JPH0580357A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子Info
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- JPH0580357A JPH0580357A JP3245669A JP24566991A JPH0580357A JP H0580357 A JPH0580357 A JP H0580357A JP 3245669 A JP3245669 A JP 3245669A JP 24566991 A JP24566991 A JP 24566991A JP H0580357 A JPH0580357 A JP H0580357A
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【構成】第一電極層と対向する第二電極層との間に、エ
レクトロクロミック物質層と電解質層とが少なくとも設
けられてなるエレクトロクロミック表示素子において、
該エレクトロクロミック物質層と該電解質層との間に、
イオン伝導障壁層が設けられてなることを特徴とするエ
レクトロクロミック表示素子。 【効果】イオン伝導障壁層を用いることによって、着色
表示保存（メモリ）性に優れたエレクトロクロミック表
示素子が得られる。
レクトロクロミック物質層と電解質層とが少なくとも設
けられてなるエレクトロクロミック表示素子において、
該エレクトロクロミック物質層と該電解質層との間に、
イオン伝導障壁層が設けられてなることを特徴とするエ
レクトロクロミック表示素子。 【効果】イオン伝導障壁層を用いることによって、着色
表示保存（メモリ）性に優れたエレクトロクロミック表
示素子が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリ性に優れたエレ
クトロクロミック表示素子に関する。
クトロクロミック表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロクロミック表示素子（以下Ｅ
ＣＤと略す）は、電圧を印加することにより可視光の吸
収スペクトルが可逆的に変化し、着色または消色を起こ
すエレクトロクロミック（以下ＥＣと略す）現象を利用
した受光型表示素子である。受光型であるために、エレ
クトロルミネッセンス表示素子、プラズマディスプレイ
パネル、ＬＥＤ、ＣＲＴといった発光型表示素子と比べ
て、明るいところでも見やすいうえに、目が疲れないと
いう特徴を有している。また、他の受光型表示素子であ
る液晶表示素子と比較しても、メモリ性がある、視野角
依存性がない、大面積化が可能であるという優れた性能
を持つ表示素子である。
ＣＤと略す）は、電圧を印加することにより可視光の吸
収スペクトルが可逆的に変化し、着色または消色を起こ
すエレクトロクロミック（以下ＥＣと略す）現象を利用
した受光型表示素子である。受光型であるために、エレ
クトロルミネッセンス表示素子、プラズマディスプレイ
パネル、ＬＥＤ、ＣＲＴといった発光型表示素子と比べ
て、明るいところでも見やすいうえに、目が疲れないと
いう特徴を有している。また、他の受光型表示素子であ
る液晶表示素子と比較しても、メモリ性がある、視野角
依存性がない、大面積化が可能であるという優れた性能
を持つ表示素子である。
【０００３】このようなＥＣ物質としては、現在のとこ
ろ、電圧印加によりイオンと電子が移動し、この酸化還
元反応に伴い着消色反応を起こす、遷移金属酸化物が用
いられることが多い。このため、一般にＥＣＤは、何れ
かが透明である第一電極と第二電極との間に、１種また
は２種以上のＥＣ物質層と、ＥＣ物質層にイオンを供給
する電解質層を挟んだ構成となっている。
ろ、電圧印加によりイオンと電子が移動し、この酸化還
元反応に伴い着消色反応を起こす、遷移金属酸化物が用
いられることが多い。このため、一般にＥＣＤは、何れ
かが透明である第一電極と第二電極との間に、１種また
は２種以上のＥＣ物質層と、ＥＣ物質層にイオンを供給
する電解質層を挟んだ構成となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＥＣＤは、電圧印加に
より着色させた後、電圧印加をやめても、ある程度着色
状態が保存されるというメモリ性を有している。しかし
ながら、これまでのＥＣＤでは、充分なメモリ性ではな
かった。
より着色させた後、電圧印加をやめても、ある程度着色
状態が保存されるというメモリ性を有している。しかし
ながら、これまでのＥＣＤでは、充分なメモリ性ではな
かった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために下記の構成を有する。
決するために下記の構成を有する。
【０００６】「第一電極層と対向する第二電極層との間
に、エレクトロクロミック物質層と電解質層とが少なく
とも設けられてなるエレクトロクロミック表示素子にお
いて、該エレクトロクロミック物質層と該電解質層との
間に、イオン伝導障壁層が設けられてなることを特徴と
するエレクトロクロミック表示素子。」すなわち本発明
は、ＥＣＤの着色表示保存（メモリ）性の向上を目的と
している。発明者らは、ＥＣＤの消色の原因として、Ｅ
Ｃ物質層から電解質層へイオンが流出したり、電解質層
からＥＣ物質層へイオンが流入しやすくなっており、こ
のため、着色したＥＣ物質が消色し、メモリ性の障害に
なっていると考えた。そこで、ＥＣ物質層と電解質層と
の間にイオン伝導障壁層を設け、この層により、メモリ
性向上に至った。このようなイオン伝導障壁層の存在に
より、ＥＣ物質へのイオンの出入りを抑制し、着色状態
を維持することが可能となる。このイオン伝導障壁層の
ために、着消色を行う際の印加電圧は若干高くなるもの
の、着色状態を長く維持するメモリ性向上の効果は充分
得られるものである。
に、エレクトロクロミック物質層と電解質層とが少なく
とも設けられてなるエレクトロクロミック表示素子にお
いて、該エレクトロクロミック物質層と該電解質層との
間に、イオン伝導障壁層が設けられてなることを特徴と
するエレクトロクロミック表示素子。」すなわち本発明
は、ＥＣＤの着色表示保存（メモリ）性の向上を目的と
している。発明者らは、ＥＣＤの消色の原因として、Ｅ
Ｃ物質層から電解質層へイオンが流出したり、電解質層
からＥＣ物質層へイオンが流入しやすくなっており、こ
のため、着色したＥＣ物質が消色し、メモリ性の障害に
なっていると考えた。そこで、ＥＣ物質層と電解質層と
の間にイオン伝導障壁層を設け、この層により、メモリ
性向上に至った。このようなイオン伝導障壁層の存在に
より、ＥＣ物質へのイオンの出入りを抑制し、着色状態
を維持することが可能となる。このイオン伝導障壁層の
ために、着消色を行う際の印加電圧は若干高くなるもの
の、着色状態を長く維持するメモリ性向上の効果は充分
得られるものである。
【０００７】本発明におけるイオン伝導障壁層として
は、電解質層とＥＣ物質層とのイオン伝導を完全に遮断
することなく、電解質やＥＣ物質よりイオン伝導性の低
い物質であれば特に限定されることなく用いることがで
きる。さらに、イオン伝導性がＥＣ物質や電解質と同程
度であっても、層間に別の物質が挿入されることによ
り、界面の影響のためにイオンの出入りが抑制され、イ
オン伝導障壁としての効果が現れ、これは好ましい実施
態様の一つとなる。また、金属などの電子伝導性を示す
物質であっても、イオン伝導の障壁となれば特に問題な
く用いることができる。さらには、電解質層と接した側
のＥＣ物質層の表面、あるいは固体電解質を用いた場合
にはＥＣ物質層と接した側の固体電解質層の表面に、物
理的あるいは化学的表面処理をすることによってもイオ
ン伝導障壁層となり得る。
は、電解質層とＥＣ物質層とのイオン伝導を完全に遮断
することなく、電解質やＥＣ物質よりイオン伝導性の低
い物質であれば特に限定されることなく用いることがで
きる。さらに、イオン伝導性がＥＣ物質や電解質と同程
度であっても、層間に別の物質が挿入されることによ
り、界面の影響のためにイオンの出入りが抑制され、イ
オン伝導障壁としての効果が現れ、これは好ましい実施
態様の一つとなる。また、金属などの電子伝導性を示す
物質であっても、イオン伝導の障壁となれば特に問題な
く用いることができる。さらには、電解質層と接した側
のＥＣ物質層の表面、あるいは固体電解質を用いた場合
にはＥＣ物質層と接した側の固体電解質層の表面に、物
理的あるいは化学的表面処理をすることによってもイオ
ン伝導障壁層となり得る。
【０００８】イオン伝導障壁層の存在により、ＥＣ物質
を着消色する際の印加電圧が１．１倍〜２倍高くなる。
しかしながら、着消色の際の印加電圧が高いことを除け
ば、イオン伝導障壁層が存在する場合とイオン伝導障壁
層がない場合とでは、同程度の速さで着消色が起きる。
を着消色する際の印加電圧が１．１倍〜２倍高くなる。
しかしながら、着消色の際の印加電圧が高いことを除け
ば、イオン伝導障壁層が存在する場合とイオン伝導障壁
層がない場合とでは、同程度の速さで着消色が起きる。
【０００９】本発明におけるイオン伝導障壁層として用
いられる物質としては、金属、金属化合物が好ましく用
いられ、金属化合物としては、例えば、金属酸化物、金
属ハロゲン化物、金属硫化物などが挙げられる。これら
の物質を電解質とＥＣ物質の層間に挿入することにより
イオン伝導障壁層としての効果が得られる。このような
金属化合物としては、アルミニウム、ケイ素、チタン、
クロム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、ハフニ
ウム、タンタル、スズ、インジウム、リチウム、ナトリ
ウム、カリウム、ルビジウム、マグネシウム、カルシウ
ムなどの単体やこれらの酸化物、ハロゲン化物、硫化物
などが挙げられる。
いられる物質としては、金属、金属化合物が好ましく用
いられ、金属化合物としては、例えば、金属酸化物、金
属ハロゲン化物、金属硫化物などが挙げられる。これら
の物質を電解質とＥＣ物質の層間に挿入することにより
イオン伝導障壁層としての効果が得られる。このような
金属化合物としては、アルミニウム、ケイ素、チタン、
クロム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、ハフニ
ウム、タンタル、スズ、インジウム、リチウム、ナトリ
ウム、カリウム、ルビジウム、マグネシウム、カルシウ
ムなどの単体やこれらの酸化物、ハロゲン化物、硫化物
などが挙げられる。
【００１０】これらのイオン伝導障壁層になる物質の中
で、酸化アルミニウムや酸化ケイ素、酸化ハフニウム、
酸化ジルコニウム、酸化チタン、フッ化マグネシウムが
特に好ましく用いられる。
で、酸化アルミニウムや酸化ケイ素、酸化ハフニウム、
酸化ジルコニウム、酸化チタン、フッ化マグネシウムが
特に好ましく用いられる。
【００１１】このようなイオン伝導障壁層の作成方法と
しては、特に限定されるものでないく、真空蒸着法、イ
オンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタリン
グ法、ＣＶＤ（化学的気相成長法）法、電解析出法、ゾ
ル−ゲル法などが好ましく用いられる。この中で、金属
や金属化合物の薄膜化が容易であるといった点から、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、
スパッタリング法、ＣＶＤ法などの真空薄膜形成方法が
特に好ましく用いられる。特にＥＣ物質層を真空薄膜形
成する場合には、イオン伝導障壁層も真空薄膜形成する
ほうが生産性の点からも好ましいものである。また、表
面処理法としては、イオン照射法、プラズマ処理法、酸
あるいはアルカリ処理法、酸化あるいは還元法、水蒸気
処理法などが挙げられる。
しては、特に限定されるものでないく、真空蒸着法、イ
オンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタリン
グ法、ＣＶＤ（化学的気相成長法）法、電解析出法、ゾ
ル−ゲル法などが好ましく用いられる。この中で、金属
や金属化合物の薄膜化が容易であるといった点から、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、
スパッタリング法、ＣＶＤ法などの真空薄膜形成方法が
特に好ましく用いられる。特にＥＣ物質層を真空薄膜形
成する場合には、イオン伝導障壁層も真空薄膜形成する
ほうが生産性の点からも好ましいものである。また、表
面処理法としては、イオン照射法、プラズマ処理法、酸
あるいはアルカリ処理法、酸化あるいは還元法、水蒸気
処理法などが挙げられる。
【００１２】イオン伝導障壁層の膜厚としては、用いら
れる電解質層やＥＣ物質層のイオン伝導度に応じて決め
られるべきものであるが、およそ5nm 以上、1000nm以下
が好ましい。さらに好ましくは、10nm以上、500nm 以下
である。
れる電解質層やＥＣ物質層のイオン伝導度に応じて決め
られるべきものであるが、およそ5nm 以上、1000nm以下
が好ましい。さらに好ましくは、10nm以上、500nm 以下
である。
【００１３】本発明において用いられるＥＣ物質として
は、通常のＥＣＤにおいて用いられているものであれば
使用可能であり、構成物質や成膜方法は特に限定される
ものではない。例えば、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法、イオンビーム法、スパッタリング法、ＣＶＤ
法、電解析出法、電解重合法、バインダー等を用いた液
状コーティング法などにより成膜された、酸化タングス
テン、酸化チタン、酸化ニッケル、酸化イリジウム、酸
化モリブデン、酸化ニオブ、酸化クロム、酸化バナジウ
ム、酸化ジルコニウム、酸化マンガン、酸化コバルト、
酸化ロジウム、酸化ルテニウム、酸化オスミニウム、酸
化レニウム、窒化スズ、窒化インジウム、プルシアンブ
ルー等の遷移金属の酸化物、窒化物あるいは錯化合物な
どを用いることが多いが、ビオロゲン、金属フタロシア
ニン、スチリル化合物、アントラキノン、ピラゾリン、
テトラチアフルバレン、ポリチオフェン、ポリピロー
ル、テトラシアノキノジメタン等の有機物質及びこれら
の誘導体や高分子化合物を用いることも可能である。
は、通常のＥＣＤにおいて用いられているものであれば
使用可能であり、構成物質や成膜方法は特に限定される
ものではない。例えば、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法、イオンビーム法、スパッタリング法、ＣＶＤ
法、電解析出法、電解重合法、バインダー等を用いた液
状コーティング法などにより成膜された、酸化タングス
テン、酸化チタン、酸化ニッケル、酸化イリジウム、酸
化モリブデン、酸化ニオブ、酸化クロム、酸化バナジウ
ム、酸化ジルコニウム、酸化マンガン、酸化コバルト、
酸化ロジウム、酸化ルテニウム、酸化オスミニウム、酸
化レニウム、窒化スズ、窒化インジウム、プルシアンブ
ルー等の遷移金属の酸化物、窒化物あるいは錯化合物な
どを用いることが多いが、ビオロゲン、金属フタロシア
ニン、スチリル化合物、アントラキノン、ピラゾリン、
テトラチアフルバレン、ポリチオフェン、ポリピロー
ル、テトラシアノキノジメタン等の有機物質及びこれら
の誘導体や高分子化合物を用いることも可能である。
【００１４】上記、ＥＣ物質は、一種または二種以上を
組み合わせて用いることも可能であるが、着消色性、耐
久性が良好である等の点から、好ましく用いられるＥＣ
物質層としては、真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法などの真空薄膜形成法により成膜
された遷移金属化合物が挙げられ、中でも酸化タングス
テンが特に好ましく用いられる。このような遷移金属化
合物は、酸化反応に着色する酸化型ＥＣ物質と、還元反
応により着色する還元型ＥＣ物質があり、両者を組み合
わせた着消色性に優れる、いわゆる相補型のＥＣＤとす
ることは、好ましい実施態様の一つである。例えば、酸
化型ＥＣ物質として、酸化ニッケル、酸化イリジウム、
還元型ＥＣ物質として酸化タングステンなどが挙げられ
る。
組み合わせて用いることも可能であるが、着消色性、耐
久性が良好である等の点から、好ましく用いられるＥＣ
物質層としては、真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法などの真空薄膜形成法により成膜
された遷移金属化合物が挙げられ、中でも酸化タングス
テンが特に好ましく用いられる。このような遷移金属化
合物は、酸化反応に着色する酸化型ＥＣ物質と、還元反
応により着色する還元型ＥＣ物質があり、両者を組み合
わせた着消色性に優れる、いわゆる相補型のＥＣＤとす
ることは、好ましい実施態様の一つである。例えば、酸
化型ＥＣ物質として、酸化ニッケル、酸化イリジウム、
還元型ＥＣ物質として酸化タングステンなどが挙げられ
る。
【００１５】このような相補型ＥＣＤの場合には、イオ
ン伝導障壁層は、酸化型ＥＣ物質層と電解質層の層間、
および、還元型ＥＣ物質層と電解質層の層間の両方もし
くは一方の層間に挿入される。この場合は、イオンの流
出の大きいＥＣ物質層と電解質層との層間に挿入される
ことが好ましいことは言うまでもない。
ン伝導障壁層は、酸化型ＥＣ物質層と電解質層の層間、
および、還元型ＥＣ物質層と電解質層の層間の両方もし
くは一方の層間に挿入される。この場合は、イオンの流
出の大きいＥＣ物質層と電解質層との層間に挿入される
ことが好ましいことは言うまでもない。
【００１６】本発明において用いられる電解質として
は、通常のＥＣＤにおいて用いられているものであれ
ば、構成物質や形成方法など特に限定されるものではな
い。本発明に用いられる電解質層としては、塩酸や硫酸
などの希酸、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの
希アルカリ水溶液、各種電解質を溶媒に溶かした電解質
溶液などの液体電解質、あるいは固体電解質が挙げられ
る。
は、通常のＥＣＤにおいて用いられているものであれ
ば、構成物質や形成方法など特に限定されるものではな
い。本発明に用いられる電解質層としては、塩酸や硫酸
などの希酸、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの
希アルカリ水溶液、各種電解質を溶媒に溶かした電解質
溶液などの液体電解質、あるいは固体電解質が挙げられ
る。
【００１７】液体電解質の場合の各種電解質としては、
過塩素酸リチウム、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸銀な
どのアルカリ（土類）金属や遷移金属の過塩素酸塩、チ
オシアン化リチウム、チオシアン化ナトリウム、チオシ
アン化カリウム、チオシアン化銀などのアルカリ（土
類）金属や遷移金属のチオシアン化合物、塩化ナトリウ
ム、塩化カリウム、臭化リチウム、臭化ナトリウム、臭
化カリウム、臭化ルビジウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化
ナトリウム、ヨウ化カリウム、ヨウ化ルビジウム、フッ
化マグネシウム、フッ化カルシウム、塩化カルシウム、
塩化銀、臭化銀、ヨウ化銀などのアルカリ（土類）金属
や遷移金属のハロゲン化物などが挙げられる。また、溶
媒としては、水、プロピオンカーボネート、γ- ブチロ
ラクトン、N,N'- ジメチルホルムアミドなどが挙げられ
る。
過塩素酸リチウム、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸銀な
どのアルカリ（土類）金属や遷移金属の過塩素酸塩、チ
オシアン化リチウム、チオシアン化ナトリウム、チオシ
アン化カリウム、チオシアン化銀などのアルカリ（土
類）金属や遷移金属のチオシアン化合物、塩化ナトリウ
ム、塩化カリウム、臭化リチウム、臭化ナトリウム、臭
化カリウム、臭化ルビジウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化
ナトリウム、ヨウ化カリウム、ヨウ化ルビジウム、フッ
化マグネシウム、フッ化カルシウム、塩化カルシウム、
塩化銀、臭化銀、ヨウ化銀などのアルカリ（土類）金属
や遷移金属のハロゲン化物などが挙げられる。また、溶
媒としては、水、プロピオンカーボネート、γ- ブチロ
ラクトン、N,N'- ジメチルホルムアミドなどが挙げられ
る。
【００１８】固体電解質としては、例えば、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッ
タリング法、ＣＶＤ法、電解析出法、電解重合法、バイ
ンダー等を用いた液状コーティング法などにより成膜さ
れた、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウ
ム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ケイ素、酸化
クロム、酸化アルミニウム、酸化アンチモン、フッ化マ
グネシウム、フッ化リチウム、フッ化バリウム、フッ化
カルシウム、フッ化鉛等の金属酸化物や金属ハロゲン化
物などの金属化合物、β−アルミナ、ヨウ化銀ルビジウ
ム、塩化ヨウ化銅ルビジウム、窒化リチウム、ケイ酸リ
ン酸リチウム、ジルコニアリンケイ素酸ナトリウム等の
イオン伝導性金属化合物、金属塩を添加したポリアルキ
レンオキシドを主鎖または側鎖に持つ高分子固体電解
質、Nafionなどのイオン交換樹脂等が挙げられる。特に
透明性が良好である、真空蒸着法、イオンプレーティン
グ法、スパッタリング法などの真空薄膜形成法が可能で
あるといった点から、金属酸化物や金属フッ化物が好ま
しく用いられる。
法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッ
タリング法、ＣＶＤ法、電解析出法、電解重合法、バイ
ンダー等を用いた液状コーティング法などにより成膜さ
れた、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウ
ム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ケイ素、酸化
クロム、酸化アルミニウム、酸化アンチモン、フッ化マ
グネシウム、フッ化リチウム、フッ化バリウム、フッ化
カルシウム、フッ化鉛等の金属酸化物や金属ハロゲン化
物などの金属化合物、β−アルミナ、ヨウ化銀ルビジウ
ム、塩化ヨウ化銅ルビジウム、窒化リチウム、ケイ酸リ
ン酸リチウム、ジルコニアリンケイ素酸ナトリウム等の
イオン伝導性金属化合物、金属塩を添加したポリアルキ
レンオキシドを主鎖または側鎖に持つ高分子固体電解
質、Nafionなどのイオン交換樹脂等が挙げられる。特に
透明性が良好である、真空蒸着法、イオンプレーティン
グ法、スパッタリング法などの真空薄膜形成法が可能で
あるといった点から、金属酸化物や金属フッ化物が好ま
しく用いられる。
【００１９】本発明において用いられる第一電極層、お
よび第二電極層は、通常のＥＣＤにおいて用いられてい
る電極を特に限定されることなく用いることができる。
たとえば金、銀、銅、白金、イリジウム、クロム、ニッ
ケル、アルミニウムなどの金属や、酸化インジウム，酸
化スズ，酸化アンチモンなどの金属酸化物、及び上記金
属や金属酸化物の２種以上の混合物等が挙げられる。ま
た、表示を確認する上で、第一電極層、あるいは第二電
極層の、少なくとも何れかは透明な電極であることが好
ましい。これは、このＥＣＤをどちらの側から視認する
かによって決められるべきものである。
よび第二電極層は、通常のＥＣＤにおいて用いられてい
る電極を特に限定されることなく用いることができる。
たとえば金、銀、銅、白金、イリジウム、クロム、ニッ
ケル、アルミニウムなどの金属や、酸化インジウム，酸
化スズ，酸化アンチモンなどの金属酸化物、及び上記金
属や金属酸化物の２種以上の混合物等が挙げられる。ま
た、表示を確認する上で、第一電極層、あるいは第二電
極層の、少なくとも何れかは透明な電極であることが好
ましい。これは、このＥＣＤをどちらの側から視認する
かによって決められるべきものである。
【００２０】本発明においては、第一電極層と第二電極
層のいずれかは、基板上設けられるが、その基板として
は、板状であれば限定されず、樹脂シート、プラスチッ
ク板や無機ガラスなどが挙げられ、弾力性フィルムであ
っても構わない。
層のいずれかは、基板上設けられるが、その基板として
は、板状であれば限定されず、樹脂シート、プラスチッ
ク板や無機ガラスなどが挙げられ、弾力性フィルムであ
っても構わない。
【００２１】本発明において、ＥＣＤを構成する各物質
や駆動回路や用途などについては特に限定されるもので
はない。これらの個々の物質あるいは駆動回路、あるい
は用途などＥＣＤの概要については、「最新プロセス技
術」（広信社，１９８７年出版）等に詳しく述べられて
おり、本発明においても適用可能である。
や駆動回路や用途などについては特に限定されるもので
はない。これらの個々の物質あるいは駆動回路、あるい
は用途などＥＣＤの概要については、「最新プロセス技
術」（広信社，１９８７年出版）等に詳しく述べられて
おり、本発明においても適用可能である。
【００２２】
【実施例】本発明の実施例について、以下に詳述する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２３】実施例１ 第一電極層を有する基板として、市販のＩＴＯを有する
ガラス基板を用い、基板表面温度を２８０℃に保った状
態で、ＥＣ物質層として酸化タングステンを酸素ガス導
入下、真空度１×１０-5torrで真空蒸着法により膜厚30
0nm に成膜した。この上にさらに、イオン伝導障壁層と
して酸化アルミニウムを酸素ガス導入下、真空度１×１
０-4torrで高周波イオンプレーティング法により膜厚50
nmに成膜し、ＥＣ基板とした。
ガラス基板を用い、基板表面温度を２８０℃に保った状
態で、ＥＣ物質層として酸化タングステンを酸素ガス導
入下、真空度１×１０-5torrで真空蒸着法により膜厚30
0nm に成膜した。この上にさらに、イオン伝導障壁層と
して酸化アルミニウムを酸素ガス導入下、真空度１×１
０-4torrで高周波イオンプレーティング法により膜厚50
nmに成膜し、ＥＣ基板とした。
【００２４】第二電極層を有する基板としてITO ガラス
を用い、この第二電極とＥＣ基板の間に、１Ｍの過塩素
酸リチウムを添加したプロピレンカーボネートからなる
電解質溶液注入して、図１の如く封入してＥＣＤを作成
した。図１において、11は基板、12は第一電極層、13は
ＥＣ物質層、14はイオン伝導障壁層、15は電解液、16は
第二電極層、17は直流電源、18は封止剤を示す。
を用い、この第二電極とＥＣ基板の間に、１Ｍの過塩素
酸リチウムを添加したプロピレンカーボネートからなる
電解質溶液注入して、図１の如く封入してＥＣＤを作成
した。図１において、11は基板、12は第一電極層、13は
ＥＣ物質層、14はイオン伝導障壁層、15は電解液、16は
第二電極層、17は直流電源、18は封止剤を示す。
【００２５】ＥＣ基板を負極に、第二電極を正極に接続
し、３Ｖの直流電圧を印加した。まもなく酸化タングス
テンが還元され青色の着色が確認できた。この着色状態
は、１週間以上持続した。
し、３Ｖの直流電圧を印加した。まもなく酸化タングス
テンが還元され青色の着色が確認できた。この着色状態
は、１週間以上持続した。
【００２６】比較例１ 実施例１においてイオン伝導障壁層を用いないこと以外
は、同様にしてＥＣＤを作成し、１．５Ｖの直流電圧を
印加して着色反応を行った。この着色状態は３日で消失
した。
は、同様にしてＥＣＤを作成し、１．５Ｖの直流電圧を
印加して着色反応を行った。この着色状態は３日で消失
した。
【００２７】実施例２ 第一電極層を有する基板として、市販のＩＴＯを有する
ガラス基板を用い、基板表面温度を２８０℃に保った状
態で、固体電解質層として酸化タンタルを酸素ガス導入
下、真空度１×１０-4torrで高周波イオンプレーティン
グ法により膜厚600nm に成膜した。この上にイオン伝導
障壁層として酸化アルミニウムを酸素ガス導入下、真空
度１×１０-4torrで高周波イオンプレーティング法によ
り膜厚50nmに成膜した。さらに、この上にＥＣ物質層と
して酸化タングステンを酸素ガス導入下、真空度１×１
０-5torrで真空蒸着法により膜厚300nm に成膜し、ＥＣ
基板とした。このＥＣ基板上に、第二電極層としてITO
を酸素ガス導入下、真空度１×１０-4torrで高周波イオ
ンプレーティング法により膜厚30nmに成膜して図２の如
くＥＣＤを作成した。図２において、21は基板、22は第
一電極層、23は固体電解質層、24はイオン伝導障壁層、
25はＥＣ物質層、26は第二電極層、27は直流電源を示
す。
ガラス基板を用い、基板表面温度を２８０℃に保った状
態で、固体電解質層として酸化タンタルを酸素ガス導入
下、真空度１×１０-4torrで高周波イオンプレーティン
グ法により膜厚600nm に成膜した。この上にイオン伝導
障壁層として酸化アルミニウムを酸素ガス導入下、真空
度１×１０-4torrで高周波イオンプレーティング法によ
り膜厚50nmに成膜した。さらに、この上にＥＣ物質層と
して酸化タングステンを酸素ガス導入下、真空度１×１
０-5torrで真空蒸着法により膜厚300nm に成膜し、ＥＣ
基板とした。このＥＣ基板上に、第二電極層としてITO
を酸素ガス導入下、真空度１×１０-4torrで高周波イオ
ンプレーティング法により膜厚30nmに成膜して図２の如
くＥＣＤを作成した。図２において、21は基板、22は第
一電極層、23は固体電解質層、24はイオン伝導障壁層、
25はＥＣ物質層、26は第二電極層、27は直流電源を示
す。
【００２８】このＥＣＤを第一電極層を負極に、第二電
極層を正極に接続し、３Ｖの直流電圧を印加した。まも
なく酸化タングステンが還元され青色の着色が確認でき
た。この着色状態は、１週間以上持続した。
極層を正極に接続し、３Ｖの直流電圧を印加した。まも
なく酸化タングステンが還元され青色の着色が確認でき
た。この着色状態は、１週間以上持続した。
【００２９】比較例２ 実施例２においてイオン伝導障壁層を用いないこと以外
は、同様にしてＥＣＤを作成し、１．５Ｖの直流電圧を
印加して着色反応を行った。この着色状態は２日で消失
した。
は、同様にしてＥＣＤを作成し、１．５Ｖの直流電圧を
印加して着色反応を行った。この着色状態は２日で消失
した。
【００３０】実施例３ 第一電極層を有する基板として、市販のＩＴＯを有する
ガラス基板を用い、基板表面温度を２８０℃に保った状
態で、ＥＣ物質層として酸化タングステンを酸素ガス導
入下、真空度１×１０-5torrで真空蒸着法により膜厚30
0nm に成膜した。この上にさらに、イオン伝導障壁層と
して酸化ケイ素を酸素ガス導入下、真空度１×１０-5to
rrで高周波イオンプレーティング法により膜厚50nmに成
膜し、ＥＣ基板とした。
ガラス基板を用い、基板表面温度を２８０℃に保った状
態で、ＥＣ物質層として酸化タングステンを酸素ガス導
入下、真空度１×１０-5torrで真空蒸着法により膜厚30
0nm に成膜した。この上にさらに、イオン伝導障壁層と
して酸化ケイ素を酸素ガス導入下、真空度１×１０-5to
rrで高周波イオンプレーティング法により膜厚50nmに成
膜し、ＥＣ基板とした。
【００３１】第二電極層を有する基板としてITO ガラス
を用い、この第二電極とＥＣ基板の間に、１Ｍの過塩素
酸リチウムを添加したプロピレンカーボネートからなる
電解質溶液注入して、図１の如く封入してＥＣＤを作成
した。ＥＣ基板を負極に、第二電極を正極に接続し、３
Ｖの直流電圧を印加した。まもなく酸化タングステンが
還元され青色の着色が確認できた。この着色状態は、１
週間以上持続した。
を用い、この第二電極とＥＣ基板の間に、１Ｍの過塩素
酸リチウムを添加したプロピレンカーボネートからなる
電解質溶液注入して、図１の如く封入してＥＣＤを作成
した。ＥＣ基板を負極に、第二電極を正極に接続し、３
Ｖの直流電圧を印加した。まもなく酸化タングステンが
還元され青色の着色が確認できた。この着色状態は、１
週間以上持続した。
【００３２】比較例３ 実施例３においてイオン伝導障壁層を用いないこと以外
は、同様にしてＥＣＤを作成し、１．５Ｖの直流電圧を
印加して着色反応を行った。この着色状態は３日で消失
した。
は、同様にしてＥＣＤを作成し、１．５Ｖの直流電圧を
印加して着色反応を行った。この着色状態は３日で消失
した。
【００３３】
【発明の効果】イオン伝導障壁層をＥＣ物質層と電解質
層の間に挿入することにより、着色状態のメモリ性の向
上したエレクトロクロミック表示素子が得られる。
層の間に挿入することにより、着色状態のメモリ性の向
上したエレクトロクロミック表示素子が得られる。
【図１】本発明実施例１のＥＣＤの断面図である。
【図２】本発明実施例２のＥＣＤの断面図である。
11：基板 12: 第一電極層 13: ＥＣ物質層 14: イオン伝導障壁層 15: 電解液 16: 第二電極層 17: 直流電源 18: 封止剤 21: 基板 22: 第一電極層 23: 固体電解質層 24: イオン伝導障壁層 25: ＥＣ物質層 26: 第二電極層 27: 直流電源
Claims (5)
- 【請求項１】第一電極層と対向する第二電極層との間
に、エレクトロクロミック物質層と電解質層とが少なく
とも設けられてなるエレクトロクロミック表示素子にお
いて、該エレクトロクロミック物質層と該電解質層との
間に、イオン伝導障壁層が設けられてなることを特徴と
するエレクトロクロミック表示素子。 - 【請求項２】該イオン伝導障壁層が、金属薄膜あるいは
金属化合物薄膜からなることを特徴とする請求項１記載
のエレクトロクロミック表示素子。 - 【請求項３】該金属化合物薄膜が、金属酸化物あるいは
金属ハロゲン化物からなる薄膜であることを特徴とする
請求項２記載のエレクトロクロミック表示素子。 - 【請求項４】該金属酸化物が、酸化アルミニウム、酸化
ケイ素、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウ
ムおよび酸化クロムから選ばれる１種であることを特徴
とする請求項３記載のエレクトロクロミック表示素子。 - 【請求項５】該エレクトロクロミック物質層が、酸化タ
ングステンからなることを特徴とする請求項１記載のエ
レクトロクロミック表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3245669A JPH0580357A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3245669A JPH0580357A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580357A true JPH0580357A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17137059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3245669A Pending JPH0580357A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0580357A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6178034B1 (en) | 1996-04-10 | 2001-01-23 | Donnelly Corporation | Electrochromic devices |
| KR100350602B1 (ko) * | 1993-04-05 | 2003-01-15 | 아이젠 인코포레이티드 | 상보적으로표면한정된중합체일렉트로크로믹물질,시스템및그의제조방법 |
| JP2004309946A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-04 | Sony Corp | 電気化学表示装置及びその製造方法 |
| WO2006101224A1 (ja) * | 2005-03-19 | 2006-09-28 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | 可逆着脱色固体素子、可逆導電性変化固体素子、可逆屈折率変化固体素子、非発光型表示素子、通電路素子および光導波路素子 |
| JP2008203740A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Nissan Motor Co Ltd | 調光素子及び調光デバイス |
| WO2010125759A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | 国立大学法人筑波大学 | 不揮発性エレクトロクロミック素子およびカチオンの移動を制御する方法 |
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| CN110596980A (zh) * | 2019-09-16 | 2019-12-20 | 传奇视界有限公司 | 一种防漏电的电致变色玻璃及其制备方法和应用 |
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| JP2020518004A (ja) * | 2017-04-24 | 2020-06-18 | エルジー・ケム・リミテッド | エレクトロクロミックフィルムおよびこれを含むエレクトロクロミック素子 |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP3245669A patent/JPH0580357A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100350602B1 (ko) * | 1993-04-05 | 2003-01-15 | 아이젠 인코포레이티드 | 상보적으로표면한정된중합체일렉트로크로믹물질,시스템및그의제조방법 |
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| US11467460B2 (en) | 2017-04-24 | 2022-10-11 | Lg Chem, Ltd. | Electrochromic film and an electrochromic device comprising the same |
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