JPH0582696A - 半導体装置のリードフレーム - Google Patents

半導体装置のリードフレーム

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JPH0582696A
JPH0582696A JP3239518A JP23951891A JPH0582696A JP H0582696 A JPH0582696 A JP H0582696A JP 3239518 A JP3239518 A JP 3239518A JP 23951891 A JP23951891 A JP 23951891A JP H0582696 A JPH0582696 A JP H0582696A
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lead frame
main
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Motomi Ichihashi
素海 市橋
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、ダイパッド部を沈めて使用する
半導体装置のリードフレームにおいて、ダイパッド部の
上下動を抑えるようにしたリードフレームを得ることを
目的とする。 【構成】 この発明では、ダイパッド部30を主ダイパ
ット3および補助ダイパッド4の複数のダイパッドによ
り構成し、これらの主ダイパッド3および補助ダイパッ
ド4をフレーム部1aの対向する方向から延びるそれぞ
れ主ダイパッド支持リード5および補助ダイパッド支持
リード6で支持するようにし、搭載物がダイボンドされ
たダイパッド部30の上下動を抑え、これによりワイヤ
ボンド後のAuワイヤの変形および切断を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、搭載物を載置するダ
イパッドをフレーム部に対して沈めて使用する半導体装
置のリードフレーム、特にそのダイパッドの構造に関す
る。
【0002】
【従来の技術】搭載物を載置するダイパッドをフレーム
部に対して沈めて使用する半導体装置のリードフレーム
として、ここでは半導体圧力センサのリードフレームに
ついて説明する。図5および図6に従来の半導体圧力セ
ンサのリードフレームを示す。図5はリードフレームの
平面図、図6は側面図であり、共にダイパッドを沈めた
後の状態が示されている。図において、リードフレーム
100は通常、フレーム部1aに図5に破線で囲って示
すリードフレームユニット1を複数連ねて設けている。
各リードフレームユニット1は、リード2、ダイパッド
3、このダイパッド3を支えるダイパッド支持リード5
を備える。そしてダイボンド領域7に搭載物(図7参照)
が搭載される。
【0003】ダイパッド3は図に示すようにフレーム部
1aに対して沈められた時に、フレーム部1aのほぼ中
心に位置し、かつ搭載物とリード2とを電気的に接続す
るのに適当な高さになるようすることが望ましい。従っ
てダイパッド支持リード5の長さは、このダイパッド3
を沈めることを考慮して決められている。リードフレー
ム100は通常、1枚の金属の薄い板を打ち抜いて形成
するものであり、形成時直後には平らな板状のものであ
り、後でダイパッド3を沈めて図示のようなものとな
る。従って、ダイパッド3を沈める前のリードフレーム
100においてはダイパッド3は図5のダイパッド3よ
り図面の下方側にある。
【0004】また、図7および図8には図5および図6
に示したリードフレームを使用して形成された従来の半
導体圧力センサの内部構造を示す断面図を示した。図7
と図8は互いに直交する方向に沿った断面図である。な
お図7において、実際には図面の前後の方向にそれぞれ
Auワイヤ2aによってチップ8に接続されたリード2
が設けられているが図示は省略されている。同様に図8
においても、実際には図面の前後の方向のいずれか一方
にダイパッド支持リード5が設けられているが図示は省
略されている。
【0005】半導体圧力センサチップ8は実際に圧力を
検出するもので、これがガラス台座9の上にこれらの間
に真空室20を形成するように接合されている。そして
この半導体圧力センサチップ8を上面に接合したガラス
台座9が搭載物として、ダイパッド3上にガラス台座固
定樹脂12によって固定されている。また、リード2は
Auワイヤ2aによってそれぞれ半導体圧力センサチッ
プ8の上面に形成された端子(図示せず)に電気的に接続
される。
【0006】半導体圧力センサの容器はパッケージベー
ス10と圧力導入口13aを有するパッケージキャップ
13からなる。ガラス台座9を搭載したダイパッド3の
部分はパッケージベース10内に収納されており、この
パッケージベース10にダイパッド固定樹脂11によっ
て固定されている。そしてダイパッド支持リード5およ
びリード2の一部を挟んで固定するように、パッケージ
ベース10にパッケージキャップ13がシーリング樹脂
14で接着されている。
【0007】半導体圧力センサチップ8はガラス台座9
に真空室20が形成されるように接合されており、真空
室20内の気圧が基準圧力となり、外部の圧力との差に
応じてチップ8の中央部分が盛り上がったりへこんだり
して変形する。外部圧力はパッケージキャップ13の圧
力導入口13aより取り入れられ、パッケージベース1
0とパッケージキャップ13により形成される空洞領域
10aの外に漏れないようにシーリング樹脂14により
シーリングされている。チップ8の上面には、例えば4
つのゲージ抵抗をブリッジ形に接続したこの変形を検出
する回路が形成されており、外部の圧力値に応じて検出
回路の出力信号が変化する。この電気的出力信号は、半
導体圧力センサチップ8からAuワイヤ2aを介してリ
ード2に伝達され、さらにセンサの外部に導かれる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体圧力セン
サ等で使用されるリードフレームは以上のように構成さ
れていた。半導体圧力センサを製造する際には、ダイパ
ッド上に半導体圧力センサチップを接合したガラス台座
をダイボンドし、かつAuワイヤでセンサチップとリー
ドの間を接続した状態のリードフレームがパッケージベ
ース上に移され、その後、ダイパッドをパッケージベー
ス内に固定しさらにパッケージキャップをかぶせる作業
が行われる。そこで従来のリードフレームを使用した場
合には、ガラス台座をダイパッドにダイボンドした後
は、ダイパッドがパッケージベースの底面に固定される
までの間、ガラス台座の重みでダイパッドが上下動し易
く、ガラス台座上の半導体圧力センサチップとリードと
を接続するAuワイヤが、ダイスパッドの上下動により
変形したり断線が発生しやすい等の問題点があった。
【0009】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ガラス台座をダイパッド上にダ
イボンドした後のダイパッドの上下動を抑え、ワイヤ切
れの起こりにくい半導体装置のリードフレームを得るこ
とを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的に鑑み、この
発明は、搭載物を載置するダイパッド部をフレーム部に
対して沈めて使用する、少なくとも1つのリードフレー
ムユニットを設けた半導体装置のリードフレームであっ
て、各リードフレームユニットが、外枠であるフレーム
部と、フレーム部の内側でこのフレーム部に対して沈め
て使用される少なくとも1つの主ダイパッドおよび少な
くとも1つの補助ダイパッドからなる分割されたダイパ
ッド部と、主ダイパッドおよび補助ダイパッドが沈めら
れた時に、これらが分割されたダイパッド部として1平
面を形成するようにそれぞれ所定の長さを有し、フレー
ム部の異なる方向から内側に延びて主ダイパッドおよび
補助ダイパッドを支持するためのそれぞれ主パッド支持
リードおよび補助ダイパッド支持ルードと、搭載物の電
気的接続を担うために、フレーム部から内側に延びて搭
載物に電気的に接続される少なくとも1本のリードと、
を備えた半導体装置のリードフレームにある。
【0011】
【作用】この発明に係る半導体装置のリードフレームで
は、ダイパッド部をそれぞれ少なくとも1つの主ダイパ
ッドおよび補助ダイパッドからなる分割されたダイパッ
ドとし、主ダイパッドおよび補助ダイパッドを支持する
それぞれ主ダイパッド支持リードおよび補助ダイパッド
支持リードをフレーム部の異なる方向から延ばすように
して、ダイパッドの上下動を抑えている。
【0012】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。図1および図2は半導体圧力センサで使用
されるこの発明の一実施例によるリードフレームを示
す。図1はリードフレームの平面図、図2は側面図であ
り、共にダイパッド部が沈められている状態を示す。図
において、従来と同一もしくは相当する部分は同一符号
で示し説明を省略する。リードフレーム110の各リー
ドフレームユニット1では、ダイパッド部30は主ダイ
パッド3とその両側の2つの補助ダイパッド4からな
り、それぞれ主ダイパッド支持リード5および補助ダイ
パッド支持リード6によって支持されている。主ダイパ
ッド支持リード5および補助ダイパッド支持リード6は
フレーム部1aの一方向の対向する2辺から内側に延び
ている。そして主ダイパッド3および補助ダイパッド4
が1平面を形成するように沈められてダイパッド部30
が形成される。
【0013】図3にはリードフレーム110の主ダイパ
ッド3および補助ダイパッド4が沈められる前の状態を
示す。主ダイパッド支持リード5および補助ダイパッド
支持リード6はそれぞれ、主ダイパッド3および補助ダ
イパッド4が沈められた時に図1に示すようにダイパッ
ド部30を形成するように考慮された長さで形成されて
いる。
【0014】また、図4には図1および図2に示したリ
ードフレームを使用して形成された半導体圧力センサの
内部構造を示す断面図を示した。なお図4において、実
際には図面の前後の方向にそれぞれAuワイヤ2aによ
ってチップ8に接続されたリード2が設けられているが
図示は省略されている。また図4の断面図の方向と直交
する方向に沿った断面図は、図8に示す従来のものとほ
ぼ同一であるため省略した。
【0015】図4に示すように、主ダイパッド3および
補助ダイパッド4で形成されたダイパッド部30は、主
ダイパッド支持リード5および補助ダイパッド支持リー
ド6により両側から支持されている。これによって製造
工程中、ダイパッド部30上に半導体圧力センサチップ
8を上面に接合したガラス台座9がダイボンドされた後
でも、ダイパッド部30の上下動は抑えられ、リード2
とチップ8とを接続するAuワイヤ2a(図8参照)が変
形したりあるいは断線することを防止することができ
る。
【0016】なお、上記実施例では半導体圧力センサに
使用されるリードフレームにつてい述べたがこの発明は
これに限定されるものではなく、ダイパッドを沈めて使
用する半導体装置のリードフレーム全般に適用すること
ができる。さらに上記実施例においては、ダイパッド部
30を1つの主ダイパッド3と2つの補助ダイパッド4
からなる3分割のダイパッドとしたが、2分割あるいは
4分割以上にダイパッド部を分けて、これらをフレーム
部1aの異なる方向から延びたダイパッド支持リードに
よってそれぞれ支持するようにしても同様の効果が得ら
れる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る半
導体装置のリードフレームにおいては、ダイパッド部を
複数の分割されたダイパッドにより構成し、これらをフ
レーム部の異なる方向からそれぞれ延びるダイパッド支
持リードで支持するようにしたので、搭載物がダイボン
ドされたダイパッド部の上下動を抑えることができ、こ
れによりワイヤボンド後のAuワイヤの変形および切断
を防止でき、信頼性の高いリードフレームが得られる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例に係る半導体装置のリード
フレームの平面図である。
【図2】図1のリードフレームの側面図である。
【図3】ダイパッド部を沈める前の図1のリードフレー
ムの平面図である。
【図4】図1のリードフレームを使用した半導体圧力セ
ンサの断面図である。
【図5】従来の半導体装置のリードフレームの平面図で
ある。
【図6】図5のリードフレームの側面図である。
【図7】図5の従来のリードフレームを使用した半導体
圧力センサの断面図である。
【図8】図7の半導体圧力センサの図7と直交する方向
に沿った断面図である。
【符号の説明】
1 リードフレームユニット 1a フレーム部 2 リード 3 主ダイパッド 4 補助ダイパッド 5 主ダイパッド支持リード 6 補助ダイパッド支持リード 8 半導体圧力センサチップ 9 ガラス台座 10 パッケージベース 13 パッケージキャップ 30 ダイパッド部 110 リードフレーム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 搭載物を載置するダイパッド部をフレー
    ム部に対して沈めて使用する、少なくとも1つのリード
    フレームユニットを設けた半導体装置のリードフレーム
    であって、各リードフレームユニットが、 外枠であるフレーム部と、 上記フレーム部の内側でこのフレーム部に対して沈めて
    使用される少なくとも1つの主ダイパッドおよび少なく
    とも1つの補助ダイパッドからなる分割されたダイパッ
    ド部と、 上記主ダイパッドおよび補助ダイパッドが沈められた時
    に、これらが分割された上記ダイパッド部として1平面
    を形成するようにそれぞれ所定の長さを有し、上記フレ
    ーム部の異なる方向から内側に延びて上記主ダイパッド
    および補助ダイパッドを支持するためのそれぞれ主パッ
    ド支持リードおよび補助ダイパッド支持ルードと、 上記搭載物の電気的接続を担うために、上記フレーム部
    から内側に延びて上記搭載物に電気的に接続される少な
    くとも1本のリードと、 を備えた半導体装置のリードフレーム。
  2. 【請求項2】 上記リードフレームユニットのフレーム
    部が四辺を有する枠体であり、上記主ダイパッド支持リ
    ードと上記補助ダイパッド支持リードが上記フレーム部
    の一方向の対向する2辺からそれぞれ延び、上記リード
    がフレーム部の他の方向の対向する2辺の少なくともい
    ずれかから延びている請求項1の半導体装置のリードフ
    レーム。
JP3239518A 1991-09-19 1991-09-19 半導体装置のリードフレーム Pending JPH0582696A (ja)

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DE (1) DE4231325A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5900991A (en) * 1996-08-30 1999-05-04 Samsung Aerospace Industries, Ltd. Compact wide-angle zoom lens system
JP2019075430A (ja) * 2017-10-13 2019-05-16 株式会社三井ハイテック リードフレームの製造方法及びリードフレーム

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5686698A (en) * 1994-06-30 1997-11-11 Motorola, Inc. Package for electrical components having a molded structure with a port extending into the molded structure
JP3383081B2 (ja) 1994-07-12 2003-03-04 三菱電機株式会社 陽極接合法を用いて製造した電子部品及び電子部品の製造方法
JPH0875580A (ja) * 1994-09-06 1996-03-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
AU5417096A (en) * 1995-02-24 1996-09-11 Lucas Novasensor Pressure sensor with transducer mounted on a metal base
US5814884C1 (en) 1996-10-24 2002-01-29 Int Rectifier Corp Commonly housed diverse semiconductor die
JP2000349178A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US20220221353A1 (en) * 2021-01-12 2022-07-14 Texas Instruments Incorporated Semiconductor force sensors

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01128889A (ja) * 1987-11-14 1989-05-22 Matsushita Electric Works Ltd 半導体ic装置
JPH02114544A (ja) * 1988-10-24 1990-04-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5937716Y2 (ja) * 1979-01-31 1984-10-19 日産自動車株式会社 半導体差圧センサ
JPS5694763A (en) * 1979-12-28 1981-07-31 Matsushita Electronics Corp Manufacturing method of transistor
US4595945A (en) * 1983-10-21 1986-06-17 At&T Bell Laboratories Plastic package with lead frame crossunder
JPS6340352A (ja) * 1986-08-05 1988-02-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 電子部品用リ−ドフレ−ム
JPH0770676B2 (ja) * 1986-09-29 1995-07-31 松下電子工業株式会社 半導体装置
JPS63226051A (ja) * 1987-03-16 1988-09-20 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ム
JPS6480051A (en) * 1987-09-21 1989-03-24 Hitachi Ltd Electric device
JPH01124244A (ja) * 1987-11-09 1989-05-17 Nec Corp リードフレーム
US4937656A (en) * 1988-04-22 1990-06-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JPH01282853A (ja) * 1988-05-09 1989-11-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US4994895A (en) * 1988-07-11 1991-02-19 Fujitsu Limited Hybrid integrated circuit package structure
US5208481A (en) * 1988-07-22 1993-05-04 Rohm Co., Ltd. Lead-frame for manufacturing semiconductor devices
JPH02137253A (ja) * 1988-11-17 1990-05-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH02153557A (ja) * 1988-12-05 1990-06-13 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH02184059A (ja) * 1989-01-11 1990-07-18 Sanyo Electric Co Ltd ミニモールド型半導体装置とリードフレーム及びミニモールド型半導体装置の製造方法
JP2681144B2 (ja) * 1989-08-19 1997-11-26 三菱電機株式会社 半導体装置用リードフレーム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01128889A (ja) * 1987-11-14 1989-05-22 Matsushita Electric Works Ltd 半導体ic装置
JPH02114544A (ja) * 1988-10-24 1990-04-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5900991A (en) * 1996-08-30 1999-05-04 Samsung Aerospace Industries, Ltd. Compact wide-angle zoom lens system
JP2019075430A (ja) * 2017-10-13 2019-05-16 株式会社三井ハイテック リードフレームの製造方法及びリードフレーム

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Publication number Publication date
DE4231325A1 (de) 1993-04-01
US5760467A (en) 1998-06-02

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