DE2755852C2 - Anlage zum Behandeln von Substraten mittels eines Ionenstrahls - Google Patents
Anlage zum Behandeln von Substraten mittels eines IonenstrahlsInfo
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Description
30
Die vorliegende Erfindung betraft eine Anlage zum
Behandeln von Substraten mittels eines Ionenstrahls mit einer evakuierten Arbeitskammer in welcher eine
Trommel als Träger für die zu behandelnden auf ihrer Mantelfläche angeordneten Substrabe sich drehend
angeordnet ist, der eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Ionenstrahls zugeordnet ist. Diese Anlage kann
insbesondere eine Ionenimplantationsanlage sein.
Ionenimpiantationsanlagen dienen bekanntlich dazu,
in die Oberfläche von Substraten Ionen mehr oder weniger tief einzulagern, um bestimmte physikalische
Eigenschaften dieser Substratoberfläche zu erzielen. Die Implantation erfolgt durch Beschüß der zu
behandelnden Oberflächen im Vakuum mit einem Ionenstrahl, der mittels einer ionenstrahlkanone erzeugt wird. Dabei besteht die Aufgabe, die Ionen in ganz
bestimmter Weise auf die Oberfläche zu verteilen; oft wird eine innerhalb von ±1% gleichmäßige Verteilung so
auf der ganzen Fläche angestrebt
Der Stand der Technik, von dem die vorliegende Erfindung ausgeht, ist in
1.) G. Ryding, »Ion Implantation: Higher Beam Currents for Higher Throughput«, Electronic Packaging and Production, Mäiζ 1975, Seiten 67 bis 74
2.) A. Wittkower, »Wafer Handling for Ion Implantation« Electronic Packaging and Production,
Mai 1973, Seiten 95 bis 104
ausführlich beschrieben worden. In der nachfolgenden
Erfindungsbeschreibung wird die Kenntnis dieses Standes der Technik vorausgesetzt.
Demgemäß sind Ionenimpiantationsanlagen der eingangs genannten Art bereits bekannt, siehe insbesondere die Figuren 4 und 6 auf Seite 95 der Literaturstelle 2.
Substrate durch den Beschüß durch den Ionenstrahl zu
stark erhitzt werden, was nachteilige Wirkungen nach sich zieht Es ist nämlich schwierig im Vakuum eine
sichere Wärmeabfuhr durch Wärmeleitung zu erreichen, insbesondere wegen des Problems eines gleichbleibenden guten thermischen Kontaktes zwischen den
Substraten und der Unterlage. Erfahrungsgemäß ergeben Strahlintensitäten, die größer sind als etwa 1 μΑ pro
cm2, leicht Substrattemperaturen von über 10C0C Da
andererseits das Bestreben dahingeht, hohe Strahlströme anzuwenden, um die Produtkionsgeschwindigkeit zu
vergrößern, muß der Heizwirkung des Strahls größte Aufmerksamkeit geschenkt werden.
Es ist bekannt, die Temperatur der Substrate niedrig
zu halten, indem diese auf den wärmeabführenden Substratträger aufgekittet werden. Dies ist aber
umständlich und bei Anlagen mit automatischer Beschickung kaum durchführbar. Eine andere Möglichkeit die Temperatur niedrig zu halten, liegt darin, die
Strahlenergie auf eine größere Anzahl von Substraten zu verteilen, indem diese gleichzeitig behandelt werden.
Dieses Verfahren erhöht jedoch die zur Behandlung einer Charge nötige Arbeitszeit
Die vorliegende Erfindung hat sich zur Aufgabe gesetzt eine Anlage der eingangs genannten Art zur
Verfügung zu stellen, bei der das Problem der Wärmeabfuhr gelöst werden kann, ohne daß umständliche zusätzliche Maßnahmen zur Sicherung eines guten
Wärmekontaktes zwischen dem Substratträger und dem Substrat erforderlich sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß die Innenseite der Mantelfläche der Trommel als Trägerfläche für die Substrate ausgebildet ist.
Durch die Anordnung der Substrate auf der Innenseite der beim Betrieb rotierenden Trommel wird
erreicht daß die Substrate selbsttätig infolge der Fliehkraft an diese Innenwand angepreßt werden, und
damit ein wesentlich besserer thermischer Kontakt erreicht wird, ohne daß besondere Maßnahmen wie
Festigkeit oder dgl. notwenüig wa;en. Infolge der
besseren Wärmeabführung genügt dann für die Verteilung der Strahlenenergie eine kleinere Anzahl
von Substraten, d. h, es können auch Anlagen mit kleiner Chargengröße gebaut werden.
Ein weiterer Vorteil, den die Erfindung gegenüber bekannten Ionenimplantationsanlagen bietet, bei denen
die Substrate auf der Außenseite einer drehbaren Trommel angeordnet sind, liegt in der Verkleinerung
der Baulänge der Anlage und zwar wird diese um den Durchmesser der Trommel kürzer. Ferner kann bei der
erfindungsgemäßen Lösung leicht eine Vorrichtung zur Überwachung des Strahlprofils nahe der Auftreffstelle
de.» Ionenstrahl angebracht werden, wodurch eine wesentlich bessere Kontrolle während des Betriebes
ermöglicht wird. Diese beiden letztgenannten Vorteile werden aus der nachfolgenden Beschreibung von
Ausführungsbeispielen ersichtlich. Die
Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit einer Arbeitskammer in der eine rotierende Trommel als
Substratträger angeordnet ist; die
Fig.2 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit zwei rotierenden Trommeln in der gleichen Arbeitskammer.
In Fig. 1 ist schematisch eine Anlage mit einer evakuierbaren Kammer 1 dargestellt und darin angeordnet eine drehbare Trommel 2, auf deren
Innenseite rundherum die Substrate 3 befestigt sind. Für die Befestigung genügen einfache, die Oberfläche nicht
beschädigende Haltevorrichtungen, an die keine beson-
deren Anforderungen bezüglich Präzision gestellt werden müssen. Trotzdem wird ein guter Wärmekontakt
während des Betriebes dadurch erzielt, daß die Substratplatten 3 infolge Fliehkraft fest an die
Innenseite der Trägertrommel angepreßt werden. Es genügt daher, daß die beiden einander berührenden
Flächenieiie des Substrates und die Innenseite der Trommel bezüglich ihrer geometrischen Form einander
entsprechen, um einen zuverlässigen thermischen Kontakt sicherzustellen.
An die Arbeitskammer 1 ist eine Vorrichtung zur Erzeugung des Ionenstrahls angeschlossen. Diese kann
beispielsweise aus einer Ionenquelle 4, einer Vorbeschleunigungsstrecke für den Ionenstrahl 5, einem
nachfolgenden Trennmagneten 6, einer Nachbeschleunigungsstrecke 7 für die Ionen und einer Ablenkeinrichtung
8 für den Ionenstrahl bestehen. DerTrennmagr.et 6 hat dabei die Aufgabe, neutrale Teilchen aus dem Strahl
abzutrennen und nur Ionen einer bestimmten Masse, die für den jeweiligen Implantationsvorgang nützlich sind,
nach Art eines Massenspektrometer auszusondern. Die ausgesonderten ionen werden sodann in der Nachbeschleunigungsstrecke
auf die erforderliche Energie gebracht und, von der Ablenkeinrichtung entsprechend
gesteuert, auf die Substrate geschossen. Die Ablenkeinrichtung ermöglicht auch, den Strahl nach Wahl auf eine
Kontrolleinrichtung 9 z. B. einen Leuchtschirm zur laufenden Überwachung des Strahlquerschnittes auftreffen
zu lassen, so daß dieser während des Betriebes ohne Unterbruch des Produktionsvorgariges fortlaufend
kontrolliert und optimal eingestellt werden kann.
Die F i g. 1 zeigt ferner schematisch die Antriebsachse 10 für die Trommel, die vakuumdicht durch die Wand
der Arbeitskammer hindurchgeführt ist und von außen angetrieben wird, sowie eine Ein- und Ausschleusevorrichtung
11, die es ggf. ermöglicht, die Arbeitskammer mit Substraten zu beschicken bzw. diese wieder
auszuschleusen, ohne das Vakuum unterbrechen zu müssen.
Das aus F i g. 2 ersichtliche Ausführungsbeispiel der Erfindung zeig, eine analoge Anordnung, jedoch mit
zwei drehbaren Trommeln 20 und 21 als Substratträger in der Arbeitskammer. Auf diese Weise wird eine
Anlage mit doppelter Produktionskapazität erhalten. Die in F i g. 2 gezeigte Arbeitskammer wird mittels des
Flansches 22 mit einer lonenstrahlerzeugungseinrichtung verbunden, z. B. mit derselben, die iii F i g. 1 gezeigt
ist. Mittels der Ablenkeinrichtung 8 (siehe Fig. 1) ist es
beim Betrieb der Anlage der F i g. 2 dann möglich, den Ionenstrahl nach Wahl auf die Substrate in der einen
oder in der anderen Trommel zu richten. Es kann also abwechselnd an den Substraten in der einen Trommel
die Implantation durchgeführt werden, während die andere neu mit Substraten beschickt wird.
Es ist für den Fachmann ersichtlich, daß die im Zusammenhang mit einem lonenimplantationsprozeß
beschrieben Anlage gleichermaßen auch für andere
ίο Prozesse verwendbar ist, bei denen die Oberfläche von
Substraten mit einem Ionenstrahl beschossen werden muß. Zum Beispiel kann sie verwendet werden, um
Oberflächenschichten von den Substraten durch lonenbeschuß abzutragen oder unter anderen Betriebsbedingungen
eine durch Ionen unterstützte Aufdampfung von Schichten zu bewerkstelligen.
Es ist auch möglich, die mit den Substraten zu belegende Innenseite der rotierenden Trommel geometrisch
so auszubilden, daß sie besonderen Anforderun-
■>» gen in bezug auf die Form der Substrate genügt Zum
Beispiel kann sie mit Vertiefungen ν-sehen sein, in welche Linsen eingelegt werden, die in einem
Ionenbeschichtungsprozeß mit einer Schicht belegt werden sollen. Um zu erzielen, daß der Ionenstrahl
2i möglichst senkrecht auf die Substratoberfläche auftrifft,
empfiehlt es sich, der Trommelinnenfläche unter Umständen eine konische Form zu geben mit einem
öffnungswinkel des Konus derart, daß der Strahl unter
dem gewünschten Winkel auftrifft. Für plattenförmige
in Substrate kann es zweckmäßig sein, die Innenfläche der
Trommel wie die Mantelfläche eines vielseitigen Prismas auszugestalten, so daß auf je eine Prismenfläche
eine zu beschichtende Platte dicht anliegt. Wie erwähnt, ist darauf zu achten, daß durch eine passende
r. Formgebung für einen hinreichenden flächenmäßigen
Kontakt zwischen Substrat und Trommel gesorgt ist, so daß durch die Anpassung infolge Fliehkraft die nötige
Wärmeabfuhr stattfinden kann.
Wie aus der Zeichnung ersichtlich, schließt die
■κι Trommelachse mit der Richtung des Ionenstrahl einen
von 90° Grad abweichenden Winkel ein. Vorteilhafterweise gibt man der Innenfläche der Trommel eine
konische Form derart, daß der Ionenstrahl auf die Substrate senkrecht auftrifft, ohne daß im Bereich der
J-. Trommelachse eine Ablenkeinrichtung für die Ausrichtung
des Ionenstrahl erforderlich ist. Dieser Fall ist in
den Ausführungsbeispielen der F i g. 1 und 2 dargestellt.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Anlege zum Behandeln von Substraten mittels eines Jonenstrahls mit einer evakuierbaren Arbeitskammer, in welcher eine Trommel als Träger für die
2u behandelnden auf ihrer Mantelfläche angeordneten Substrate sich drehend angeordnet ist, der eine
Vorrichtung zur Erzeugung eines Ionenstrahls zugeordnet ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die Innenseite der Mantelfläche der Trommel (2, 20, 21) als Trägerfläche für die Substrate (3)
ausgebildet ist
2. Anlage nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trommelachse (10) mit der
Richtung des Ionenstrahls einen von 90° Grad abweichenden Winkel einschließt
3. Anlage nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenfläche der Trommel (2,
20, 21) konisch ist, mit einer solchen Konizität, daß
die Strahlrichtung auf der Innenfläche senkrecht steht
4. Anlage nach Patentanspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Arbeitskammer mit zwei
drehbaren Trommeln (20, 21) ausgerüstet und eine Ablenkeinrichtung für den Ionenstrahl für die
wahlweise Beaufschlagung der in den beiden Trommeln befindlichen Substrate vorgesehen ist
(F ig-2).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1634276A CH607836A5 (de) | 1976-12-27 | 1976-12-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2755852A1 DE2755852A1 (de) | 1978-06-29 |
DE2755852C2 true DE2755852C2 (de) | 1983-05-11 |
Family
ID=4416485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2755852A Expired DE2755852C2 (de) | 1976-12-27 | 1977-12-15 | Anlage zum Behandeln von Substraten mittels eines Ionenstrahls |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4155011A (de) |
CH (1) | CH607836A5 (de) |
DE (1) | DE2755852C2 (de) |
FR (1) | FR2375716A1 (de) |
GB (1) | GB1592589A (de) |
NL (1) | NL173218C (de) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2412939A1 (fr) * | 1977-12-23 | 1979-07-20 | Anvar | Implanteur d'ions a fort courant |
US4247781A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-27 | International Business Machines Corporation | Cooled target disc for high current ion implantation method and apparatus |
US4261762A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-14 | Eaton Corporation | Method for conducting heat to or from an article being treated under vacuum |
US4514636A (en) * | 1979-09-14 | 1985-04-30 | Eaton Corporation | Ion treatment apparatus |
US4743570A (en) * | 1979-12-21 | 1988-05-10 | Varian Associates, Inc. | Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment |
US4680061A (en) * | 1979-12-21 | 1987-07-14 | Varian Associates, Inc. | Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment |
US4909314A (en) * | 1979-12-21 | 1990-03-20 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for thermal treatment of a wafer in an evacuated environment |
US4453080A (en) * | 1981-07-20 | 1984-06-05 | Varian Associates, Inc. | Temperature control of a workpiece under ion implantation |
US5389793A (en) * | 1983-08-15 | 1995-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for ion implantation |
GB8417040D0 (en) * | 1984-07-04 | 1984-08-08 | Salford University Of | Modifying properties of material |
GB8418063D0 (en) * | 1984-07-16 | 1984-08-22 | Atomic Energy Authority Uk | Temperature control in vacuum |
US4733091A (en) * | 1984-09-19 | 1988-03-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for ion implantation of semiconductor wafers |
US4672210A (en) * | 1985-09-03 | 1987-06-09 | Eaton Corporation | Ion implanter target chamber |
JPS63150848A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-23 | Jeol Ltd | 二次イオン質量分析装置用試料ホルダ |
FR2660106B1 (fr) * | 1990-03-23 | 1994-05-13 | Commissariat A Energie Atomique | Dispositif pour rendre homogene l'implantation d'ions sur la surface d'echantillons plans. |
US7000418B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-02-21 | Intevac, Inc. | Capacitance sensing for substrate cooling |
US8378317B1 (en) | 2011-09-07 | 2013-02-19 | Gtat Corporation | Ion implant apparatus and method of ion implantation |
US8633458B2 (en) | 2011-11-15 | 2014-01-21 | Gtat Corporation | Ion implant apparatus and a method of implanting ions |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT227797B (de) * | 1961-04-13 | 1963-06-10 | Hans Dipl Ing Dr Techn List | Einrichtung zum Einstellen und Verändern der Raumlage von in einer Behandlungskammer zu behandelnden Gegenständen |
GB1280013A (en) * | 1969-09-05 | 1972-07-05 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to apparatus bombarding a target with ions |
US3778626A (en) * | 1972-07-28 | 1973-12-11 | Western Electric Co | Mechanical scan system for ion implantation |
US3930163A (en) * | 1974-03-22 | 1975-12-30 | Varian Associates | Ion beam apparatus with separately replaceable elements |
US3920233A (en) * | 1974-06-11 | 1975-11-18 | Ibm | Spherical support and translation device for wafers |
-
1976
- 1976-12-27 CH CH1634276A patent/CH607836A5/xx not_active IP Right Cessation
-
1977
- 1977-01-26 NL NLAANVRAGE7700799,A patent/NL173218C/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-12-12 GB GB51559/77A patent/GB1592589A/en not_active Expired
- 1977-12-15 DE DE2755852A patent/DE2755852C2/de not_active Expired
- 1977-12-21 US US05/862,683 patent/US4155011A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-12-26 FR FR7739201A patent/FR2375716A1/fr active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL173218C (nl) | 1983-12-16 |
NL173218B (nl) | 1983-07-18 |
NL7700799A (nl) | 1977-07-29 |
GB1592589A (en) | 1981-07-08 |
FR2375716A1 (fr) | 1978-07-21 |
CH607836A5 (de) | 1978-11-15 |
DE2755852A1 (de) | 1978-06-29 |
US4155011A (en) | 1979-05-15 |
FR2375716B1 (de) | 1983-07-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01J 37/317 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |