JPH06120631A - 回路基板の積層構造および回路パターンの形成方法 - Google Patents
回路基板の積層構造および回路パターンの形成方法Info
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- JPH06120631A JPH06120631A JP29381192A JP29381192A JPH06120631A JP H06120631 A JPH06120631 A JP H06120631A JP 29381192 A JP29381192 A JP 29381192A JP 29381192 A JP29381192 A JP 29381192A JP H06120631 A JPH06120631 A JP H06120631A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェットエッチングにおいて異方性エッチン
グを可能とし、微細回路を形成する。 【構成】 絶縁基板１１上に、あるエッチング液に対し
てエッチング速度の大きい材料からなる導体層１２と、
これよりも小さい材料からなる導体層１３と、を積層し
ておき、該エッチング液によりエッチングする。これに
より異方性エッチングが可能となり、微細幅のエッチン
グ溝１４を形成する。
グを可能とし、微細回路を形成する。 【構成】 絶縁基板１１上に、あるエッチング液に対し
てエッチング速度の大きい材料からなる導体層１２と、
これよりも小さい材料からなる導体層１３と、を積層し
ておき、該エッチング液によりエッチングする。これに
より異方性エッチングが可能となり、微細幅のエッチン
グ溝１４を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント基板等の回路
基板に設けられる導体層をウエットエッチングしてパタ
ーン回路を形成する際、そのサイドエッチングを制御し
て微細回路の形成を可能とした回路基板の積層構造およ
び回路パターンの形成方法に関する。
基板に設けられる導体層をウエットエッチングしてパタ
ーン回路を形成する際、そのサイドエッチングを制御し
て微細回路の形成を可能とした回路基板の積層構造およ
び回路パターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】回路基板への回路パターンの形成は、回
路基板表面にＣｕ等の配線用金属を例えば、１５μｍ〜
５０μｍの厚さに被着し、所望パターンのレジストを介
してウェットエッチングにより不要の金属を取り除き、
配線部分を残すものである。従来のウェットエッチング
方法では、図４に示すように、回路基板４１の上に積層
した配線層４２を開口を有するレジスト４３で覆い、エ
ッチング液に浸漬する。この結果、レジスト４３下方の
配線部分４２の側壁４２Ａがテーパ形状となる、すなわ
ちエッチング溝４４の開口端の幅よりもその底面の幅が
小さくなるというサイドエッチングが生じていた。
路基板表面にＣｕ等の配線用金属を例えば、１５μｍ〜
５０μｍの厚さに被着し、所望パターンのレジストを介
してウェットエッチングにより不要の金属を取り除き、
配線部分を残すものである。従来のウェットエッチング
方法では、図４に示すように、回路基板４１の上に積層
した配線層４２を開口を有するレジスト４３で覆い、エ
ッチング液に浸漬する。この結果、レジスト４３下方の
配線部分４２の側壁４２Ａがテーパ形状となる、すなわ
ちエッチング溝４４の開口端の幅よりもその底面の幅が
小さくなるというサイドエッチングが生じていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の現象は、配線導
体層としてＣｕを用い、このＣｕ導体層をＦｅＣｌ3エ
ッチング溶液にてエッチングする場合に顕著である。こ
れは、ＣｕがＣｕＣｌ2に変化するだけでなく、ＣｕＣ
ｌ2が生成する反応も同時に起こり、いわゆる電気化学
的な溶解作用が伴うことにより、サイドエッチングが進
行するからである。そして、エッチングされる導体層の
組成が均一であるため、エッチングが均一速度で行われ
るため、エッチング開始時の溝幅が、エッチングが進行
するのに従い、拡大していくことはやむを得ないことだ
った。すなわち、従来のウェットエッチング技術におい
ては、このサイドエッチングの現象の発生が避けられ
ず、エッチング溝の開口端の幅が広くなるので、Ｃｕ導
体層に微細回路を形成することが困難であった。
体層としてＣｕを用い、このＣｕ導体層をＦｅＣｌ3エ
ッチング溶液にてエッチングする場合に顕著である。こ
れは、ＣｕがＣｕＣｌ2に変化するだけでなく、ＣｕＣ
ｌ2が生成する反応も同時に起こり、いわゆる電気化学
的な溶解作用が伴うことにより、サイドエッチングが進
行するからである。そして、エッチングされる導体層の
組成が均一であるため、エッチングが均一速度で行われ
るため、エッチング開始時の溝幅が、エッチングが進行
するのに従い、拡大していくことはやむを得ないことだ
った。すなわち、従来のウェットエッチング技術におい
ては、このサイドエッチングの現象の発生が避けられ
ず、エッチング溝の開口端の幅が広くなるので、Ｃｕ導
体層に微細回路を形成することが困難であった。
【０００４】本発明は、エッチング溝の開口端の幅を底
面の幅とほぼ同一となるように形成し、この開口端の幅
を狭めることにより、パターニング密度を高めた微細回
路の形成が可能な回路基板の積層構造および回路パター
ンの形成方法を提供することを、その目的としている。
面の幅とほぼ同一となるように形成し、この開口端の幅
を狭めることにより、パターニング密度を高めた微細回
路の形成が可能な回路基板の積層構造および回路パター
ンの形成方法を提供することを、その目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の本発明により達成される。すなわち、本発明は、絶縁
基板上に積層された回路形成用の導体層を有する回路基
板の積層構造において、上記導体層をその厚さ方向に複
数の層を積層して構成するとともに、この複数の層のう
ちの絶縁基板側の層は、その表面側の層よりも、所定の
エッチャントに対してエッチング速度の大きい材料を用
いた回路基板の積層構造である。また、上記導体層のう
ちの絶縁基板側の層を、Ｃｕ−Ａｇ系合金、Ｃｕ−Ｓｎ
系合金、Ｃｕ−Ｚｎ系合金のうちのいずれかで、上記導
体層のうちの表面側の層を、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｚｒ系合金、
Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金のうちのいずれかで、それぞれ
構成した回路基板の積層構造である。
の本発明により達成される。すなわち、本発明は、絶縁
基板上に積層された回路形成用の導体層を有する回路基
板の積層構造において、上記導体層をその厚さ方向に複
数の層を積層して構成するとともに、この複数の層のう
ちの絶縁基板側の層は、その表面側の層よりも、所定の
エッチャントに対してエッチング速度の大きい材料を用
いた回路基板の積層構造である。また、上記導体層のう
ちの絶縁基板側の層を、Ｃｕ−Ａｇ系合金、Ｃｕ−Ｓｎ
系合金、Ｃｕ−Ｚｎ系合金のうちのいずれかで、上記導
体層のうちの表面側の層を、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｚｒ系合金、
Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金のうちのいずれかで、それぞれ
構成した回路基板の積層構造である。
【０００６】また、本発明は、絶縁基板上に複数の層を
積層してなる導体層を設け、エッチング液を用いてこの
導体層をエッチングすることにより、該絶縁基板上に所
望の回路パターンを形成する回路パターンの形成方法で
あって、エッチング液に対してエッチング速度が大きい
材料で、上記導体層のうちの絶縁基板側の層を形成し、
このエッチング液に対してこの材料よりもエッチング速
度が小さい材料により、そのうちの表面側の層を形成す
る回路パターンの形成方法である。
積層してなる導体層を設け、エッチング液を用いてこの
導体層をエッチングすることにより、該絶縁基板上に所
望の回路パターンを形成する回路パターンの形成方法で
あって、エッチング液に対してエッチング速度が大きい
材料で、上記導体層のうちの絶縁基板側の層を形成し、
このエッチング液に対してこの材料よりもエッチング速
度が小さい材料により、そのうちの表面側の層を形成す
る回路パターンの形成方法である。
【０００７】
【作用】このように所定のエッチング液に対して導体層
にて表層側にエッチング速度の小さい層を、基板側にエ
ッチング速度の大きい層を配することにより、サイドエ
ッチングが防止され、上端と下端の幅が等しい微細幅の
エッチング溝を形成することができる。例えば、以前は
溝幅が導体層の厚さの２倍までだったのが、導体層の厚
さと同じところまで狭めることも可能となる。そして、
導体層として合金を用いる場合には、添加金属を選択す
ることにより、電位差による食刻作用も防止することが
できる。
にて表層側にエッチング速度の小さい層を、基板側にエ
ッチング速度の大きい層を配することにより、サイドエ
ッチングが防止され、上端と下端の幅が等しい微細幅の
エッチング溝を形成することができる。例えば、以前は
溝幅が導体層の厚さの２倍までだったのが、導体層の厚
さと同じところまで狭めることも可能となる。そして、
導体層として合金を用いる場合には、添加金属を選択す
ることにより、電位差による食刻作用も防止することが
できる。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の一実施例を導体層にＣｕ系金
属を用い、かつ、積層数を２層とした場合について説明
する。図１〜図３に示すように、本発明に係る回路基板
の積層構造にあっては、セラミックスや樹脂等の絶縁基
板１１上に金属あるいは合金の導体層１２、１３を順次
積層したものである。ここで、下側の導体層１２として
は、Ｃｕ系のエッチング液、例えばＦｅＣｌ3等に対し
てエッチング速度の速いＣｕ合金、例えばＣｕ−Ａｇ系
合金、Ｃｕ−Ｓｎ系合金、あるいは、Ｃｕ−Ｚｎ系合金
等を用いる。そして、上側の導体層１３としては、例え
ばタフピッチ銅や無酸素銅などの純銅の他、Ｃｕ−Ｚｒ
系合金、Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金等を用いる。このよう
な積層構造とすることにより、上側の導体層１３のエッ
チングが進行して下側の導体層１２のエッチングが始ま
ると、下側の導体層１２のエッチングの進行が上側の導
体層１３のそれよりも速いため、上下の導体層１２，１
３は殆ど同時に所望幅のエッチングが完了することとな
る。この結果、図３に示すような、その側壁が絶縁基板
１１表面に対して垂直である所定幅のエッチング溝１４
が得られることなる。なお、上記導体層１２，１３にお
ける添加金属の含有量は、通常の金属導体層として用い
られる銅合金と同等の０．０５〜０．３％とすればよ
い。
属を用い、かつ、積層数を２層とした場合について説明
する。図１〜図３に示すように、本発明に係る回路基板
の積層構造にあっては、セラミックスや樹脂等の絶縁基
板１１上に金属あるいは合金の導体層１２、１３を順次
積層したものである。ここで、下側の導体層１２として
は、Ｃｕ系のエッチング液、例えばＦｅＣｌ3等に対し
てエッチング速度の速いＣｕ合金、例えばＣｕ−Ａｇ系
合金、Ｃｕ−Ｓｎ系合金、あるいは、Ｃｕ−Ｚｎ系合金
等を用いる。そして、上側の導体層１３としては、例え
ばタフピッチ銅や無酸素銅などの純銅の他、Ｃｕ−Ｚｒ
系合金、Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金等を用いる。このよう
な積層構造とすることにより、上側の導体層１３のエッ
チングが進行して下側の導体層１２のエッチングが始ま
ると、下側の導体層１２のエッチングの進行が上側の導
体層１３のそれよりも速いため、上下の導体層１２，１
３は殆ど同時に所望幅のエッチングが完了することとな
る。この結果、図３に示すような、その側壁が絶縁基板
１１表面に対して垂直である所定幅のエッチング溝１４
が得られることなる。なお、上記導体層１２，１３にお
ける添加金属の含有量は、通常の金属導体層として用い
られる銅合金と同等の０．０５〜０．３％とすればよ
い。
【０００９】すなわち、図１に示すように、ガラスエポ
キシ基板１１の表面に２０μｍの厚さのＣｕ−Ａｇ合金
の導体層１２を積層し、さらに、この導体層１２の上に
Ｃｕからなる導体層１３を２０μｍだけ被覆する。そし
て、この導体層１３の上に、所定幅の開口１５Ａを形成
した有機レジスト１５を被着する。この導体層１２，１
３の積層は、通常の乾式メッキ、湿式メッキ、または、
両導体層１２，１３をクラッド材として行うこともでき
る。そして、これらの導体層１２，１３の全体の厚さは
通常の単一導体層と同じ１５〜５０μｍ程度とする。
キシ基板１１の表面に２０μｍの厚さのＣｕ−Ａｇ合金
の導体層１２を積層し、さらに、この導体層１２の上に
Ｃｕからなる導体層１３を２０μｍだけ被覆する。そし
て、この導体層１３の上に、所定幅の開口１５Ａを形成
した有機レジスト１５を被着する。この導体層１２，１
３の積層は、通常の乾式メッキ、湿式メッキ、または、
両導体層１２，１３をクラッド材として行うこともでき
る。そして、これらの導体層１２，１３の全体の厚さは
通常の単一導体層と同じ１５〜５０μｍ程度とする。
【００１０】次に、この積層構造の回路基板を所定のエ
ッチング液、例えばＦｅＣｌ3溶液、ＣｕＣｌ2溶液等に
浸漬する。この結果、図２に示すように、まず、導体層
１３が所定の速度でエッチングされ、導体層１２が露出
する。そして、導体層１２についてもエッチングが進行
するが、この導体層１２のエッチング速度は、導体層１
３のそれよりも速いため、導体層１２，１３について所
望の幅のエッチングが同時に完了する。すなわち、図３
に示すように、導体層１２，１３の各側壁１２Ａ、１３
Ａはいずれも基板１１表面に対して垂直になるようにエ
ッチングされる結果となる。このようにして所望の幅の
エッチング溝１４を形成することができるものである。
図２はこのエッチングの進行の途中の状態を示してい
る。なお、所望幅のエッチング溝１４が形成されると、
これは例えばエッチング時間によりコントロールする
が、エッチング液から基板１１を取り出して洗浄し、レ
ジスト１５を取り除くものとする。なお、このように導
体層の表面層１３にＺｒやＣｒを含むエッチング速度の
遅い、硬いＣｕ合金を用いると、導体層の強度が増加す
るという副次効果も得られる。なお、上記導体層１２，
１３は３層以上の構造としもよく、その場合は基板側の
層から表面側の層になるにしたがって、その厚さを考慮
しつつ、順次エッチング速度の小さくなる材料で積層す
る。また、これらの積層した導体層は異なる金属または
合金を用いてもよい、あるエッチング液に対してのエッ
チング速度によりその厚さをコントロールするものであ
ればよい。
ッチング液、例えばＦｅＣｌ3溶液、ＣｕＣｌ2溶液等に
浸漬する。この結果、図２に示すように、まず、導体層
１３が所定の速度でエッチングされ、導体層１２が露出
する。そして、導体層１２についてもエッチングが進行
するが、この導体層１２のエッチング速度は、導体層１
３のそれよりも速いため、導体層１２，１３について所
望の幅のエッチングが同時に完了する。すなわち、図３
に示すように、導体層１２，１３の各側壁１２Ａ、１３
Ａはいずれも基板１１表面に対して垂直になるようにエ
ッチングされる結果となる。このようにして所望の幅の
エッチング溝１４を形成することができるものである。
図２はこのエッチングの進行の途中の状態を示してい
る。なお、所望幅のエッチング溝１４が形成されると、
これは例えばエッチング時間によりコントロールする
が、エッチング液から基板１１を取り出して洗浄し、レ
ジスト１５を取り除くものとする。なお、このように導
体層の表面層１３にＺｒやＣｒを含むエッチング速度の
遅い、硬いＣｕ合金を用いると、導体層の強度が増加す
るという副次効果も得られる。なお、上記導体層１２，
１３は３層以上の構造としもよく、その場合は基板側の
層から表面側の層になるにしたがって、その厚さを考慮
しつつ、順次エッチング速度の小さくなる材料で積層す
る。また、これらの積層した導体層は異なる金属または
合金を用いてもよい、あるエッチング液に対してのエッ
チング速度によりその厚さをコントロールするものであ
ればよい。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、微細な回路を形成可能な基板
構造を与える。また、微細な回路を容易に形成すること
ができる。特にＣｕ系配線について微細パターンを基板
上に容易に形成することができる。
構造を与える。また、微細な回路を容易に形成すること
ができる。特にＣｕ系配線について微細パターンを基板
上に容易に形成することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る回路パターンの形成工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る回路パターンの形成工
程（エッチング進行状況）を示断面図である。
程（エッチング進行状況）を示断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る回路基板の積層構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】従来のウェットエッチングによるエッチング溝
の形状を示す断面図である。
の形状を示す断面図である。
１１ 絶縁基板 １２ 導体層（Ｃｕ−Ａｇ）， １３ 導体層（Ｃｕ−
Ｚｒ） １４ エッチング溝
Ｚｒ） １４ エッチング溝
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板上に積層された回路形成用の導
体層を有する回路基板の積層構造において、 上記導体層をその厚さ方向に複数の層を積層して構成す
るとともに、 この複数の層のうちの絶縁基板側の層は、その表面側の
層よりも、所定のエッチャントに対してエッチング速度
の大きい材料を用いたことを特徴とする回路基板の積層
構造。 - 【請求項２】 上記導体層のうちの絶縁基板側の層を、
Ｃｕ−Ａｇ系合金、Ｃｕ−Ｓｎ系合金、Ｃｕ−Ｚｎ系合
金のうちのいずれかで、上記導体層のうちの表面側の層
を、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｚｒ系合金、Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金
のうちのいずれかで、それぞれ構成した請求項１に記載
の回路基板の積層構造。 - 【請求項３】 絶縁基板上に複数の層を積層してなる導
体層を設け、エッチング液を用いてこの導体層をエッチ
ングすることにより、該絶縁基板上に所望の回路パター
ンを形成する回路パターンの形成方法であって、 エッチング液に対してエッチング速度が大きい材料で、
上記導体層のうちの絶縁基板側の層を形成し、このエッ
チング液に対してこの材料よりもエッチング速度が小さ
い材料により、そのうちの表面側の層を形成することを
特徴とする回路パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29381192A JPH06120631A (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 回路基板の積層構造および回路パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29381192A JPH06120631A (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 回路基板の積層構造および回路パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120631A true JPH06120631A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17799460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29381192A Pending JPH06120631A (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 回路基板の積層構造および回路パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120631A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003058079A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Pioneer Electronic Corp | 配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびその形成方法 |
| JP2007134695A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-05-31 | Ube Ind Ltd | 金属配線耐熱性樹脂基板の製造方法 |
| KR100756751B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2007-09-07 | 엘에스전선 주식회사 | 미세회로용 동박 |
| KR100857946B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2008-09-09 | 엘에스엠트론 주식회사 | 미세회로용 이층동박 |
| WO2011086972A1 (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子回路及びその形成方法並びに電子回路形成用銅張積層板 |
| TWI392421B (zh) * | 2005-10-14 | 2013-04-01 | Ube Industries | 金屬配線基板之製造方法 |
| JP2017152527A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-07 JP JP29381192A patent/JPH06120631A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2011086972A1 (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子回路及びその形成方法並びに電子回路形成用銅張積層板 |
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