JPH0585490B2 - - Google Patents

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JPH0585490B2
JPH0585490B2 JP59230198A JP23019884A JPH0585490B2 JP H0585490 B2 JPH0585490 B2 JP H0585490B2 JP 59230198 A JP59230198 A JP 59230198A JP 23019884 A JP23019884 A JP 23019884A JP H0585490 B2 JPH0585490 B2 JP H0585490B2
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Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕 本発明は、低温軟化ガラスに係り、セラミツク
スのボンデイングや充填、特に高性能磁気ヘツド
のボンデイング材及び充填材として好適なガラス
組成物に関する。 〔発明の背景〕 ガラスを用いたセラミツクスのボンデイング及
びセラミツクスへの充填の際、高温で処理を行う
とセラミツクス以外の被ボンデイング材及び被充
填材に熱的悪影響があらわれる場合が多々あり、
このような場合、低温で作業できる低温軟化ガラ
スを使用しなければならない。従来から用いられ
ている低温軟化ガラスはPbOを主成分とするガラ
スで、これはPbO−B2O3系、PbO−B2O3−ZnO
系、PbO−B2O3−SiO2系及びPbO−B2O3−SiO2
系を基本としたガラスが多く、一般にPb含量が
多いほど低融点な低温軟化ガラスである。しか
し、Pb含量が多いと熱膨張係数が大きいと云う
問題がある。 ボンデイングや充填に用いられるガラスは、被
ボンデイング材や被充填材に熱的影響を及ぼさな
いために低融点なものが良い。さらにガラスの熱
膨張係数は被ボンデイング材や被充填材の熱膨張
係数より少し小さ目のものがよい。ガラスは、一
般的に低融点なものほど高膨張率である。そのた
め、低温軟化ガラスの熱膨張係数を小さくするた
めにガラス中にフイラーを含有させる方法がとら
れているが、ガラスの流動性や接着性を悪くする
欠点がある。低融点でかつ低膨張率ガラスがいろ
いろな面で強く要求されており、例えば磁気ヘツ
ドのボンデイング材及び充填材用としてのガラス
がそうである。 低温軟化ガラスの発明として、例えば特開昭53
−82826号公報がある。これは、ZnOとP2O5を主
成分とするZnO−P2O5−Na2O−B2O3−V2O5
低融点ガラスで毒性、公害の発生が少なくアルミ
ニウム板、薄板鉄板等比較的耐熱性の低い金属板
への焼付塗布あるいは封着に用いることができ
る。 しかし、フエライトに使用する場合には熱膨張
係数がいま一つ大きい。また、このガラスの軟化
点は500℃前後と比較的高温である。 他の低温軟化ガラスとしては例えば特開昭58−
74539号公報がある。このガラスも従来の低温軟
化ガラスのようにPbOを含まないB2O3−ZnO−
V2O5−Si2O3−Tl2O系なのでフエライトを侵蝕
させることがなく優れており、熱膨張係数も80〜
90×10-7/℃とフエライトのそれより小さいの
で、冷却時にクラツクの発生が少なく、しかもフ
エライトとの接着強度が大きいと云う利点があ
る。しかし、軟化点が560〜600℃と高いと云う問
題がある。 〔発明の目的〕 本発明の目的は低軟化点、低膨張率のガラス組
成物を提供することにあり、とくにセラミツクス
のホンデイングおよび充填用に好適な低温軟化ガ
ラス組成物を提供することにある。とくに、高性
能磁気ヘツドのフエライトのボンデイング等に適
した、ガラス組成物を提供することにある。 〔発明の概要〕 V2O5を主成分とするガラスは、PbOを主成分
とする低温軟化ガラスより転移点、屈伏点が低
く、かつ熱膨張係数が小さい。しかし、再加熱時
の結晶化が著しいためガラスの流動性がそこなわ
れ、温度を高くしないとボンデイングや充填が十
分にできないと云う問題がある。V2O5含量を少
なくすることによつて、再加熱時の結晶化を抑え
ることができるが、転移点、屈伏点が高くなる。 本発明は、V2O5を主成分とするガラスであり
ながら、再加熱しても結晶化せず、非晶質性を維
持し、しかもPbOを主成分とするガラスより転位
点、屈伏点が低く、かつ熱膨張係数の小さなもの
が得られると云う特長を有するガラス組成物を提
供するものである。 本発明によるガラスは軟化点が320〜400℃であ
り、熱膨張係数が70〜130×10-7/℃であるV2O5
を主成分とする低温軟化ガラスで、そのガラス組
成は水を除く大部分が下記の組成からなる。 (a) V2O5 35〜70wt% (b) P2O5 15〜30wt% (c) 低融点酸化金属 5〜40wt% ただし、低融点酸化金属は、Na2O,K2O,
Rb2O,Cs2O,TeO2およびTl2Oから選ばれる
少なくとも一種であり、またその好ましい添加量
範囲は、 ・ Na2O+K2O+Rb2O+Cs2O 15wt%以下 ・ TeO2 25wt%以下 ・ Tl2O 20wt%以下 である。 次に、本発明のより好ましいガラスを提供する
ものとしては、前記ガラス組成物に更にB2O3
ZnO,Bi2O3,SiO2,Al2O3,Sb2O5,CoOの少な
くとも1種を下記の範囲内で添加した組成物にあ
る。 ・ B2O 10wt%以下 ・ ZnO 16wt%以下 ・ Bi2O3 12wt%以下 ・ SiO2 3wt%以下 ・ Al2O3 5wt%以下 ・ Sb2O5 7wt%以下 ・ CoO 1wt%以下 上記組成物の数値限定は次の理由からである。 V2O5は、ガラスの転移点および屈伏点を下げ、
また熱膨張係数を小さくするが、70wt%を超え
ると再加熱によつて流動性が低下する。また
35wt%未満では転移点および屈伏点を下げたり、
熱膨張係数を小さくしたりする効果が得られな
い。 P2O5は、ガラス形成酸化物としてガラスの流
動性を良くするが、30wt%を超えると軟化点が
上昇し、熱膨張係数が大きくなる。また15wt%
未満では流動性が十分得られない。 Na2O,K2O,Rb2OおよびCs2Oは、軟化点
を低下させ、とくにその作用はK2OとCs2Oが大
きい。またこれらは熱膨張係数を大きくするので
15wt%以下がよい。 TeO2は、軟化点を低下させ、流動性を向上さ
せるが、熱膨張係数の点から25wt%以下がよい。 Tl2Oは、著しく軟化点を低下させるが、20wt
%を超えると熱膨張係数が大きくなる。 B2O3は、ガラスの化学的耐久性を向上させる
が10wt%を超えると軟化点が上昇してしまう。 ZnOは、ガラスの化学的耐久性を向上させ、熱
膨張係数を小さくするが、16wt%を超えると軟
化点が著しく上昇してしまう。 Bi2O3は、耐薬品性、特に耐アルカリ性に効果
があるが、12wt%を超えると失透し易くなつて
しまう。 SiO2は、3wt%を超えるとAl2O3は、5wt%を
超えるとまた、Sb2O5は7wt%を超えると、軟化
点が上昇してしまう。 CoOは、フエライト等へのぬれ性を向上させる
が、1wt%を超えると軟化点が上昇してしまう。 以上述べた組成範囲にある本発明のガラスは、
溶融温度が900〜1100℃であり、軟化点が320〜
400℃と低く、400℃〜500℃の作業温度範囲でフ
エライトにボンデイング及び充填が可能である。
PbOを主成分とする低温軟化ガラスの作業温度よ
り著しく低温軟化性である。 磁気ヘツドに用いられるフエライトは300℃〜
室温間の熱膨張係数が90〜140×10-7/℃であり、
そのボンデイング及び充填用ガラスの熱膨張係数
は、フエライトのそれより小さ目の方が、ガラス
中にクラツクが発生しにくく、しかも接着力が強
い。本発明のガラスの熱膨張係数は70〜130×
10-7/℃で、フエライトのそれに比較して小さ
く、磁気ヘツド用フエライトに適合したものを選
択することができる。また、本発明のガラスは
PbOガラスの様に金属鉛とフエライトとの反応析
出物の心配も無く、しかも摩耗もしにくいと云う
利点がある。 本発明のガラス原料としては焼成により、前記
成分の酸化物もしくはそれらの混合物を生ずるも
のであればどの様なものでもよい。 次に、本発明のガラスの製造方法について説明
する。ガラス原料を配合および混合し、アルミナ
ルツボ又は白金ルツボに入れ、電気炉中で900〜
1050℃、2時間溶融、混合した。冷却は250〜300
℃に保持してある黒鉛ジグにガラスを流し込み、
その後空冷してガラスを製造した。 〔発明の実施例〕 次に本発明の実施例を示し更に具体的に説明す
る。 第1表〜第4表に本発明の実施例を、第5表に
比較例のガラス組成を示す。またそれらの物性値
を第6表〜第8表に示す。なお、各ガラスの物性
測定方法は以下のとおりである。また各ガラスの
熱膨張係数と軟化点の関係を第1図〜第3図に示
した。 (1) 転移点、屈伏点および軟化点 粉末にしたガラスを示差熱分析装置を用いて、
昇温速度10℃/mmで、それぞれの温度を測定し
た。 (2) 熱膨張係数 5φ×20mmの円柱状に加工したガラスを測定試
料として、熱膨張計を用いて、昇温速度10℃/mm
で測定した。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
〔発明の効果〕
本発明は、低温軟化ガラスPbOをまつたく含ま
ず、V2O5を主成分とする新規な低温軟化ガラス
であり、軟化点が320〜400℃と低く、熱膨張係数
が70〜130×10-7/℃であり、熱膨張係数のちが
いによる軟化点の変化が少なく、作業温度範囲も
400〜500℃と著しく低いと云う効果があるので、
セラミツクスの低温ボンデイングやセラミツクス
への低温充填材、特に磁気ヘツド用ボンデイング
材および充填材としてすぐれている。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図および第3図は第6表〜第8表
に基づいてプロツトしたもので、第1図は、ガラ
スの熱膨張係数と軟化点、第2図は熱膨張係数と
転移点をそして第3図は熱膨張係数と屈伏点の関
係を示した図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 水を除く組成が、 (a) V2O5 35〜70wt% (b) P2O5 15〜30wt% (c) Na2O,K2O,Rb2O,Cs2O,TeO2および
    Tl2O から選ばれる少なくとも1種 (但し Na2O+K2O+Rb2O+Cs2O 15wt%以下 TeO2 25 〃 Tl2O 20 〃 ) を含むガラス組成物。 2 水を除く組成が、 (a) V2O5 35〜70wt% (b) P2O5 15〜30wt% (c) Na2O,K2O,Rb2O,Cs2O,TeO2および
    Tl2O から選ばれる少なくとも1種 (但し Na2O+K2O+Rb2O+Cs2O 15wt%以下 TeO2 25wt%以下 Tl2O 20 〃 ) (d) B2O3,ZnO,Bi2O3,SiO2,Al2O3,Sb2O5
    およびCoO から選ばれる少なくとも1種 (但し B2O 10wt%以下 ZnO 16 〃 Bi2O3 12 〃 SiO2 3 〃 Al2O3 5 〃 Sb2O5 7 〃 CoO 1 〃 ) を含むガラス組成物。
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