JP2008203740A - 調光素子及び調光デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2枚の導電膜6,7の間に色変化膜と電解質膜2を備えた調光素子において、上記色変化膜を電圧印加によって還元されて色変化を生じる第1の膜3と、同方向の電圧印加によって酸化される第2の膜4により構成し、電解質膜2の一方側に1層以上の第1の膜3を、他方側に1層以上の第2の膜4を配置すると共に、これら第1及び第2の膜3及び4の少なくとも1つと電解質膜2との間に電荷バリア層5を形成する。
【選択図】図1
Description
このEC素子は、遷移金属化合物膜などの薄膜と電解質とを接触させて構成されるものであって、所定極性の電界を印加することによって、例えば着色を生じさせ、これとは逆極性の電界を印加することによって脱色を生じさせることができる。この着色及び脱色は可逆的なものであり、このような着脱色は、遷移金属化合物膜などの薄膜と電解質との接触部に、外部から光照射することによっても生じさせることができる。
ここで、WO3薄膜の背面側電極(図中上方側)に負(−)、電解質の背面側電極(図中下方側)に正(+)の電圧を印加すると、電解質からWO3膜へ正イオンM+(Mは、例えばH,Li,Na等)が注入され、同時に図中上方側の作用極からは、電子e−がWO3薄膜に注入される結果、WO3の主格子の空隙に元素Mが挿入され、タングステンブロンズと呼ばれる非化学量論的化合物MxWO3が形成される(0<x<1)。
この状態で、上記とは逆極性の電圧をEC素子に印加すると、正イオンM+と電子e−がタングステンブロンズから引き抜かれ、再び元のWO3薄膜に戻り、無色の状態となる。
WO3 + xM+ + xe− → MxWO3 ・・・ (1)
(1)電解質中のプロトン(H+)が直接WO3薄膜側にドリフトしていき、注入された電 子e−と中和することにより、WO3がMxWO3へと変化する。
(2)電解質中の正孔h+がWO3薄膜側に拡散して、WO3薄膜と電解質との界面で水分 子(H2O)を酸化させプロトン(H+)を生成する。そして、このプロトン(H+) がWO3内に拡散して主格子内空隙に到達し、注入された電子e−で中和することにより 、WO3がMxWO3へと変化する。
しかし、(1)のドリフトによる反応は低速であり、また、(2)の拡散による反応も低速であるため、EC素子の応答速度は非常に低速である。
このとき、必要に応じて、上記第2の膜を電圧印加に応じて色調が可逆変化する色変化膜とすることもできる。
一方、第2の色変化膜4から電解質膜2へプロトン(H+)が放出され、同時に電子e−が導電膜7に移行する結果、第2の色変化膜4のIr(OH)3がIrO2・H2Oに変化し、当該色変化膜4は、無色(透明)から青色に発色し、全体として無色から青色に変色する。
一方、上記導電膜6及び7に、上とは逆の極性の電圧を印加すると、第1の色変化膜3及び第2の色変化膜11がそれぞれ元の無色及び灰色に戻り、全体として上記青色から灰色に変化する。
また、これら材料は自由に組み合せることができ、成膜方法としては、スパッタリング、蒸着、さらにゾル−ゲル法や印刷などによるウエットコーティングなどを適用することができ、特に限定されない。
なお、当該バリア層の膜厚は、バリアとして機能する膜厚の層を工業的に安定して形成する観点から、5nm以上であることが好ましい。
例えば、自動車で使用する場合は12V、家庭用で使用する場合は100Vの電源が使用されることが多く、これに合わせた膜厚調整を行うことよって、インバーターなどによる電圧調整が必要なくなるメリットがある。
図1に示したように、シート抵抗が10Ω/□のITO薄膜(導電膜7)が成膜されたガラス基板8の上に、IrO2から成る第2の膜4(色変化膜)、SiO2から成る電荷バリア層5、Ta2O5から成る電解質膜2、SiO2から成る電荷バリア層5、WO3から成る第1の膜3(色変化膜)、及びITOから成る導電膜6がこの順序で積層された調光素子1を作製した。
また、電荷バリア層5については、RFスパッタリング法により、室温の基板上に、スパッタ雰囲気を1:1のAr/O2混合気体とし、投入電力50W、成膜中真空度15mTorrの条件の下に、それぞれ7nm厚のSiO2膜を形成した。
なお、酸化タンタルTa2O5は誘電体であるが、膜中に微量に吸着している水分子から水素イオン(H+)が生じることから、固体電解質として機能する。
この結果、この実施例により得られた調光素子1における70%低下時間は100msであった。
上記実施例1と同様の材料及び成膜条件によって、図2に示したように、ITO薄膜(導電膜7)が成膜されたガラス基板8の上に、IrO2から成る第2の色変化膜4、Ta2O5から成る電解質膜2、SiO2から成る電荷バリア層5、WO3から成る第1の色変化膜3、及びITOから成る導電膜6がこの順序で積層された調光素子1を作製した。
ITO薄膜(導電膜7)が成膜された実施例1と同様のガラス基板8の上に、WO3から成る第1の色変化膜3、SiO2から成る電荷バリア層5、Ta2O5から成る電解質膜2、SiO2から成る電荷バリア層5、NiOから成る第2の色変化膜4、及びITOから成る導電膜6をこの順序で積層し、図7に示すような調光素子1を作製した。
当該実施例においては、RFスパッタリング法により、室温の基板に対して、スパッタ雰囲気をArのみとし、投入電力50W、成膜中真空度5mTorrの条件の下に、NiO膜を400nmの厚さに成膜して、酸化色変化膜4としたこと以外は、上記実施例1と同様の材料及び成膜条件を適用した。
上記実施例1と同様の材料及び成膜条件によって、図9に示したように、ITO薄膜が成膜されたガラス基板の上に、Ta2O5から成る電解質膜と、SiO2から成る電荷バリア層と、WO3から成る色変化膜と、ITOから成る導電膜とがこの順序で積層され、酸化色変化膜のない調光素子を作製した。
上記実施例1と同様の材料及び成膜条件によって、図8に示したように、ITO薄膜が成膜されたガラス基板の上に、Ta2O5から成る電解質膜と、WO3から成る色変化膜と、ITOから成る導電膜がこの順序で積層され、電荷バリヤ層も酸化色変化膜もない調光素子を作製した。
2 電解質膜
3 第1の膜(色変化膜)
4 第2の膜(色変化膜)
5 電荷バリア層
6,7 導電膜
10 第2の膜(電荷貯蔵膜)
11 第2の膜(色変化膜)
Claims (3)
- 2枚の導電膜の間に色変化膜と電解質膜を備え、電圧印加に応じて上記色変化膜の色調が可逆的に変化する調光素子において、電圧印加によって還元される材料から成る第1の膜と、酸化される材料から成る第2の膜が電解質膜を隔てて対向配置され、上記第1の膜が色変化膜であると共に、これら第1及び第2の膜の少なくとも1つと上記電解質膜の間に電荷バリア層を有していることを特徴とする調光素子。
- 上記第2の膜が電圧印加に応じて色調が可逆変化する色変化膜であることを特徴とする請求項1に記載の調光素子。
- 請求項1又は2に記載の調光素子を備えたことを特徴とする調光デバイス。
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