JPH0578830A - カソードスパツタリング装置 - Google Patents

カソードスパツタリング装置

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JPH0578830A
JPH0578830A JP4073921A JP7392192A JPH0578830A JP H0578830 A JPH0578830 A JP H0578830A JP 4073921 A JP4073921 A JP 4073921A JP 7392192 A JP7392192 A JP 7392192A JP H0578830 A JPH0578830 A JP H0578830A
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sputtering apparatus
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来技術の装置において可能であるよりもよ
り多くのカソードステーション、測定ステーション及び
その他の、例えば供給及び取り出しのような機能を備え
たステーションを装置のプロセス室若しくは真空室に設
けることができるようにし、かつ装置をディスク状サブ
ストレートの両面同時コーチングに適するようにし、
さらに装置を高い耐用寿命及び高い作業速度を有するよ
うにし、かつカソード室をスパッタリング中装置の他の
真空室から極め良好に確実に遮断することにある。 【構成】 サブストレートキャリヤが、真空室１のカソ
ードステーション１２、１２ａの前の室２１を真空室１
のその他の室２２から遮断するロックゲート弁の両方の
リング状の閉鎖エレメント９、９ａと協働する、少なく
とも１つの搬送しゃもじ又は搬送グリッパー４によって
形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回転するサブストレー
トキャリアが配置されている真空室内においてサブスト
レートのコーチンを行うための、少なくとも１つのカソ
ードステーション、供給ステーション及び取り出しステ
ーションを備えたカソードスパッタリング装置に関す
る。
【０００２】
【従来技術】真空技術分野、殊に薄膜技術では、サブス
トレート、例えばコンパクトディスク（ＣＤ）のコーチ
ングは公知である。コンパクトディスクはデジタル情報
の記憶媒体である。プレスされたプラスチックディスク
はスパッタリングプロセスにおいて例えば１０００分の
１０mmよりも薄いアルミニウム層で被覆される。このた
めに使用されるスパッタリング装置は環状に構成されて
いる。ロックゲートを介して供給が行われかつ装置はロ
ボットを内蔵している。サブストレートキャリアはサブ
ストレートを上記ロックゲートから環状のプロセス室を
通して搬送する。スパッタリングは、マグネトロンとし
て構成された高性能スパッタリングカソードによって行
われる。
【０００３】このような装置は例えば、ライボルト社
（Leybold AG)ＤＥ３９１２２９５号明細書に記載され
ている。この公知のカソードスパッタリング系はレーザ
ーを反射するアルミニュウム層の片側コーチングに役立
つ。該装置は、供給ステーション及び取り出しステーシ
ョンを備えた円筒形の垂直に配置された真空室、高性能
スパッタリングカソード、プレート受容部を備えた搬送
リング並びに、コーチング室と供給ステーション及び取
り出しステーションとの間の圧力遮断のためのダイナミ
ックロックゲートを有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
技術の装置において可能であるよりもより多くのカソー
ドステーション、測定ステーション及びその他の、例え
ば供給及び取り出しのような機能を備えたステーション
を装置のプロセス室若しくは真空室に設けることができ
るようにすることにある。かつまた、装置をディスク状
のサブストレートの両側の同時コーチングに適するよう
にすることにある。
【０００５】さらに装置を高い耐用寿命及び高い作業速
度を有するようにすることにある。
【０００６】最後に、カソード室をスパッタリング中装
置の他の真空室から極め好にかつ確実に遮断することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、サブストレートキャリヤが少なくとも１つの搬送し
ゃもじ又は搬送グリッパーから構成されており、該搬送
しゃもじ又は搬送グリッパーがロックゲート弁の２つの
リング状の閉鎖エレメントと協働し、該ロックゲート弁
を介してステーションの前の室が真空室の他の室から気
密に遮断可能であることによって、解決されている。
【０００８】
【実施例】図１には真空室１の円板状の構成が示されて
おり、該真空室１はカバー部分と室部分から成る。真空
室はフレーム又はスタンド２によって固定されている。
符号３は供給ステーション−取り出しステーションの全
体を示す。符号５はカソードステーション（破断して示
す）を示す。該カソードステーションは図２について詳
細に説明する。
【０００９】図１では真空室１は一部が破断されて示さ
れており、その結果１つの搬送グリッパー４が見えてい
る。該搬送グリッパーは腕６と、２腕レバー７ａ、８ａ
を備えた両顎７、８から構成されている。腕６は中心の
ボス６ａに配置されている。このボスは駆動装置により
矢印Ａの方向に所定の角度だけ間欠的にステーションか
らステーションへ回動せしめられる。図１から判るよう
に、駆動装置は真空室１に対して中心に配置されてい
る。符号１１は真空室１の中心軸線を示す。
【００１０】図１には複数のカソードステーション及
び、装置の作業形式をチェックするための複数の測定ス
テーションが示されている。図２は２つの互いに反対側
に配置されたカソードステーションの詳細を示す。カソ
ードの全体は符号１２若しくは１２ａで示されている。
これはターゲットを有しており、該ターゲットは符号１
３若しくは１３ａで示されている。カソードはいずれも
高性能カソード（マグネトロンカソード）である。
【００１１】カソードの運転中、カソード１２、１２ａ
の前の範囲にプラズマが形成され、これは各マグネトロ
ンカソードの磁界により高密度にされる。このプラズマ
から正のイオンがターゲットに激突する。このターゲッ
トから材料粒子がスパッタされる。スパッタ材料は図２
に符号１５で示されたサブストレートに達する。カソー
ド１２、１２ａとサブストレート１５及び顎７、８との
間にそれぞれ１つのマスク１７、１７ａが配置されてい
る。
【００１２】スパッタリングプロセス中、ヒンジバンド
３６、３６ａを介して不動のピン２３、２３ａに旋回可
能に支承されている両方のリング状の閉鎖エレメント
９、９ａは、ハイドローモータ１０、１０ａによりピス
トンロッド１６、１６ａを介して矢印Ｂ、Ｂａの方向で
互いに圧着され、その結果該閉鎖エレメントのパッキン
１８、１８ａは真空室半部２５、２５ａの室壁若しくは
それらの円形リング状のシール面２０、２０ａに当接さ
れ、室２１を室２２に対して遮断する。
【００１３】この状態でスパッタ材料はサブストレート
１５上に集中せしめられる。他方ではこれにより、搬送
グリッパー６の顎７、８及びその他の部分がスパッタさ
れることが避けられる。マスク１７、１７ａの形状によ
り、搬送グリッパー６の顎７、８及びその他の部分が遮
蔽される。同時に良好な層厚均質性がえられる。ワッフ
ル焼き型の両半部の形式で不動のピン２３、２３ａを中
心に矢印Ｃ、Ｃａの方向で旋回可能に真空室壁両半部２
５、２５ａに支承されている両方の閉鎖エレメント９、
９ａは、互いに異なる位置で図示されている。即ち閉鎖
エレメント９は『閉鎖』位置に、これに対して閉鎖エレ
メント９ａは『開放』位置に旋回している（このような
相対位置関係をとることはカソードスパッタリング装置
の実際の運転時にはない。たんに閉鎖エレメントの機能
を示したものである。）カソードステーションのフラン
ジ３７、３７ａ、カソード１２、１２ａ自体、マスク１
７、１７ａ、真空室１の両方の半部２５、２５ａ及び閉
鎖エレメント９、９ａはスパッタリング過程中絶縁され
た真空室２１を形成し、該真空室２１は、カソードスパ
ッタリング装置の他の真空室２２から分離される。
【００１４】符号２６、２６ａはキャップを示し、これ
らは真空室１の半径方向で外側にある侠幅側、若しくは
両方の室半部２５、２５ａに不動に配置されており、か
つ閉鎖エレメント９、９ａの支承及びシールのために役
立つ。符号２９、２９ａ、３０、３０ａ、３１、３１ａ
は０−リングを示し、これらはカソード真空室２１をシ
ールするために役立つ。
【００１５】図３には、カソードスパッタリング装置
の、多数の搬送グリッパ４（６、６′、．．．．）が不
動に配置されたボス６ａが示されている。
【００１６】各搬送グリッパー自体は腕６及び１対の２
腕レバー７ａ、８ａから成り、該レバーはピン３２、３
３を中心にして、ばね３４の力に抗して、矢印Ｄ若しく
はＥ（図４）の方向に旋回可能である。搬送グリッパー
を開閉するための電動式駆動装置は図面を見やすくする
ために図示されていない。 図１から判るように、符号
１１は回転軸線であって、これを中心としてボス６はそ
の搬送グリッパー４と共に所定のタイミングで間欠的に
回転する。駆動エレメントはセンター軸３５である。図
２の実施例ではこれらの搬送グリッパーの腕が符号６で
示されている。所定角度の間欠的な運動は、例えば工作
機械において使用されているような精密割出し台によっ
て高い精度で行われる。
【００１７】サブストレート１５はそれぞれ１つの搬送
グリッパーにより間欠的に装置の供給ステーション３か
らカソードステーション１２、１２ａへ搬送される。
【００１８】スパッタリング過程中本発明によりカソー
ド真空室２１と装置の残りの真空室２２との確実な遮断
が保証されている。
【００１９】サブストレート１５は片面又は両面をコー
チングされる。両面コーチングの場合は１つのステーシ
ョンに２つのカソード１２、１２ａが真空室両半部２
５、２５ａに配置されている。
【００２０】図２から判るように、両閉鎖エレメント
９、９ａ（閉鎖エレメント対）はリングとして形成され
ており、それらの外径は、両真空室半部２５、２５ａ内
の円筒形の開孔３８、３８ａの内径に正確に相応してい
る。両閉鎖エレメントはそれぞれ２つのパッキンリング
１８、１８ａ若しくは２９、２９ａを有し、これらのう
ちのそれぞれ半径方向内側にあるパッキンリング２９も
しくは２９ａは腕６若しくはボス６ａに気密に当接して
おり（『閉鎖』位置）、この場合パッキンリング２９、
２９ａはキャップ側の範囲で直接に当たっている。
【００２１】それぞれ半径方向外側に配置されているパ
ッキンリング１８、１８ａは『閉鎖』位置では円形リン
グ状の突出部３９若しくは３９ａ上に当接し、これらは
それぞれ真空室半部２５、２５ａと一体に形成されてい
る。『開放』位置では両閉鎖エレメント９、９ａは互い
に浅い角度を形成しており、そ結果サブストレートホル
ダ若しくは腕６、６′．．．回転することができる。両
方のピン２３、２３ａ相互間の距離は常に等しく保持さ
れており、要するにこれらのピンは真空室１に不動に固
定され若しくは支承されていなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるカソードスパッタリング装置の１
実施例の略示図。
【図２】図１の装置のコーチング室と共にスパッタリン
グカソードの一部を示した断面図。
【図３】全部で８つの搬送グリッパーを備えたサブスト
レートキャリアの平面図。
【図４】搬送グリッパーの拡大図。
【図５】搬送グリッパーの拡大図。
【符号の説明】
１ 真空室、 ２ フレーム、 ３ 供給ステーション
ー取り出しステーション、 ４ 搬送グリッパー、 ５
カソードステーション、 ６，６′腕、 ６ａボス、
７ 顎、 ７ａ ２腕レバー、 ８ 顎、 ８ａ ２
腕レバー、９，９ａ 閉鎖エレメント、 １０，１０ａ
ハイドロモータ、 １１ 軸線、１２，１２ａ カソ
ード、 １３，１３ａ ターゲット、 １４，１４ａ
範囲、 １５ サブストレート、 １６，１６ａ ピス
トンロッド、 １７，１７ａマスク、 １８，１８ａ
パッキン、 ２０，２０ａ シール面、 ２１ 室、
２２室、 ２３，２３ａ ピン、 ２４，２４ａ 壁、
２５，２５ａ真空室半部、２６，２６ａ キャップ、
２９，２９ａ，３０，３０ａ，３１，３１ａ パッキ
ンリング、 ３２，３３ ピン、 ３４ ばね、 ３５
軸、３６，３６ａ ヒンジバンド、 ３７，３７ａ
カソードフランジ、 ３８，３８ａ 開孔、 ３９，３
９ａ 突出部

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】回転するサブストレートキャリヤ（６、
    ６′、．．．６ａ）が設けられている真空室（２１）内
    でサブストレート（１５）をコーチングするための、少
    なくとも１つのカソードステーション（１２、１２ａ）
    と、供給ステーションと、取り出しステーション（３）
    とを有するカソードスッパタリング装置において、サブ
    ストレートキャリヤが、ロックゲート弁の両方のリング
    状の閉鎖エレメント（９、９ａ）と協働する、少なくと
    も１つの搬送しゃもじ又は搬送グリッパー（４）によっ
    て形成されており、上記ロックゲート弁を介して真空室
    （１）のカソードステーション（１２、１２ａ）の前の
    室（２１）が真空室（１）のその他の室（２２）から遮
    断可能であることを特徴とするカソードスパッタリング
    装置。
  2. 【請求項２】搬送グリッパー（４）が、カソードステー
    ション（１２、１２ａ）又は供給ステーション又は取り
    出しステーション（３）の軸線（Ｘ）の方向で運動可能
    であるサブストレート（１５）を掴むことを特徴とす
    る、請求項１記載のカソードスパッタリング装置。
  3. 【請求項３】搬送グリッパ（４）が２つの互いに直径方
    向で向かい合っている顎（７、８）から形成されてお
    り、該両顎が腕（６）に旋回可能に支承されており、こ
    の場合上記顎が該顎と協働するスパッタリングカソード
    部分、供給ステーション部分、取り出しステーション部
    分のようなカソードスパッタリング装置部分に対して、
    運動中常時平行であるように、上記腕が形成され配置さ
    れていることを特徴とする、請求項１又は２記載のカソ
    ードスパッタリング装置。
  4. 【請求項４】腕が剛性に、中心軸線（１１）を中心にし
    て回転可能な構造部分として形成されていることを特徴
    とする、請求項１から３までのいずれか１項記載のカソ
    ードスパッタリング装置。
  5. 【請求項５】腕が２つの並列に配置された腕エレメント
    から成る案内機構を有しており、上記案内エレメントが
    それぞれ２腕レバー（７ａ、８ａ）から成っていて、該
    レバーの自由端部が顎（７、８）を有していることを特
    徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載のカ
    ソードスパッタリング装置。
  6. 【請求項６】カソードとサブストレートとの間にマスク
    （１７、１７ａ）が配置されていることを特徴とする、
    請求項１から５までのいずれか１項記載のカソードスパ
    ッタリング装置。
  7. 【請求項７】マスク、室壁、カバー、腕、閉鎖エレメン
    トのようなカソードステーション部分が１つの真空室を
    形成し、該真空室がカソードスパッタリング装置の真空
    室の他の部分に対して真空密に遮断可能であることを特
    徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載のカ
    ソードスパッタリング装置。
  8. 【請求項８】単数又は複数の搬送グリッパーのために、
    カソードスパッタリング装置の中心に配置された駆動装
    置が設けられており、該駆動装置が搬送グリッパーを所
    定の角度ずつ間欠的にカソードスパッタリング装置の真
    空室内を搬送することを特徴とする、請求項１から７ま
    でのいずれか１項記載のカソードスパッタリング装置。
  9. 【請求項９】カソードスパッタリング装置の真空室
    （１）が鉛直に配置されており、かつ単数又は複数の搬
    送グリッパー（７、８）が水平に設定された軸線（１
    １）を中心として回転可能であることを特徴とする、請
    求項１から８までのいずれか１項記載のカソードスパッ
    タリング装置。
  10. 【請求項１０】それぞれ対をなして協働する閉鎖エレメ
    ント（９、９ａ）がほぼ円形リングの形状を有してお
    り、この場合それぞれ半径方向で外側にある縁部がヒン
    ジレバー又はヒンジバンド（３６、３６ａ）を介して真
    空室（１）の壁に枢着されていて、閉鎖エレメント
    （９、９ａ）が回転軸線（１１）に対して横方向の軸線
    を中心として所定の方向（Ｃ，Ｃａ）で旋回可能であ
    り、この場合上記旋回運動が閉鎖エレメント（９、９
    ａ）の縁部にあるヒンジレバー又はヒンジバンド（３
    ６、３６ａ）上に配置された引張りエレメント又はピス
    トンロッド（１６、１６ａ）を介して生ぜしめられるこ
    とを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記
    載のカソードスパッタリング装置。
  11. 【請求項１１】両閉鎖エレメント（９、９ａ）が互いに
    向かい合う端面にそれぞれ１つの第１のパッキンリング
    （２９、２９ａ）を有しており、該パッキンリングが、
    閉鎖エレメント（９、９ａ）が回転軸線（１１）に対し
    て垂直の位置にあるときに、協働しかつ、閉鎖エレメン
    トに設けられた第２のパッキンリング対（１８、１８
    ａ）と共に、ほぼ円筒形の室（２１）を閉鎖することを
    特徴とする、請求項１０記載のカソードスパッタリング
    装置。
  12. 【請求項１２】真空室（１）の各真空室半部（２５、２
    ５ａ）が各供給及び取り出しステーション又は各処理ス
    テーションのために開孔（３８、３８ａ）を有してお
    り、該開孔がそれぞれ外側から、カソードフランジ（３
    ７、３７ａ）又はロックゲートプレートのような処理装
    置の部分によって閉鎖可能であり、この場合真空室
    （１）の真空室半部（２５、２５ａ）が、両真空室半部
    （２５、２５ａ）の接触面の平面における開孔（３８、
    ３８ａ）の範囲で上記開孔（３８、３８ａ）内に侵入す
    る円形リング状の突出部を有し、該突出部が、閉鎖エレ
    メント（９、９ａ）のパッキンリング（１８、１８ａ）
    と協働するシール面（２０、２０ａ）を有していること
    を特徴とする、請求項１から１１までのいずれか１項記
    載のカソードスパッタリング装置。
  13. 【請求項１３】各閉鎖エレメント（９、９ａ）がパッキ
    ンリング（２９、２９ａ）を有し、該パッキンリングが
    ボス（６ａ）と協働しかつ『閉鎖』位置ではボス（６
    ａ）の相応する面に密に当接し、『開放』位置では該面
    から離れることを特徴とする、請求項１から１２までの
    いずれか１項記載のカソードスパッタリング装置。
  14. 【請求項１４】各閉鎖エレメント（９、９ａ）がその、
    回転軸線（１１）側とは反対側に、ピン（２３、２３
    ａ）に旋回可能に支承されているレバー又はヒンジバン
    ド（３６、３６ａ）を有しており、上記ピンが真空室半
    部（２５、２５ａ）の一部であり、又は真空室半部（２
    ５、２５ａ）によって直接保持されていることを特徴と
    する、請求項１から１３までのいずれか１項記載のカソ
    ードスパッタリング装置。
  15. 【請求項１５】各ヒンジバンド（３６、３６ａ）の、閉
    鎖エレメント（９、９ａ）側とは反対側に、レバーが不
    動に配置されており、該レバーが抗張部材又は操作ロッ
    ド又は操作エレメント（１６、１６ａ）と協働し、この
    場合作用方向が搬送グリッパー（６）のボス（６ａ）の
    面に対してほぼ垂直であることを特徴とする、請求項１
    から１４までのいずれか１項記載のカソードスパッタリ
    ング装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019208019A (ja) * 2018-05-09 2019-12-05 ゾライアー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 複数の基体の処理のための、複数の基体の収容のための保持装置、処理設備、および、処理方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH691377A5 (de) 1992-10-06 2001-07-13 Unaxis Balzers Ag Kammeranordnung für den Transport von Werkstücken und deren Verwendung.
CH686445A5 (de) * 1992-10-06 1996-03-29 Balzers Hochvakuum Kammer und Kammerkombination fuer eine Vakuumanlage und Verfahren zum Durchreichen mindestens eines Werkstueckes.
EP0591706B1 (de) * 1992-10-06 2002-04-24 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Kammer für den Transport von Werkstücken
DE4302794A1 (de) * 1993-02-02 1994-08-04 Leybold Ag Vorrichtung zum Ein- und/oder Ausschleusen einer Maske in die bzw. aus der Kammer einer Vakuum-Beschichtungsanlage
US5421889A (en) * 1993-06-29 1995-06-06 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for inverting samples in a process
US5651868A (en) * 1994-10-26 1997-07-29 International Business Machines Corporation Method and apparatus for coating thin film data storage disks
US5543022A (en) * 1995-01-17 1996-08-06 Hmt Technology Corporation Disc-handling apparatus
JP2665202B2 (ja) * 1995-05-31 1997-10-22 九州日本電気株式会社 半導体ウェハ処理装置
DE19605599C1 (de) * 1996-02-15 1996-10-31 Singulus Technologies Gmbh Vorrichtung zum Transport von Substraten
US5667592A (en) * 1996-04-16 1997-09-16 Gasonics International Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
US5863170A (en) * 1996-04-16 1999-01-26 Gasonics International Modular process system
US5855465A (en) * 1996-04-16 1999-01-05 Gasonics International Semiconductor wafer processing carousel
US6200441B1 (en) * 1997-08-27 2001-03-13 Western Digital Corporation Multiple station vacuum deposition apparatus for texturing a substrate using a scanning beam
US6905578B1 (en) * 1998-04-27 2005-06-14 Cvc Products, Inc. Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure
DE19914129C2 (de) * 1999-03-27 2001-04-05 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verfahren zum doppelseitigen Beschichten eines Substrates mit insbesondere einem Hochtemperatursupraleiter-Material durch Materialabscheidung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
AU2003234484A1 (en) 2002-05-06 2003-11-11 Guardian Industries Corp. Sputter coating apparatus including ion beam source(s), and corresponding method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6052574A (ja) * 1983-09-02 1985-03-25 Hitachi Ltd 連続スパツタ装置
US4548699A (en) * 1984-05-17 1985-10-22 Varian Associates, Inc. Transfer plate rotation system
DE3912295C2 (de) * 1989-04-14 1997-05-28 Leybold Ag Katodenzerstäubungsanlage
DE3912297C2 (de) * 1989-04-14 1996-07-18 Leybold Ag Katodenzerstäubungsanlage

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019208019A (ja) * 2018-05-09 2019-12-05 ゾライアー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 複数の基体の処理のための、複数の基体の収容のための保持装置、処理設備、および、処理方法

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