JP2001102227A - ワイヤを有する電子部品 - Google Patents
ワイヤを有する電子部品Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
-
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- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤからはんだへのＣｕ溶出を極力抑制
し、ワイヤ細り、溶断を防止できる電子部品を得る。 【解決手段】 コア１０の両端部に設けた電極１３を、
下から、下地金属（Ａｇ）層１３ａ、Ｎｉメッキ層１３
ｂ、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃとしたチップコイル。ワ
イヤ１５の端末１６，１６は熱圧着によってＳｎ−Ｃｕ
メッキ層１３ｃに埋め込まれる。このチップコイルをリ
フローはんだする際、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃのＣｕ
がリフローはんだに溶出し、ワイヤ１５のＣｕが溶出す
るのを抑制する。
し、ワイヤ細り、溶断を防止できる電子部品を得る。 【解決手段】 コア１０の両端部に設けた電極１３を、
下から、下地金属（Ａｇ）層１３ａ、Ｎｉメッキ層１３
ｂ、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃとしたチップコイル。ワ
イヤ１５の端末１６，１６は熱圧着によってＳｎ−Ｃｕ
メッキ層１３ｃに埋め込まれる。このチップコイルをリ
フローはんだする際、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃのＣｕ
がリフローはんだに溶出し、ワイヤ１５のＣｕが溶出す
るのを抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、巻線型チップコイ
ル等のワイヤを有する電子部品に関する。
ル等のワイヤを有する電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、実装時に安定性の良好なチップコ
イルとして、特開平１０−３１２９２２号公報記載のも
のが知られている。このチップコイルにおいて、電極は
下地金属層とＮｉメッキ層とＳｎメッキ層とで構成さ
れ、ワイヤの端末は熱圧着によってＳｎメッキ層に埋め
込まれた状態になる。
イルとして、特開平１０−３１２９２２号公報記載のも
のが知られている。このチップコイルにおいて、電極は
下地金属層とＮｉメッキ層とＳｎメッキ層とで構成さ
れ、ワイヤの端末は熱圧着によってＳｎメッキ層に埋め
込まれた状態になる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のチ
ップコイルでは、実装（リフローはんだ付け）時に、ワ
イヤのＣｕが溶融はんだ及びメッキ層中のＳｎに溶出し
てワイヤ細りが発生し、これが進行するとワイヤの溶断
といった不具合が生じる。一般に、コイルを構成するワ
イヤは絶縁被膜を有するため、被膜の耐熱性が高ければ
Ｃｕの溶出は避けられる。しかし、ワイヤの端末処理部
は被膜が剥離された状態で電極に接続されているため、
その部分が溶融はんだ及びメッキ層中のＳｎに溶解する
という問題が発生する。特に、近年では電子部品の小型
化が要求されてワイヤの細線化が進んでおり、Ｃｕの溶
出によるワイヤの細り、溶断の防止対策が求められてい
る。
ップコイルでは、実装（リフローはんだ付け）時に、ワ
イヤのＣｕが溶融はんだ及びメッキ層中のＳｎに溶出し
てワイヤ細りが発生し、これが進行するとワイヤの溶断
といった不具合が生じる。一般に、コイルを構成するワ
イヤは絶縁被膜を有するため、被膜の耐熱性が高ければ
Ｃｕの溶出は避けられる。しかし、ワイヤの端末処理部
は被膜が剥離された状態で電極に接続されているため、
その部分が溶融はんだ及びメッキ層中のＳｎに溶解する
という問題が発生する。特に、近年では電子部品の小型
化が要求されてワイヤの細線化が進んでおり、Ｃｕの溶
出によるワイヤの細り、溶断の防止対策が求められてい
る。
【０００４】そこで、本発明の目的は、ワイヤからＳｎ
へのＣｕ溶出を極力防止するようにした電子部品を提供
することにある。
へのＣｕ溶出を極力防止するようにした電子部品を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】以上の目的を達
成するため、本発明は、絶縁性基体に巻回されたＣｕか
らなるワイヤの端末を、該絶縁性基体に形成された電極
に固着した電子部品において、前記電極を複数の導体層
にて構成し、少なくとも一つの導体層が前記ワイヤから
Ｃｕが溶出するのを防止する層であることを特徴とす
る。
成するため、本発明は、絶縁性基体に巻回されたＣｕか
らなるワイヤの端末を、該絶縁性基体に形成された電極
に固着した電子部品において、前記電極を複数の導体層
にて構成し、少なくとも一つの導体層が前記ワイヤから
Ｃｕが溶出するのを防止する層であることを特徴とす
る。
【０００６】前記溶出防止層の作用は、ワイヤのＣｕと
はんだ及びメッキ層中のＳｎとの溶解速度を遅くし、あ
るいは溶解そのものを停止させる点にある。溶出防止層
として好適な物質はＣｕであり、電極の一つの層にＣｕ
が含有されていることで、予めＣｕがＳｎへ溶出した状
態を作り出し、ワイヤのＣｕの溶出を防止する。溶出を
防止するためのＣｕは、Ｓｎ−Ｃｕ合金層として、ある
いはＣｕ単独層として設けられる。Ｓｎ−Ｃｕ合金層に
あっては、Ｃｕの比率は０．５〜３０ｗｔ％が好まし
い。はんだ付け時の温度は一般的に２４０〜２６０℃で
あり、この温度でのＣｕとＳｎの共晶濃度はＣｕが０．
５〜０．６ｗｔ％である。従って、Ｃｕの比率を少なく
とも０．５ｗｔ％とすれば、それ以上のＣｕ溶出が進行
しなくなる。但し、Ｃｕの比率が３０ｗｔ％を超えると
はんだ付け性が劣化する。また、ＮｉもＣｕ溶出防止作
用のある物質として本発明者によって確認されており、
Ｓｎ−Ｎｉ合金層として形成することで十分なＣｕ溶出
防止効果を発揮する。
はんだ及びメッキ層中のＳｎとの溶解速度を遅くし、あ
るいは溶解そのものを停止させる点にある。溶出防止層
として好適な物質はＣｕであり、電極の一つの層にＣｕ
が含有されていることで、予めＣｕがＳｎへ溶出した状
態を作り出し、ワイヤのＣｕの溶出を防止する。溶出を
防止するためのＣｕは、Ｓｎ−Ｃｕ合金層として、ある
いはＣｕ単独層として設けられる。Ｓｎ−Ｃｕ合金層に
あっては、Ｃｕの比率は０．５〜３０ｗｔ％が好まし
い。はんだ付け時の温度は一般的に２４０〜２６０℃で
あり、この温度でのＣｕとＳｎの共晶濃度はＣｕが０．
５〜０．６ｗｔ％である。従って、Ｃｕの比率を少なく
とも０．５ｗｔ％とすれば、それ以上のＣｕ溶出が進行
しなくなる。但し、Ｃｕの比率が３０ｗｔ％を超えると
はんだ付け性が劣化する。また、ＮｉもＣｕ溶出防止作
用のある物質として本発明者によって確認されており、
Ｓｎ−Ｎｉ合金層として形成することで十分なＣｕ溶出
防止効果を発揮する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子部品の実
施形態について、添付図面を参照して説明する。
施形態について、添付図面を参照して説明する。
【０００８】（第１実施形態、図１及び図２参照）図１
は本発明の第１実施形態であるチップコイルを示す。こ
のチップコイルはアルミナ等からなるコア１０の胴部１
１にＣｕからなるワイヤ１５を巻回し、この端末１６，
１６をコア１０の両端突部１２，１２に設けた電極１
３，１３上に熱圧着にて固着したものである。
は本発明の第１実施形態であるチップコイルを示す。こ
のチップコイルはアルミナ等からなるコア１０の胴部１
１にＣｕからなるワイヤ１５を巻回し、この端末１６，
１６をコア１０の両端突部１２，１２に設けた電極１
３，１３上に熱圧着にて固着したものである。
【０００９】電極１３は、図１（Ｃ）に示すように、コ
ア１０上に、下から、下地金属層１３ａ、Ｎｉメッキ層
１３ｂ、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃにて構成されてい
る。下地金属層１３ａは、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等のペース
トを塗布し、焼結して形成したもので、その厚さは１５
μｍである。Ｎｉメッキ層１３ｂは耐はんだ性向上のた
めに形成され、その厚さは１μｍ以上、好ましくは３μ
ｍである。Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃは親はんだ層とし
て形成され、かつ、ワイヤ１５のＣｕ溶出防止層として
機能するためにＣｕを含有しており、その厚さは本実施
形態にあっては１４μｍである。Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１
３ｃにおけるＣｕの含有比率は０．５〜３０ｗｔ％であ
る。Ｃｕ含有比率は少なくともＣｕとＳｎの共晶濃度で
あることが好ましく、上限ははんだ付け性の劣化の程度
による。
ア１０上に、下から、下地金属層１３ａ、Ｎｉメッキ層
１３ｂ、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃにて構成されてい
る。下地金属層１３ａは、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等のペース
トを塗布し、焼結して形成したもので、その厚さは１５
μｍである。Ｎｉメッキ層１３ｂは耐はんだ性向上のた
めに形成され、その厚さは１μｍ以上、好ましくは３μ
ｍである。Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃは親はんだ層とし
て形成され、かつ、ワイヤ１５のＣｕ溶出防止層として
機能するためにＣｕを含有しており、その厚さは本実施
形態にあっては１４μｍである。Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１
３ｃにおけるＣｕの含有比率は０．５〜３０ｗｔ％であ
る。Ｃｕ含有比率は少なくともＣｕとＳｎの共晶濃度で
あることが好ましく、上限ははんだ付け性の劣化の程度
による。
【００１０】ワイヤ１５はＣｕからなる直径２０〜６０
μｍの導体上にポリエステルイミド等の絶縁被膜を形成
したもので、端末１６，１６は前記電極１３に熱圧着に
よって、絶縁被膜が飛散した状態でＳｎ−Ｃｕメッキ層
１３ｃに埋められる。即ち、ヒータ２０によって端末１
６，１６を１０Ｎ以上の荷重で３００℃以上に加熱する
と、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃが溶融して端末１６，１
６が埋め込まれ、かつ、絶縁被膜が剥離されてＣｕ導体
がＳｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃにロウ付けされる。
μｍの導体上にポリエステルイミド等の絶縁被膜を形成
したもので、端末１６，１６は前記電極１３に熱圧着に
よって、絶縁被膜が飛散した状態でＳｎ−Ｃｕメッキ層
１３ｃに埋められる。即ち、ヒータ２０によって端末１
６，１６を１０Ｎ以上の荷重で３００℃以上に加熱する
と、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃが溶融して端末１６，１
６が埋め込まれ、かつ、絶縁被膜が剥離されてＣｕ導体
がＳｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃにロウ付けされる。
【００１１】以上の構成からなるチップコイルを基板の
ランド上にリフローはんだによって実装すると、Ｓｎ−
Ｃｕメッキ層１３ｃのＣｕがランド上の溶融はんだに溶
出する。Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃのＣｕが溶融はんだ
に溶解する速度とワイヤ１５のＣｕが溶融はんだに溶解
する速度は、前者が圧倒的に速く、ワイヤ１５のＣｕの
溶出が開始する前にランド上の溶融はんだがＣｕリッチ
な状態になる。これにて、ワイヤ１５からのＣｕ溶出が
抑制され、ワイヤ細りや溶断が防止される。
ランド上にリフローはんだによって実装すると、Ｓｎ−
Ｃｕメッキ層１３ｃのＣｕがランド上の溶融はんだに溶
出する。Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃのＣｕが溶融はんだ
に溶解する速度とワイヤ１５のＣｕが溶融はんだに溶解
する速度は、前者が圧倒的に速く、ワイヤ１５のＣｕの
溶出が開始する前にランド上の溶融はんだがＣｕリッチ
な状態になる。これにて、ワイヤ１５からのＣｕ溶出が
抑制され、ワイヤ細りや溶断が防止される。
【００１２】なお、前記Ｓｎ−Ｃｕメッキ層１３ｃに代
えてＳｎ−Ｎｉメッキ層を設けても、ワイヤ１５からの
Ｃｕ溶出を抑制することができる。
えてＳｎ−Ｎｉメッキ層を設けても、ワイヤ１５からの
Ｃｕ溶出を抑制することができる。
【００１３】（第２実施形態、図３参照）図３は本発明
の第２実施形態であるチップコイルの電極部分のみを示
す。この電極１３は、コア１０上に、下から、下地金属
層１３ａ、Ｎｉメッキ層１３ｂ、Ｃｕメッキ層１３ｄ、
Ｓｎメッキ層１３ｅにて構成されている。下地金属層１
３ａ及びＮｉメッキ層１３ｂは前記第１実施形態で説明
したとおりである。Ｃｕメッキ層１３ｄはワイヤ１５の
Ｃｕ溶出防止層として機能し、その厚さは、例えば２μ
ｍ以上に形成される。このＣｕメッキ層１３ｄは端末の
熱圧着終了時に少なくとも１μｍ以上の厚みで残ること
が好ましい。１μｍより薄くなると、Ｃｕの絶対量が少
なくなり十分なＣｕ溶出防止層として機能を果さなくな
る。Ｓｎメッキ層１３ｅは親はんだ層として形成され、
その厚さは１４μｍである。
の第２実施形態であるチップコイルの電極部分のみを示
す。この電極１３は、コア１０上に、下から、下地金属
層１３ａ、Ｎｉメッキ層１３ｂ、Ｃｕメッキ層１３ｄ、
Ｓｎメッキ層１３ｅにて構成されている。下地金属層１
３ａ及びＮｉメッキ層１３ｂは前記第１実施形態で説明
したとおりである。Ｃｕメッキ層１３ｄはワイヤ１５の
Ｃｕ溶出防止層として機能し、その厚さは、例えば２μ
ｍ以上に形成される。このＣｕメッキ層１３ｄは端末の
熱圧着終了時に少なくとも１μｍ以上の厚みで残ること
が好ましい。１μｍより薄くなると、Ｃｕの絶対量が少
なくなり十分なＣｕ溶出防止層として機能を果さなくな
る。Ｓｎメッキ層１３ｅは親はんだ層として形成され、
その厚さは１４μｍである。
【００１４】ワイヤ１５の端末１６，１６は、前記第１
実施形態と同様に、電極１３上にヒータ２０で熱圧着さ
れ、Ｓｎメッキ層１３ｅに埋め込まれ、絶縁被膜が剥離
されてＳｎメッキ層１３ｅにロウ付けされると共に、Ｃ
ｕメッキ層１３ｄにも圧着される。
実施形態と同様に、電極１３上にヒータ２０で熱圧着さ
れ、Ｓｎメッキ層１３ｅに埋め込まれ、絶縁被膜が剥離
されてＳｎメッキ層１３ｅにロウ付けされると共に、Ｃ
ｕメッキ層１３ｄにも圧着される。
【００１５】基板のランド上にリフローはんだによって
実装する際、本第２実施形態にあっては、Ｓｎメッキ層
１３ｅがランド上の溶融はんだに溶けた後にＣｕメッキ
層１３ｄが溶融はんだと接触する。すると、リフローの
熱でランド上の溶融はんだにＣｕメッキ層１３ｄが溶解
し始め、溶融はんだは徐々にＣｕリッチな状態になる。
このとき、剥き出しになったワイヤ端末１６，１６の表
面積はＣｕメッキ層１３ｄの表面積に比べて非常に小さ
いので、ワイヤ１５のＣｕが溶融はんだ中のＳｎに溶解
する量よりも、Ｃｕメッキ層１３ｄのＣｕが溶融はんだ
中のＳｎに溶解する量の方が圧倒的に多い。即ち、ラン
ド上の溶融はんだはワイヤ１５の溶解が進行する前にＣ
ｕメッキ層１３ｄから溶出するＣｕでＣｕリッチな状態
になってしまう。これにて、ワイヤ１５からのＣｕ溶出
が抑制され、ワイヤ細りや溶断が防止される。
実装する際、本第２実施形態にあっては、Ｓｎメッキ層
１３ｅがランド上の溶融はんだに溶けた後にＣｕメッキ
層１３ｄが溶融はんだと接触する。すると、リフローの
熱でランド上の溶融はんだにＣｕメッキ層１３ｄが溶解
し始め、溶融はんだは徐々にＣｕリッチな状態になる。
このとき、剥き出しになったワイヤ端末１６，１６の表
面積はＣｕメッキ層１３ｄの表面積に比べて非常に小さ
いので、ワイヤ１５のＣｕが溶融はんだ中のＳｎに溶解
する量よりも、Ｃｕメッキ層１３ｄのＣｕが溶融はんだ
中のＳｎに溶解する量の方が圧倒的に多い。即ち、ラン
ド上の溶融はんだはワイヤ１５の溶解が進行する前にＣ
ｕメッキ層１３ｄから溶出するＣｕでＣｕリッチな状態
になってしまう。これにて、ワイヤ１５からのＣｕ溶出
が抑制され、ワイヤ細りや溶断が防止される。
【００１６】なお、本第２実施形態の様に、電極１３に
ワイヤ端末１６，１６を熱圧着する場合には、熱圧着時
の熱でＳｎメッキ層１３ｅとＣｕメッキ層１３ｄが部分
的に溶解し、熱圧着完了時にはＳｎ−Ｃｕ合金層にな
る。もっとも、このような状態を得る場合、Ｃｕ層をや
や厚く、例えば４μｍ〜５μｍ程度に形成しておいた
後、ワイヤ端末を熱圧着することが好ましい。この場
合、前記第１実施形態で説明した作用も奏することにな
る。
ワイヤ端末１６，１６を熱圧着する場合には、熱圧着時
の熱でＳｎメッキ層１３ｅとＣｕメッキ層１３ｄが部分
的に溶解し、熱圧着完了時にはＳｎ−Ｃｕ合金層にな
る。もっとも、このような状態を得る場合、Ｃｕ層をや
や厚く、例えば４μｍ〜５μｍ程度に形成しておいた
後、ワイヤ端末を熱圧着することが好ましい。この場
合、前記第１実施形態で説明した作用も奏することにな
る。
【００１７】（他の実施形態）なお、本発明に係る電子
部品は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨
の範囲内で種々に変更することができる。
部品は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨
の範囲内で種々に変更することができる。
【００１８】特に、本発明はチップコイル以外の巻線型
インダクタに適用すること、あるいは巻線型インダクタ
とコンデンサ等の他の電気機能素子を複合した複合型電
子部品にも幅広く適用可能である。また、絶縁性基体と
しては前記磁性コア１０のみならず、セラミック基体で
あればよい。さらに、前記第１及び第２実施形態で示し
た電極１３の積層構成、厚み寸法、材料はあくまで例示
であり、要求されるスペックを満足するように適宜変更
することができる。
インダクタに適用すること、あるいは巻線型インダクタ
とコンデンサ等の他の電気機能素子を複合した複合型電
子部品にも幅広く適用可能である。また、絶縁性基体と
しては前記磁性コア１０のみならず、セラミック基体で
あればよい。さらに、前記第１及び第２実施形態で示し
た電極１３の積層構成、厚み寸法、材料はあくまで例示
であり、要求されるスペックを満足するように適宜変更
することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、電極を構成する少なくとも一つの導体層がワイ
ヤからＣｕが溶出するのを防止する層としたため、電子
部品の実装時にワイヤのＣｕがリフローはんだ中のＳｎ
に溶出することを極力抑制することができ、ワイヤ細り
や溶断といった不具合を防止することができる。
よれば、電極を構成する少なくとも一つの導体層がワイ
ヤからＣｕが溶出するのを防止する層としたため、電子
部品の実装時にワイヤのＣｕがリフローはんだ中のＳｎ
に溶出することを極力抑制することができ、ワイヤ細り
や溶断といった不具合を防止することができる。
【図１】本発明の第１実施形態であるチップコイルを示
し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は（Ｂ）
のＣ−Ｃ断面図である。
し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は（Ｂ）
のＣ−Ｃ断面図である。
【図２】前記チップコイルの電極へのワイヤ端末の熱圧
着工程を示す断面図で、（Ａ）は熱圧着直前、（Ｂ）は
熱圧着時を示す。
着工程を示す断面図で、（Ａ）は熱圧着直前、（Ｂ）は
熱圧着時を示す。
【図３】本発明の第２実施形態であるチップコイルの電
極へのワイヤ端末の熱圧着工程を示す断面図で、（Ａ）
は熱圧着直前、（Ｂ）は熱圧着時を示す。
極へのワイヤ端末の熱圧着工程を示す断面図で、（Ａ）
は熱圧着直前、（Ｂ）は熱圧着時を示す。
１０…コア １３…電極 １３ａ…下地金属層 １３ｂ…Ｎｉメッキ層 １３ｃ…Ｓｎ−Ｃｕメッキ層 １３ｄ…Ｃｕメッキ層 １３ｅ…Ｓｎメッキ層 １５…ワイヤ １６…端末
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁性基体に巻回されたＣｕからなるワ
イヤの端末を、該絶縁性基体に形成された電極に固着し
た電子部品において、前記電極は複数の導体層からな
り、少なくとも一つの導体層が前記ワイヤからＣｕが溶
出するのを防止する層であることを特徴とする電子部
品。 - 【請求項２】 前記溶出防止層がＳｎ−Ｃｕ合金層であ
ることを特徴とする請求項１記載の電子部品。 - 【請求項３】 前記Ｓｎ−Ｃｕ合金層中Ｃｕの比率は
０．５〜３０ｗｔ％であることを特徴とする請求項２記
載の電子部品。 - 【請求項４】 前記溶出防止層がＳｎ−Ｎｉ合金層であ
ることを特徴とする請求項１記載の電子部品。 - 【請求項５】 前記溶出防止層がＣｕ層であることを特
徴とする請求項１記載の電子部品。 - 【請求項６】 前記電極は、下から、下地金属層、Ｎｉ
メッキ層、Ｓｎ−Ｃｕメッキ層又はＳｎ−Ｎｉメッキ層
にて構成されていることを特徴とする請求項１記載の電
子部品。 - 【請求項７】 前記電極は、下から、下地金属層、Ｎｉ
メッキ層、Ｃｕメッキ層、Ｓｎメッキ層にて構成されて
いることを特徴とする請求項１記載の電子部品。 - 【請求項８】 前記Ｃｕメッキ層はワイヤの端部が熱圧
着された状態で少なくとも１μｍの厚みを有しているこ
とを特徴とする請求項７記載の電子部品。
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