DE4110490A1 - Kathodenzerstaeubungsanlage - Google Patents
KathodenzerstaeubungsanlageInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Kathodenzerstäubungsanlage
zur Beschichtung von Substraten in einer Vakuumkammer, in
der ein rotierender Substratträger untergebracht ist, mit
mindestens einer Kathodenstation, einer Beladestation und
Entladestation.
In der Vakuumverfahrenstechnik - insbesondere in der
Dünnschichttechnik - ist das Beschichten von Substraten,
beispielweise von Compact Disks (CD), bekannt. Die
Compact Disks sind ein modernes Speichermedium für digi
tale Informationen. In einem Sputterprozeß werden die
geprägten Kunststoffscheiben mit beispielsweise einer
Aluminiumschicht von weniger als einem zehntausendstel
Millimeter überzogen. Die hierzu eingesetzten Sputterbe
schichtungsanlagen sind ringförmig aufgebaut. Über eine
Schleuse in einem Sauberraum lädt und entlädt ein Roboter
die Anlagen. Von der Schleuse aus transportiert ein Sub
stratträger die Substrate durch die ringförmige Prozeß
kammer. Das Besputtern erfolgt durch eine Hochleistungs
zerstäubungskathode, die als Magnetron aufgebaut ist.
Eine solche Anlage ist beispielsweise in der DE 39 12 295
der Leybold AG beschrieben. Dieses bekannte Kathodenzer
stäubungssystem dient zur einseitigen Beschichtung mit
einer laserreflektierenden Aluminiumschicht. Die Anlage
hat eine zylindrische, vertikal angeordnete Vakuumkammer
mit Be- und Entladestation, Hochleistungszerstäubungs
kathode, Transportring mit Plattenaufnahme und dynami
schen Schleusen zur Drucktrennung zwischen Beschichtungs
kammer und Be- und Entladestation.
Der Erfindung liegen folgende Aufgaben zugrunde:
Mit der Erfindung soll die Möglichkeit geschaffen werden,
an der Prozeß- bzw. Vakuumkammer mehr Kathodenstationen,
Meßstationen und Stationen mit anderen Funktionen, wie
Be- und Entladen der Anlage, unterzubringen, als dies bei
Anlagen des Standes der Technik möglich ist. Insbesondere
aber soll die Anlage zur gleichzeitigen Beschichtung bei
der Seiten eines scheibenförmigen Substrats geeignet
sein.
Darüber hinaus soll eine Anlage geschaffen werden, die
eine hohe Standzeit und eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit
aufweist.
Schließlich soll eine sehr gute, sichere Trennung des
Kathodenraums während des Sputtervorgangs vom übrigen
Vakuumraum der Anlage erzielt werden.
Die gestellten Aufgaben werden erfindungsgemäß dadurch
gelöst, daß der Substratträger aus mindestens einer
Transportkelle oder Transportzange gebildet ist, die mit
zwei ringförmigen Schließgliedern eines Schleusenventils
zusammenwirkt, über das der Raum vor der Station vom
übrigen Raum der Vakuumkammer hermetisch abtrennbar ist.
Weitere Einzelheiten der Erfindung sind den Patentansprü
chen und der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbei
spiels der Erfindung zu entnehmen. Dieses Ausführungsbei
spiel wird anhand von fünf Figuren erläutert.
Die Fig. 1 zeigt in axonometrischer Darstellung (stark
vereinfacht) ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemä
ßen Kathodenzerstäubungsanlage.
Die Fig. 2 zeigt in einem Schnittbild einen Teilbereich
der Zerstäubungskathode mit Beschichtungskammer der An
lage nach Fig. 1.
Die Fig. 3 zeigt die Draufsicht auf den Substratträger
mit insgesamt acht Transportzangen, und die Fig. 4 und
5 zeigen eine Transportzange in gegenüber der Fig. 3
vergrößterter Darstellung.
Aus Fig. 1 ist die kreisscheibenförmige Ausgestaltung
der Vakuumkammer, die mit 1 bezeichnet ist, und die aus
einem Deckelteil 25 und einem Kammerteile 25 besteht,
erkennbar. Die Vakuumkammer ist von einem Rahmen oder
Ständer 2 gehalten. Mit 3 ist die Gesamtheit der Be- und
Entladestation bezeichnet. Mit 5 ist eine geöffnete
Kathodenstation bezeichnet. Die Kathodenstation wird
anhand der Fig. 2 näher beschrieben.
In Fig. 1 ist die Vakuumkammer 1 teilweise geöffnet
gezeichnet, so daß eine Transportzange 4 sichtbar wird.
Sie besteht aus dem Arm 6 und den beiden Backen 7, 8 mit
den zweiarmigen Hebeln 7a, 8a. Der Arm 6 ist an einer
zentralen Nabe 6a angeordnet. Die Nabe wird von einer
Antriebsvorrichtung entsprechend dem Pfeil A um einen
bestimmten Winkel schrittweise von Station zu Station
gedreht. Wie aus Fig. 1 ersichtlich, ist die Antriebs
vorrichtung zentral in bezug auf die Vakuumkammer 1 ange
ordnet. Mit 11 ist die zentrale Achse der Vakuumkammer 1
bezeichnet.
Fig. 1 zeigt mehrere Kathodenstationen und mehrere Meß
stationen zur Überprüfung der Arbeitsweise der Anlage.
Die Fig. 2 zeigt Einzelheiten zweier einander gegenüber
liegend angeordneten Kathodenstationen. Die Gesamtheit
einer Kathode ist mit 12 bzw. 12a bezeichnet. Sie umfaßt
das Target, das mit 13 bzw. 13a gekennzeichnet ist. Es
handelt sich jeweils um eine Hochleistungskathode (Magne
tronkathode).
Während des Betriebs der Kathode bildet sich im Bereich
14, 14a vor der Kathode 12, 12a ein Plasma, das durch das
Magnetfeld der jeweiligen Magnetronkathode verdichtet
wird. Aus dem Plasma heraus bombardieren positiv geladene
Ionen das Target. Aus dem Target werden Materialpartikel
gesputtert. Das Sputtermaterial gelangt auf das Substrat,
das in Fig. 2 mit 15 bezeichnet ist. Zwischen der Katho
de 12, 12a einerseits und dem Substrat 15 und den Backen
7, 8 andererseits ist jeweils eine Maske 17, 17a angeord
net.
Während des Sputtervorgangs werden die beiden ringförmi
gen Schließglieder 9, 9a, die über Scharnierbänder 36,
36a an ortsfesten Bolzen 23, 23a schwenkbar angelenkt
sind, mit Hilfe von Hydro-Motoren 10, 10a über Kolben
stangen 16, 16a in Pfeilrichtung B, Ba gegeneinander ge
preßt, so daß sich deren Dichtungen 18, 18a gegen die
Kammerwände bzw. deren kreisringförmige Dichtflächen 20,
20a der Vakuumkammerhälfte 35, 35a legen und den Raum 21
gegenüber dem Raum 22 abtrennen.
In dieser Situation wird da Sputtermaterial auf das Sub
strat 15 konzentriert. Andererseits wird vermieden, daß
die Backen 7, 8 und andere Teile der Transportzange 6
besputtert werden. Durch die Form der Masken 17, 17a wer
den die Backen 7, 8 und die anderen Teile der Transport
zange 6 abgeschattet. Gleichzeitig wird eine gute
Schichtdickengleichmäßigkeit erzielt. Die beiden Schließ
glieder 9, 9a, die nach Art der Hälften eines Waffel
eisens um die ortsfesten Bolzen 23, 23a in den Pfeilrich
tungen C, Ca schwenkbar an den Vakuumkammerwandhälften
25, 25a gelagert sind, sind in unterschiedlichen Positi
onen dargestellt: Das Schließglied 9 befindet sich in der
"GESCHLOSSEN"-Stellung, während das Schließglied 9a in
die "OFFEN"-Stellung geschwenkt ist (eine Situation, die
für den praktischen Betrieb der Kathodenzerstäubungsan
lage nicht vorgesehen ist und hier nur ihre Funktionen
verdeutlichen soll).
Die Flansche 37 bzw. 37a der Kathodenstationen 12, 12a,
die Kathoden selbst, die Masken 17, 17a, die beiden Hälf
ten 25, 25a der Vakuumkammer 1 und die Schließglieder 9,
9a bilden während des Sputtervorgangs einen isolierten
Vakuumraum 21, der gegenüber dem restlichen Vakuumraum 22
der Kathodenzerstäubungsanlage abgetrennt ist.
Mit 26 bzw. 26 sind Kappen bezeichnet, die an der radial
außenliegenden Schmalseite der Vakuumkammer 1 bzw. den
beiden Kammerhälften 25, 25a fest angeordnet sind und die
der Lagerung und Abdichtung der Schließglieder 9, 9a
dienen. Mit 29, 29a, 30, 30a, 31, 31a sind O-Ringe
bezeichnet, die der Abdichtung des Kathodenvakuumraums 21
dienen.
In Fig. 3 ist die Nabe 6a mit einer Vielzahl von an ihr
fest angeordneten Transportzangen 6, 6′, . . . der Katho
denzerstäubungsanlage dargestellt.
Jede Transportzange selbst besteht aus einem Arm 6, einem
Paar von zweiarmigen Hebeln 7a, 8a, die um Bolzen 32, 33
in Pfeilrichtung D bzw. E schwenkbar sind, und zwar je
weils gegen die Kraft einer Feder 34. Der motorische An
trieb zum Öffnen und Schließen der Transportzange 6 ist
der besseren Übersichtlichkeit wegen nicht näher darge
stellt.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich, ist 11 die Rotationsachse,
um die die Nabe 6 mit ihren Transportzangen 4 in Takten,
d. h. schrittweise, rotiert. Antriebsorgan ist eine zen
trale Welle 35. In der Ausführungsform gemäß Fig. 2
trägt diese Transportscheibe die Bezugsziffer 6a. Die
Bewegung bzw. das Takten um einen gewissen Winkel wird
mit hoher Genauigkeit durch einen Präzisionsschalttisch
bewirkt, wie er beispielsweise im Werkzeugmaschinenbau
eingesetzt wird.
Das Substrat 15 wird jeweils durch eine Transportzange
schrittweise von der Einschleusstation bzw. Ladestation 3
zu den Kathodenstationen 12, 12a der Anlage transpor
tiert.
Während des Sputtervorgangs wird durch die Erfindung eine
sichere Trennung zwischen den Kathodenvakuumräumen 21 und
dem restlichen Vakuumraum 22 der Anlage gewährleistet.
Das Substrat 15 kann einseitig oder beidseitig beschich
tet werden. Bei einer beidseitigen Beschichtung sind in
einer Station zwei Kathoden 12, 12a an der Vakuumkammer
wandhälfte 25 bzw. 25a angeordnet.
Wie Fig. 2 zeigt, sind die beiden Schließglieder 9, 9a
(das Schließgliederpaar) als Ringe ausgeformt, deren
Außendurchmesser genau dem Innendurchmesser der kreis
zylindrischen Öffnungen 38, 38a in den beiden Vakuumkam
merhälften 25, 25a entspricht. Beide Schließglieder
weisen jeweils zwei Dichtringe 18, 18a bzw. 29, 29a auf,
von denen jeweils der radial innenliegende Dichtring 29
bzw. 29a sich dichtend auf den Arm 6 bzw. die Nabe 6a
auflegt (in der Position "GESCHLOSSEN"), wobei die Dicht
ringe 29, 29a im kappenseitigen Bereich unmittelbar auf
einander liegen.
Der jeweils radial außen angeordnete Dichtring 18, 18a
legt sich in der Position "GESCHLOSSEN" auf den kreis
ringförmigen Vorsprung 39 bzw. 39a auf, der jeweils ein
stückig mit den Vakuumkammerhälften 25, 25a (dem Deckel
25 und der Kammer 25a) ausgebildet ist. In der Position
"OFFEN" stehen die beiden Schließglieder 9, 9a in einem
flachen Winkel zueinander, so daß der Substrathalter bzw.
die Arme 6, 6′, . . . weitergedreht werden können. Es ist
klar, daß der Abstand, den die beiden Bolzen 23, 23a
voneinander aufweisen, stets gleich bleibt, daß diese
Bolzen also ortsfest an der Vakuumkammer 1 gehalten bzw.
gelagert sein müssen.
Bezugszeichenliste
1 Vakuumkammer
2 Rahmen, Ständer
3 Beladestation bzw. Entladestation
4 Transportzange
5 Kathodenstation
6, 6′, . . . Arm
6a Nabe
7 Backe
7a zweiarmiger Hebel
8 Backe
8a zweiarmiger Hebel
9, 9a Schließglied
10, 10a Hydro-Motor
11 Achse, Rotationsachse, zentrale Achse
12, 12a Kathode
13, 13a Target
14, 14a Bereich, Plasma
15 Substrat
16, 16a Kolbenstange
17, 17a Maske
18, 18a Dichtung
19 Antrieb
20, 20a Innenwand, Dichtfläche
21 Raum
22 Raum
23, 23a Bolzen
24, 24a Wand
25, 25a Deckel, Vakuumkammerhälfte, Kammer
26, 26a Kappe
29, 29a O-Ring
30, 30a O-Ring
31, 31a O-Ring
32 Bolzen
33 Bolzen
34 Feder
35 Welle
36, 36a Scharnierband
37, 37a Kathodenflansch
38, 38a kreiszylindrische Öffnung
39, 39a Vorsprung
2 Rahmen, Ständer
3 Beladestation bzw. Entladestation
4 Transportzange
5 Kathodenstation
6, 6′, . . . Arm
6a Nabe
7 Backe
7a zweiarmiger Hebel
8 Backe
8a zweiarmiger Hebel
9, 9a Schließglied
10, 10a Hydro-Motor
11 Achse, Rotationsachse, zentrale Achse
12, 12a Kathode
13, 13a Target
14, 14a Bereich, Plasma
15 Substrat
16, 16a Kolbenstange
17, 17a Maske
18, 18a Dichtung
19 Antrieb
20, 20a Innenwand, Dichtfläche
21 Raum
22 Raum
23, 23a Bolzen
24, 24a Wand
25, 25a Deckel, Vakuumkammerhälfte, Kammer
26, 26a Kappe
29, 29a O-Ring
30, 30a O-Ring
31, 31a O-Ring
32 Bolzen
33 Bolzen
34 Feder
35 Welle
36, 36a Scharnierband
37, 37a Kathodenflansch
38, 38a kreiszylindrische Öffnung
39, 39a Vorsprung
Claims (15)
1. Kathodenzerstäubungsanlage zur Beschichtung von Sub
straten (15) in einer Vakuumkammer (21), in der ein
rotierender Substratträger (6, 6′, .., 6a) unterge
bracht ist, mit mindestens einer Kathodenstation
(12, 12a) und einer Beladestation und Entladestation
(3), dadurch gekennzeichnet, daß der Substratträger
aus mindestens einer Transportkelle oder Transport
zange (4) gebildet ist, die mit den beiden ringför
migen Schließgliedern (9, 9a) eines Schleusenventils
zusammenwirkt, über das der Raum (21) vor der Sta
tion (12, 12a) vom übrigen Raum (22) der Vakuumkam
mer (1) abtrennbar ist.
2. Kathodenzerstäubungsanlage nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Transportzange (4) ein Sub
strat (15) umgreift, das vorzugsweise in Richtung
der Achse (X) der Kathodenstation (12, 12a) bzw. der
Beladestation bzw. der Entladestation (3) bewegbar
ist.
3. Kathodenzerstäubungsanlage nach Anspruch 1 und/oder
2, dadurch gekennzeichnet, daß die Transportzange
(4) aus zwei einander diametral gegenüberliegenden
Backen (7, 8) gebildet ist, die beide auf einem Arm
(6) schwenkbar gelagert sind, wobei der Arm so aus
gebildet und angeordnet ist, daß die Backen in Hin
sicht auf die mit ihnen zusammenwirkenden Teile der
Anlage - wie Teile der Zerstäubungskathode, Teile
der Beladestation, Teile der Entladestation -
während ihrer Bewegung stets parallel zu diesen Tei
len ausgerichtet sind.
4. Kathodenzerstäubungsanlage nach einem oder mehreren
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß der Arm starr - insbesondere als ein um die
zentrale Achse (11) rotierendes Bauteil - ausgebil
det ist.
5. Kathodenzerstäubungsanlage nach einem oder mehreren
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß der Arm ein Führungssystem, bestehend aus
zwei nebeneinander angeordneten Armelementen, auf
weist, daß die Armelemente jeweils aus zweiarmigen
Hebeln (7a, 8a) bestehen, deren freie Enden die
Backen (7, 8) aufweisen.
6. Kathodenzerstäubungsanlage nach einem oder mehreren
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
netß daß zwischen Kathode einerseits und dem Sub
strat andererseits eine Maske (17, 17a) angeordnet
ist.
7. Kathodenzerstäubungsanlage nach einem oder mehreren
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß Teile der Kathodenstation - insbesondere
die Maske, die Kammerwand, der Deckel, der Arm und
die Schließglieder - einen Vakuumraum bilden, der
vakuumdicht trennbar ist gegenüber dem restlichen
Teil der Vakuumkammer der Kathodenzerstäubungsan
lage.
8. Kathodenzerstäubungsanlagen nach einem oder mehreren
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß für eine oder mehrere Transportzangen eine
in bezug auf die Kathodenzerstäubungsanlage zentral
angeordnete Antriebsvorrichtung vorgesehen ist, die
die Transportzange um einen bestimmten Winkel
schrittweise in der Vakuumkammer der Kathodenzer
stäubungsanlage weitertransportiert.
9. Kathodenzerstäubungsanlage nach einem oder mehreren
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die Vakuumkammer (1) der Kathodenzerstäu
bungsanlage senkrecht angeordnet ist, daß die Trans
portzange bzw. die Transportzangen (7, 8) um eine
waagerecht angeordnete Achse (11) rotieren.
10. Kathodenzerstäubungsanlage nach einem oder mehreren
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die jeweils paarweise zusammenwirkenden
Schließglieder (9, 9a) vorzugsweise eine im wesent
lichen kreisringförmige Konfiguration aufweisen,
wobei die jeweils radial außenliegenden Kanten über
Gelenkhebel oder Scharnierbänder (36, 36a) an der
Wand der Vakuumkammer (1), vorzugsweise an den Vaku
umkammerhälften (25, 25a), angelenkt sind, so daß
die Schließglieder (9, 9a) um quer zur Rotations
achse (11) verlaufende Achsen (in Pfeilrichtung C,
Ca) schwenkbar sind, wobei die Schwenkbewegung über
auf den Gelenkhebeln oder Scharnierbändern (36, 36a)
gegenüberliegend am Rand der Schließglieder (9, 9a)
angeordnete Zuggliedern oder Kolbenstangen (16, 16a)
bewirkbar ist.
11. Kathodenzerstäubungsanlage nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die beiden Schließglieder (9,
9a) auf ihren einander zugekehrten Stirnflächen
jeweils einen ersten Dichtring (29, 29a) aufweisen,
die bei in zur Rotationsachse (11) lotrechter Stel
lung der Schließglieder (9, 9a) zusammenwirken und
gemeinsam mit einem an den Schließgliedern vorge
sehenen zweiten Paar von Dichtringen (18, 18a),
einen im wesentlichen kreiszylindrischen Raum (21)
einschließen.
12. Kathodenzerstäubungsanlage nach einem oder mehreren
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß jede der Vakuumkammerhälften (25, 25a) der
Vakuumkammer (1) für jede Be- und Entladestation
bzw. für jede Behandlungsstation eine vorzugsweise
kreiszylindrische Öffnung (38, 38a) aufweist, die
jeweils von außen her durch Teile der Behandlungs
einrichtung - beispielsweise durch die Kathoden
flansche (37, 37a) oder durch Schleusenplatten -
verschließbar ist, wobei die Vakuumkammerhälften
(25, 25a) der Vakuumkammer (1) außerdem im Bereich
der Öffnung (38, 38a) in der Ebene der Berührungs
flächen der beiden Hälften (25, 25a) in die Öffnung
(38, 38a) hineinrangende, kreisringförmige Vorsprün
ge aufweisen, die mit Dichtflächen (20, 20a) verse
hen sind, die mit den Dichtringen (18, 18a) der
Schließglieder (9, 9a) zusammenwirken.
13. Kathodenzerstäubungsanlage nach einem oder mehreren
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß jedes Schließglied (9, 9a) einen Dichtring
(29, 29a) aufweist, der mit der Nabe (6a) zusammen
wirkt und der sich in der Position "GESCHLOSSEN"
dichtend auf die korrespondierende Fläche der Nabe
(6a) legt bzw. sich in der Position "OFFEN" von
dieser Fläche abhebt.
14. Kathodenzerstäubungsanlage nach einem oder mehreren
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß jedes Schließglied (9a, 9b) an seiner der
Rotationsachse (11) abgekehrten Seite mit einem
Hebel oder Scharnierband (36, 36a) versehen ist, daß
jeweils auf einem Bolzen (23, 23a) schwenkbar gela
gert ist, der Teil der Vakuumkammerhälfte (25, 25a)
ist, oder aber unmittelbar von der Vakuumkammerhälf
te (25, 25a) gehalten ist.
15. Kathodenzerstäubungsanlage nach einem oder mehreren
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß jeweils dem Scharnierband (36, 36a) gegen
überliegend am Schließglied (9, 9a) ein Hebel (38,
38a) fest angeordnet ist, der mit einem Zuganker
oder einer Betätigungsstange oder -glied (16, 16a)
zusammenwirkt, wobei die Wirkrichtung etwa lotrecht
zur Fläche der Nabe (6a) der Transportzange (6)
verläuft.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE4110490A DE4110490C2 (de) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | Kathodenzerstäubungsanlage |
US07/731,857 US5205919A (en) | 1991-03-30 | 1991-06-20 | Cathode sputtering apparatus |
JP07392192A JP3397802B2 (ja) | 1991-03-30 | 1992-03-30 | カソードスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4110490A DE4110490C2 (de) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | Kathodenzerstäubungsanlage |
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Publication Number | Publication Date |
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DE4110490A1 true DE4110490A1 (de) | 1992-10-01 |
DE4110490C2 DE4110490C2 (de) | 2002-02-28 |
Family
ID=6428559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4110490A Expired - Lifetime DE4110490C2 (de) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | Kathodenzerstäubungsanlage |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5205919A (de) |
JP (1) | JP3397802B2 (de) |
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---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG, 63450 |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: UNAXIS DEUTSCHLAND HOLDING GMBH, 63450 HANAU, DE |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right |