JPH06157753A - 部分イミド化ポリアミド酸組成物 - Google Patents

部分イミド化ポリアミド酸組成物

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JPH06157753A
JPH06157753A JP30835992A JP30835992A JPH06157753A JP H06157753 A JPH06157753 A JP H06157753A JP 30835992 A JP30835992 A JP 30835992A JP 30835992 A JP30835992 A JP 30835992A JP H06157753 A JPH06157753 A JP H06157753A
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JP
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polyamic acid
dianhydride
mol
bis
acid composition
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JP30835992A
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English (en)
Inventor
Nobuyuki Sashita
暢幸 指田
Takashi Hirano
孝 平野
Naoji Takeda
直滋 竹田
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication date
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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 イミド化率X%(0≦X≦50)の部分イミ
ド化ポリアミド酸(χ)をα重量%(1≦α≦99)と
イミド化率がY%(0<Y≦50)の部分イミド化ポリ
アミド酸(У)をβ重量%(1≦β≦99、α+β=1
00)を混合してなる部分イミド化ポリアミド酸組成
物。 【効果】 異なるイミド化率の部分イミド化ポリアミド
酸を混合することにより、任意のイミド化率を極めて容
易に合成することができ、これにより常に一定のエッチ
ング速度を有するポリアミド酸組成物の提供が可能であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子、多層配線基
板、マイクロエレクトロニクス素子等に用いられるポリ
アミド酸組成物で、ポジレジストを利用したポリイミド
パターン加工時の現像工程の制御をイミド化率を制御す
ることにより、極めて容易に行うことができる部分イミ
ド化ポリアミド酸組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体チップの微細化、大型化につれ、
信頼性確保のためポリイミド樹脂コートは必須の技術と
なっている。このポリイミドを用いたパターン加工(ポ
ジ型レジストを用いた場合)は、ポリアミド酸組成物の
塗布・乾燥、ポジ型レジストの塗布、マスクを通しての
露光によるパターンの焼付け、アルカリ水溶液によるポ
リアミド酸とポジ型レジストの現像除去、有機溶剤によ
るレジストの剥離、最終硬化からなる。ポリアミド酸の
アルカリ水溶液に対する溶解速度を制御することを目的
として、部分イミド化ポリアミド酸を用いることは知ら
れている(特願平3−308951号)。しかし、該特
許では、反応温度と時間により合成するイミド化率を制
御している為、反応ロット毎にイミド化率がバラツキ、
この為アルカリ水溶液に対する溶解性もバラツくという
問題があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明はイミド化率の
異なる2種類の部分イミド化ポリアミド酸を混合するこ
とにより、常にアルカリ水溶液に対して一定の溶解性を
与える部分イミド化ポリアミド酸組成物を容易に提供す
ることにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、イミド化率X
%(0≦X≦50)の部分イミド化ポリアミド酸(χ)
をα重量%(1≦α≦99)とイミド化率がY%(0<
Y≦50)の部分イミド化ポリアミド酸(У)をβ重量
%(1≦β≦99、α+β=100)を混合してなる部
分イミド化ポリアミド酸組成物で、特に部分イミド化ポ
リアミド酸(χ)及び部分イミド化ポリアミド酸(У)
は1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサンaモル%(1≦a≦30)、4,4’−オキ
シジアニリンbモル%(70≦b≦104)、ピロメリ
ット酸二無水物cモル%(0≦c≦105)及び3,
3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物dモル%(0≦d≦105)[ただし、90≦(a
+b)≦105、90≦(c+d)≦105、0.95
≦(c+d)/(a+b)≦1.05]からなるもので
ある。
【0005】
【作用】本発明に使用するイミド化率ポリアミド酸
(χ)及び(У)は、通常テトラカルボン二無水物、又
はその誘導体とジアミン又はその誘導体から重付加反応
もしくは重縮合反応並びに脱水反応によって合成され
る。テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロ
メリット酸二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テト
ラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,
3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、ナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二
無水物、ナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン
酸二無水物、ナフタレン−1,2,4,5−テトラカル
ボン酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラ
カルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,6,7−テ
トラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,
3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−1,2,
5,6−テトラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル
−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−
2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、2,6−
ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン
酸二無水物、2,7−ジクロロナフタレン−1,4,
5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−
テトラクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカル
ボン酸二無水物、1,4,5,8−テトラクロロナフタ
レン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、、
2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)−プロ
パン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)−プロパン二無水物、ビス(2,3−ジカルボ
キシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(2,3−
ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,
3−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、
1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン
二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)エタン二無水物、ペリレン−2,3,8,9−テト
ラカルボン酸二無水物、ペリレン−3,4,9,10−
テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−4,5,10,
11−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−5,6,
11,12−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレ
ン−1,2,7,8−テトラカルボン酸二無水物、フェ
ナンスレン−1,2,6,7−テトラカルボン酸二無水
物、フェナンスレン−1,2,9,10−テトラカルボ
ン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テト
ラカルボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5,6−テ
トラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3,4,5
−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2,3,
4,5−テトラカルボン酸二無水物等が挙げられるが、
これらに限定されるものではない。また、使用にあたっ
ては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。
【0006】中でも硬化膜の耐熱性や密着性を向上させ
るためには、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,
4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を使用
することが好ましい。又、ピロメリット酸二無水物:c
モル%、0≦c≦105で3,3’,4,4’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物:dモル%、0≦d
≦105で、かつ90≦(c+d)≦105の2種混合
系が密着性及びその他の特性を良好にするので好まし
い。
【0007】本発明に用いるジアミン類としては、1、
3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキ
サン、m−フェニレン−ジアミン、1−イソプロピル−
2,4−フェニレン−ジアミン、4,4’−ジアミノ−
ジフェニルプロパン、3,3’−ジアミノ−ジフェニル
プロパン、4,4’−ジアミノ−ジフェニルエタン、
3,3’−ジアミノ−ジフェニルエタン、4,4’−ジ
アミノ−ジフェニルメタン、3,3’−ジアミノ−ジフ
ェニルメタン、4,4’−ジアミノ−ジフェニルスルフ
ィド、3,3’−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、
4,4’−ジアミノ−ジフェニルスルホン、3,3’−
ジアミノ−ジフェニルスルホン、4,4’−オキシジア
ニリン、3,3’−オキシジアニリン、ベンジジン、
3,3’−ジアミノ−ビフェニル、3,3’−ジメチル
−4,4’−ジアミノ−ビフェニル、3,3’−ジメト
キシ−ベンジジン、4,4’−ジアミノ−p−テルフェ
ニル、3,3’−ジアミノ−p−テルフェニル、ビス
(p−アミノ−シクロヘキシル)メタン、ビス(p−β
−アミノ−t−ブチルフェニル)エーテル、ビス(p−
β−メチル−δ−アミノペンチル)ベンゼン、p−ビス
(2−メチル−4−アミノ−ペンチル)ベンゼン、p−
ビス(1,1−ジメチル−5−アミノ−ペンチル)ベン
ゼン、1,5−ジアミノ−ナフタレン、2,6−ジアミ
ノ−ナフタレン、2,4−ビス(β−アミノ−t−ブチ
ル)トルエン、2,4−ジアミノ−トルエン、2,6−
ジアミノ−ピリジン、2,5−ジアミノ−ピリジン、
2,5−ジアミノ−1,3,4−オキサジアゾール、
1,4−ジアミノ−シクロヘキサン、ピペラジン、メチ
レン−ジアミン、エチレン−ジアミン、プロピレン−ジ
アミン、2,2−ジメチル−プロピレン−ジアミン、テ
トラメチレン−ジアミン、ペンタメチレン−ジアミン、
ヘキサメチレン−ジアミン、2,5−ジメチル−ヘキサ
メチレン−ジアミン、3−メトキシ−ヘキサメチレン−
ジアミン、ヘプタメチレン−ジアミン、2,5−ジメチ
ル−ヘプタメチレン−ジアミン、3−メチル−ヘプタメ
チレン−ジアミン、4,4−ジメチル−ヘプタメチレン
−ジアミン、オクタメチレン−ジアミン、ノナメチレン
−ジアミン、5−メチル−ノナメチレン−ジアミン、
2,5−ジメチル−ノナメチレン−ジアミン、デカメチ
レン−ジアミン、1、10−ジアミノ−1,10−ジメ
チル−デカン、2,11−ジアミノ−ドデカン、2,1
2−ジアミノ−オクタデカン、2,17−ジアミノ−ア
イコサン、ジアミノシロキサン、2,6−ジアミノ−4
−カルボキシリックベンゼン、3,3’−ジアミノ−
4,4’−ジカルボキシリックベンジジン等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。また使用にあ
たっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわな
い。
【0008】中でも硬化膜の密着性を向上させるために
は、ジアミンとして1、3−ビス(3−アミノプロピ
ル)テトラメチルジシロキサン及び4,4’−オキシジ
アニリンを使用することが好ましい。1、3−ビス(3
−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンの量aモ
ル%は、1≦a≦30である。より好ましくは3〜10
モル%が適当である。30モル%を越えると重合度の著
しい低下が起き、硬化物特性が低下するので好ましくな
い。また1モル%未満では充分な密着性が得られないの
で好ましくない。本発明で使用する4,4’−オキシジ
アニリンは、硬化フィルムの強度、伸び等を向上させ、
結果的に密着性を向上させるものである。4,4’−オ
キシジアニリンの量bモル%は、70≦b≦104であ
る。70モル%未満もしくは104モル%を越えると分
子量が低下し、密着力が低下するので好ましくない。本
発明におけるジアミンとテトラカルボン酸二無水物との
反応は、できる限り等モルで行うことが好ましく、重合
度も大きくなる。いずれか一方が5モル%を越えると、
重合度が著しく低下し、皮膜形成性の悪い低分子量物に
なるので好ましくない。通常、酸成分を1〜3モル%多
く用いることが皮膜特性を良くする上で好ましい。中で
も1、3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサン:aモル%、4,4’−オキシジアニリン:
bモル%、ピロメリット酸二無水物:cモル%、3,
3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物:dモル%の場合、0.95≦(a+b)/(c+
d)≦1.05である。0.95未満、1.05を越え
ると、硬化膜特性が低下するので好ましくない。
【0009】本発明における反応系の溶剤は、その官能
基がテトラカルボン酸二無水物またはジアミンと反応し
ない、ダイポールモーメントを有する有機極性溶媒であ
る。系に対して不活性であり、生成物に対しては溶媒で
あること以外に、この有機極性溶媒は反応成分の少なく
とも一方の成分、好ましくは両者に対して溶媒でなけれ
ばならない。この種の溶媒として代表的なものは、N、
N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトア
ミド、N、N−ジエチルホルムアミド、N、N−ジエチ
ルアセトアミド、N、N−ジメチルメトキシアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホアミ
ド、N−メチル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチル
スルホン、テトラメチルスルホン、ジメチルテトラメチ
レンスルホン等があり、これらの溶媒は単独又は混合し
て使用される。この他にも溶媒として組合わせて用いる
ものとして、ベンゼン、ベンゾニトリル、ジオキサン、
ブチロラクトン、キシレン、トルエン、シクロヘキサノ
ン等の非溶媒が、原料の分散媒、反応調節剤、あるいは
生成物からの溶媒の揮散調節剤、皮膜平滑剤等として使
用される。
【0010】反応は、一般に無水の条件下で行うことが
好ましい。これはテトラカルボン酸二無水物が水より開
環し、不活性化し、反応を停止させる恐れがあるためで
ある。このため、仕込原料中の水分も溶媒中の水分も除
去する必要がある。また、反応は不活性ガス雰囲気中で
行うことが好ましい。これはジアミンの酸化を防止する
ためである。不活性ガスとしては、一般に乾燥窒素ガス
が使用される。本発明における部分イミド化は加熱反応
により行うことが好ましい。加熱処理温度は50〜12
0℃が好ましく、より好ましくは70〜90℃が適当で
ある。50℃以下ではイミド化の進行が非常に遅く好ま
しくない。また120℃以上では閉環より加水分解が優
先して起こり、分子量が著しく低下するので好ましくな
い。またイミド化熱反応時間は、1〜24時間が好まし
い。より好ましくは2〜5時間が良い。反応時間が1時
間以下であると、条件の制御が難しく再現性が得られ難
い。24時間以上であると生産性が低下し、好ましくな
い。なお、部分イミド化の方法としては、熱イミド化以
外に酸無水物や塩基性触媒を用い、化学イミド化もあ
る。しかし、この方法ではワニス中に上記の化学試薬が
残存し、各種特性を低下させるので好ましくない。部分
イミド化したポリアミド酸のイミド化率は0〜50%が
好ましい。50%を越えると結晶化、ゲル化が生じるの
で好ましくない。
【0011】混合して得られる部分イミド化ポリアミド
酸組成物のイミド化率は10〜30%が好ましいが、特
に限定するものではない。イミド化率が10%以下で
は、ポジレジストプロセスにおいて現像可能時間が10
〜20秒程度と加工幅が狭くなる。また保存中の粘度変
化が非常に大きくなり好ましくない。イミド化率30%
以上ではアルカリ水溶液への溶解性が低く、現像できる
条件範囲が非常に狭くなる。
【0012】なおイミド化率の測定方法は種々知られて
いる。核磁気共鳴分光法(NMR法)、フーリエ変換赤
外分光法(FT−IR法)、直接イミド閉環に伴う水分
を定量する方法、カルボン酸の中和滴定値から間接的に
計算する方法がある。本発明においては、2種類の異な
る部分イミド化ポリアミド酸の混合物に、更に異なる部
分イミド化ポリアミド酸を混合し、3種類以上の混合物
とし各種特性を更に調整することはなんら問題ない。
【0013】本発明の方法により製造された部分イミド
化ポリアミド酸組成物は、使用にあたって各種のシラン
カップリング剤、ボランカップリング剤、チタネート系
カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤やその
他キレート系の接着剤、密着性向上剤や各種溶剤、フロ
ーエージェントを加えてもよく、またこれらに加えて通
常の酸硬化剤、アミン硬化剤、ポリアミド硬化剤及びイ
ミダゾール、3級アミン等の硬化促進剤の少量を加えて
もよく、またゴムやポリサルファイド、ポリエステル、
低分子エポキシ等の可撓性賦与剤及び粘度調節剤、タル
ク、クレー、マイカ、長石粉末、石英粉末、酸化マグネ
シウム等の充填剤、カーボンブラック、フタロシアニン
ブルー等の着色剤、テトラブロモフェニルメタン、トリ
ブチルフォスフェート等の難燃剤、三酸化アンチモン、
メタ硼酸バリウム等の難燃助剤の少量を加えてもよく、
これらを添加することにより多くの用途が開かれる。
【0014】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 実施例1 1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシ
ロキサン0.03モル、4,4’−オキシジアニリン
0.97モルをN−メチル−2−ピロリドン3310g
に撹拌しつつ溶かした。3,3’,4,4’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物0.20モル、ピロメ
リット酸二無水物0.80モルを加えた後80℃で3時
間反応させた。得られたポリアミド酸(h)のイミド化
率をFT−IR法から求めると20%であった。1,3
−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサ
ン0.03モル、4,4’−オキシジアニリン0.97
モルをN−メチル−2−ピロリドン3310gに撹拌し
つつ溶かした。3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物0.20モル、ピロメリット酸
二無水物0.80モルを加えた後80℃で5時間反応さ
せた。得られたポリアミド酸(i)のイミド化率をFT
−IR法から求めると28%であった。上記の2種類の
部分イミド化ポリアミド酸を50重量%ずつ添加し撹拌
混合した。得られたポリアミド酸組成物のイミド化率を
FT−IR法から求めると24%であった。このポリア
ミド酸組成物の粘度が2.0pa・sになるようにN−
メチル−2−ピロリドンで希釈後、シリコンウェハ上に
スピンコーターで塗布し、130℃のホットプレート上
で2分熱処理した。さらに東京応化工業製ポジ型フォト
レジストOFPR−800を塗布し、110℃のホット
プレート上で1分熱処理した。フォトマスクパターン上
から縮小投影露光装置(g線ステッパー)を用い、25
0mJ/cm2で露光した。次いで東京応化工業製現像
液NMD−3でパドル現像30秒を2回行い、ポリアミ
ド酸とレジストを現像除去した。純水でリンスした後、
100℃のホットプレート上で1分間乾燥した。この結
果60〜120秒の広い現像時間範囲で適正に現像でき
た。
【0015】実施例2 実施例1記載の部分イミド化ポリアミド酸の混合比率を
ポリアミド酸(h)75重量%、部分イミド化ポリアミ
ド酸(i)25重量%に変え、ポリアミド酸組成物を得
た。得られたポリアミド酸組成物のイミド化率をFT−
IR法から求めると22%であった。実施例1と同様な
加工を行い、55〜80秒の現像時間範囲で適正に現像
できた。
【0016】実施例3 1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシ
ロキサン0.03モル、4,4’−オキシジアニリン
0.97モルをN−メチル−2−ピロリドン3310
g、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物0.80モル、ピロメリット酸二無水物
0.20モルを用い実施例1と同様に80℃、3時間反
応させてポリアミド酸(j)を得た。イミド化率をFT
−IR法から求めると22%であった。実施例1のポリ
アミド酸(h)と50重量%ずつ混合し、ポリアミド酸
組成物を得た。得られたポリアミド酸組成物のイミド化
率をFT−IR法から求めると21%であった。実施例
1と同様な加工を行い、50〜100秒の広い現像時間
範囲で適正に現像できた。
【0017】実施例4 1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシ
ロキサン0.10モル、4,4’−オキシジアニリン
0.90モル、N−メチル−2−ピロリドン3310
g、ピロメリット酸二無水物1.03モルを用い、実施
例1と同様に80℃で3時間反応させてポリアミド酸
(k)を得た。イミド化率をFT−IR法から求めると
16%であった。実施例1のポリアミド酸(i)と50
重量%ずつ混合しポリアミド酸組成物を得た。イミド化
率をFT−IR法から求めると22%であった。実施例
1と同様な加工を行い、40〜80秒の広い現像時間範
囲で適正に現像できた。
【0018】実施例5 30℃で3時間反応させる以外は実施例1のポリアミド
酸(h)の合成と同様にしてポリアミド酸(l)を得
た。得られたポリアミド酸組成物のイミド化率をFT−
IR法から求めると0%であった。実施例1のポリアミ
ド酸(i)を75重量%、ポリアミド酸(l)を25重
量%ずつ混合し、ポリアミド酸組成物を得た。得られた
ポリアミド酸組成物のイミド化率をFT−IR法から求
めると21%であった。実施例1と同様な加工を行い、
40〜90秒の現像時間範囲で適正に現像できた。
【0019】実施例6 100℃で5時間反応させる以外は実施例1のポリアミ
ド酸(h)の合成と同様にしてポリアミド酸(m)を得
た。得られたポリアミド酸組成物のイミド化率をFT−
IR法から求めると42%であった。実施例1のポリア
ミド酸(h)を90重量%、ポリアミド酸(m)を10
重量%ずつ混合し、ポリアミド酸組成物を得た。得られ
たポリアミド酸組成物のイミド化率をFT−IR法から
求めると22%であった。実施例1と同様な加工を行
い、40〜100秒の広い現像時間範囲で適正に現像し
た。
【0020】実施例7 実施例1の4,4’−オキシジアニリンをパラフェニレ
ンジアミン0.97モルに、3,3’,4,4’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びピロメリット
酸二無水物を3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物1.03モルに変え、80℃で3時間
反応させた。得られたポリアミド酸(m)のイミド化率
をFT−IR法から求めると16%であった。上記の反
応条件を80℃、5時間に変更し反応させて、得られた
ポリアミド酸(o)のイミド化率をFT−IR法から求
めると26%であった。上記の2種類の部分イミド化ポ
リアミド酸を50重量%ずつ添加し撹拌混合した。得ら
れたポリアミド酸組成物のイミド化率をFT−IR法か
ら求めると21%であった。実施例1と同様な加工を行
い、適正に現像できる現像時間は60〜90秒であっ
た。
【0021】比較例1 実施例1記載の反応条件を150℃で2時間反応させる
以外は実施例1のポリアミド酸の反応(h)と同様にし
てポリアミド酸を得た。得られたポリアミド酸(p)の
イミド化率をFT−IR法から求めると58%であっ
た。このポリアミド酸(p)は溶液がけん濁していた。
このポリアミド酸(p)50重量%とポリアミド酸
(h)50重量%を混合し、ポリアミド酸組成物を得よ
うとしたが、均一な溶液が得られなかった。
【0022】比較例2 実施例3記載の反応条件を25℃、3時間に変更させる
以外は実施例3と同様にしてポリアミド酸(q)を得
た。得られたポリアミド酸のイミド化率をFT−IR法
から求めると0%であった。得られたポリアミド酸
(q)50重量%と実施例5のポリアミド酸(l)50
重量%を混合し、ポリアミド酸組成物を得た。得られた
ポリアミド酸組成物のイミド化率をFT−IRから求め
ると0%であった。実施例1と同様な加工を行い、現像
時間16〜18秒でのみしか適正に現像できず、範囲が
狭いことが判った。
【0023】
【発明の効果】ポリイミド皮膜に回路を形成するのにポ
ジ型レジストを用いて、回路パターンを転写後同時にア
ルカリ水溶液でポリイミド皮膜をエッチングする方法
は、半導体産業等を中心に多く使用されてきた。しか
し、ポリイミド皮膜のアルカリ水溶液に対するエッチン
グ速度が均一でなく問題になっていた。この為、本発明
者らは部分イミド化することで、エッチング速度を制御
することを見いだしたが、加熱反応により、イミド化を
行う為、同一のイミド化率のポリアミド酸組成物を作る
ことが難しいという問題があった。本発明者らは、更に
異なるイミド化率の部分イミド化ポリアミド酸を混合す
ることにより、任意のイミド化率を極めて容易に合成す
ることができることを見いだしたものであり、これによ
り常に一定のエッチング速度を有するポリアミド酸組成
物を提供することが可能となった。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イミド化率X%(0≦X≦50)の部分
    イミド化ポリアミド酸(χ)をα重量%(1≦α≦9
    9)とイミド化率がY%(0<Y≦50)の部分イミド
    化ポリアミド酸(У)をβ重量%(1≦β≦99、α+
    β=100)を混合してなることを特徴とする部分イミ
    ド化ポリアミド酸組成物。
  2. 【請求項2】 部分イミド化ポリアミド酸(χ)及び部
    分イミド化ポリアミド酸(У)が1,3−ビス(3−ア
    ミノプロピル)テトラメチルジシロキサンaモル%(1
    ≦a≦30)、4,4’−オキシジアニリンbモル%
    (70≦b≦104)、ピロメリット酸二無水物cモル
    %(0≦c≦105)及び3,3’,4,4’−ベンゾ
    フェノンテトラカルボン酸二無水物dモル%(0≦d≦
    105)[ただし、90≦(a+b)≦105、90≦
    (c+d)≦105、0.95≦(c+d)/(a+
    b)≦1.05]からなることを特徴とする請求項1記
    載の部分イミド化ポリアミド酸組成物。
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