JPH06101096B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH06101096B2 JPH06101096B2 JP24749787A JP24749787A JPH06101096B2 JP H06101096 B2 JPH06101096 B2 JP H06101096B2 JP 24749787 A JP24749787 A JP 24749787A JP 24749787 A JP24749787 A JP 24749787A JP H06101096 B2 JPH06101096 B2 JP H06101096B2
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- Japan
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- metal thin
- thin film
- ferromagnetic metal
- magnetic head
- substrate
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は磁気ヘッドに関するものであり、特に高抗磁力
のメタルテープに対応するために磁気コアのギャップ近
傍部に高飽和磁束密度の強磁性金属薄膜を配置した所謂
複合型の磁気ヘッドに関するものである。
のメタルテープに対応するために磁気コアのギャップ近
傍部に高飽和磁束密度の強磁性金属薄膜を配置した所謂
複合型の磁気ヘッドに関するものである。
（ロ）従来の技術 近年、VTR（ビデオテープレコーダ）、DAT（デジタルオ
ーデイオテープレコーダ）等の磁気記録再生装置におい
ては、記録信号の高密度化が進められており、この高密
度記録に対応して高残留磁束密度、高抗磁力のメタルテ
ープが使用されるようになっている。そして、この高抗
磁力のメタルテープに対応する磁気ヘッドとしては、通
常磁気ヘッドとして要求される磁気コアの高周波特性や
耐摩耗性の他に、磁気コアのギャップ近傍部の飽和磁束
密度が大きいことが要求される。
ーデイオテープレコーダ）等の磁気記録再生装置におい
ては、記録信号の高密度化が進められており、この高密
度記録に対応して高残留磁束密度、高抗磁力のメタルテ
ープが使用されるようになっている。そして、この高抗
磁力のメタルテープに対応する磁気ヘッドとしては、通
常磁気ヘッドとして要求される磁気コアの高周波特性や
耐摩耗性の他に、磁気コアのギャップ近傍部の飽和磁束
密度が大きいことが要求される。
上述の要求を満たすメタルテープ対応型の磁気ヘッドと
しては、第16図に示すようにMn−Znフェライト等の強磁
性酸化物からなる一対の磁気コア半体（１）（１）のギ
ャップ（２）近傍部に飽和磁束密度の大きいセンダスト
等の強磁性金属薄膜（３）（３）を配置し、更にトラッ
ク幅規制溝内にテープ摺動面を確保し前記強磁性金属薄
膜（３）（３）の摩耗を防止すると共に前記一対の磁気
コア半体（１）（１）を接合するガラス（４）（４）を
充填した所謂複合型の磁気ヘッドが提案されている。
しては、第16図に示すようにMn−Znフェライト等の強磁
性酸化物からなる一対の磁気コア半体（１）（１）のギ
ャップ（２）近傍部に飽和磁束密度の大きいセンダスト
等の強磁性金属薄膜（３）（３）を配置し、更にトラッ
ク幅規制溝内にテープ摺動面を確保し前記強磁性金属薄
膜（３）（３）の摩耗を防止すると共に前記一対の磁気
コア半体（１）（１）を接合するガラス（４）（４）を
充填した所謂複合型の磁気ヘッドが提案されている。
ところで、前述の強磁性金属薄膜（３）は前記強磁性酸
化物からなる基板上にスパッタリング法等の成膜法によ
って形成されるがその成長膜はスパッタリング条件や、
スパッタリング源と前記基板との相対位置関係等に依存
した方向に結晶粒子が成長し、柱状構造の膜となる。
化物からなる基板上にスパッタリング法等の成膜法によ
って形成されるがその成長膜はスパッタリング条件や、
スパッタリング源と前記基板との相対位置関係等に依存
した方向に結晶粒子が成長し、柱状構造の膜となる。
この柱状構造の膜の成長方向は前記強磁性金属薄膜の磁
気特性、即ち磁気ヘッドの録再特性に大きな影響を及ぼ
す。そして、この磁気ヘッドの強磁性金属薄膜において
は、膜の異方性を抑えるという観点から柱状構造の成長
方向は対称性が高くなるように基板に対して垂直にした
方が好ましいと考えられている。
気特性、即ち磁気ヘッドの録再特性に大きな影響を及ぼ
す。そして、この磁気ヘッドの強磁性金属薄膜において
は、膜の異方性を抑えるという観点から柱状構造の成長
方向は対称性が高くなるように基板に対して垂直にした
方が好ましいと考えられている。
しかし乍ら、このような柱状構造の膜の成長方向を正確
に制御することは、スパッタリング条件のわずかな変動
や基板の配置位置等が膜の成長に微妙な影響を与えるた
め困難であった。そして、この膜の成長方向の小さなバ
ラツキにより磁気ヘッドの録再特性に大きなバラツキが
生じていた。
に制御することは、スパッタリング条件のわずかな変動
や基板の配置位置等が膜の成長に微妙な影響を与えるた
め困難であった。そして、この膜の成長方向の小さなバ
ラツキにより磁気ヘッドの録再特性に大きなバラツキが
生じていた。
上述のような磁気ヘッドの録再特性のバラツキを抑える
ための手段としては、例えば特開昭60−243810号公報
（IPC:G11B5/31）には、柱状構造の強磁性金属薄膜の成
長方向を基板の法線に対して５〜45゜傾斜させることが
有効であると開示されている。しかし乍ら、単に基板に
対する柱状構造の膜の成長方向を規制しただけでは、録
再特性のバラツキを抑えるには不十分であった。
ための手段としては、例えば特開昭60−243810号公報
（IPC:G11B5/31）には、柱状構造の強磁性金属薄膜の成
長方向を基板の法線に対して５〜45゜傾斜させることが
有効であると開示されている。しかし乍ら、単に基板に
対する柱状構造の膜の成長方向を規制しただけでは、録
再特性のバラツキを抑えるには不十分であった。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 本発明は上記従来例の欠点に鑑みなされたもので、柱状
構造の強磁性金属薄膜の成長方向に十分な配慮を施し、
安定且つ良好な録再特性を有する複合型の磁気ヘッドを
提供することを目的とするものである。
構造の強磁性金属薄膜の成長方向に十分な配慮を施し、
安定且つ良好な録再特性を有する複合型の磁気ヘッドを
提供することを目的とするものである。
（ニ）問題点を解決するための手段 強磁性酸化物よりなる一対の磁気コア半体の接合面に柱
状構造の強磁性金属薄膜を形成し、該強磁性金属薄膜同
士を衝き合わせて磁気ギヤップを構成してなる複合型の
磁気ヘッドにおいて、前記強磁性金属薄膜の成長方向が
前記磁気ギヤップ衝き合わせ面に向ってテープ摺動面側
に傾くようにする。
状構造の強磁性金属薄膜を形成し、該強磁性金属薄膜同
士を衝き合わせて磁気ギヤップを構成してなる複合型の
磁気ヘッドにおいて、前記強磁性金属薄膜の成長方向が
前記磁気ギヤップ衝き合わせ面に向ってテープ摺動面側
に傾くようにする。
（ホ）作用 第２図に示すように柱状構造の強磁性金属薄膜（５）が
斜線方向に成長した上記構成の複合型の磁気ヘッドと、
第17図（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように第２図とは単な
る斜線方向に強磁性金属薄膜（17）が成長した複合型の
磁気ヘッドとの各信号周波数におけるヘッド出力を調
べ、その結果を下表に示す。尚、この表に記載されてい
る出力値は各型の磁気ヘッド夫々を10個ずつ測定し、そ
の平均値を示しており、その測定はメタルテープを用
い、相対速度3.1m/S、トラック幅20μｍ、記録電流20mA
P−Ｐの条件下で行った。
斜線方向に成長した上記構成の複合型の磁気ヘッドと、
第17図（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように第２図とは単な
る斜線方向に強磁性金属薄膜（17）が成長した複合型の
磁気ヘッドとの各信号周波数におけるヘッド出力を調
べ、その結果を下表に示す。尚、この表に記載されてい
る出力値は各型の磁気ヘッド夫々を10個ずつ測定し、そ
の平均値を示しており、その測定はメタルテープを用
い、相対速度3.1m/S、トラック幅20μｍ、記録電流20mA
P−Ｐの条件下で行った。
上表から分かるように本発明の構成の磁気ヘッドは他の
構成の磁気ヘッドに比べて出力特性が優れている。
構成の磁気ヘッドに比べて出力特性が優れている。
（ヘ）実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の複合型の磁気ヘッドの
一実施例を詳細に説明する。
一実施例を詳細に説明する。
第１図は本実施例の複合型の磁気ヘッドの斜視図であ
り、第16図と同一部分には同一符号を付し、その説明は
第16図の説明を援用する。
り、第16図と同一部分には同一符号を付し、その説明は
第16図の説明を援用する。
図中、（５）はセンダスト等の柱状構造の強磁性金属薄
膜である。前記強磁性金属薄膜（５）は第１図のａ−
ａ′断面図を示す第２図の斜線方向、即ちギヤップ
（２）衝き合わせ面（６）に向ってテープ摺動面側に傾
くように成長している。
膜である。前記強磁性金属薄膜（５）は第１図のａ−
ａ′断面図を示す第２図の斜線方向、即ちギヤップ
（２）衝き合わせ面（６）に向ってテープ摺動面側に傾
くように成長している。
次に上記複合型磁気ヘッドの製造方法について説明す
る。
る。
先ず、第３図（ａ）に示すように、例えばMn−znフエラ
イト等の強磁性酸化物基板（７）の上面に回転砥石等に
よって断面略Ｖ字状の溝（８）を複数本形成する。前記
溝（８）は前記基板（７）の上面に対して20゜〜80゜傾
いた斜面部（8a）を有し、該斜面部（8a）は第１図の磁
気ヘッドとなった時、磁気コアを構成する強磁性酸化物
の磁気コア半体（１）と強磁性金属薄膜（５）との接合
界面となる。
イト等の強磁性酸化物基板（７）の上面に回転砥石等に
よって断面略Ｖ字状の溝（８）を複数本形成する。前記
溝（８）は前記基板（７）の上面に対して20゜〜80゜傾
いた斜面部（8a）を有し、該斜面部（8a）は第１図の磁
気ヘッドとなった時、磁気コアを構成する強磁性酸化物
の磁気コア半体（１）と強磁性金属薄膜（５）との接合
界面となる。
次に、第３図（ｂ）に示したように第３図（ａ）の強磁
性酸化物基板（７）の上面にスパッタリング法等により
センダスト等の強磁性金属薄膜（５）を形成する。この
時、スパッタリング源であるターゲットを前記基板
（７）に対して、スパッタリング粒子の飛来方向が第３
図（ｂ）のｂ−ｂ′断面図である第４図の矢印方向にな
るように配置し、斜線方向の柱状構造を有する強磁性金
属薄膜（５）を成長させる。
性酸化物基板（７）の上面にスパッタリング法等により
センダスト等の強磁性金属薄膜（５）を形成する。この
時、スパッタリング源であるターゲットを前記基板
（７）に対して、スパッタリング粒子の飛来方向が第３
図（ｂ）のｂ−ｂ′断面図である第４図の矢印方向にな
るように配置し、斜線方向の柱状構造を有する強磁性金
属薄膜（５）を成長させる。
さらに、第３図（ｃ）に示すように、前記基板（７）の
上面に付着した膜を研磨等により除去し、ギヤップ衝き
合わせ面を形成する。そしてこのギヤップ衝き合わせ面
上にスパッタリング法等を用いて、コア接合時のギヤッ
プスペーサとなるSiO2等の非磁性薄膜（図示せず）を形
成する。
上面に付着した膜を研磨等により除去し、ギヤップ衝き
合わせ面を形成する。そしてこのギヤップ衝き合わせ面
上にスパッタリング法等を用いて、コア接合時のギヤッ
プスペーサとなるSiO2等の非磁性薄膜（図示せず）を形
成する。
そして、第３図（ｄ）に示すように前記ギヤップ衝き合
わせ面（６）には、トラック幅に相当する幅だけ強磁性
金属薄膜（５）が露出するように、前記基板（７）の不
要な部分を回転砥石等を用いた溝（９）加工により除去
し、その後、前記基板（７）に巻線溝（10）及びガラス
棒挿入溝（11）を回転砥石等を用いた溝加工により形成
する。この時第３図（ｄ）のＣ−Ｃ′断面図である第５
図に示すように前記巻線溝（10）はその傾斜面（10a）
が前記強磁性金属薄膜（５）の成長方向側に傾くように
形成され、前記ガラス棒挿入溝（11）は前記巻線溝（1
0）の傾斜面（10a）と反対側に位置するように形成され
る。
わせ面（６）には、トラック幅に相当する幅だけ強磁性
金属薄膜（５）が露出するように、前記基板（７）の不
要な部分を回転砥石等を用いた溝（９）加工により除去
し、その後、前記基板（７）に巻線溝（10）及びガラス
棒挿入溝（11）を回転砥石等を用いた溝加工により形成
する。この時第３図（ｄ）のＣ−Ｃ′断面図である第５
図に示すように前記巻線溝（10）はその傾斜面（10a）
が前記強磁性金属薄膜（５）の成長方向側に傾くように
形成され、前記ガラス棒挿入溝（11）は前記巻線溝（1
0）の傾斜面（10a）と反対側に位置するように形成され
る。
次に、第３図（ｅ）に示すように第３図（ｄ）に示した
強磁性酸化物基板（７）と第３図（ｄ）において巻線溝
（10）とガラス棒挿入溝（11）とが形成されていない強
磁性酸化物（７′）とを両者のギヤップ衝き合わせ面
（６）がズレないようにSiO2を介して衝き合わせて位置
決めする。この時、前記両強磁性酸化物基板（７）
（７′）の衝き合わせ方向は、第３図（ｅ）のｄ−ｄ′
断面図である第６図から判るように両者の強磁性金属薄
膜（５）（５）の成長方向がギヤップ衝き合わせ面
（６）側に向ってテープ摺動面側に傾くようにする。
強磁性酸化物基板（７）と第３図（ｄ）において巻線溝
（10）とガラス棒挿入溝（11）とが形成されていない強
磁性酸化物（７′）とを両者のギヤップ衝き合わせ面
（６）がズレないようにSiO2を介して衝き合わせて位置
決めする。この時、前記両強磁性酸化物基板（７）
（７′）の衝き合わせ方向は、第３図（ｅ）のｄ−ｄ′
断面図である第６図から判るように両者の強磁性金属薄
膜（５）（５）の成長方向がギヤップ衝き合わせ面
（６）側に向ってテープ摺動面側に傾くようにする。
そして、前記ガラス棒挿入溝（11）にガラス棒を挿入し
加熱昇温することにより、第３図（ｆ）に示すようにガ
ラス（４）を前記巻線溝（10）以外の基板間に流し込
み、前記両基板（７）（７′）を接着し単位ブロック
（12）を形成する。
加熱昇温することにより、第３図（ｆ）に示すようにガ
ラス（４）を前記巻線溝（10）以外の基板間に流し込
み、前記両基板（７）（７′）を接着し単位ブロック
（12）を形成する。
その後、円筒研削機等を用いて、第３図（ｇ）に示すよ
うに前記単位ブロック（12）のテープ摺動面（13）にＲ
付け加工を施す。
うに前記単位ブロック（12）のテープ摺動面（13）にＲ
付け加工を施す。
そして最後に、第３図（ｇ）の単位ブロック（12）を回
転砥石等を用いてギヤップ衝き合わせ面（６）に垂直な
面に対してアジマス角度だけ傾いた面でスライスして複
数個のベッドチップ（14）に分断し、第１図に示す本実
施例の複合型の磁気ヘッドを形成する。
転砥石等を用いてギヤップ衝き合わせ面（６）に垂直な
面に対してアジマス角度だけ傾いた面でスライスして複
数個のベッドチップ（14）に分断し、第１図に示す本実
施例の複合型の磁気ヘッドを形成する。
また、前述の製造方法において第３図（ｂ）の工程、即
ち強磁性酸化物基板（７）に強磁性金属薄膜（５）を形
成する場合、該強磁性金属薄膜（５）をその膜厚ｔが溝
（８）の開口部近傍の斜面部（8a）においては ｔ＝Twsinθの関係を満足するように前記基板（７）上
に均一に被着しなければならない（第７図参照）。但
し、Twはヘッド完成時のトラック幅で、通常10〜50μｍ
程度、θは前記斜面部（8a）の傾斜角で通常は20〜60゜
程度である。そして、この強磁性金属薄膜（５）を数十
〜数百nm/minの成膜速度を有する通常のスパッタリング
法で被着した場合、数時間の成膜時間を要する。
ち強磁性酸化物基板（７）に強磁性金属薄膜（５）を形
成する場合、該強磁性金属薄膜（５）をその膜厚ｔが溝
（８）の開口部近傍の斜面部（8a）においては ｔ＝Twsinθの関係を満足するように前記基板（７）上
に均一に被着しなければならない（第７図参照）。但
し、Twはヘッド完成時のトラック幅で、通常10〜50μｍ
程度、θは前記斜面部（8a）の傾斜角で通常は20〜60゜
程度である。そして、この強磁性金属薄膜（５）を数十
〜数百nm/minの成膜速度を有する通常のスパッタリング
法で被着した場合、数時間の成膜時間を要する。
このような要望を満足するために、本実施例では、第８
図に示すように直方体を構成する６面の内、対向する２
面に平板状ターゲット（15a）（15b）を配し、他の４面
に基板ホルダー（16）（16）（16）（16）を配してなる
対向ターゲット式スパッタリング装置を用いて強磁性金
属薄膜（５）を形成する。ここで、上述の対向ターゲッ
ト式スパッタリング装置において、ターゲット（15a）
（15b）の寸法を13×18cm2、ターゲット（15a）（15b）
間距離Ｇを14cm、基板ホルダー（16）−ターゲット（15
a）（15b）間距離Ｄを13cmとし、傾斜角θ＝45°の斜面
部（8a）を有する溝（８）が形成された４枚の強磁性酸
化物基板（7a）（7b）（7c）（7d）を第９図に示すよう
に90゜毎に異なる向きに取り付けてスパッタリングを行
い、この時形成さた強磁性金属薄膜（５）の膜厚ｔの状
態を調べた。その結果を第10図及び第11図に示す。尚、
膜厚ｔは（Ｘ、Ｙ）＝（０、０）での値を1.0として規
格化している。
図に示すように直方体を構成する６面の内、対向する２
面に平板状ターゲット（15a）（15b）を配し、他の４面
に基板ホルダー（16）（16）（16）（16）を配してなる
対向ターゲット式スパッタリング装置を用いて強磁性金
属薄膜（５）を形成する。ここで、上述の対向ターゲッ
ト式スパッタリング装置において、ターゲット（15a）
（15b）の寸法を13×18cm2、ターゲット（15a）（15b）
間距離Ｇを14cm、基板ホルダー（16）−ターゲット（15
a）（15b）間距離Ｄを13cmとし、傾斜角θ＝45°の斜面
部（8a）を有する溝（８）が形成された４枚の強磁性酸
化物基板（7a）（7b）（7c）（7d）を第９図に示すよう
に90゜毎に異なる向きに取り付けてスパッタリングを行
い、この時形成さた強磁性金属薄膜（５）の膜厚ｔの状
態を調べた。その結果を第10図及び第11図に示す。尚、
膜厚ｔは（Ｘ、Ｙ）＝（０、０）での値を1.0として規
格化している。
第10図は第９図の基板（7b）及び基板（7c）の配置に該
当し、第11図は第９図の基板（7a）及び基板（7c）の配
置に該当する。第11図から判るようにＸ≧０の部分（第
９図ａに該当する位置）では等膜厚線（19）の間隔が大
きく、強磁性金属薄膜（５）の膜厚ｔは略均一である。
即ち、第12図に示すように溝（８）がターゲット（15
a）（15b）と平行であり、その斜面部（8a）の法線ベク
トルが、該斜面部（8a）の位置から遠い方のターゲット
（15a）（15b）を向くように強磁性酸化物基板（７）を
配置してスパッタリングを行えば、該基板（７）上面全
域に膜厚ｔの分布が略均一である強磁性金属薄膜（５）
を形成出来る。
当し、第11図は第９図の基板（7a）及び基板（7c）の配
置に該当する。第11図から判るようにＸ≧０の部分（第
９図ａに該当する位置）では等膜厚線（19）の間隔が大
きく、強磁性金属薄膜（５）の膜厚ｔは略均一である。
即ち、第12図に示すように溝（８）がターゲット（15
a）（15b）と平行であり、その斜面部（8a）の法線ベク
トルが、該斜面部（8a）の位置から遠い方のターゲット
（15a）（15b）を向くように強磁性酸化物基板（７）を
配置してスパッタリングを行えば、該基板（７）上面全
域に膜厚ｔの分布が略均一である強磁性金属薄膜（５）
を形成出来る。
第13図は第12図に示すように強磁性酸化物基板（7e）
（7f）（7g）（7h）を配置して、スパッタリングを行っ
た時に形成される強磁性金属薄膜（５）の膜厚ｔの分布
を示す図である。この図から判るように第12図に示すよ
うに前記基板（7e）（7f）（7g）（7h）も配置すれば複
数枚の基板（7e）（7f）（7g）（7h）上に膜厚ｔが略均
一である強磁性金属薄膜（５）を形成出来る。
（7f）（7g）（7h）を配置して、スパッタリングを行っ
た時に形成される強磁性金属薄膜（５）の膜厚ｔの分布
を示す図である。この図から判るように第12図に示すよ
うに前記基板（7e）（7f）（7g）（7h）も配置すれば複
数枚の基板（7e）（7f）（7g）（7h）上に膜厚ｔが略均
一である強磁性金属薄膜（５）を形成出来る。
尚、溝（８）の斜面部（8a）の傾斜角θが45°の場合に
ついて調べたが、傾斜角θが30°及び60°の場合につい
ても調べたら上述と同様の結果が得られた。即ち傾斜角
θが少なくとも30°〜60°の範囲内にある場合は強磁性
酸化物基板（7e）（7f）（7g）（7h）を第12図に示すよ
うに配置することにより、該基板（7e）（7f）（7g）
（7h）上に膜厚ｔが全域にわたって略均一である強磁性
金属薄膜（５）を形成出来る。
ついて調べたが、傾斜角θが30°及び60°の場合につい
ても調べたら上述と同様の結果が得られた。即ち傾斜角
θが少なくとも30°〜60°の範囲内にある場合は強磁性
酸化物基板（7e）（7f）（7g）（7h）を第12図に示すよ
うに配置することにより、該基板（7e）（7f）（7g）
（7h）上に膜厚ｔが全域にわたって略均一である強磁性
金属薄膜（５）を形成出来る。
また、傾斜角θが30°〜60°の範囲内になくても、第14
図に示すように斜面治具（18）を基板ホルダー（16）と
強磁性酸化物基板（７）との間に介在させることにより
実質上の傾斜角を上記範囲内に設定することが出来る。
また第12図では４枚の基板（7e）（7f）（7g）（7h）を
基板ホルダー（16）に取付けているが、これを大きな１
枚の基板に変えてもよい。
図に示すように斜面治具（18）を基板ホルダー（16）と
強磁性酸化物基板（７）との間に介在させることにより
実質上の傾斜角を上記範囲内に設定することが出来る。
また第12図では４枚の基板（7e）（7f）（7g）（7h）を
基板ホルダー（16）に取付けているが、これを大きな１
枚の基板に変えてもよい。
以上のように、スパッタリング源であるターゲット（15
a）（15b）と前記基板（７）を保持する基板ホルダー
（16）との相対関係位置が第８図に示したようになる対
向ターゲット方式のスパッタリング装置において、第12
図に示すように基板（7e）（7f）（7g）（7h）の溝
（８）が前記基板ホルダー（16）のＹ軸と平行になると
共にその斜面部（8a）がＹ軸の外側に位置し、しかもＸ
軸に交差しないように前記基板（7e）（7f）（7g）（7
h）を４枚前記基板ホルダー（16）に取付けてスパッタ
リングを行えばよく、前記基板（7e）（7f）（7g）（7
h）の各点において柱状構造の向き及び膜厚が略均一で
ある強磁性金属薄膜（５）を第４図に示す向きに前記基
板上に形成することが出来る。そして、このようにして
形成された４枚の基板（7e）（7f）（7g）（7h）のう
ち、原点０を中心にして対称な２枚を一対として、その
うち一方に巻線溝（10）加工及びガラス棒挿入溝（11）
加工を行い、第６図に示すようにコア接合を行えば柱状
構造の強磁性金属薄膜（５）が第２図に示す方向に成長
した複合型磁気ヘッドが最終的に得られる。
a）（15b）と前記基板（７）を保持する基板ホルダー
（16）との相対関係位置が第８図に示したようになる対
向ターゲット方式のスパッタリング装置において、第12
図に示すように基板（7e）（7f）（7g）（7h）の溝
（８）が前記基板ホルダー（16）のＹ軸と平行になると
共にその斜面部（8a）がＹ軸の外側に位置し、しかもＸ
軸に交差しないように前記基板（7e）（7f）（7g）（7
h）を４枚前記基板ホルダー（16）に取付けてスパッタ
リングを行えばよく、前記基板（7e）（7f）（7g）（7
h）の各点において柱状構造の向き及び膜厚が略均一で
ある強磁性金属薄膜（５）を第４図に示す向きに前記基
板上に形成することが出来る。そして、このようにして
形成された４枚の基板（7e）（7f）（7g）（7h）のう
ち、原点０を中心にして対称な２枚を一対として、その
うち一方に巻線溝（10）加工及びガラス棒挿入溝（11）
加工を行い、第６図に示すようにコア接合を行えば柱状
構造の強磁性金属薄膜（５）が第２図に示す方向に成長
した複合型磁気ヘッドが最終的に得られる。
上述のような複合型の磁気ヘッドは、ギヤップ磁気コア
半体（１）と強磁性金属薄膜（５）との接合界面が磁気
的に不連続となって擬似ギヤップを形成しても、この擬
似ギャップは本来のギヤップ（２）に対して大きく傾い
ているので、アジマス損失の効果によって録再特性に悪
影響は現われない。そして、ギヤップ（２）を形成する
ギヤップ衝き合わせ面（６）の両側に形成した柱状構造
の強磁性金属薄膜（５）（５）は第２図に示したように
前記ギヤップ衝き合わせ面（６）に向ってテープ摺動面
（13）側に傾くように成長しており、第17図（ａ）
（ｂ）（ｃ）に示したように強磁性金属薄膜（７′）が
それとは別の方向に成長している磁気ヘッドに比べて前
述の表から判るように各信号周波数における出力特性が
優れている。
半体（１）と強磁性金属薄膜（５）との接合界面が磁気
的に不連続となって擬似ギヤップを形成しても、この擬
似ギャップは本来のギヤップ（２）に対して大きく傾い
ているので、アジマス損失の効果によって録再特性に悪
影響は現われない。そして、ギヤップ（２）を形成する
ギヤップ衝き合わせ面（６）の両側に形成した柱状構造
の強磁性金属薄膜（５）（５）は第２図に示したように
前記ギヤップ衝き合わせ面（６）に向ってテープ摺動面
（13）側に傾くように成長しており、第17図（ａ）
（ｂ）（ｃ）に示したように強磁性金属薄膜（７′）が
それとは別の方向に成長している磁気ヘッドに比べて前
述の表から判るように各信号周波数における出力特性が
優れている。
また、上述の構成である複合型の磁気ヘッド以外にも第
15図（ａ）（ｂ）（ｃ）に示した構成の複合型の磁気ヘ
ッドにおいて、柱状構造の強磁性金属薄膜（７）の成長
方向をギヤップ衝き合わせ面（６）に向ってテープ摺動
面（13）側に傾くように成長させても、上述と同様の効
果を得ることが出来る。
15図（ａ）（ｂ）（ｃ）に示した構成の複合型の磁気ヘ
ッドにおいて、柱状構造の強磁性金属薄膜（７）の成長
方向をギヤップ衝き合わせ面（６）に向ってテープ摺動
面（13）側に傾くように成長させても、上述と同様の効
果を得ることが出来る。
（ト）発明の効果 本発明に依れば、擬似ギヤップによる悪影響はなく、し
かも各周波数における出力特性が優れ、安定且つ良好な
録再特性を有する複合型の磁気ヘッドを提供し得る。
かも各周波数における出力特性が優れ、安定且つ良好な
録再特性を有する複合型の磁気ヘッドを提供し得る。
第１図乃至第15図は本発明に係り、第１図は複合型の磁
気ヘッドの斜視図、第２図は第１図のａ−ａ′断面図、
第３図、第４図、第５図及び第６図は上記磁気ヘッドの
製造方法を示す図、第７図は対向ターゲット方式のスパ
ッタリング装置を示す図、第８図は上記スパッタリング
装置における金属酸化物基板の配置を示す図、第９図は
他の実施例の複合型の磁気ヘッドの斜視図である。 第７図は強磁性金属薄膜の膜厚を示す図、第８図は対向
ターゲット式スパッタリング装置を示す図、第９図は強
磁性酸化物基板の配置を示す図、第10図及び第11図は夫
々、強磁性金属薄膜の膜厚の分布を示す図、第12図は強
磁性酸化物基板の配置を示す図、第13図は強磁性金属薄
膜の膜厚の分布を示す図、第14図は強磁性酸化物基板の
基板ホルダーへの取り付けを示す図、第15図は他の実施
例の複合型磁気ヘッドの斜視図である。第16図及び第17
図は従来の複合型の磁気ヘッドに係り、第16図は斜視
図、第17図は断面図である。 （１）…磁気コア半体、（２）…ギヤップ、（５）…強
磁性金属薄膜、（６）…ギヤップ衝き合わせ面、（13）
…テープ摺動面。
気ヘッドの斜視図、第２図は第１図のａ−ａ′断面図、
第３図、第４図、第５図及び第６図は上記磁気ヘッドの
製造方法を示す図、第７図は対向ターゲット方式のスパ
ッタリング装置を示す図、第８図は上記スパッタリング
装置における金属酸化物基板の配置を示す図、第９図は
他の実施例の複合型の磁気ヘッドの斜視図である。 第７図は強磁性金属薄膜の膜厚を示す図、第８図は対向
ターゲット式スパッタリング装置を示す図、第９図は強
磁性酸化物基板の配置を示す図、第10図及び第11図は夫
々、強磁性金属薄膜の膜厚の分布を示す図、第12図は強
磁性酸化物基板の配置を示す図、第13図は強磁性金属薄
膜の膜厚の分布を示す図、第14図は強磁性酸化物基板の
基板ホルダーへの取り付けを示す図、第15図は他の実施
例の複合型磁気ヘッドの斜視図である。第16図及び第17
図は従来の複合型の磁気ヘッドに係り、第16図は斜視
図、第17図は断面図である。 （１）…磁気コア半体、（２）…ギヤップ、（５）…強
磁性金属薄膜、（６）…ギヤップ衝き合わせ面、（13）
…テープ摺動面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊野 一夫 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 石原 宏三 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 小倉 隆 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 清水 司 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】強磁性酸化物よりなる一対の磁気コア半体
の接合面に柱状構造の強磁性金属薄膜を形成し、該強磁
性金属薄膜同士を衝き合わせて磁気ギャップを構成して
なる複合型の磁気ヘッドにおいて、前記強磁性金属薄膜
の成長方向が前記磁気ギヤップ衝き合わせ面に向ってテ
ープ摺動面側に傾いていることを特徴とする磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24749787A JPH06101096B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-09-30 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3476087 | 1987-02-18 | ||
| JP62-34760 | 1987-02-18 | ||
| JP24749787A JPH06101096B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-09-30 | 磁気ヘッド |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH011107A JPH011107A (ja) | 1989-01-05 |
| JPS641107A JPS641107A (en) | 1989-01-05 |
| JPH06101096B2 true JPH06101096B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=26373604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24749787A Expired - Fee Related JPH06101096B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-09-30 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101096B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100841834B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2008-06-26 | 아사히인료 가부시키가이샤 | 기능성 음료 및 조성물 |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP24749787A patent/JPH06101096B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS641107A (en) | 1989-01-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |