JPH06151183A - セラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品Info
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- JPH06151183A JPH06151183A JP4294959A JP29495992A JPH06151183A JP H06151183 A JPH06151183 A JP H06151183A JP 4294959 A JP4294959 A JP 4294959A JP 29495992 A JP29495992 A JP 29495992A JP H06151183 A JPH06151183 A JP H06151183A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、はんだ付け性に優れ、しかも接着
強度の良好な外部電極を有するセラミック電子部品を提
供する 【構成】 本発明は、セラミック素体１と、このセラミ
ック素体１の上の外部電極４とを有するセラミック電子
部品において、前記外部電極４は、セラミック素体２の
上に形成した金属，ガラスを主成分とする第一層５と、
この第一層５の上に形成した表面に銀と銅の合金層を有
する金属粉末を主成分とする第二層６とから構成したも
のである。この構成により、外部電極４ははんだ付け性
に優れ、しかもセラミック素体２との接着強度も良好と
なる。
強度の良好な外部電極を有するセラミック電子部品を提
供する 【構成】 本発明は、セラミック素体１と、このセラミ
ック素体１の上の外部電極４とを有するセラミック電子
部品において、前記外部電極４は、セラミック素体２の
上に形成した金属，ガラスを主成分とする第一層５と、
この第一層５の上に形成した表面に銀と銅の合金層を有
する金属粉末を主成分とする第二層６とから構成したも
のである。この構成により、外部電極４ははんだ付け性
に優れ、しかもセラミック素体２との接着強度も良好と
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層チップインダク
タ，積層チップコンデンサ等の各種セラミック電子部品
に関し、より詳しくはその外部電極の構造に関する。
タ，積層チップコンデンサ等の各種セラミック電子部品
に関し、より詳しくはその外部電極の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のセラミック電子部品の外部電極
は、その多くが銀又は銀パラジウム合金粉末にガラスフ
リットを混合し、ペースト化して焼き付けたものであ
り、必ずしもはんだ付け性に優れているとは言えず、そ
のため近年の小型化に伴って多用されてきたチップ型の
電子部品の場合は、殆どがその焼付け電極の上に、ニッ
ケル及び錫等のめっきを行っていた。
は、その多くが銀又は銀パラジウム合金粉末にガラスフ
リットを混合し、ペースト化して焼き付けたものであ
り、必ずしもはんだ付け性に優れているとは言えず、そ
のため近年の小型化に伴って多用されてきたチップ型の
電子部品の場合は、殆どがその焼付け電極の上に、ニッ
ケル及び錫等のめっきを行っていた。
【０００３】しかし、かかるセラミック電子部品の場
合、電気めっきを施した際にセラミック素体中にめっき
液が浸入し、内部に残存することから時に電子部品の特
性劣化を生じさせるという問題があった。
合、電気めっきを施した際にセラミック素体中にめっき
液が浸入し、内部に残存することから時に電子部品の特
性劣化を生じさせるという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このため、最近接着型
の導電ペーストを外部電極として使用するという内容の
提案がされるようになってきたが、このような導電ペー
ストを用いた場合、セラミック素体との接着性が不十分
であり、また内部電極のある積層形セラミック電子部品
の場合には内部電極と外部電極との接触性も良好でな
く、実用上問題がある。
の導電ペーストを外部電極として使用するという内容の
提案がされるようになってきたが、このような導電ペー
ストを用いた場合、セラミック素体との接着性が不十分
であり、また内部電極のある積層形セラミック電子部品
の場合には内部電極と外部電極との接触性も良好でな
く、実用上問題がある。
【０００５】そこで本発明は、はんだ付け性に優れ、し
かも接着強度の良好な外部電極を有するセラミック電子
部品を提供することを目的とする。
かも接着強度の良好な外部電極を有するセラミック電子
部品を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の発明は、セラミック素体と、このセラ
ミック素体の上の外部電極とを有するセラミック電子部
品において、前記外部電極は、セラミック素体の上に形
成した金属，ガラスを主成分とする第一層と、この第一
層の上に形成した表面に銀と銅の合金層を有する金属粉
末を主成分とする第二層とから構成したものである。
に請求項１記載の発明は、セラミック素体と、このセラ
ミック素体の上の外部電極とを有するセラミック電子部
品において、前記外部電極は、セラミック素体の上に形
成した金属，ガラスを主成分とする第一層と、この第一
層の上に形成した表面に銀と銅の合金層を有する金属粉
末を主成分とする第二層とから構成したものである。
【０００７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記第一層を銀，銀パラジウム合金，銅，
ニッケルから選ばれるものとした。
明において、前記第一層を銀，銀パラジウム合金，銅，
ニッケルから選ばれるものとした。
【０００８】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記第一層は、金属とガラスを主成分とす
る層と、この層の上に形成した金属を主成分としガラス
を含有しない層との二層構造としたものである。
明において、前記第一層は、金属とガラスを主成分とす
る層と、この層の上に形成した金属を主成分としガラス
を含有しない層との二層構造としたものである。
【０００９】請求項４記載の発明は、請求項１乃至３記
載の発明において、前記第二層は、表面に銀と銅の合金
層を有する金属粉末を主成分とする層と、この層の上に
形成したはんだまたは錫から成る層との二層構造とした
ものである。
載の発明において、前記第二層は、表面に銀と銅の合金
層を有する金属粉末を主成分とする層と、この層の上に
形成したはんだまたは錫から成る層との二層構造とした
ものである。
【００１０】
【作用】請求項１記載のセラミック電子部品によれば、
セラミック素体の上に形成した外部電極の第一層は、金
属，ガラスを主成分とする層であり、この第一層の上に
形成した第二層は、表面に銀と銅の合金層を有する金属
粉末を主成分とする層であるため、第一層によりセラミ
ック素体との密着性が良好となるとともに、第二層によ
りはんだ付け性が良好となり、このような第一層，第二
層の役割分担によりセラミック素体との接着強度が良好
で、はんだ付け性にも優れたものとなる。
セラミック素体の上に形成した外部電極の第一層は、金
属，ガラスを主成分とする層であり、この第一層の上に
形成した第二層は、表面に銀と銅の合金層を有する金属
粉末を主成分とする層であるため、第一層によりセラミ
ック素体との密着性が良好となるとともに、第二層によ
りはんだ付け性が良好となり、このような第一層，第二
層の役割分担によりセラミック素体との接着強度が良好
で、はんだ付け性にも優れたものとなる。
【００１１】請求項２記載のセラミク電子部品によれ
ば、第一層の主成分を銀，銀パラジウム合金，銅，ニッ
ケルから選ばれる金属としたので、この第一層の焼結性
が容易になる。
ば、第一層の主成分を銀，銀パラジウム合金，銅，ニッ
ケルから選ばれる金属としたので、この第一層の焼結性
が容易になる。
【００１２】請求項３記載のセラミック電子部品によれ
ば、第一層を、金属とガラスを主成分とする層と、この
層の上に形成した金属を主成分としガラスを含有しない
層との二層構造としたので、この第一層の第二層との接
合面はガラスを含有しない層になり、表面に銀と銅の合
金層を有する金属粉末を主成分とする第二層の構造と相
俟って外部電極のはんだ付け性が良好となる。
ば、第一層を、金属とガラスを主成分とする層と、この
層の上に形成した金属を主成分としガラスを含有しない
層との二層構造としたので、この第一層の第二層との接
合面はガラスを含有しない層になり、表面に銀と銅の合
金層を有する金属粉末を主成分とする第二層の構造と相
俟って外部電極のはんだ付け性が良好となる。
【００１３】請求項４記載のセラミック電子部品によれ
ば、外部電極の第二層を、表面に銀と銅の合金層を有す
る金属粉末を主成分とする層と、この層の上に形成した
はんだまたは錫から成る層との二層構造としたので、は
んだ付け性がより良好になる。
ば、外部電極の第二層を、表面に銀と銅の合金層を有す
る金属粉末を主成分とする層と、この層の上に形成した
はんだまたは錫から成る層との二層構造としたので、は
んだ付け性がより良好になる。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１５】図１，図２はセラミック電子部品の一例で
ある積層チップインダクタ１を示すものである。
ある積層チップインダクタ１を示すものである。
【００１６】この積層チップインダクタ１は、Ｃｕ−Ｚ
ｎ−Ｃｏ系のフェライト材料等から成るセラミック素体
２と、このセラミック素体２の内部に積層した銀等から
成る内部電極３と、この内部電極３への通電用のセラミ
ック素体２の両端部に形成した一対の外部電極４から構
成されている。
ｎ−Ｃｏ系のフェライト材料等から成るセラミック素体
２と、このセラミック素体２の内部に積層した銀等から
成る内部電極３と、この内部電極３への通電用のセラミ
ック素体２の両端部に形成した一対の外部電極４から構
成されている。
【００１７】前記外部電極４は、図１に示すように、セ
ラミック素体２の両端部に形成した金属，ガラスを主成
分とする第一層５と、この第一層５の外側に形成した表
面に銀と銅の合金層を有する金属粉末を主成分とする第
二層６とから構成されている。
ラミック素体２の両端部に形成した金属，ガラスを主成
分とする第一層５と、この第一層５の外側に形成した表
面に銀と銅の合金層を有する金属粉末を主成分とする第
二層６とから構成されている。
【００１８】前記第一層５は、銀粉末とガラスを主成分
とする導電ペーストをセラミック素体２の両端部に塗布
し、ガラスの軟化点以上の温度で焼付けて形成する。
とする導電ペーストをセラミック素体２の両端部に塗布
し、ガラスの軟化点以上の温度で焼付けて形成する。
【００１９】前記第二層６は、表面に銀と銅の合金層を
有する金属粉末を主成分とする導電ペーストを塗布し、
低温で焼付けて形成する。
有する金属粉末を主成分とする導電ペーストを塗布し、
低温で焼付けて形成する。
【００２０】尚、第二層６の金属粉末の粒径は、ペース
トとして使用するのに都合のよい大きさ、例えば１乃至
２０μｍとすることが望ましい。
トとして使用するのに都合のよい大きさ、例えば１乃至
２０μｍとすることが望ましい。
【００２１】次に、外部電極４の形成方法についてさら
に説明する。
に説明する。
【００２２】セラミック素体２を形成するＣｕ−Ｚｎ−
Ｃｏ系のフェライト材料と、内部電極３を形成する銀と
からなる素地（例えば２．０×１．２×０．９ｍｍ）を
用意して、これに外部電極４の第一層５として銀粉末、
ほう硅酸鉛系のガラスフリット、有機ビヒクルから成る
導電ペーストを塗布して６５０℃で１時間焼き付ける。
Ｃｏ系のフェライト材料と、内部電極３を形成する銀と
からなる素地（例えば２．０×１．２×０．９ｍｍ）を
用意して、これに外部電極４の第一層５として銀粉末、
ほう硅酸鉛系のガラスフリット、有機ビヒクルから成る
導電ペーストを塗布して６５０℃で１時間焼き付ける。
【００２３】次に第二層６として銀が７０重量部、銅が
３０重量部である銀と銅の合金粉，有機ビヒクルから成
る導電ペーストを塗布して５８０℃で３０分焼き付け
る。
３０重量部である銀と銅の合金粉，有機ビヒクルから成
る導電ペーストを塗布して５８０℃で３０分焼き付け
る。
【００２４】このように形成された積層チップインダク
タ１によれば、第二層６の金属粉末は表面が銀と銅の合
金なのではんだ濡れ性は２１５℃で１秒以内であり、ま
た銅を含有した合金であるため、はんだ耐熱性も２８０
℃で１０秒以上となり、良好なはんだ付け性が得られ
た。
タ１によれば、第二層６の金属粉末は表面が銀と銅の合
金なのではんだ濡れ性は２１５℃で１秒以内であり、ま
た銅を含有した合金であるため、はんだ耐熱性も２８０
℃で１０秒以上となり、良好なはんだ付け性が得られ
た。
【００２５】また、第二層６の金属粉末は低温で焼付け
られているため、金属粉末間に空隙が多く、はんだ付け
を行う際に、はんだが第二層６の金属粉末の空隙部を埋
めつつ第一層５まで到達し、第一層５の金属成分と密着
する。この結果、引張り強度は５Ｋｇ以上、撓み強度も
３ｍｍ以上となって、外部電極４とセラミック素体２と
の良好な密着性が得られた。
られているため、金属粉末間に空隙が多く、はんだ付け
を行う際に、はんだが第二層６の金属粉末の空隙部を埋
めつつ第一層５まで到達し、第一層５の金属成分と密着
する。この結果、引張り強度は５Ｋｇ以上、撓み強度も
３ｍｍ以上となって、外部電極４とセラミック素体２と
の良好な密着性が得られた。
【００２６】上述したように、本実施例によれば、はん
だ付け性に優れしかもセラミク素体２との密着強度の良
好な外部電極４を具備する実用価値の高い積層チップイ
ンダクタ１を提供することができる。
だ付け性に優れしかもセラミク素体２との密着強度の良
好な外部電極４を具備する実用価値の高い積層チップイ
ンダクタ１を提供することができる。
【００２７】次に、図３，図４を参照して本発明の他の
実施例を説明する。
実施例を説明する。
【００２８】図４はセラミック電子部品の他実施例とし
ての積層チップコンデンサ１０を示すものである。
ての積層チップコンデンサ１０を示すものである。
【００２９】同図に示す積層チップコンデンサ１０は、
チタン酸バリウム系のセラミック材料等からなるセラミ
ック素体１２と、このセラミック素体１２の内部に積層
したパラジウム等からなる内部電極１３と、この内部電
極１３への通電用のセラミック素体１２の両端部に形成
した一対の外部電極１４から構成されている。
チタン酸バリウム系のセラミック材料等からなるセラミ
ック素体１２と、このセラミック素体１２の内部に積層
したパラジウム等からなる内部電極１３と、この内部電
極１３への通電用のセラミック素体１２の両端部に形成
した一対の外部電極１４から構成されている。
【００３０】前記外部電極１４は、セラミック素体１２
の両端部に形成した金属，ガラスを主成分とする第一層
１５と、この第一層１５の外側に形成した表面に銀と銅
の合金層を有する金属粉を主成分とする第二層１６とか
ら構成されている。
の両端部に形成した金属，ガラスを主成分とする第一層
１５と、この第一層１５の外側に形成した表面に銀と銅
の合金層を有する金属粉を主成分とする第二層１６とか
ら構成されている。
【００３１】前記第一層１５は、図３に示すように、銀
粉末とガラスを主成分とする導電ペーストを塗布した層
１５ａと、この層１５ａ上に更に銀粉末を主成分とする
ガラスを含有しない導電ペーストを塗布した層１５ｂと
の二層構造にして、ガラスの軟化点以上の温度で焼き付
けて形成する。
粉末とガラスを主成分とする導電ペーストを塗布した層
１５ａと、この層１５ａ上に更に銀粉末を主成分とする
ガラスを含有しない導電ペーストを塗布した層１５ｂと
の二層構造にして、ガラスの軟化点以上の温度で焼き付
けて形成する。
【００３２】銀粉末は、パラジウムを含有したもので
も、また銅粉末でも良く、ガラスは主にほう硅酸系のガ
ラスフリットが用いられるが、これに限らない。
も、また銅粉末でも良く、ガラスは主にほう硅酸系のガ
ラスフリットが用いられるが、これに限らない。
【００３３】前記第二層１６は、銅粉の表面に銀と銅の
合金層を形成した金属粉を主成分とする導電ペーストを
前記層１５ｂの上に塗布し、低温で焼き付けた層１６ａ
と、この層１６ａの上にはんだのディップにより形成し
た層１６ｂとで構成する。
合金層を形成した金属粉を主成分とする導電ペーストを
前記層１５ｂの上に塗布し、低温で焼き付けた層１６ａ
と、この層１６ａの上にはんだのディップにより形成し
た層１６ｂとで構成する。
【００３４】尚、第二層１６の金属粉末の粒径は、ペー
ストとして使用するのに都合のよい大きさ、例えば１乃
至２０μｍとすることが望ましい。
ストとして使用するのに都合のよい大きさ、例えば１乃
至２０μｍとすることが望ましい。
【００３５】次に、外部電極１４の形成方法についてさ
らに説明する。
らに説明する。
【００３６】セラミック素体１２を形成するチタン酸バ
リウム系のセラミック材料と、内部電極１３を形成する
パラジウムとからなる素地（例えば２．０×１．２×
０．９ｍｍ）を用意して、このセラミック素体１２に対
し、図３に示すように、外部電極１４の第一層１５の内
側の層１５ａとして銀粉末、ほう硅酸鉛系のガラスフリ
ット、有機ビヒクルからなる導電ペーストを塗布し、乾
燥させる。
リウム系のセラミック材料と、内部電極１３を形成する
パラジウムとからなる素地（例えば２．０×１．２×
０．９ｍｍ）を用意して、このセラミック素体１２に対
し、図３に示すように、外部電極１４の第一層１５の内
側の層１５ａとして銀粉末、ほう硅酸鉛系のガラスフリ
ット、有機ビヒクルからなる導電ペーストを塗布し、乾
燥させる。
【００３７】次に、第一層１５の外側の層１５ｂとし
て、層１５ａの上に銀粉末、有機ビヒクルからなるガラ
スを含有しない導電ペーストを塗布し、６５０℃で１時
間焼付ける。
て、層１５ａの上に銀粉末、有機ビヒクルからなるガラ
スを含有しない導電ペーストを塗布し、６５０℃で１時
間焼付ける。
【００３８】次に、第二層１６の内側の層１６ａとし
て、層１５ｂの上に銅粉の表面に銀と銅の合金層を形成
した金属粉、有機ビヒクルからなる導電ペーストを塗布
し、５８０℃で３０分焼付ける。
て、層１５ｂの上に銅粉の表面に銀と銅の合金層を形成
した金属粉、有機ビヒクルからなる導電ペーストを塗布
し、５８０℃で３０分焼付ける。
【００３９】更に、第二層１６の外側の層１６ｂとして
層１６ａにフラックスを付けて、２３０℃のはんだ槽に
ディップする。
層１６ａにフラックスを付けて、２３０℃のはんだ槽に
ディップする。
【００４０】このようにして、セラミック素体１２の両
端部に外部電極１４が形成される。
端部に外部電極１４が形成される。
【００４１】図５，図６は、前記外部電極１４を拡大し
た状態及び第二層１６の内側の層１６ａを拡大した状態
を示すものである。
た状態及び第二層１６の内側の層１６ａを拡大した状態
を示すものである。
【００４２】図５，図６から明らかなように、第二層１
６の内側の層１６ａにおける金属粉末間の空隙部を層１
６ｂのはんだが埋めていき、部分的に第一層１５の外側
の層１５ｂまで到達しており、このような第二層１６と
第一層１５が直接結合することで高い密着強度が得られ
る。
６の内側の層１６ａにおける金属粉末間の空隙部を層１
６ｂのはんだが埋めていき、部分的に第一層１５の外側
の層１５ｂまで到達しており、このような第二層１６と
第一層１５が直接結合することで高い密着強度が得られ
る。
【００４３】上述したようなはんだの浸透は、第二層１
６の内側の層１６ａの金属粉が表面の銀と銅の合金同士
の焼結による表面だけの結合であるために金属粉末間の
空隙部が大きいことに起因する。
６の内側の層１６ａの金属粉が表面の銀と銅の合金同士
の焼結による表面だけの結合であるために金属粉末間の
空隙部が大きいことに起因する。
【００４４】このように構成された外部電極１４は、最
初の実施例の外部電極４の場合よりも良好なはんだ付け
性及び良好な密着性が得られることが確認できた。
初の実施例の外部電極４の場合よりも良好なはんだ付け
性及び良好な密着性が得られることが確認できた。
【００４５】従って、本実施例により、はんだ付け性に
優れ、しかも密着強度の良好な外部電極１４を有し、十
分に実用的な積層チップコンデンサ１０を提供すること
ができる。
優れ、しかも密着強度の良好な外部電極１４を有し、十
分に実用的な積層チップコンデンサ１０を提供すること
ができる。
【００４６】本発明は上記実施例に限定されず、その要
旨を変更しない範囲内で種々に変形実施可能である。
旨を変更しない範囲内で種々に変形実施可能である。
【００４７】例えば、第２の実施例で挙げたように、第
二層の金属粉は表面が銀と銅との合金であれば、複数の
金属層を形成した金属粉でも良い。
二層の金属粉は表面が銀と銅との合金であれば、複数の
金属層を形成した金属粉でも良い。
【００４８】また、第二層の金属粉の結合を強化するた
めに、銀粉やガラスを配合しても良い。
めに、銀粉やガラスを配合しても良い。
【００４９】本発明は、表面に銀と銅の合金層を有する
金属粉末同士の焼結による表面だけの結合を行うことが
特徴になっているが、銀と銅の合金は共晶組成を作るた
めに融点が低くなり、そのため、銀単独の導電ペースト
等より低い温度で焼き付けることが可能となるので、経
済的にも優れている。
金属粉末同士の焼結による表面だけの結合を行うことが
特徴になっているが、銀と銅の合金は共晶組成を作るた
めに融点が低くなり、そのため、銀単独の導電ペースト
等より低い温度で焼き付けることが可能となるので、経
済的にも優れている。
【００５０】また、本発明は積層チップインダクタ，積
層チップコンデンサのみならず、他のセラミック電子部
品における外部電極についても同様に適用可能である。
層チップコンデンサのみならず、他のセラミック電子部
品における外部電極についても同様に適用可能である。
【００５１】
【発明の効果】以上詳述した請求項１記載の発明によれ
ば、セラミック素体上に形成される金属とガラスを主成
分とする第一層と、この第一層の上に形成される表面に
銀と銅の合金層を形成した金属粉末を主成分とする第二
層とから外部電極を構成しているので、はんだ付け性に
優れ、しかもセラミック素体との密着強度の良好な外部
電極を有するセラミック電子部品を提供することができ
る。
ば、セラミック素体上に形成される金属とガラスを主成
分とする第一層と、この第一層の上に形成される表面に
銀と銅の合金層を形成した金属粉末を主成分とする第二
層とから外部電極を構成しているので、はんだ付け性に
優れ、しかもセラミック素体との密着強度の良好な外部
電極を有するセラミック電子部品を提供することができ
る。
【００５２】請求項２記載の発明によれば、第一層の金
属粉として銀，銀パラジウム合金，銅，ニッケルから選
ばれるものを用いることにより、焼結性が良好な外部電
極を有するセラミック電子部品を提供することができ
る。
属粉として銀，銀パラジウム合金，銅，ニッケルから選
ばれるものを用いることにより、焼結性が良好な外部電
極を有するセラミック電子部品を提供することができ
る。
【００５３】請求項３記載の発明によれば、第一層が金
属とガラスを主成分とする層と、その上に金属を主成分
とするガラスを含有しない層との二層構造であることに
より、はんだ付け性が良好な外部電極を有するセラミッ
ク電子部品を提供することができる。
属とガラスを主成分とする層と、その上に金属を主成分
とするガラスを含有しない層との二層構造であることに
より、はんだ付け性が良好な外部電極を有するセラミッ
ク電子部品を提供することができる。
【００５４】請求項４記載の発明によれば、第二層を表
面に銀と銅の合金層を形成した金属粉末を主成分とする
層と、はんだ又は錫からなる層とにより形成したので、
はんだ付け性がより良好な外部電極を有するセラミック
電子部品を提供することができる。
面に銀と銅の合金層を形成した金属粉末を主成分とする
層と、はんだ又は錫からなる層とにより形成したので、
はんだ付け性がより良好な外部電極を有するセラミック
電子部品を提供することができる。
【図１】本発明の実施例である積層チップインダクタを
示す断面図
示す断面図
【図２】本発明の実施例である積層チップインダクタを
示す正面図
示す正面図
【図３】本発明の他の実施例である積層チップコンデン
サの製造工程を示す断面図
サの製造工程を示す断面図
【図４】本発明の他の実施例である積層チップコンデン
サを示す断面図
サを示す断面図
【図５】図４に示す積層チップコンデンサの外部電極の
拡大図
拡大図
【図６】図５の円印部分の拡大図
１ 積層チップインダクタ ２ セラミック素体 ４ 外部電極 ５ 第一層 ６ 第二層
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック素体と、このセラミック素体
の上の外部電極とを有するセラミック電子部品におい
て、前記外部電極は、セラミック素体の上に形成した金
属，ガラスを主成分とする第一層と、この第一層の上に
形成した表面に銀と銅の合金層を有する金属粉末を主成
分とする第二層とから構成したことを特徴とするセラミ
ック電子部品。 - 【請求項２】 前記第一層の金属は、銀，銀パラジウム
合金，銅，ニッケルから選ばれるものである請求項１記
載のセラミック電子部品。 - 【請求項３】 前記第一層は、金属とガラスを主成分と
する層と、この層の上に形成した金属を主成分としガラ
スを含有しない層との二層構造である請求項１または２
記載のセラミック電子部品。 - 【請求項４】 前記第二層は、表面に銀と銅の合金層を
有する金属粉末を主成分とする層と、この層の上に形成
したはんだ又は錫からなる層との二層構造である請求項
１乃至３記載のセラミック電子部品。
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