気記録ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06162585A true JPH06162585A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18288465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33542992A Pending JPH06162585A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 光磁気記録ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06162585A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005062301A1 (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法、光磁気記録媒体用基板、並びに、母型スタンパおよびその製造方法 |
| KR100745948B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2007-08-02 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 광자기 기록 매체 및 그 제조 방법, 광자기 기록 매체용기판, 및 모형 스탬퍼 및 그 제조 방법 |
| US7604878B2 (en) | 2004-09-06 | 2009-10-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and layer structure |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP33542992A patent/JPH06162585A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005062301A1 (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法、光磁気記録媒体用基板、並びに、母型スタンパおよびその製造方法 |
| US7604878B2 (en) | 2004-09-06 | 2009-10-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and layer structure |
| KR100745948B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2007-08-02 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 광자기 기록 매체 및 그 제조 방법, 광자기 기록 매체용기판, 및 모형 스탬퍼 및 그 제조 방법 |
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