DE19914129C2 - Verfahren zum doppelseitigen Beschichten eines Substrates mit insbesondere einem Hochtemperatursupraleiter-Material durch Materialabscheidung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum doppelseitigen Beschichten eines Substrates mit insbesondere einem Hochtemperatursupraleiter-Material durch Materialabscheidung und Vorrichtung zur Durchführung des VerfahrensInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum
doppelseitigen Beschichten eines Substrates mit insbeson
dere einem Hochtemperatursupraleiter-Material durch Mate
rialabscheidung, bei dem das Substrat an einem bewegbaren
Halter angeordnet und an dem Halter zwischen wenigstens
einem Paar von Beschichtungselementen, die einander ge
genüberliegend und zueinander weisend beidseitig des Hal
ters vorgesehen sind, periodisch hindurchgeführt und da
bei beschichtet wird.
Es existieren eine Reihe unterschiedlicher Anwendungen
insbesondere im Bereich der Photovoltaik und der Hochtem
peratursupraleiter (HTS), in denen eine doppelseitige
Beschichtung eines Substrats mit einem entsprechenden
Material notwendig ist. Ein Anwendungsbeispiel aus dem
HTS-Bereich stellen u. a. Mikrowellenbauelemente dar, bei
denen die hochfrequente elektromagnetische Welle von der
Rückseite her in das Bauelement eingespeist wird. Im
Falle von Hochfrequenz-Filtern und Hochfrequenz-
Resonatoren werden daher u. a. doppelseitig mit z. B. YBCO
beschichtete Substrate verlangt, bei denen beide Seiten
mit einem HTS-Material von hoher Qualität beschichtet
sind.
Hinsichtlich der Abscheidungen bei hohen Substrattempera
turen sind unterschiedliche Technologien bekannt. Aus der
EP 0 502 385 B1 ist beispielsweise ein Verfahren zum dop
pelseitigen Beschichten von Kunststofflinsen mit einer
Polymerisationsschicht bekannt. Bei diesem Verfahren wer
den die zu beschichtenden Linsen an einer konisch ausge
führten Werkstückhaltung angebracht, die drehbar gelagert
ist, so daß die an der Werksstückhalterung angebrachten
Linsen durch Drehung der Halterung perodisch zwischen
zwei Elektroden durchgeführt werden können, um gleichzei
tig auf beiden Seiten mit einer Polymerisationsschicht
versehen zu werden. Nach Aufbringung der Polymerisations
schicht erfolgt die Aufbringung von thermisch aufgedampf
ten Schichten auf beiden Seiten der Linsen in der Weise,
daß zuerst eine Seite beschichtet und danach das Werk
stück gewendet und auf der anderen Seite beschichtet
wird.
Das bekannte Verfahren umfaßt also einen ersten Schritt,
bei dem eine Polymerationsschicht gleichzeitig auf beide
Linsenseiten abgeschieden wird, und einen weiteren
Schritt, in dem thermisch aufgedampfte Schichten nachein
ander auf die beiden Seiten des Werkstücks aufgebracht
werden.
Das bekannte Verfahren ist damit in verschiedenen Berei
chen nur bedingt oder gar nicht einsetzbar, beispiels
weise im Bereich der Photovoltaik und der Hochtemperatur
supraleiter, in denen die beidseitige Beschichtung von
Substraten mit einem HTS-Material von hoher Qualität
erforderlich ist. Bedingt einsatzfähig ist das bekannte
System weiterhin auch im Bereich der Herstellung von
Mehrlagensystemen und über Gitterstrukturen, wo eine
schnelle, reproduzierbare Abscheidung von Schichten mit
definierter Dicke und Eigenschaft im Nanometerbereich er
forderlich ist. Im Bereich der Mehrlagensysteme ist ins
besondere die Kombination von Pufferschichten zwischen
beispielsweise epitaktisch ausgewachsten HTS-Schichten
und chemisch nicht kompatiblen Substraten zu erwähnen.
Andere Anwendungen im Bereich der Mehrschichtsysteme sind
beispielsweise kanare Dünnschichttransformatoren und kom
plexe Schaltungen.
In den vorgenannten Anwendungsgebieten erfolgt die
Abscheidung der Beschichtungsmaterialien in üblicher Wei
se bei hohen Substrattemperaturen, wobei die Substratsei
ten in der Regel nacheinander beschichtet werden. Die Be
strebungen gehen allerdings dahin, beide Seiten eines
Substrats gleichzeitig (in-situ) zu beschichten. Ein An
satz in dieser Richtung vom Forschungszentrum Karlsruhe
(vgl. DE 42 34 590 C1) geht in die Richtung, eine stati
sche Beschichtung mittels zweier Hohlkathoden durchzufüh
ren, wobei das Substrat sowohl durch das Plasma der
Kathoden als auch durch eine zusätzliche, das Substrat
umschließende resistive Strahlungsheizung geheizt wird.
Nachteile dieses Konzepts liegen zum einen in der extrem
schwierigen Einstellung und Bestimmung der Substrattempe
ratur, die im Falle von HTS-Anwendungen je nach Substrat
nicht mehr als ±2°K schwanken darf, und zum anderen in
der durch das Heizkonzept beschränkten Größe der Kathode,
die zu einer inhomogenen Abscheidung führen kann. Letzte
res soll bei dem angewandten Verfahren durch eine kompli
zierte Taumelbewegung des Substrats kompensiert werden,
was jedoch wiederum zu lokalen Schwankungen der Substrat
temperatur führen kann. Eine Abscheidung von Multilagen
und insbesondere Übergitterstrukturen erscheint daher mit
diesem System nicht sinnvoll zu sein.
Aus der US-41 83 797 ist weiterhin ein Beschichtungsver
fahren bekannt, bei dem ein zwischen zwei Kathoden sta
tisch gehaltenes Substrat gleichzeitig auf beiden Seiten
beschichtet wird. Dieses Verfahren ist mit den gleichen
Nachteilen behaftet wie das zuvor diskutierte Verfahren.
Ein ähnliches Verfahren ist desweiteren aus der EP-0 293
229 B1 bekannt.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren anzuge
ben, mit dem Substrate doppelseitig mit insbesondere ei
nem HTS-Material zuverlässig und mit hoher Qualität be
schichtet werden können.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das
Substrat durch eine Heizvorrichtung auf eine vorgegebene
Temperatur erwärmt wird, und die Rotationsgeschwindigkeit
des Halters so gesteuert wird, daß sich die Substrattem
peratur, die sich durch die Erwärmung mittels der Heiz
vorrichtung einstellt, durch das Beschichten nicht oder
nur geringfügig innerhalb vorgegebener Grenzen ändert.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt somit eine
Aufheizung des Substrats bzw. der Beschichtungsumgebung
durch die vorgesehene Heizvorrichtung, wobei durch die
Steuerung der Geschwindigkeit, mit welcher der Halter und
damit die darin vorgesehenen Substrate zwischen den Be
schichtungselementen hindurchgeführt werden, die jeweils
geforderte Temperaturhomogenität, die beispielsweise im
Bereich von ±2°K liegen kann, sichergestellt wird. Es
können daher mit dem erfindungsgemäßen Verfahren Substra
te doppelseitig und mit hoher Qualität beschichtet wer
den.
Erfindungsgemäß besteht weiterhin die Möglichkeit, mehre
re Substrate an dem Halter anzubringen, wobei diese im
Falle eines rotierenden Halters auf einem gemeinsamen Ra
dius liegen sollten, so daß sie nacheinander periodisch
zwischen den Beschichtungselementen durchgeführt werden.
Hierdurch können gleichzeitig mehrere Substrate beschich
tet werden.
Des weiteren können auch mehrere Paare von Beschichtungs
elementen vorgesehen sein, wobei die Substrate an dem
Halter dann nacheinander zwischen den Paaren von Be
schichtungselementen durchgeführt werden. Hierdurch wird
die Möglichkeit eröffnet, die Aufwachsrate zu erhöhen,
indem mit den Paaren von Beschichtungselementen gleiche
Materialien auf dem Substrat abgeschieden werden. Außer
dem können auch Mehrlagensysteme oder komplizierte Über
gitter ein- oder doppelseitig abgeschieden werden. Bei
der Abscheidung von Mehrlagensystemen besteht die Mög
lichkeit, die Beschichtungselemente über eine entspre
chende Steuerung zur Aufbringung einer Schicht aus einem
bestimmten Material nur zeitweilig zu aktivieren.
Hinsichtlich weiterer Vorteile und Merkmale der vorlie
genden Erfindung wird auf die Unteransprüche sowie die
nachfolgende Beschreibung eines Ausführungsbeispiels un
ter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung verwiesen.
In der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 eine Prinzipskizze einer Vorrichtung gemäß
der vorliegenden Erfindung zum doppelseiti
gen Beschichten eines Substrats mit insbe
sondere einem HTS-Material,
Fig. 2 im Vertikalschnitt eine Vorrichtung gemäß
der vorliegenden Erfindung im Betriebszu
stand,
Fig. 3 im Vertikalschnitt die Vorrichtung aus
Fig. 2 im Beladezustand und
Fig. 4 die Vorrichtung aus Fig. 1 im Schnitt ent
lang der Linie A-A.
In Fig. 1 ist schematisch eine Vorrichtung zum doppel
seitigen Beschichten eines Substrats mit einem HTS-
Material dargestellt. Zu der Vorrichtung gehören ein ro
tierend um eine horizontale Achse X antreibbarer Halter
1, an dem beabstandet von der Drehachse X ein Substrat 2
anbringbar ist, und eine Heizvorrichtung 3, die den Hal
ter 1 vollständig umgibt. Beidseitig des Halters 1 sind
einander gegenüberliegend zwei Kathoden 4, 5 so angeord
net, daß das Substrat 2 bei einer Drehung des Halters 1
periodisch zwischen ihnen hindurchgeführt und dabei beid
seitig beschichtet werden kann. In der Wandung der Heiz
vorrichtung sind dabei Fenster 6, 7 vorgesehen, durch
welche die Teilchenströme, welche von den Kathoden 4, 5
erzeugt werden, zu dem Substrat 2 gelangen, wenn dieses
zwischen ihnen hindurchgeführt wird. Da das Substrat 2
jeweils lediglich für einen kurzen Moment, wenn es an den
Kathoden 4, 5 vorbeiläuft, dem durch die sich dort befin
denden Fenster 6, 7 dem Teilchenstrom der Kathoden 4, 5
ausgesetzt wird, kann das beidseitige Beschichten im we
sentlichen ohne eine Temperaturänderung erfolgen. Die
Temperatur des Substrats wird somit praktisch allein
durch die Temperatur der Heizvorrichtung 3 bestimmt, so
daß während des Beschichtens die für HTS-Anwendungen er
forderliche Temperaturhomogenität von ±2°K ohne weiteres
eingehalten werden kann.
In der dargestellten Ausführungsform ist wesentlich, daß
die Beschichtungsquellen, hier die Kathoden 4, 5, la
geunabhängig arbeiten können, da abhängig von der Montage
zumindest eine der Beschichtungsquellen 4, 5 nicht verti
kal nach oben gerichtet arbeiten kann. Daher sind Ver
dampferverfahren nur mit Schwierigkeiten, zum Beispiel
der zusätzlichen Anordnung von Umlenkblechen, anwendbar.
Andere Probleme treten bei der Verwendung von CVD-
Verfahren auf, bei denen das Heizerprinzip nicht in übli
che CVD-Konzepte eingefügt werden kann. Daher werden in
der vorliegenden Ausführungsform Sputterkathoden 4, 5 und
insbesondere Magnetronkathoden eingesetzt, die wie in der
Zeichnung angedeutet aus Symmetriegründen vertikal in
Face-to-Face-Anordnung montiert werden sollten. Alterna
tiv wären durchaus die Beschichtungsverfahren durch ge
pulste Laserablation oder über Ionenstrahl-Zerstäubung
denkbar.
In den Fig. 2 bis 4 ist beispielhaft eine konstruktive
Lösung für Vorrichtung gemäß der Prinzipskizze von Fig.
1 dargestellt. Zu der Vorrichtung gehört ein Halter 1 in
Form einer Drehscheibe, die durch einen Motor 8 rotierend
angetrieben werden kann. An der Drehscheibe 1 sind auf
einem Teilkreis, der sich aus der Anzahl und der Größe
der in einem Durchgang zu beschichtenden Substrate 2 er
gibt, Substratadapter 9 angebracht, über welche eine
Mehrzahl von Substraten 2 mit Abstand von der Drehachse X
an der Drehscheibe 1 angebracht werden kann. Im Bereich
der Substrate 2 ist eine ringförmige Heizvorrichtung 3
vorgesehen, die die Drehscheibe 1 außen ganz umschließt.
Die Heizvorrichtung 3, die im wesentliche aus Heizplatten
10, Strahlungsblechen 11 und Kühlplatten 12 besteht, ist
in vertikaler Richtung geteilt ausgeführt, damit sie zum
Einsetzen bzw. Entnehmen der Drehscheibe 1 mit den
Substraten 2 geöffnet werden kann.
Außerhalb der Heizvorrichtung 3 sind zwei Kathodenpaare
4, 5 vorgesehen, wobei die beiden Kathoden 4, 5 eines
Paares jeweils auf beiden Seiten der Drehscheibe 1 einan
der gegenüberliegend und zueinander gerichtet angeordnet
sind. Die Kathoden 4, 5 sind dabei jeweils auf dem glei
chen Teilkreis wie die Substrate 2 um die Drehachse X
herum angeordnet, so daß die Substrate 2 bei einer Rota
tion der Drehscheibe 1 jeweils zwischen den Kathodenpaa
ren 4, 5 durchgeführt und dabei durch Fenster 6, 7, die
in der Heizvorrichtung 3 vorgesehen sind, mittels der von
den Kathoden 4, 5 erzeugten Teilchenströme beidseitig be
schichtet werden können. Die Heizvorrichtung 3 ist dabei
um die Achse X drehbar angeordnet, so daß die Fenster 6,
7 jeweils vor einem aktiven Kathodenpaar 4, 5 positio
niert werden können.
Wie in den Fig. 2 und 3 erkennbar ist, besitzt die er
findungsgemäße Vorrichtung ein vertikal geteiltes Gehäuse
13, dessen eine Gehäusehälfte 13a auf einem Unterbau 14
fest installiert ist und dessen andere Gehäusehälfte 13b
in horizontaler Richtung mittels eines geeigneten An
triebs zum Öffnen verfahrbar ist. Das Gehäuse 13 trägt
den Motor 8 für die Drehscheibe sowie die Mediendurchfüh
rungen 15 für die Kathoden 4, 5. An der feststehenden Ge
häusehälfte 13a ist weiterhin eine Vakuumeinrichtung 16
vorgesehen, durch welche in dem Gehäuse ein Vakuum gezo
gen werden kann. Außerdem sind an den Gehäusehälften 13a,
13b auch die Abschnitte der geteilt ausgeführten Heizvor
richtung 3 vorgesehen, so daß diese zusammen mit dem Ge
häuse 13 auseinander- bzw. zusammengefahren werden kann.
Zum Beschichten von Substraten 2 wird das Gehäuse 13 zu
nächst auseinandergefahren, wie es in Fig. 3 dargestellt
ist, um eine mit den zu beschichtenden Substraten 2 ver
sehene Drehscheibe 1 in die ebenfalls auseinandergefahre
ne Heizvorrichtung 3 einzusetzen. Anschließend wird das
Gehäuse 13 in den in Fig. 3 dargestellten Betriebszu
stand zusammengefahren, in dem die Heizvorrichtung 3 ei
nen geschlossenen Ring bildet, der denjenigen Bereich der
Drehscheibe 1, an welchem die Substrate 2 gehalten sind,
vollständig umschließt. Anschließend wird der von der
Heizvorrichtung 3 gebildete Ringraum durch die Heizvor
richtung 3 auf eine für eine HTS-Beschichtung erforderli
che Betriebstemperatur von 600 bis 800°C, erwärmt. Nun
wird die Drehscheibe 1 durch den Motor in Drehung ver
setzt, so daß die Substrate 2 periodisch zwischen den Ka
thoden 4, 5 durchgeführt und dabei durch die Fenster 6, 7
beidseitig beschichtet werden. Die Rotationsgeschwindig
keit ist dabei zur Steuerung der Temperaturhomogenität
während des Beschichtens regelbar und wird insbesondere
so eingestellt, daß die Abkühlphase im Beschichtungsbe
reich nicht zu einer unzulässigen Temperaturabsenkung am
Substrat 2 führt.
Nach dem Beschichten wird das Gehäuse 13 wieder zusammen
mit der Heizvorrichtung 3 geöffnet, so daß die Drehschei
be 1 mit den daran vorgesehenen Substraten 2 aus der Vor
richtung entnommen werden kann.
Bei der dargestellten Ausführungsform, ist es auch mög
lich, durch eine geeignete Anzahl von aktiven Kathoden
paaren 4, 5 ein- und beidseitig an den Substraten 2 Mehr
lagensysteme oder Übergitterstrukturen herzustellen. Bei
mehreren aktiven Kathodenpaaren 4, 5 muß auch eine ent
sprechende Anzahl von Fenstern in der Heizvorrichtung 3
vorgesehen sein. Dabei können die Kathoden 4, 5 über eine
entsprechende Steuerung einzeln zu- oder abgeschaltet
werden.
Claims (23)
1. Verfahren zum doppelseitigen Beschichten eines
Substrates mit insbesondere einem Hochtemperatursu
praleiter-Material durch Materialabscheidung, bei dem
das Substrat (2) an einem bewegbaren Halter (1) ange
ordnet und an dem Halter (1) zwischen wenigstens ei
nem Paar von Beschichtungselementen (4, 5), die ein
ander gegenüberliegend und zueinander weisend beid
seitig des Halters (1) vorgesehen sind, periodisch
hindurchgeführt und dabei beschichtet wird, dadurch
gekennzeichnet, daß das Substrat (2) durch eine Heiz
vorrichtung (3) auf eine vorgegebene Temperatur er
wärmt wird, und die Rotationsgeschwindigkeit des Hal
ters (1) so gesteuert wird, daß sich die Substrattem
peratur, die sich durch die Erwärmung mittels der
Heizvorrichtung (3) einstellt, durch das Beschichten
nicht oder nur geringfügig innerhalb vorgegebener
Grenzen ändert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Halter (1) rotierend angetrieben und das
Substrat (2) beabstandet von der Drehachse (X) an dem
Halter (1) angebracht wird, so daß es eine Kreisbewe
gung ausführt, wobei es auf einem Teil der Kreisbewe
gung zwischen den Beschichtungselementen (4, 5)
durchgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß mehrere Substrate (2) an dem Halter (1)
angebracht und bei dessen Bewegung nacheinander peri
odisch zwischen den Beschichtungselementen (4, 5)
hindurchgeführt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2 und 3, dadurch gekennzeich
net, daß die Substrate (2) auf einem gemeinsamen Ra
dius an dem Halter (1) angebracht werden.
5. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß mehrere Paare von Beschich
tungselementen (4, 5) vorgesehen sind und das wenig
stens ein Substrat (2) an dem Halter (1) zwischen den
Paaren von Beschichtungselementen (4, 5) nacheinander
durchgeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß bei der Verwendung eines rotierenden Halters (1)
die Paare von Beschichtungselementen (4, 5) jeweils
auf einem Radius um die Drehachse (X) des Halters (1)
angeordnet werden.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß mit den Paaren von Beschichtungselemen
ten (4, 5) unterschiedliche Materialien auf dem
Substrat (2) abgeschieden werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß die Beschichtungselemente (4, 5)
zur Erzeugung von Mehrlagenschichten auf einer oder
beiden Seiten des Substrats (2) jeweils zeitweise ak
tiviert werden.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß die Beschichtungselemente (4, 5)
zur Erzeugung von Übergittern auf einer oder beiden
Seiten des Substrats (2) vorgesehen werden.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Beschichtung über ein Zer
stäubungsverfahren aufgebracht wird und daß als Be
schichtungselemente Sputterkathoden (4, 5) und insbe
sondere Magnetronkathoden eingesetzt werden.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Beschichtung durch gepulste
Laserablation erfolgt.
12. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß Beschichtungselemente (4,
5) verwendet werden, die lageunabhängig arbeiten kön
nen.
13. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß zumindest diejenigen Berei
che des Halters (1), an denen Substrate vorgesehen
sind, von der Heizvorrichtung (3) eingeschlossen wer
den und die Beschichtung durch Fenster in der Heiz
vorrichtung (3) erfolgt.
14. Vorrichtung zum doppelseitigen Beschichten eines
Substrates (2) mit insbesondere einem Hochtemperatur
supraleiter-Material durch Materialabscheidung mit
einem rotierend bewegbaren Halter (1), an dem wenig
stens ein Substrat (2) beabstandet von der Halter
drehachse X befestigbar ist, und wenigstens einem
Paar von Beschichtungselementen (4, 5), die einander
gegenüberliegend und zueinander weisend beidseitig
des Halters (1) vorgesehen und so angeordnet sind,
daß das an dem Halter (1) angebrachte Substrat (2)
bei einer Drehbewegung des Halters (1) periodisch
zwischen den Beschichtungselementen (4, 5) durchge
führt wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine Heizvor
richtung (3) zur Erwärmung des Substrats auf eine
vorgegebene Temperatur und eine Steuerung, welche die
Rotationsgeschwindigkeit des Halters (1) in der Weise
steuert, daß sich die Substrattemperatur durch das
Beschichten nicht oder nur geringfügig innerhalb vor
gegebener Grenzen ändert, vorgesehen sind.
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß an dem Halter (1) mehrere Substrate (2) auf einem
gemeinsamen Radius, welcher dem Abstand der Beschich
tungselemente (4, 5) von der Drehachse (X) ent
spricht, anbringbar sind.
16. Vorrichtung nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekenn
zeichnet, daß mehrere Paare von auf beiden Seiten des
Halters (1) einander gegenüberliegend und zueinander
weisend angeordneten Beschichtungselementen (4, 5)
vorgesehen sind.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, da
durch gekennzeichnet, daß die Paare von Beschich
tungselementen (4, 5) jeweils zur Abscheidung von un
terschiedlichen Materialien auf dem Substrat (2) be
stimmt sind.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, da
durch gekennzeichnet, daß eine Steuerung vorgesehen
ist, um die Beschichtungselemente (4, 5) zur Erzeu
gung von Mehrlagenschichten auf einer oder beiden
Seiten des Substrats (2) jeweils zeitweise zu akti
vieren.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 18, da
durch gekennzeichnet, daß die Beschichtungselemente
(4, 5) als Kathoden ausgebildet sind.
20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet,
daß die Beschichtungselemente als Sputterkathoden (4,
5), insbesondere als Magnetronkathoden, ausgebildet
sind.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 18, da
durch gekennzeichnet, daß die Beschichtungselemente
(4, 5) zur Beschichtung des Substrats (2) durch ge
pulste Laserablation geeignet sind.
22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 21, da
durch gekennzeichnet, daß die Heizvorrichtung (3) zu
mindest die Bereiche des Halters (1), an denen
Substrate (2) angeordnet sind, umschließt.
23. Vorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet,
daß die Beschichtungselemente (4, 5) außerhalb der
Heizvorrichtung (3) angeordnet sind und die Heizvor
richtung (3) Fenster (6, 7) aufweist, durch welche
von den Beschichtungselementen (4, 5) erzeugte Mate
rialstrahle zu dem Substrat (2) gelangen können.
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