JPH06148426A - 位相差補償フィルムおよびその製造方法 - Google Patents
位相差補償フィルムおよびその製造方法Info
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- JPH06148426A JPH06148426A JP29616292A JP29616292A JPH06148426A JP H06148426 A JPH06148426 A JP H06148426A JP 29616292 A JP29616292 A JP 29616292A JP 29616292 A JP29616292 A JP 29616292A JP H06148426 A JPH06148426 A JP H06148426A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】乱反射の少ない位相差補償フィルムおよびその
製造方法を提供する。 【構成】本発明の位相差補償フィルムは、ポリカーボネ
ート製であって、大きさが５〜５０μｍの高分子量異物
の個数が平面視した場合に２００個／ｃｍ2 以下である
ことを特徴とする。また、本発明の位相差補償フィルム
の製造方法は、ポリカーボネートの濃度が１〜３０wt％
の有機溶媒溶液を調製した後、この有機溶媒溶液をフィ
ルターにかけて高分子量異物を除去することを特徴とす
るものである。
製造方法を提供する。 【構成】本発明の位相差補償フィルムは、ポリカーボネ
ート製であって、大きさが５〜５０μｍの高分子量異物
の個数が平面視した場合に２００個／ｃｍ2 以下である
ことを特徴とする。また、本発明の位相差補償フィルム
の製造方法は、ポリカーボネートの濃度が１〜３０wt％
の有機溶媒溶液を調製した後、この有機溶媒溶液をフィ
ルターにかけて高分子量異物を除去することを特徴とす
るものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイ等に
使用可能な位相差補償フィルムおよびその製造方法に係
り、特にポリカーボネート製の位相差補償フィルムおよ
びその製造方法に関する。
使用可能な位相差補償フィルムおよびその製造方法に係
り、特にポリカーボネート製の位相差補償フィルムおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＴＮ［スーパー ツイステッド ネマ
ティック（Super Twisted Nematic ）］液晶ディスプレ
イでは、ＳＴＮ液晶セルを透過した光はＳＴＮ液晶の複
屈折性により着色される。このため、複屈折性を有する
透明度の高いポリマーフィルムを位相差補償フィルムと
して使用することが提案されている。このような位相差
補償フィルムとしては種々の材質のものが知られている
が、ポリカーボネート製のものとしては、粘度平均分子
量４０，０００以上のビスフェノールＡ型ポリカーボネ
ートシートや分岐構造を有するポリカーボネートシート
を延伸成形してフィルム化したものがある。
ティック（Super Twisted Nematic ）］液晶ディスプレ
イでは、ＳＴＮ液晶セルを透過した光はＳＴＮ液晶の複
屈折性により着色される。このため、複屈折性を有する
透明度の高いポリマーフィルムを位相差補償フィルムと
して使用することが提案されている。このような位相差
補償フィルムとしては種々の材質のものが知られている
が、ポリカーボネート製のものとしては、粘度平均分子
量４０，０００以上のビスフェノールＡ型ポリカーボネ
ートシートや分岐構造を有するポリカーボネートシート
を延伸成形してフィルム化したものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たビスフェノールＡ型ポリカーボネートや分岐構造を有
するポリカーボネートを製造した場合、重合中の溶液粘
度が高いことや分岐剤を使用することから、一般に不溶
の超高分子量物や、架橋したゲル状物（以下、前記超高
分子量物および前記ゲル状物を「高分子量異物」と総称
する）を生成し易い。そして、この高分子量異物を含有
するポリカーボネートをフィルム化すると、高分子量異
物が偏平化して乱反射の原因となるため、位相差補償フ
ィルムとして用いた場合には液晶セルの光が散乱してデ
ィスプレイが見にくくなる。本発明の目的は、乱反射の
少ないポリカーボネート製位相差補償フィルムおよびそ
の製造方法を提供することにある。
たビスフェノールＡ型ポリカーボネートや分岐構造を有
するポリカーボネートを製造した場合、重合中の溶液粘
度が高いことや分岐剤を使用することから、一般に不溶
の超高分子量物や、架橋したゲル状物（以下、前記超高
分子量物および前記ゲル状物を「高分子量異物」と総称
する）を生成し易い。そして、この高分子量異物を含有
するポリカーボネートをフィルム化すると、高分子量異
物が偏平化して乱反射の原因となるため、位相差補償フ
ィルムとして用いた場合には液晶セルの光が散乱してデ
ィスプレイが見にくくなる。本発明の目的は、乱反射の
少ないポリカーボネート製位相差補償フィルムおよびそ
の製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の位相差補償フィルムは、ポリカーボネート製であっ
て、大きさが５〜５０μｍの高分子量異物の個数が平面
視した場合に２００個／ｃｍ2 以下であることを特徴と
する。また上記目的を達成する本発明の位相差補償フィ
ルムの製造方法は、ポリカーボネートの濃度が１〜３０
wt％の有機溶媒溶液を調製した後、前記有機溶媒溶液を
フィルターにかけて高分子量異物を除去する工程を含む
ことを特徴とする。
明の位相差補償フィルムは、ポリカーボネート製であっ
て、大きさが５〜５０μｍの高分子量異物の個数が平面
視した場合に２００個／ｃｍ2 以下であることを特徴と
する。また上記目的を達成する本発明の位相差補償フィ
ルムの製造方法は、ポリカーボネートの濃度が１〜３０
wt％の有機溶媒溶液を調製した後、前記有機溶媒溶液を
フィルターにかけて高分子量異物を除去する工程を含む
ことを特徴とする。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
位相差補償フィルムは、上述したようにポリカーボネー
ト製である。ポリカーボネートの種類は位相差補償フィ
ルムとして使用可能な透光性を有するものであれば特に
限定されるものではなく、分岐構造を有するものでも直
鎖状のものでもよいが、粘度平均分子量（以下、粘度平
均分子量をＭｖと略記することがある）が２０，０００
〜１００，０００のものが好ましい。Ｍｖが２０，００
０未満のポリカーボネートは延伸成形するのに粘度が低
過ぎ、１００，０００を超えるものは延伸成形するのに
粘度が高過ぎる。また、延伸成形時の温度変化に起因す
るレターデーション［Ｒ＝△ｎ・ｔ （△ｎ；位相差補
償フィルムの複屈折率差，ｔ：フィルムの厚さ）］の変
化を小さくするうえからは、Ｍｖが４０，０００未満の
ポリカーボネートであって分岐構造を有するもの、また
はＭｖが４０，０００以上の直鎖状ポリカーボネートが
好ましい。
位相差補償フィルムは、上述したようにポリカーボネー
ト製である。ポリカーボネートの種類は位相差補償フィ
ルムとして使用可能な透光性を有するものであれば特に
限定されるものではなく、分岐構造を有するものでも直
鎖状のものでもよいが、粘度平均分子量（以下、粘度平
均分子量をＭｖと略記することがある）が２０，０００
〜１００，０００のものが好ましい。Ｍｖが２０，００
０未満のポリカーボネートは延伸成形するのに粘度が低
過ぎ、１００，０００を超えるものは延伸成形するのに
粘度が高過ぎる。また、延伸成形時の温度変化に起因す
るレターデーション［Ｒ＝△ｎ・ｔ （△ｎ；位相差補
償フィルムの複屈折率差，ｔ：フィルムの厚さ）］の変
化を小さくするうえからは、Ｍｖが４０，０００未満の
ポリカーボネートであって分岐構造を有するもの、また
はＭｖが４０，０００以上の直鎖状ポリカーボネートが
好ましい。
【０００６】本発明の位相差補償フィルムでは、大きさ
が５〜５０μｍの高分子量異物の個数が平面視した場合
に２００個／ｃｍ2 以下である。高分子量異物の個数が
２００個／ｃｍ2 を超えると、透過ディスプレイに用い
た場合に、目視上、光が散乱してディスプレイが見にく
くなる。５μｍ未満の高分子量異物の存在は、目視上あ
まり問題とならない。また、５０μｍを超える大きさの
異物は、通常の製造法ではほとんど生成するもので無
く、通常は金属やシール材等の異物であって、製造プロ
セス内で除去されるものである。本発明の位相差補償フ
ィルムは、例えば以下に詳述する本発明の方法により製
造することができる。本発明の方法では、前述したよう
に、まず、ポリカーボネートの濃度が１〜３０wt％の有
機溶媒溶液を調製する。ポリカーボネートは、位相差補
償フィルムとして使用可能な透光性を有するフィルムが
得られるものであれば分岐構造を有するものでも直鎖状
のものでもよいが、前述したように、粘度平均分子量
（Ｍｖ）が２０，０００〜１００，０００のものが好ま
しい。また、延伸成形時の温度変化に起因するレターデ
ーション（Ｒ）の変化を小さくするうえからは、Ｍｖが
４０，０００未満のポリカーボネートであって分岐構造
を有するもの、またはＭｖが４０，０００以上の直鎖状
ポリカーボネートが好ましい。
が５〜５０μｍの高分子量異物の個数が平面視した場合
に２００個／ｃｍ2 以下である。高分子量異物の個数が
２００個／ｃｍ2 を超えると、透過ディスプレイに用い
た場合に、目視上、光が散乱してディスプレイが見にく
くなる。５μｍ未満の高分子量異物の存在は、目視上あ
まり問題とならない。また、５０μｍを超える大きさの
異物は、通常の製造法ではほとんど生成するもので無
く、通常は金属やシール材等の異物であって、製造プロ
セス内で除去されるものである。本発明の位相差補償フ
ィルムは、例えば以下に詳述する本発明の方法により製
造することができる。本発明の方法では、前述したよう
に、まず、ポリカーボネートの濃度が１〜３０wt％の有
機溶媒溶液を調製する。ポリカーボネートは、位相差補
償フィルムとして使用可能な透光性を有するフィルムが
得られるものであれば分岐構造を有するものでも直鎖状
のものでもよいが、前述したように、粘度平均分子量
（Ｍｖ）が２０，０００〜１００，０００のものが好ま
しい。また、延伸成形時の温度変化に起因するレターデ
ーション（Ｒ）の変化を小さくするうえからは、Ｍｖが
４０，０００未満のポリカーボネートであって分岐構造
を有するもの、またはＭｖが４０，０００以上の直鎖状
ポリカーボネートが好ましい。
【０００７】ポリカーボネートの製造は、目的とするポ
リカーボネートに応じた２価フェノール、ホスゲンまた
は炭酸エステル化合物、および必要に応じて分岐剤を用
い、これらを所定の条件で重合させることにより得るこ
とができる。ここで、２価フェノールの例としては、ハ
イドロキノン、４，４′−ジヒドロキシジフェニル、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）オキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スル
ホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン等や、こ
れらのハロゲン置換化合物等が挙げられる。また炭酸エ
ステル化合物の例としては、ジフェニルカーボネート等
のジアリールカーボネート、ジメチルカーボネートやジ
エチルカーボネート等のジアルキルカーボネート等が挙
げられる。
リカーボネートに応じた２価フェノール、ホスゲンまた
は炭酸エステル化合物、および必要に応じて分岐剤を用
い、これらを所定の条件で重合させることにより得るこ
とができる。ここで、２価フェノールの例としては、ハ
イドロキノン、４，４′−ジヒドロキシジフェニル、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロアルカン、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）オキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スル
ホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン等や、こ
れらのハロゲン置換化合物等が挙げられる。また炭酸エ
ステル化合物の例としては、ジフェニルカーボネート等
のジアリールカーボネート、ジメチルカーボネートやジ
エチルカーボネート等のジアルキルカーボネート等が挙
げられる。
【０００８】必要に応じて使用する分岐剤の具体例とし
ては、フロログルシン、メリト酸、トリメリト酸、トリ
メリト酸クロリド、無水トリメリト酸、没食子酸、没食
子酸ｎ−プロピル、プロトカテク酸、ピロメリト酸、ピ
ロメリト酸第二無水物、α−レゾルシン酸、β−レゾル
シン酸、レゾルシンアルデヒド、トリメリチルクロリ
ド、イサチンビス（ｏ−クレゾール）、トリメリチルト
リクロリド、４−クロロホルミルフタル酸無水物、ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸、２，４，４′−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，４，４′−トリヒドロキ
シフェニルエーテル、２，２′，４，４′−テトラヒド
ロキシフェニルエーテル、２，４，４′−トリヒドロキ
シジフェニル−２−プロパン、２，２′−ビス（２，４
−ジヒドロキシ）プロパン、２，２′，４，４′−テト
ラヒドロキシジフェニルメタン、２，４，４′−トリヒ
ドロキシジフェニルメタン、１−［α−メチル−α−
（４′−ヒドロキシフェニル）エチル］−３−［α′，
α′−ビス（４″−ヒドロキシフェニル）エチル］ベン
ゼン、１−［α−メチル−α−（４′−ヒドロキシフェ
ニル）エチル］−４−［α′，α′−ビス（４″−ヒド
ロキシフェニル）エチル］ベンゼン、α，α′，α″−
トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリ
イソプロピルベンゼン、２，６−ビス（２′−ヒドロキ
シ−５′−メチルベンジル）−４−メチルフェノール、
４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４′−ヒドロ
キシフェニル）−２−ヘプテン、４，６−ジメチル−
２，４，６−トリス（４′−ヒドロキシフェニル）−２
−ヘプタン、１，３，５−トリス（４′−ヒドロキシフ
ェニル）−ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロ
キシフェニル）エタン、２，２−ビス［４，４−ビス
（４′−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル］−プロ
パン、２，６−ビス（２′−ヒドロキシ−５′−イソプ
ロピルベンジル）−４−イソプロピルフェノール、ビス
［２−ヒドロキシ−３−（２′−ヒドロキシ−５′−メ
チルベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、ビス
［２−ヒドロキシ−３−（２′−ヒドロキシ−５′−イ
ソプロピルベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、
テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス
（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、２′，
４′，７−トリヒドロキシフラバン、２，４，４−トリ
メチル−２′，４′，７−トリヒドロキシフラバン、
１，３−ビス（２′，４′−ジヒドロキシフェニルイソ
プロピル）ベンゼン、トリス（４′−ヒドロキシアリー
ル）−アミル−ｓ−トリアジン等が挙げられる。これら
の分岐剤は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上
を組み合わせて用いてもよい。
ては、フロログルシン、メリト酸、トリメリト酸、トリ
メリト酸クロリド、無水トリメリト酸、没食子酸、没食
子酸ｎ−プロピル、プロトカテク酸、ピロメリト酸、ピ
ロメリト酸第二無水物、α−レゾルシン酸、β−レゾル
シン酸、レゾルシンアルデヒド、トリメリチルクロリ
ド、イサチンビス（ｏ−クレゾール）、トリメリチルト
リクロリド、４−クロロホルミルフタル酸無水物、ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸、２，４，４′−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，４，４′−トリヒドロキ
シフェニルエーテル、２，２′，４，４′−テトラヒド
ロキシフェニルエーテル、２，４，４′−トリヒドロキ
シジフェニル−２−プロパン、２，２′−ビス（２，４
−ジヒドロキシ）プロパン、２，２′，４，４′−テト
ラヒドロキシジフェニルメタン、２，４，４′−トリヒ
ドロキシジフェニルメタン、１−［α−メチル−α−
（４′−ヒドロキシフェニル）エチル］−３−［α′，
α′−ビス（４″−ヒドロキシフェニル）エチル］ベン
ゼン、１−［α−メチル−α−（４′−ヒドロキシフェ
ニル）エチル］−４−［α′，α′−ビス（４″−ヒド
ロキシフェニル）エチル］ベンゼン、α，α′，α″−
トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリ
イソプロピルベンゼン、２，６−ビス（２′−ヒドロキ
シ−５′−メチルベンジル）−４−メチルフェノール、
４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４′−ヒドロ
キシフェニル）−２−ヘプテン、４，６−ジメチル−
２，４，６−トリス（４′−ヒドロキシフェニル）−２
−ヘプタン、１，３，５−トリス（４′−ヒドロキシフ
ェニル）−ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロ
キシフェニル）エタン、２，２−ビス［４，４−ビス
（４′−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル］−プロ
パン、２，６−ビス（２′−ヒドロキシ−５′−イソプ
ロピルベンジル）−４−イソプロピルフェノール、ビス
［２−ヒドロキシ−３−（２′−ヒドロキシ−５′−メ
チルベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、ビス
［２−ヒドロキシ−３−（２′−ヒドロキシ−５′−イ
ソプロピルベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、
テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス
（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、２′，
４′，７−トリヒドロキシフラバン、２，４，４−トリ
メチル−２′，４′，７−トリヒドロキシフラバン、
１，３−ビス（２′，４′−ジヒドロキシフェニルイソ
プロピル）ベンゼン、トリス（４′−ヒドロキシアリー
ル）−アミル−ｓ−トリアジン等が挙げられる。これら
の分岐剤は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上
を組み合わせて用いてもよい。
【０００９】ポリカーボネートの濃度が１〜３０wt％の
有機溶媒溶液は、所定量のポリカーボネートを有機溶媒
に溶解させることにより調製することができる。また、
溶液法や界面重縮合法でポリカーボネートを製造した場
合には、製造過程で得られる有機溶媒溶液を必要に応じ
て濃度調整することにより、調製することができる。有
機溶媒の具体例としては、テトラクロロエタン、トリク
ロロエタン、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリク
ロロメチレン、ジクロロエチレン、クロロホルム、チオ
フェン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、クロロベン
ゼン、ｏ−，ｍ−あるいはｐ−ジクロロベンゼン等、お
よびこれらの２種以上の混合物やこれらを主成分とする
混合物等が挙げられる。
有機溶媒溶液は、所定量のポリカーボネートを有機溶媒
に溶解させることにより調製することができる。また、
溶液法や界面重縮合法でポリカーボネートを製造した場
合には、製造過程で得られる有機溶媒溶液を必要に応じ
て濃度調整することにより、調製することができる。有
機溶媒の具体例としては、テトラクロロエタン、トリク
ロロエタン、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリク
ロロメチレン、ジクロロエチレン、クロロホルム、チオ
フェン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、クロロベン
ゼン、ｏ−，ｍ−あるいはｐ−ジクロロベンゼン等、お
よびこれらの２種以上の混合物やこれらを主成分とする
混合物等が挙げられる。
【００１０】本発明の方法において有機溶媒溶液の濃度
を１〜３０wt％に限定する理由は、１wt％未満では有機
溶媒溶液に含まれている高分子量異物をフィルターによ
り除去する際のフィルターや装置の効率が低下し過ぎ、
３０wt％を超えると高粘度化してフィルターによる濾過
そのものが困難になるからである。
を１〜３０wt％に限定する理由は、１wt％未満では有機
溶媒溶液に含まれている高分子量異物をフィルターによ
り除去する際のフィルターや装置の効率が低下し過ぎ、
３０wt％を超えると高粘度化してフィルターによる濾過
そのものが困難になるからである。
【００１１】本発明の方法では、上述の有機溶媒溶液を
調製した後、この有機溶媒溶液をフィルターにかけて高
分子量異物を除去する。使用するフィルターは、有機溶
媒に対して耐性のあるものであればよく、例えば焼結金
属フィルター、金属繊維フィルター、樹脂フィルター
（織布、不織布）、セラミックスフィルター、ガラスフ
ィルターが好適である。また、フィルターの平均目開き
は、除去しようとする高分子量異物の大きさによって適
宜変動させることができるが、通常０．１〜１００μｍ
の範囲から選択される。フィルターは単独で用いてもよ
いし、複数個を直列に配して用いてもよい。フィルター
への有機溶媒溶液の供給は、圧送やポンプ輸送等により
行うことが好ましい。
調製した後、この有機溶媒溶液をフィルターにかけて高
分子量異物を除去する。使用するフィルターは、有機溶
媒に対して耐性のあるものであればよく、例えば焼結金
属フィルター、金属繊維フィルター、樹脂フィルター
（織布、不織布）、セラミックスフィルター、ガラスフ
ィルターが好適である。また、フィルターの平均目開き
は、除去しようとする高分子量異物の大きさによって適
宜変動させることができるが、通常０．１〜１００μｍ
の範囲から選択される。フィルターは単独で用いてもよ
いし、複数個を直列に配して用いてもよい。フィルター
への有機溶媒溶液の供給は、圧送やポンプ輸送等により
行うことが好ましい。
【００１２】このようにして高分子量異物を除去した後
は、従来と同様にして位相差補償フィルムを製造するこ
とができる。具体的には、まず、ソルベントキャスト法
によりシート化したり、常法により造粒・乾燥した後に
押出成形してシート化したりして、ポリカーボネートシ
ートを得る。次に、このシートを加熱した後、または加
熱しながら、引張延伸成形法、圧縮延伸成形法、ロール
圧延成形法、インフレーション成形法、ダイ内押出延伸
成形法等により一軸方向または二軸方向に延伸成形し
て、異方性配向フィルムすなわち位相差補償フィルムを
得る。従来と同様に、延伸成形時の縦方向と横方向の延
伸割合、およびフィルムの厚さを適宜調整することによ
り、所望のレターデーション（Ｒ）を有する位相差補償
フィルムを得ることができる。
は、従来と同様にして位相差補償フィルムを製造するこ
とができる。具体的には、まず、ソルベントキャスト法
によりシート化したり、常法により造粒・乾燥した後に
押出成形してシート化したりして、ポリカーボネートシ
ートを得る。次に、このシートを加熱した後、または加
熱しながら、引張延伸成形法、圧縮延伸成形法、ロール
圧延成形法、インフレーション成形法、ダイ内押出延伸
成形法等により一軸方向または二軸方向に延伸成形し
て、異方性配向フィルムすなわち位相差補償フィルムを
得る。従来と同様に、延伸成形時の縦方向と横方向の延
伸割合、およびフィルムの厚さを適宜調整することによ
り、所望のレターデーション（Ｒ）を有する位相差補償
フィルムを得ることができる。
【００１３】上述のようにして、大きさが５〜５０μｍ
の高分子量異物の個数が平面視した場合に２００個／ｃ
ｍ2 以下のポリカーボネート製の位相差補償フィルムを
得ることができる。そして、大きさが５〜５０μｍの高
分子量異物の個数を前述のように２００個／ｃｍ2 以下
とすることにより、延伸成形に伴って偏平化した高分子
量異物に起因する乱反射が低減するため、この位相差補
償フィルムを透過型ディスプレイに用いた場合でもディ
スプレイは見やすいという利点が得られる。
の高分子量異物の個数が平面視した場合に２００個／ｃ
ｍ2 以下のポリカーボネート製の位相差補償フィルムを
得ることができる。そして、大きさが５〜５０μｍの高
分子量異物の個数を前述のように２００個／ｃｍ2 以下
とすることにより、延伸成形に伴って偏平化した高分子
量異物に起因する乱反射が低減するため、この位相差補
償フィルムを透過型ディスプレイに用いた場合でもディ
スプレイは見やすいという利点が得られる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１ （１）分岐構造を有するポリカーボネートの有機溶媒溶
液の調製 内容積５０リットルの撹拌機付き容器に、２価フェノー
ルとしてビスフェノールＡ ９．２モル、分岐剤として
１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン
０．０６９モル、２．０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液９．
４リットルおよびジクロロメタン８リットルを入れて撹
拌し、ここにホスゲンを３０分間吹き込んだ。次に、ｐ
−tert−ブチルフェノール０．４７モルを反応させ、さ
らにビスフェノールＡ ０．４４モル、トリエチルアミ
ン０．０２２モル、０．２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液
４．５リットルを加えて４０分間反応させた後、水相と
有機相とを分離した。このようにして、ポリカーボネー
トオリゴマーのジクロロメタン溶液を得た。このジクロ
ロメタン溶液８リットルとビスフェノールＡ ２．５モ
ル、７．２５重量％水酸化ナトリウム水溶液４００ｇ、
トリエチルアミン０．０１７モルおよびジクロロメタン
６リットルを混合し、５００rpm で撹拌しつつ６０分間
反応させた。反応後、水相と有機相とを分離し、有機相
を水、アルカリ（０．０１Ｎ水酸化ナトリウム水溶
液）、酸（０．１Ｎ塩酸）および水で順次洗浄した。こ
の後、ジクロロメタンを蒸発除去して濃縮し、ポリカー
ボネートの濃度が２０wt％のジクロロメタン溶液（以
下、ポリマー溶液Ｉという）を得た。
液の調製 内容積５０リットルの撹拌機付き容器に、２価フェノー
ルとしてビスフェノールＡ ９．２モル、分岐剤として
１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン
０．０６９モル、２．０Ｎ水酸化ナトリウム水溶液９．
４リットルおよびジクロロメタン８リットルを入れて撹
拌し、ここにホスゲンを３０分間吹き込んだ。次に、ｐ
−tert−ブチルフェノール０．４７モルを反応させ、さ
らにビスフェノールＡ ０．４４モル、トリエチルアミ
ン０．０２２モル、０．２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液
４．５リットルを加えて４０分間反応させた後、水相と
有機相とを分離した。このようにして、ポリカーボネー
トオリゴマーのジクロロメタン溶液を得た。このジクロ
ロメタン溶液８リットルとビスフェノールＡ ２．５モ
ル、７．２５重量％水酸化ナトリウム水溶液４００ｇ、
トリエチルアミン０．０１７モルおよびジクロロメタン
６リットルを混合し、５００rpm で撹拌しつつ６０分間
反応させた。反応後、水相と有機相とを分離し、有機相
を水、アルカリ（０．０１Ｎ水酸化ナトリウム水溶
液）、酸（０．１Ｎ塩酸）および水で順次洗浄した。こ
の後、ジクロロメタンを蒸発除去して濃縮し、ポリカー
ボネートの濃度が２０wt％のジクロロメタン溶液（以
下、ポリマー溶液Ｉという）を得た。
【００１５】（２）高分子量異物の除去 上記（１）で得られたポリマー溶液Ｉに１kg／ｃｍ2 Ｇ
の圧力をかけてこれを圧送し、日本ポール社製の焼結金
属フィルター（商品名：ＰＭＦ−ＦＨ１００，平均目開
き１０μｍ）を通して高分子量異物を除去して、清澄な
ポリマー溶液Ｉを得た。
の圧力をかけてこれを圧送し、日本ポール社製の焼結金
属フィルター（商品名：ＰＭＦ−ＦＨ１００，平均目開
き１０μｍ）を通して高分子量異物を除去して、清澄な
ポリマー溶液Ｉを得た。
【００１６】（３）位相差補償フィルムの製造 まず、上記（２）で得られた清澄なポリマー溶液Ｉから
ジクロロメタンを除去して、ポリカーボネートフレーク
を得た。このポリカーボネートの粘度平均分子量（Ｍ
ｖ）は２４，５００であった。次に、得られたポリカー
ボネートフレークを押出成形法により成形して、厚さ２
ｍｍのポリカーボネートシートを得た後、このシートを
延伸成形温度１６０℃、１７０℃または１８０℃の条件
で圧縮延伸成形法により一軸方向（主配列方向）に３倍
に延伸して、厚さ０．６５ｍｍの位相差補償フィルムを
計３種得た。
ジクロロメタンを除去して、ポリカーボネートフレーク
を得た。このポリカーボネートの粘度平均分子量（Ｍ
ｖ）は２４，５００であった。次に、得られたポリカー
ボネートフレークを押出成形法により成形して、厚さ２
ｍｍのポリカーボネートシートを得た後、このシートを
延伸成形温度１６０℃、１７０℃または１８０℃の条件
で圧縮延伸成形法により一軸方向（主配列方向）に３倍
に延伸して、厚さ０．６５ｍｍの位相差補償フィルムを
計３種得た。
【００１７】これらの位相差補償フィルムのうちの１７
０℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視によ
り観察したところ、目障りとなるものは特には見えなか
った。この位相差補償フィルムに含まれる高分子量異物
の個数をその大きさごとに実体顕微鏡下でカウントし
た。結果を表１に示す。また、各位相差補償フィルムの
複屈折率差（△ｎ）およびレターデーション（Ｒ）を表
２に示す。さらに、Ｒの変化率を表２に併記する。
０℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視によ
り観察したところ、目障りとなるものは特には見えなか
った。この位相差補償フィルムに含まれる高分子量異物
の個数をその大きさごとに実体顕微鏡下でカウントし
た。結果を表１に示す。また、各位相差補償フィルムの
複屈折率差（△ｎ）およびレターデーション（Ｒ）を表
２に示す。さらに、Ｒの変化率を表２に併記する。
【００１８】なお、△ｎは偏光顕微鏡にデレック型コン
デンセイターを取付けて測定し、Ｒは下式 Ｒ＝△ｎ・ｔ ｔ…位相差補償フィルムの厚さ（＝０．６５ｍｍ） により算出した。また、Ｒの変化率は下式により求め
た。 Ｒの変化率＝｛（Ｒの変化）／［（Ｒの平均値）・（温
度差）］｝×１００ Ｒの変化…（１８０℃で延伸成形して得た位相差補償フ
ィルムのＲ）−（１６０℃で延伸成形して得た位相差補
償フィルムのＲ） Ｒの平均値…３種の位相差補償フィルムのＲの平均値 温度差…１８０（℃）−１６０（℃）＝２０（℃）
デンセイターを取付けて測定し、Ｒは下式 Ｒ＝△ｎ・ｔ ｔ…位相差補償フィルムの厚さ（＝０．６５ｍｍ） により算出した。また、Ｒの変化率は下式により求め
た。 Ｒの変化率＝｛（Ｒの変化）／［（Ｒの平均値）・（温
度差）］｝×１００ Ｒの変化…（１８０℃で延伸成形して得た位相差補償フ
ィルムのＲ）−（１６０℃で延伸成形して得た位相差補
償フィルムのＲ） Ｒの平均値…３種の位相差補償フィルムのＲの平均値 温度差…１８０（℃）−１６０（℃）＝２０（℃）
【００１９】実施例２ （１）直鎖状ポリカーボネートの有機溶媒溶液の調製 内容積５０リットルの撹拌機付き容器に、２価フェノー
ルとしてビスフェノールＡ ９．２モル、２．０Ｎ水酸
化ナトリウム水溶液９．４リットルおよびジクロロメタ
ン８リットルを入れて撹拌し、ここにホスゲンを３０分
間吹き込んだ。次に、ｐ−tert−ブチルフェノール０．
２１モルを反応させ、さらにビスフェノールＡ ０．４
４モル、トリエチルアミン０．０２２モル、０．２Ｎ水
酸化ナトリウム水溶液４．５リットルを加えて４０分間
反応させた後、水相と有機相とを分離した。このように
して、ポリカーボネートオリゴマーのジクロロメタン溶
液を得た。このジクロロメタン溶液８リットルとビスフ
ェノールＡ ２．５モル、７．２５重量％水酸化ナトリ
ウム水溶液４００ｇ、トリエチルアミン０．０１７モル
およびジクロロメタン８リットルを混合し、５００rpm
で撹拌しつつ６０分間反応させた。反応後、水相と有機
相とを分離し、有機相を水、アルカリ（０．０１Ｎ水酸
化ナトリウム水溶液）、酸（０．１Ｎ塩酸）および純水
で順次洗浄した。この後、ジクロロメタンを蒸発除去し
て濃縮し、直鎖状ポリカーボネートの濃度が２０wt％の
ジクロロメタン溶液（以下、ポリマー溶液IIという）を
得た。
ルとしてビスフェノールＡ ９．２モル、２．０Ｎ水酸
化ナトリウム水溶液９．４リットルおよびジクロロメタ
ン８リットルを入れて撹拌し、ここにホスゲンを３０分
間吹き込んだ。次に、ｐ−tert−ブチルフェノール０．
２１モルを反応させ、さらにビスフェノールＡ ０．４
４モル、トリエチルアミン０．０２２モル、０．２Ｎ水
酸化ナトリウム水溶液４．５リットルを加えて４０分間
反応させた後、水相と有機相とを分離した。このように
して、ポリカーボネートオリゴマーのジクロロメタン溶
液を得た。このジクロロメタン溶液８リットルとビスフ
ェノールＡ ２．５モル、７．２５重量％水酸化ナトリ
ウム水溶液４００ｇ、トリエチルアミン０．０１７モル
およびジクロロメタン８リットルを混合し、５００rpm
で撹拌しつつ６０分間反応させた。反応後、水相と有機
相とを分離し、有機相を水、アルカリ（０．０１Ｎ水酸
化ナトリウム水溶液）、酸（０．１Ｎ塩酸）および純水
で順次洗浄した。この後、ジクロロメタンを蒸発除去し
て濃縮し、直鎖状ポリカーボネートの濃度が２０wt％の
ジクロロメタン溶液（以下、ポリマー溶液IIという）を
得た。
【００２０】（２）高分子量異物の除去 上記（１）で得られたポリマー溶液IIに含まれる高分子
量異物を実施例１と同様にして除去して、清澄なポリマ
ー溶液IIを得た。
量異物を実施例１と同様にして除去して、清澄なポリマ
ー溶液IIを得た。
【００２１】（３）位相差補償フィルムの製造 まず、上記（２）で得られた清澄なポリマー溶液IIから
ジクロロメタンを除いて、ポリカーボネートフレークを
得た。このポリカーボネートの粘度平均分子量（Ｍｖ）
は４０，５００であった。この後は実施例１と同様に
て、計３種の位相差補償フィルムを得た。
ジクロロメタンを除いて、ポリカーボネートフレークを
得た。このポリカーボネートの粘度平均分子量（Ｍｖ）
は４０，５００であった。この後は実施例１と同様に
て、計３種の位相差補償フィルムを得た。
【００２２】これらの位相差補償フィルムのうちの１７
０℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視によ
り観察したところ、目障りとなるものは特には見えなか
った。この位相差補償フィルムに含まれる高分子量異物
の個数をその大きさごとに実体顕微鏡下でカウントし
た。結果を表１に示す。また、各位相差補償フィルムの
複屈折率差（△ｎ）およびレターデーション（Ｒ）を表
２に示す。さらに、Ｒの変化率を表２に併記する。
０℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視によ
り観察したところ、目障りとなるものは特には見えなか
った。この位相差補償フィルムに含まれる高分子量異物
の個数をその大きさごとに実体顕微鏡下でカウントし
た。結果を表１に示す。また、各位相差補償フィルムの
複屈折率差（△ｎ）およびレターデーション（Ｒ）を表
２に示す。さらに、Ｒの変化率を表２に併記する。
【００２３】実施例３ フィルターとして平均目開きが１５μｍのものを用いた
以外は実施例１と全く同様にして、計３種の位相差補償
フィルムを得た。これらの位相差補償フィルムのうちの
１７０℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視
により観察したところ、僅かに異物が認められたが、実
用上問題となるものではなかった。この位相差補償フィ
ルムに含まれる高分子量異物の個数をその大きさごとに
実体顕微鏡下でカウントした。結果を表１に示す。ま
た、各位相差補償フィルムの複屈折率差（△ｎ）および
レターデーション（Ｒ）を表２に示す。さらに、Ｒの変
化率を表２に併記する。
以外は実施例１と全く同様にして、計３種の位相差補償
フィルムを得た。これらの位相差補償フィルムのうちの
１７０℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視
により観察したところ、僅かに異物が認められたが、実
用上問題となるものではなかった。この位相差補償フィ
ルムに含まれる高分子量異物の個数をその大きさごとに
実体顕微鏡下でカウントした。結果を表１に示す。ま
た、各位相差補償フィルムの複屈折率差（△ｎ）および
レターデーション（Ｒ）を表２に示す。さらに、Ｒの変
化率を表２に併記する。
【００２４】比較例１ 実施例１と同様にしてポリマー溶液Ｉを調製した後、フ
ィルターによる高分子量異物の除去を行わなかった以外
は実施例１と全く同様にして計３種の位相差補償フィル
ムを得た。これらの位相差補償フィルムのうちの１７０
℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視により
観察したところ、偏平化した半透明若しくは透明に近い
高分子量異物が散見され、鱗片の様に光るものがあっ
た。この位相差補償フィルムに含まれる高分子量異物の
個数をその大きさごとに実体顕微鏡下でカウントした。
結果を表１に示す。また、各位相差補償フィルムの複屈
折率差（△ｎ）およびレターデーション（Ｒ）を表２に
示す。さらに、Ｒの変化率を表２に併記する。
ィルターによる高分子量異物の除去を行わなかった以外
は実施例１と全く同様にして計３種の位相差補償フィル
ムを得た。これらの位相差補償フィルムのうちの１７０
℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視により
観察したところ、偏平化した半透明若しくは透明に近い
高分子量異物が散見され、鱗片の様に光るものがあっ
た。この位相差補償フィルムに含まれる高分子量異物の
個数をその大きさごとに実体顕微鏡下でカウントした。
結果を表１に示す。また、各位相差補償フィルムの複屈
折率差（△ｎ）およびレターデーション（Ｒ）を表２に
示す。さらに、Ｒの変化率を表２に併記する。
【００２５】比較例２ 実施例２と同様にしてポリマー溶液IIを調製した後、フ
ィルターによる高分子量異物の除去を行わなかった以外
は実施例２と全く同様にして計３種の位相差補償フィル
ムを得た。これらの位相差補償フィルムのうちの１７０
℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視により
観察したところ、偏平化した半透明若しくは透明に近い
高分子量異物が散見され、鱗片の様に光るものがあっ
た。この位相差補償フィルムに含まれる高分子量異物の
個数をその大きさごとに実体顕微鏡下でカウントした。
結果を表１に示す。また、各位相差補償フィルムの複屈
折率差（△ｎ）およびレターデーション（Ｒ）を表２に
示す。さらに、Ｒの変化率を表２に併記する。
ィルターによる高分子量異物の除去を行わなかった以外
は実施例２と全く同様にして計３種の位相差補償フィル
ムを得た。これらの位相差補償フィルムのうちの１７０
℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視により
観察したところ、偏平化した半透明若しくは透明に近い
高分子量異物が散見され、鱗片の様に光るものがあっ
た。この位相差補償フィルムに含まれる高分子量異物の
個数をその大きさごとに実体顕微鏡下でカウントした。
結果を表１に示す。また、各位相差補償フィルムの複屈
折率差（△ｎ）およびレターデーション（Ｒ）を表２に
示す。さらに、Ｒの変化率を表２に併記する。
【００２６】比較例３ ポリカーボネートの濃度を３２wt％にまで上げた以外は
実施例１と同様にしてポリマー溶液を調製したところ、
５kg／ｃｍ2 Ｇの圧力をかけても濾過できなかった。
実施例１と同様にしてポリマー溶液を調製したところ、
５kg／ｃｍ2 Ｇの圧力をかけても濾過できなかった。
【００２７】比較例４ フィルターとして平均目開きが２０μｍのものを用いた
以外は実施例１と全く同様にして、計３種の位相差補償
フィルムを得た。これらの位相差補償フィルムのうちの
１７０℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視
により観察したところ、偏平化した半透明若しくは透明
に近い高分子量異物が散見され、鱗片の様に光るものが
あった。この位相差補償フィルムに含まれる高分子量異
物の個数をその大きさごとに実体顕微鏡下でカウントし
た。結果を表１に示す。また、各位相差補償フィルムの
複屈折率差（△ｎ）およびレターデーション（Ｒ）を表
２に示す。さらに、Ｒの変化率を表２に併記する。
以外は実施例１と全く同様にして、計３種の位相差補償
フィルムを得た。これらの位相差補償フィルムのうちの
１７０℃で延伸成形して得た位相差補償フィルムを目視
により観察したところ、偏平化した半透明若しくは透明
に近い高分子量異物が散見され、鱗片の様に光るものが
あった。この位相差補償フィルムに含まれる高分子量異
物の個数をその大きさごとに実体顕微鏡下でカウントし
た。結果を表１に示す。また、各位相差補償フィルムの
複屈折率差（△ｎ）およびレターデーション（Ｒ）を表
２に示す。さらに、Ｒの変化率を表２に併記する。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】表１から明らかなように、実施例１〜実施
例３で得られた位相差補償フィルムに含まれる高分子量
異物（大きさが５〜５０μｍのもの）の個数は、平面視
した場合に２００個／ｃｍ2 以下である。そして、これ
らの高分子量異物の存在は目視では殆んど確認できない
ものであり、実用上特に問題となるものではない。一
方、比較例１、比較例２および比較例４で得られた位相
差補償フィルムに含まれる高分子量異物（大きさが５〜
５０μｍのもの）の個数は、平面視した場合にいずれも
２００個／ｃｍ2 を超える。そして、これらの高分子量
異物の存在は、これらの異物により光が乱反射するた
め、鱗片状の異物として容易に目視できる。したがっ
て、これらのフィルムは位相差補償フィルムとしては実
用上不適当である。また、比較例３から明らかなよう
に、ポリカーボネートの濃度が３０wt％を超える有機溶
媒溶液は高圧をかけてもフィルターにかけることが困難
であるため、実用上使用できない。
例３で得られた位相差補償フィルムに含まれる高分子量
異物（大きさが５〜５０μｍのもの）の個数は、平面視
した場合に２００個／ｃｍ2 以下である。そして、これ
らの高分子量異物の存在は目視では殆んど確認できない
ものであり、実用上特に問題となるものではない。一
方、比較例１、比較例２および比較例４で得られた位相
差補償フィルムに含まれる高分子量異物（大きさが５〜
５０μｍのもの）の個数は、平面視した場合にいずれも
２００個／ｃｍ2 を超える。そして、これらの高分子量
異物の存在は、これらの異物により光が乱反射するた
め、鱗片状の異物として容易に目視できる。したがっ
て、これらのフィルムは位相差補償フィルムとしては実
用上不適当である。また、比較例３から明らかなよう
に、ポリカーボネートの濃度が３０wt％を超える有機溶
媒溶液は高圧をかけてもフィルターにかけることが困難
であるため、実用上使用できない。
【００３１】なお、表２から明らかなように、Ｍｖが４
０，０００未満で分岐構造を有するポリカーボネートま
たはＭｖが４０，０００以上の直鎖状ポリカーボネート
を用いた実施例１〜実施例３では、延伸成形時の温度変
化に起因するレターデーション（Ｒ）の変化率が−２．
５〜−５．３％／℃と小さく、位相差補償フィルムとし
て全く問題の無いものである。
０，０００未満で分岐構造を有するポリカーボネートま
たはＭｖが４０，０００以上の直鎖状ポリカーボネート
を用いた実施例１〜実施例３では、延伸成形時の温度変
化に起因するレターデーション（Ｒ）の変化率が−２．
５〜−５．３％／℃と小さく、位相差補償フィルムとし
て全く問題の無いものである。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
乱反射の少ないポリカーボネート製位相差補償フィルム
を提供することが可能になる。
乱反射の少ないポリカーボネート製位相差補償フィルム
を提供することが可能になる。
Claims (6)
- 【請求項１】ポリカーボネート製の位相差補償フィルム
であって、大きさが５〜５０μｍの高分子量異物の個数
が平面視した場合に２００個／ｃｍ2 以下であることを
特徴とする位相差補償フィルム。 - 【請求項２】ポリカーボネートの粘度平均分子量が２
０，０００〜１００，０００である、請求項１に記載の
位相差補償フィルム。 - 【請求項３】ポリカーボネートが、粘度平均分子量４
０，０００未満のポリカーボネートであって分岐構造を
有する、請求項２に記載の位相差補償フィルム。 - 【請求項４】ポリカーボネートが、粘度平均分子量４
０，０００以上の直鎖状ポリカーボネートである、請求
項２に記載の位相差補償フィルム。 - 【請求項５】ポリカーボネート製の位相差補償フィルム
を製造するにあたり、ポリカーボネートの濃度が１〜３
０wt％の有機溶媒溶液を調製した後、前記有機溶媒溶液
をフィルターにかけて高分子量異物を除去する工程を含
むことを特徴とする位相差補償フィルムの製造方法。 - 【請求項６】フィルターとして、焼結金属フィルター、
金属繊維フィルター、樹脂フィルター、セラミックスフ
ィルターおよびガラスフィルターからなる群より選択さ
れる少なくとも１種を用いる、請求項５に記載の方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29616292A JP3203069B2 (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 位相差補償フィルムおよびその製造方法 |
| US08/137,108 US5470937A (en) | 1992-02-28 | 1993-02-25 | Anisotropically oriented phase difference compensation film of a branched polycarbonate |
| PCT/JP1993/000237 WO1993017358A1 (en) | 1992-02-28 | 1993-02-25 | Phase difference compensation film |
| EP19930904353 EP0596129B1 (en) | 1992-02-28 | 1993-02-25 | Phase difference compensation film |
| DE1993615037 DE69315037T2 (de) | 1992-02-28 | 1993-02-25 | Phasendifferenz-kompensationsfilm |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29616292A JP3203069B2 (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 位相差補償フィルムおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148426A true JPH06148426A (ja) | 1994-05-27 |
| JP3203069B2 JP3203069B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=17829964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29616292A Expired - Fee Related JP3203069B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-11-05 | 位相差補償フィルムおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3203069B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06194520A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 位相差フィルム |
| JPH1082912A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 位相差板 |
| JPH11323271A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-26 | Toyobo Co Ltd | 光学用易接着フィルム |
| JP2001074936A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-03-23 | Konica Corp | 光学フィルム及びその製造方法 |
| WO2020209211A1 (ja) * | 2019-04-08 | 2020-10-15 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フィルム、多層体、熱成形体、インモールド成形体、成形体の製造方法およびインモールド成形体の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3731525B2 (ja) | 2001-11-09 | 2006-01-05 | ソニー株式会社 | 情報処理装置および情報処理方法、情報処理システム、並びにプログラム |
| TWI467251B (zh) | 2008-11-07 | 2015-01-01 | Teijin Chemicals Ltd | Phase difference film |
-
1992
- 1992-11-05 JP JP29616292A patent/JP3203069B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06194520A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 位相差フィルム |
| JPH1082912A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 位相差板 |
| JPH11323271A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-26 | Toyobo Co Ltd | 光学用易接着フィルム |
| JP2001074936A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-03-23 | Konica Corp | 光学フィルム及びその製造方法 |
| WO2020209211A1 (ja) * | 2019-04-08 | 2020-10-15 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フィルム、多層体、熱成形体、インモールド成形体、成形体の製造方法およびインモールド成形体の製造方法 |
| JP6813721B1 (ja) * | 2019-04-08 | 2021-01-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フィルム、多層体、熱成形体、インモールド成形体、成形体の製造方法およびインモールド成形体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3203069B2 (ja) | 2001-08-27 |
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