JPH0576574B2 - - Google Patents
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- JPH0576574B2 JPH0576574B2 JP59254697A JP25469784A JPH0576574B2 JP H0576574 B2 JPH0576574 B2 JP H0576574B2 JP 59254697 A JP59254697 A JP 59254697A JP 25469784 A JP25469784 A JP 25469784A JP H0576574 B2 JPH0576574 B2 JP H0576574B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
-
- G—PHYSICS
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- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は純金属又は合金で２層メツキされた上
層及び下層のメツキ被膜の組成及びメツキ付着量
を生産工程におけるメツキ完了後の一箇所で分析
できる２層メツキ被膜の螢光Ｘ線分析方法及びそ
の実施に使用する装置に関する。
層及び下層のメツキ被膜の組成及びメツキ付着量
を生産工程におけるメツキ完了後の一箇所で分析
できる２層メツキ被膜の螢光Ｘ線分析方法及びそ
の実施に使用する装置に関する。
従来、純金属又は合金のメツキ被膜層の組成及
びメツキ付着量を非破壊で分析する方法としては
螢光Ｘ線分析法がある。
びメツキ付着量を非破壊で分析する方法としては
螢光Ｘ線分析法がある。
この方法は例えば特願昭58−69814号で示され
ているように下層のメツキ被膜を形成した後、該
下層のメツキ被膜の組成及びメツキ付着量を該メ
ツキ被膜内から発せられる螢光Ｘ線の強度を測定
して分析し、次いで上層のメツキ被膜を形成し、
上記下層のメツキ被膜を分析した位置と対応する
位置において、下層のメツキ被膜からの螢光Ｘ線
強度が実質的に最低となる低入射角、低取出角で
螢光Ｘ線強度を測定し、次に高入射角、高取出角
で螢光Ｘ線強度を測定し、これらの測定値と既に
求められた下層メツキ被膜の組成及び／メツキ付
着量とに基づき上層メツキ被膜の組成及びメツキ
付着量を求める方法である。
ているように下層のメツキ被膜を形成した後、該
下層のメツキ被膜の組成及びメツキ付着量を該メ
ツキ被膜内から発せられる螢光Ｘ線の強度を測定
して分析し、次いで上層のメツキ被膜を形成し、
上記下層のメツキ被膜を分析した位置と対応する
位置において、下層のメツキ被膜からの螢光Ｘ線
強度が実質的に最低となる低入射角、低取出角で
螢光Ｘ線強度を測定し、次に高入射角、高取出角
で螢光Ｘ線強度を測定し、これらの測定値と既に
求められた下層メツキ被膜の組成及び／メツキ付
着量とに基づき上層メツキ被膜の組成及びメツキ
付着量を求める方法である。
しかしながら以上のような分析方法において下
層のメツキ被膜の形成後と上層のメツキ被膜の形
成後の２度に分けて分析する必要があり、このた
め実際の鋼板のメツキラインにおいて下層のメツ
キを完了した位置と上層のメツキを完了した位置
との２箇所に分析装置を設ける必要があり、又下
層メツキ被膜の分析測定位置と対応する位置で上
層メツキ被膜の分析測定をする必要があるため上
層メツキ被膜の分析測定時に上層メツキ被膜測定
装置を下層メツキ被膜の分析測定位置に対応づけ
る手段が分析装置とは別に必要となる。従つて設
備費が高価となるとともに分析装置の維持管理も
煩雑であるという問題がある。
層のメツキ被膜の形成後と上層のメツキ被膜の形
成後の２度に分けて分析する必要があり、このた
め実際の鋼板のメツキラインにおいて下層のメツ
キを完了した位置と上層のメツキを完了した位置
との２箇所に分析装置を設ける必要があり、又下
層メツキ被膜の分析測定位置と対応する位置で上
層メツキ被膜の分析測定をする必要があるため上
層メツキ被膜の分析測定時に上層メツキ被膜測定
装置を下層メツキ被膜の分析測定位置に対応づけ
る手段が分析装置とは別に必要となる。従つて設
備費が高価となるとともに分析装置の維持管理も
煩雑であるという問題がある。
本発明は以上のような従来の問題点に鑑みてな
されたものであり、上層メツキ被膜の組成及びメ
ツキ付着量を上層メツキ金属元素のＬ系列の螢光
Ｘ線強度を下層メツキ被膜の組成及びメツキ付着
量を下層メツキ金属元素のＫ系列螢光Ｘ線強度を
測定して求めることにより非破壊で経済的な２層
メツキ被膜層のＸ線分析方法及びその実施に使用
する装置を提供することを目的としている。
されたものであり、上層メツキ被膜の組成及びメ
ツキ付着量を上層メツキ金属元素のＬ系列の螢光
Ｘ線強度を下層メツキ被膜の組成及びメツキ付着
量を下層メツキ金属元素のＫ系列螢光Ｘ線強度を
測定して求めることにより非破壊で経済的な２層
メツキ被膜層のＸ線分析方法及びその実施に使用
する装置を提供することを目的としている。
本発明に係る２層メツキ被膜の螢光Ｘ線分析方
法は、純金属又は合金で２層にメツキしたメツキ
被膜の上層被膜の組成及びメツキ付着量を、メツ
キ被膜に励起Ｘ線を照射し、これによつてメツキ
被膜内から射出される螢光Ｘ線の強度を測定して
求める２層メツキ被膜の螢光Ｘ線分析方法におい
て、 下層メツキ被膜内からの螢光Ｘ線強度が最低と
なる入射角及び取出角にて上層メツキ金属元素の
Ｌ系列の螢光Ｘ線強度を求め、 該螢光Ｘ線強度と、予め求めておいたＬ系列螢
光Ｘ線強度と上層メツキ層の組成との関係を示す
検量線とにより上層メツキ被膜の組成を求め、 前記入射角、取出角よりも高角度側の複数の位
置で上層メツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度
を測定して該螢光Ｘ線強度と入射角又は取出角と
の関係を特定し、 この関係と、前述の如くして求めた上層メツキ
被膜の組成について予め求めておいたメツキ付着
量と入射角又は取出角と上層メツキ金属元素のＬ
系列螢光Ｘ線強度との関係とに基づいて上層メツ
キ被膜のメツキ付着量を求めることを特徴とす
る。
法は、純金属又は合金で２層にメツキしたメツキ
被膜の上層被膜の組成及びメツキ付着量を、メツ
キ被膜に励起Ｘ線を照射し、これによつてメツキ
被膜内から射出される螢光Ｘ線の強度を測定して
求める２層メツキ被膜の螢光Ｘ線分析方法におい
て、 下層メツキ被膜内からの螢光Ｘ線強度が最低と
なる入射角及び取出角にて上層メツキ金属元素の
Ｌ系列の螢光Ｘ線強度を求め、 該螢光Ｘ線強度と、予め求めておいたＬ系列螢
光Ｘ線強度と上層メツキ層の組成との関係を示す
検量線とにより上層メツキ被膜の組成を求め、 前記入射角、取出角よりも高角度側の複数の位
置で上層メツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度
を測定して該螢光Ｘ線強度と入射角又は取出角と
の関係を特定し、 この関係と、前述の如くして求めた上層メツキ
被膜の組成について予め求めておいたメツキ付着
量と入射角又は取出角と上層メツキ金属元素のＬ
系列螢光Ｘ線強度との関係とに基づいて上層メツ
キ被膜のメツキ付着量を求めることを特徴とす
る。
そして純金属又は合金で２層にメツキしたメツ
キ被膜の上層並びに下層の被膜の組成及びメツキ
付着量をメツキ被膜に励起Ｘ線を照射し、これに
よつてメツキ被膜内から射出される螢光Ｘ線の強
度を測定して求める２層メツキ被膜の螢光Ｘ線分
析方法において、下層メツキ被膜内からの螢光Ｘ
線強度が最低となる入射角及び取出角にて上層メ
ツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度を求め、 該螢光Ｘ線強度と、予め求めておいたＬ系列螢
光Ｘ線強度と上層メツキ層の組成との関係を示す
検量線とにより上層メツキ被膜の組成を求め、 前記入射角、取出角よりも高角度側の複数の位
置で上層メツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度
を測定して該螢光Ｘ線強度と入射角又は取出角と
の関係を特定し、 この関係と、前述のごとくして求めた上層メツ
キ被膜の組成について予め求めておいたメツキ付
着量と入射角又は取出角と上層メツキ金属元素の
Ｌ系列の螢光Ｘ線強度との関係とに基づいて上層
メツキ被膜のメツキ付着量を求め、 下層メツキ金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強度を
下地金属の同元素のＫ系列の螢光Ｘ線強度が最低
となる入射角、取出角と、これと異なる入射角又
は取出角について求め、 該螢光Ｘ線強度と上層メツキ被膜の組成値、メ
ツキ付着量値とを、予め求めておいた下層メツキ
金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強度と上層、下層メ
ツキ被膜の組成及び付着量との関係式に代入して
下層メツキ被膜の組成及びメツキ付着量を求める
ことを特徴とする。
キ被膜の上層並びに下層の被膜の組成及びメツキ
付着量をメツキ被膜に励起Ｘ線を照射し、これに
よつてメツキ被膜内から射出される螢光Ｘ線の強
度を測定して求める２層メツキ被膜の螢光Ｘ線分
析方法において、下層メツキ被膜内からの螢光Ｘ
線強度が最低となる入射角及び取出角にて上層メ
ツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度を求め、 該螢光Ｘ線強度と、予め求めておいたＬ系列螢
光Ｘ線強度と上層メツキ層の組成との関係を示す
検量線とにより上層メツキ被膜の組成を求め、 前記入射角、取出角よりも高角度側の複数の位
置で上層メツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度
を測定して該螢光Ｘ線強度と入射角又は取出角と
の関係を特定し、 この関係と、前述のごとくして求めた上層メツ
キ被膜の組成について予め求めておいたメツキ付
着量と入射角又は取出角と上層メツキ金属元素の
Ｌ系列の螢光Ｘ線強度との関係とに基づいて上層
メツキ被膜のメツキ付着量を求め、 下層メツキ金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強度を
下地金属の同元素のＫ系列の螢光Ｘ線強度が最低
となる入射角、取出角と、これと異なる入射角又
は取出角について求め、 該螢光Ｘ線強度と上層メツキ被膜の組成値、メ
ツキ付着量値とを、予め求めておいた下層メツキ
金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強度と上層、下層メ
ツキ被膜の組成及び付着量との関係式に代入して
下層メツキ被膜の組成及びメツキ付着量を求める
ことを特徴とする。
本発明の分析原理をFe鋼板上にZn−Fe（Zn組
成比＞Fe組成比）合金を、更にその上層にFe−
Zn（Fe組成比＞Zn組成比）合金でメツキした２
層メツキ被膜を分析する場合を例にとり説明す
る。第１図はこのメツキ被膜に励起Ｘ線が照射さ
れ、またメツキ被膜から螢光Ｘ線が取り出される
様子を示している。図において最下層がFe鋼板
であり、その上にZn−Fe層が形成され、その上
にFe−Zn層が形成されている。メツキ表面に対
し入射角φで入射された励起Ｘ線はメツキ層内の
金属元素に一旦吸収され、ここよりFe，Znにつ
いてのFeLα，FeKα，ZnLα，ZnKαの螢光Ｘ線
として取り出される。本発明においては上層メツ
キ被膜の分析には波長が長くて吸収されやすく、
下層メツキ被膜の影響が出にくいＬ系列の螢光Ｘ
線を検出し、下層メツキ被膜の分析には波長が短
くて上層のメツキ被膜を透過しやすいＫ系列の螢
光Ｘ線を検出することにしている。
成比＞Fe組成比）合金を、更にその上層にFe−
Zn（Fe組成比＞Zn組成比）合金でメツキした２
層メツキ被膜を分析する場合を例にとり説明す
る。第１図はこのメツキ被膜に励起Ｘ線が照射さ
れ、またメツキ被膜から螢光Ｘ線が取り出される
様子を示している。図において最下層がFe鋼板
であり、その上にZn−Fe層が形成され、その上
にFe−Zn層が形成されている。メツキ表面に対
し入射角φで入射された励起Ｘ線はメツキ層内の
金属元素に一旦吸収され、ここよりFe，Znにつ
いてのFeLα，FeKα，ZnLα，ZnKαの螢光Ｘ線
として取り出される。本発明においては上層メツ
キ被膜の分析には波長が長くて吸収されやすく、
下層メツキ被膜の影響が出にくいＬ系列の螢光Ｘ
線を検出し、下層メツキ被膜の分析には波長が短
くて上層のメツキ被膜を透過しやすいＫ系列の螢
光Ｘ線を検出することにしている。
以下分析原理を上層メツキ被膜の組成分析、上
層メツキ被膜のメツキ付着量分析、下層メツキ被
膜の組成及びメツキ付着量分析に分けて説明す
る。
層メツキ被膜のメツキ付着量分析、下層メツキ被
膜の組成及びメツキ付着量分析に分けて説明す
る。
(1) 上層メツキ被膜の組成分析
この分析は下層メツキ被膜内からFe又はZnの
Ｌ系列の螢光Ｘ線強度について、下記の式
（ZnLαの場合）の値が近似的に０と看做すことが
できる値となるよう入射角φ及び取出角ψを選定
し、測定を行う。
Ｌ系列の螢光Ｘ線強度について、下記の式
（ZnLαの場合）の値が近似的に０と看做すことが
できる値となるよう入射角φ及び取出角ψを選定
し、測定を行う。
exp｛−〔［μ／ρ］〓／Fe-Zo／sinφ＋［μ／ρ］Z
nL〓／Fe-Zo／sinφ〕・dFe-Zo｝ ただし、 ［μ／ρ］〓Fe-Zo：励起線λ対する上層Fe−Zn合金 メツキ被膜層の質量吸収係数（概
略値既知） ［μ／ρ］ZnL〓Fe-Zo：螢光Ｘ線ZnLαに対する上層F
e− Zn合金メツキ被膜層の質量吸収
係数（概略値既知） dFe-Zo：上層Fe−Znメツキ被膜付着量（概略値
既知） この取出角ψは通常使用される角度より低く、
このような低取出角では螢光Ｘ線強度はメツキ付
着量が変化しても殆ど変化せずFe又はZnの組成
比に大きく影響される〔第３図イ参照〕。従つて
第２図の如きFeの組成比とZnLαの螢光Ｘ線強度
との関係を示す検量線を予め用意しておく場合
は、測定されたZnLαの螢光Ｘ線強度の値からFe
の組成比が分かる。
nL〓／Fe-Zo／sinφ〕・dFe-Zo｝ ただし、 ［μ／ρ］〓Fe-Zo：励起線λ対する上層Fe−Zn合金 メツキ被膜層の質量吸収係数（概
略値既知） ［μ／ρ］ZnL〓Fe-Zo：螢光Ｘ線ZnLαに対する上層F
e− Zn合金メツキ被膜層の質量吸収
係数（概略値既知） dFe-Zo：上層Fe−Znメツキ被膜付着量（概略値
既知） この取出角ψは通常使用される角度より低く、
このような低取出角では螢光Ｘ線強度はメツキ付
着量が変化しても殆ど変化せずFe又はZnの組成
比に大きく影響される〔第３図イ参照〕。従つて
第２図の如きFeの組成比とZnLαの螢光Ｘ線強度
との関係を示す検量線を予め用意しておく場合
は、測定されたZnLαの螢光Ｘ線強度の値からFe
の組成比が分かる。
なお、この設定角度は上層メツキ層の厚みが小
さい場合は、入射及び螢光Ｘ線の上層メツキ層で
の通過距離を大きくしてこれらのＸ線が十分に上
層メツキ層で吸収されるようにするため小さくす
る必要がある。
さい場合は、入射及び螢光Ｘ線の上層メツキ層で
の通過距離を大きくしてこれらのＸ線が十分に上
層メツキ層で吸収されるようにするため小さくす
る必要がある。
(2) 上層メツキ被膜のメツキ付着量の分析
メツキ付着量を求めるには予め多数のFe組成
につき、上層メツキ被膜のメツキ付着量、入射角
または取出角とZnLαの螢光Ｘ線強度との関係を
例えば第３図で示すような検量線として求めてお
く必要がある。第３図イは上層メツキ層のFe組
成比が80％であり、同メツキ付着量(a)が２ｇ／m2
〜５ｇ／m2である場合におけるZnLαの螢光Ｘ線
強度と取出角との検量線を示しており、第３図ロ
はFe組成比が90％であり、メツキ付着量(a)が１
ｇ／m2〜５ｇ／m2である場合におけるZnLαの螢
光Ｘ線強度と取出角との検量線を示している。こ
れらの図から分るように高取出角においては同じ
取出角であつてもメツキ付着量によつて螢光Ｘ線
強度が異なる。従つて複数の高取出角にてＬ系列
の螢光Ｘ線強度を測定し、該Ｘ線強度と取出角ψ
との関係を求め、この関係を(1)で求められた組成
比についての第３図イ，ロで示す如き検量線と比
較することによつてメツキ付着量が求められる。
につき、上層メツキ被膜のメツキ付着量、入射角
または取出角とZnLαの螢光Ｘ線強度との関係を
例えば第３図で示すような検量線として求めてお
く必要がある。第３図イは上層メツキ層のFe組
成比が80％であり、同メツキ付着量(a)が２ｇ／m2
〜５ｇ／m2である場合におけるZnLαの螢光Ｘ線
強度と取出角との検量線を示しており、第３図ロ
はFe組成比が90％であり、メツキ付着量(a)が１
ｇ／m2〜５ｇ／m2である場合におけるZnLαの螢
光Ｘ線強度と取出角との検量線を示している。こ
れらの図から分るように高取出角においては同じ
取出角であつてもメツキ付着量によつて螢光Ｘ線
強度が異なる。従つて複数の高取出角にてＬ系列
の螢光Ｘ線強度を測定し、該Ｘ線強度と取出角ψ
との関係を求め、この関係を(1)で求められた組成
比についての第３図イ，ロで示す如き検量線と比
較することによつてメツキ付着量が求められる。
(3) 下層メツキ層の組成及びメツキ付着量分析
下層メツキ層の分析には短波長で上層メツキ被
膜を透過しやすい下層メツキ金属元素のＫ系列の
螢光Ｘ線の強度を測定して行う。
膜を透過しやすい下層メツキ金属元素のＫ系列の
螢光Ｘ線の強度を測定して行う。
この場合、測定は入射角又は取出角の一方又は
双方を相異なる角度とする。そして、一方の入射
角及び取出角は下地金属元素のＫ系列螢光Ｘ線強
度（FeKα）について、下記の式が近似的に０と
看做することができる値となるよう入射角φlow及
び取出角ψlow及びこれらの角度より大きいφhigh，
ψhighを選定し、測定を行う。
双方を相異なる角度とする。そして、一方の入射
角及び取出角は下地金属元素のＫ系列螢光Ｘ線強
度（FeKα）について、下記の式が近似的に０と
看做することができる値となるよう入射角φlow及
び取出角ψlow及びこれらの角度より大きいφhigh，
ψhighを選定し、測定を行う。
exp｛−〔［μ／ρ］〓／Zo-Fe／sinφ＋［μ／ρ］F
eK〓／Zo-Fe／sinφ〕dZo-Fe｝ ×exp｛−〔［μ／ρ］〓／Fe-Zo／sinφ＋［μ／ρ］F
eK〓／Fe-Zo／sinφ〕・dFe-Zo｝ ただし、 ［μ／ρ］〓Zo-Fe：励起線λに対する下層Zn−Fe合 金メツキ被膜層の質量吸収係数
（概略値既知） ［μ／ρ］FeK〓Zo-Fe：FeKα螢光Ｘ線に対する下層Z
n− Fe合金メツキ被膜層の質量吸収
係数（概略値既知） ［μ／ρ］〓Fe-Zo：励起線λに対する上層Fe−Zn合 金メツキ被膜層の質量吸収係数
（概略値既知） ［μ／ρ］FeK〓Fe-Zo：FeKα螢光Ｘ線に対する上層F
e− Zn合金メツキ被膜層の質量吸収
係数（概略値既知） dZo-Fe：下層Zn−Fe合金メツキ被膜層のメツキ
被膜の付着量（概略値既知） dFe-Zo：上層Fe−Zn合金メツキ被膜層のメツキ
被膜の付着量（概略値既知） 而して下層メツキ被膜の組成及びメツキ付着量
を求めるには、測定に用いる入射角又は取出角に
おける下層メツキ金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強
度と上層メツキ層の組成比及びメツキ付着量の関
係式を理論あるいは実験によつて求めておき、こ
の式に各入射角又は取出角における螢光Ｘ線強度
及び前述の方法によつて求められた上層メツキ層
の組成値、メツキ付着量値を代入してこの式の下
層メツキ層の組成値及びメツキ付着量値について
の解を繰り返し演算法で求める形で行う。即ち以
下の方程式(1)，(2)の解を求める。
eK〓／Zo-Fe／sinφ〕dZo-Fe｝ ×exp｛−〔［μ／ρ］〓／Fe-Zo／sinφ＋［μ／ρ］F
eK〓／Fe-Zo／sinφ〕・dFe-Zo｝ ただし、 ［μ／ρ］〓Zo-Fe：励起線λに対する下層Zn−Fe合 金メツキ被膜層の質量吸収係数
（概略値既知） ［μ／ρ］FeK〓Zo-Fe：FeKα螢光Ｘ線に対する下層Z
n− Fe合金メツキ被膜層の質量吸収
係数（概略値既知） ［μ／ρ］〓Fe-Zo：励起線λに対する上層Fe−Zn合 金メツキ被膜層の質量吸収係数
（概略値既知） ［μ／ρ］FeK〓Fe-Zo：FeKα螢光Ｘ線に対する上層F
e− Zn合金メツキ被膜層の質量吸収
係数（概略値既知） dZo-Fe：下層Zn−Fe合金メツキ被膜層のメツキ
被膜の付着量（概略値既知） dFe-Zo：上層Fe−Zn合金メツキ被膜層のメツキ
被膜の付着量（概略値既知） 而して下層メツキ被膜の組成及びメツキ付着量
を求めるには、測定に用いる入射角又は取出角に
おける下層メツキ金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強
度と上層メツキ層の組成比及びメツキ付着量の関
係式を理論あるいは実験によつて求めておき、こ
の式に各入射角又は取出角における螢光Ｘ線強度
及び前述の方法によつて求められた上層メツキ層
の組成値、メツキ付着量値を代入してこの式の下
層メツキ層の組成値及びメツキ付着量値について
の解を繰り返し演算法で求める形で行う。即ち以
下の方程式(1)，(2)の解を求める。
Ihigh ZoK〓＝ｆ（d1，w1，d2，w2） ……(1)
Ilow ZoK〓＝ｇ（d1，w1，d2，w2） ……(2)
但し Ihigh ZoK〓：高い方の入射角又は取出角におけ
るZnKαの螢光Ｘ線強度 Ilow ZoK〓：低い方の入射角又は取出角におけ
るZnKαの螢光Ｘ線強度 d1，d2：上層、下層のメツキ付着量
（ｇ／m2） w1，w2：上層、下層の組成（％） Ihigh ZoK〓，Ilow ZoK〓はそれぞれ次の様に表わされ
る。
るZnKαの螢光Ｘ線強度 Ilow ZoK〓：低い方の入射角又は取出角におけ
るZnKαの螢光Ｘ線強度 d1，d2：上層、下層のメツキ付着量
（ｇ／m2） w1，w2：上層、下層の組成（％） Ihigh ZoK〓，Ilow ZoK〓はそれぞれ次の様に表わされ
る。
Ihigh ZoK〓＝khigh／Zo・I0・WFe-Zn／Zo／sinφhigh
・１／｛μ／ρ〓／Fe-Zo／sinφhigh｝＋｛μ／ρZnK
〓／Fe-Zo／sinφhigh｝ ・［１−exp｛−〔［μ／ρ］〓／Fe-Zo／sinφhigh＋
［μ／ρ］ZnK〓／Fe-Zo／sinφhigh〕 ・dFe-Zo｝］＋khigh／Zo・I0・WZn-Fe／Zo／sinφhigh ・exp｛−〔［μ／ρ］〓／Zo-Fe／sinφhigh＋［μ／
ρ］ZnK〓／Zo-Fe／sinφhigh〕・dZo-Fe｝ ×１／｛［μ／ρ］〓／Zo-Fe／sinφhigh｝＋｛［μ／
ρ］ZnK〓／Zo-Fe／sinφhigh｝ ・［１−exp｛−〔［μ／ρ］〓／Zo-Fe／sin
φhigh＋［μ／ρ］ZnK〓／Zo-Fe／sinφhigh〕・dZo-F
e｝］……(3) Ilow ZoK〓＝klow／Zo・I0・WFe-Zn／Zo／sinφlow ・１／｛［μ／ρ］〓／Fe-Zo／sinφlow｝＋｛［μ／
ρ］ZnK〓／Fe-Zo／sinφlow｝ ・［１−exp｛−〔［μ／ρ］〓／Fe-Zo／sinφlow＋［
μ／ρ］ZnK〓／Fe-Zo／sinφlow〕・dFe-Zo｝］＋klow
／Zo・I0・WZn-Fe／Zo／sinφlow ・exp｛−〔［μ／ρ］〓／Zo-Fe／sinφlow＋［μ／ρ
］ZnK〓／Zo-Fe／sinφlow〕・dZo-Fe｝×１／｛［μ／
ρ］〓／Zo-Fe／sinφlow｝＋｛［μ／ρ］ZnK〓／Zo-F
e／sinφlow｝ ・［１−exp｛−〔［μ／ρ］〓／Zo-Fe／sinφlow＋［
μ／ρ］ZnK〓／Zo-Fe／sinψlow〕・dZo-Fe｝］……(4
) （上添字high及びlowはそれぞれ高い方の入射
角又は取出角、低い方の入射角又は取出角の場合
を表わす） khigh Zo，klow Zo：定数 I0：励起Ｘ線の強度 WFe-Zn Zo：上層Fe−Znメツキ被膜層のZn組成 WZn-Fe Zo：下層Zn−Feメツキ被膜層のZn組成 φhigh，φlow：入射角 ψhigh，ψlow：取出角 ［μ／ρ］〓Fe-Zo：励起線λに対する上層Fe−Zn合 金メツキ被膜層の質量吸収係数 ［μ／ρ］ZnK〓Fe-Zo：ZnKα線に対する上層Fe−Zn
合金 メツキ被膜層の質量吸収係数 ［μ／ρ］〓Zo-Fe：励起線λに対する下層Zn−Fe合 金メツキ被膜層の質量吸収係数 ［μ／ρ］ZnK〓Zo-Fe：ZnKα線に対する下層Zn−Fe
合金 メツキ被膜層の質量吸収係数 dFe-Zo：上層Fe−Znメツキ被膜層のメツキ付着
量 dZo-Fe：下層Zn−Feメツキ被膜層のメツキ付着
量 (3)，(4)式に先に求めた上層のdFe-Zo，WFe-Zn Zoを
代入し、 Ilow ZoK〓について 〔Ilow／ZoK〓〕測定値−〔Ilow／ZoK〓〕計算値／〔
Ilow／ZoK〓〕計算値≦10-3 Ihigh ZoK〓について 〔Ihigh／ZoK〓〕測定値−〔Ihigh／ZoK〓〕計算値／
〔Ihigh／ZoK〓〕計算値≦10-3 となる様繰返し演算を行ない、WZn-Fe Zo，dZo-Feを
求める。なお、klow Zo，khigh Zoについては既知のサン
プルでこの値を求めておく。
〓／Fe-Zo／sinφhigh｝ ・［１−exp｛−〔［μ／ρ］〓／Fe-Zo／sinφhigh＋
［μ／ρ］ZnK〓／Fe-Zo／sinφhigh〕 ・dFe-Zo｝］＋khigh／Zo・I0・WZn-Fe／Zo／sinφhigh ・exp｛−〔［μ／ρ］〓／Zo-Fe／sinφhigh＋［μ／
ρ］ZnK〓／Zo-Fe／sinφhigh〕・dZo-Fe｝ ×１／｛［μ／ρ］〓／Zo-Fe／sinφhigh｝＋｛［μ／
ρ］ZnK〓／Zo-Fe／sinφhigh｝ ・［１−exp｛−〔［μ／ρ］〓／Zo-Fe／sin
φhigh＋［μ／ρ］ZnK〓／Zo-Fe／sinφhigh〕・dZo-F
e｝］……(3) Ilow ZoK〓＝klow／Zo・I0・WFe-Zn／Zo／sinφlow ・１／｛［μ／ρ］〓／Fe-Zo／sinφlow｝＋｛［μ／
ρ］ZnK〓／Fe-Zo／sinφlow｝ ・［１−exp｛−〔［μ／ρ］〓／Fe-Zo／sinφlow＋［
μ／ρ］ZnK〓／Fe-Zo／sinφlow〕・dFe-Zo｝］＋klow
／Zo・I0・WZn-Fe／Zo／sinφlow ・exp｛−〔［μ／ρ］〓／Zo-Fe／sinφlow＋［μ／ρ
］ZnK〓／Zo-Fe／sinφlow〕・dZo-Fe｝×１／｛［μ／
ρ］〓／Zo-Fe／sinφlow｝＋｛［μ／ρ］ZnK〓／Zo-F
e／sinφlow｝ ・［１−exp｛−〔［μ／ρ］〓／Zo-Fe／sinφlow＋［
μ／ρ］ZnK〓／Zo-Fe／sinψlow〕・dZo-Fe｝］……(4
) （上添字high及びlowはそれぞれ高い方の入射
角又は取出角、低い方の入射角又は取出角の場合
を表わす） khigh Zo，klow Zo：定数 I0：励起Ｘ線の強度 WFe-Zn Zo：上層Fe−Znメツキ被膜層のZn組成 WZn-Fe Zo：下層Zn−Feメツキ被膜層のZn組成 φhigh，φlow：入射角 ψhigh，ψlow：取出角 ［μ／ρ］〓Fe-Zo：励起線λに対する上層Fe−Zn合 金メツキ被膜層の質量吸収係数 ［μ／ρ］ZnK〓Fe-Zo：ZnKα線に対する上層Fe−Zn
合金 メツキ被膜層の質量吸収係数 ［μ／ρ］〓Zo-Fe：励起線λに対する下層Zn−Fe合 金メツキ被膜層の質量吸収係数 ［μ／ρ］ZnK〓Zo-Fe：ZnKα線に対する下層Zn−Fe
合金 メツキ被膜層の質量吸収係数 dFe-Zo：上層Fe−Znメツキ被膜層のメツキ付着
量 dZo-Fe：下層Zn−Feメツキ被膜層のメツキ付着
量 (3)，(4)式に先に求めた上層のdFe-Zo，WFe-Zn Zoを
代入し、 Ilow ZoK〓について 〔Ilow／ZoK〓〕測定値−〔Ilow／ZoK〓〕計算値／〔
Ilow／ZoK〓〕計算値≦10-3 Ihigh ZoK〓について 〔Ihigh／ZoK〓〕測定値−〔Ihigh／ZoK〓〕計算値／
〔Ihigh／ZoK〓〕計算値≦10-3 となる様繰返し演算を行ない、WZn-Fe Zo，dZo-Feを
求める。なお、klow Zo，khigh Zoについては既知のサン
プルでこの値を求めておく。
以下本発明をその実施例を示す図面によつて説
明する。第４図は本発明に係る螢光Ｘ線分析装置
を示す。図において１はＸ線照射室であり、該Ｘ
線照射室１内の中央には試料ホルダー（図示せ
ず）が設けられており、これによつて試料２が保
持されている。そして該試料２のメツキ処理面２
ａに励起Ｘ線が入射角φで照射されるようにＸ線
管球３がＸ線照射室１に固設されている。そして
Ｘ線照射室１から適宜距離隔てられた位置には分
光器５が設けられており、Ｘ線照射室１と分光器
５との間にはコリメータ４が設けられている。そ
して分光器５内には分光結晶６及び分光結晶６に
より分光された光を検出する検出器７が設けられ
ており、メツキ層内より発しメツキ処理面２ａに
対し取出角ψで取り出される螢光Ｘ線はコリメー
タ４内を通過して上記分光結晶６表面に角度θ1で
投射されるようになつている。そして照射Ｘ線の
入射角φは試料２を第４図で示すＡ方向に回転さ
せて変化できるようになつており、取出角ψは試
料２の上記回転及び分光器５の第４図で示すＢ方
向の回転により変化できるようになつている。そ
して検出器７及び分光結晶６を各々第４図で示す
Ｃ方向に回転することによつて分光結晶６の表面
に対する検出光の入射角度（θ1）及び分光角度
（θ2）が変化できるようになつている（但しθ1＝
θ2）。
明する。第４図は本発明に係る螢光Ｘ線分析装置
を示す。図において１はＸ線照射室であり、該Ｘ
線照射室１内の中央には試料ホルダー（図示せ
ず）が設けられており、これによつて試料２が保
持されている。そして該試料２のメツキ処理面２
ａに励起Ｘ線が入射角φで照射されるようにＸ線
管球３がＸ線照射室１に固設されている。そして
Ｘ線照射室１から適宜距離隔てられた位置には分
光器５が設けられており、Ｘ線照射室１と分光器
５との間にはコリメータ４が設けられている。そ
して分光器５内には分光結晶６及び分光結晶６に
より分光された光を検出する検出器７が設けられ
ており、メツキ層内より発しメツキ処理面２ａに
対し取出角ψで取り出される螢光Ｘ線はコリメー
タ４内を通過して上記分光結晶６表面に角度θ1で
投射されるようになつている。そして照射Ｘ線の
入射角φは試料２を第４図で示すＡ方向に回転さ
せて変化できるようになつており、取出角ψは試
料２の上記回転及び分光器５の第４図で示すＢ方
向の回転により変化できるようになつている。そ
して検出器７及び分光結晶６を各々第４図で示す
Ｃ方向に回転することによつて分光結晶６の表面
に対する検出光の入射角度（θ1）及び分光角度
（θ2）が変化できるようになつている（但しθ1＝
θ2）。
検出器７にて検出された螢光Ｘ線はここで電気
信号に変換され、電気信号は増幅器８へ送られた
後に、波高分析器９及び計数器１０によつてメツ
キ被膜の上層メツキ金属元素、下層メツキ金属元
素夫々の螢光Ｘ線強度に変換される。
信号に変換され、電気信号は増幅器８へ送られた
後に、波高分析器９及び計数器１０によつてメツ
キ被膜の上層メツキ金属元素、下層メツキ金属元
素夫々の螢光Ｘ線強度に変換される。
計数器１０の螢光Ｘ線強度に対応する出力は演
算器１１に導かれる。この演算器１１は、例えば
第２図に示される如き上層メツキ金属元素のＬ系
列の螢光Ｘ線強度と上層メツキ金属元素の組成比
との関係を示す検量線、第３図に示される如き上
層メツキ金属の各組成における上層メツキ金属元
素のＬ系列の螢光Ｘ線強度とメツキ付着量及び取
出角との関係を示す検量線、並びに低取出角及び
高取出角における下層メツキ金属元素のＫ系列の
螢光Ｘ線強度と上層、下層の組成及びメツキ付着
量との関係式(1)，(2)が予め設定されており、上述
の如くして得られる螢光Ｘ線強度に対応する組成
及び付着量を演算し、演算結果は表示器１２に表
示される。
算器１１に導かれる。この演算器１１は、例えば
第２図に示される如き上層メツキ金属元素のＬ系
列の螢光Ｘ線強度と上層メツキ金属元素の組成比
との関係を示す検量線、第３図に示される如き上
層メツキ金属の各組成における上層メツキ金属元
素のＬ系列の螢光Ｘ線強度とメツキ付着量及び取
出角との関係を示す検量線、並びに低取出角及び
高取出角における下層メツキ金属元素のＫ系列の
螢光Ｘ線強度と上層、下層の組成及びメツキ付着
量との関係式(1)，(2)が予め設定されており、上述
の如くして得られる螢光Ｘ線強度に対応する組成
及び付着量を演算し、演算結果は表示器１２に表
示される。
なおZnLαの螢光Ｘ線を検出する場合にはこの
Ｘ線は空気によつて吸収され易いためＸ線照射室
１、分光器５及びその間が真空雰囲気内に置かれ
る必要がある。
Ｘ線は空気によつて吸収され易いためＸ線照射室
１、分光器５及びその間が真空雰囲気内に置かれ
る必要がある。
以上のように構成された本発明装置においてＸ
線管球３より投射された励起Ｘ線は入射角φ（φ
＝30゜と一定にしておく）で試料２のメツキ処理
面２ａに照射され、これによつてメツキ被膜内の
金属原子が励起されて発せられた螢光Ｘ線は取出
角ψで取り出されてコリメータ４内を通過し、こ
こで平行光線化されて分光結晶表面に入射角度θ1
で投射される。そして分光結晶６によつて分光さ
れた検出光は、分光結晶６及び検出器７の回転に
よつて分光角度θ2を所定の値に設定することによ
つてZnKα又はZnLαの波長の光が選定され、検
出器７によつて各系列の光の強度として検出され
る。
線管球３より投射された励起Ｘ線は入射角φ（φ
＝30゜と一定にしておく）で試料２のメツキ処理
面２ａに照射され、これによつてメツキ被膜内の
金属原子が励起されて発せられた螢光Ｘ線は取出
角ψで取り出されてコリメータ４内を通過し、こ
こで平行光線化されて分光結晶表面に入射角度θ1
で投射される。そして分光結晶６によつて分光さ
れた検出光は、分光結晶６及び検出器７の回転に
よつて分光角度θ2を所定の値に設定することによ
つてZnKα又はZnLαの波長の光が選定され、検
出器７によつて各系列の光の強度として検出され
る。
このようにして検出された光の強度の値に関す
る信号が演算器１１へ出力されることにより、演
算器１１は入力された光の強度の値、予めこれに
設定されている上層メツキ金属元素のＬ系列の螢
光Ｘ線強度と上層メツキ金属元素の組成比との関
係を示す検量線、上層メツキ金属の各組成におけ
る上層メツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度と
メツキ付着量及び取出角との関係を示す検量線、
並びに低取出角及び高取出角における下層メツキ
金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強度と上層、下層の
組成及びメツキ付着量との関係式によつて上層メ
ツキ被膜及び／又は下層メツキ被膜の組成及び／
又はメツキ付着量を算出する。
る信号が演算器１１へ出力されることにより、演
算器１１は入力された光の強度の値、予めこれに
設定されている上層メツキ金属元素のＬ系列の螢
光Ｘ線強度と上層メツキ金属元素の組成比との関
係を示す検量線、上層メツキ金属の各組成におけ
る上層メツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度と
メツキ付着量及び取出角との関係を示す検量線、
並びに低取出角及び高取出角における下層メツキ
金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強度と上層、下層の
組成及びメツキ付着量との関係式によつて上層メ
ツキ被膜及び／又は下層メツキ被膜の組成及び／
又はメツキ付着量を算出する。
なお、上記実施例ではＸ線管球を固定し、試料
ホルダ（図示せず）を回動可能としているが、本
発明はこのようにする場合に限らず試料ホルダを
固定、Ｘ線管球を回動可能に、また試料ホルダ、
Ｘ線管球を共に回動可能に設けるようにしてもよ
いことは勿論である。
ホルダ（図示せず）を回動可能としているが、本
発明はこのようにする場合に限らず試料ホルダを
固定、Ｘ線管球を回動可能に、また試料ホルダ、
Ｘ線管球を共に回動可能に設けるようにしてもよ
いことは勿論である。
また、上述実施例では分光結晶と検出器とを一
体的に回動させるように構成されているが、本発
明はそれらを各別に回動させるように構成しても
よい。一体的に回動させる場合は同一元素の螢光
Ｘ線強度を連続して検出するときに検出器の位置
を一旦調整した後は調整を不要にできる。
体的に回動させるように構成されているが、本発
明はそれらを各別に回動させるように構成しても
よい。一体的に回動させる場合は同一元素の螢光
Ｘ線強度を連続して検出するときに検出器の位置
を一旦調整した後は調整を不要にできる。
更に、上述実施例ではメツキ試料を分析してい
るが、本発明はこれに限らずメツキラインにてメ
ツキ材を直接に分析できることは勿論である。
るが、本発明はこれに限らずメツキラインにてメ
ツキ材を直接に分析できることは勿論である。
〔効果〕
第５図はFe鋼板上にZn−Fe（Fe＜30％）合金
を、更にその上層にFe−Zn（Fe＞80％）合金で
メツキした２層メツキ被膜を第４図で示す装置に
より本発明方法で分析した上層、下層のメツキ付
着量（ｇ／m2）及びFe組成（％）の結果と、重
量分析により測定したメツキ付着量（ｇ／m2）及
び化学分析により測定したFe組成（％）との比
較を示している。第５図イ，ロ，ハ，ニは各々上
層のメツキ付着量、上層のFe組成、下層のメツ
キ付着量、下層のFe組成についての上記比較を
示す。図から分かるように本発明方法による上
層、下層のメツキ付着量値、Fe組成値と重量分
析によるメツキ付着量値、化学分析によるFe組
成値とは良く一致している。
を、更にその上層にFe−Zn（Fe＞80％）合金で
メツキした２層メツキ被膜を第４図で示す装置に
より本発明方法で分析した上層、下層のメツキ付
着量（ｇ／m2）及びFe組成（％）の結果と、重
量分析により測定したメツキ付着量（ｇ／m2）及
び化学分析により測定したFe組成（％）との比
較を示している。第５図イ，ロ，ハ，ニは各々上
層のメツキ付着量、上層のFe組成、下層のメツ
キ付着量、下層のFe組成についての上記比較を
示す。図から分かるように本発明方法による上
層、下層のメツキ付着量値、Fe組成値と重量分
析によるメツキ付着量値、化学分析によるFe組
成値とは良く一致している。
以上のように本発明は金属で２層メツキしたメ
ツキ被膜の組成及びメツキ付着量を、上層メツキ
被膜の組成については下層メツキ被膜からの螢光
Ｘ線強度が最低となる入射角、取出角により上層
メツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度を測定し
て定め、上層メツキ被膜の付着量については高角
度側の入射角及び／又は取出角において入射角及
び／又は取出角と上層メツキ金属元素のＬ系列螢
光Ｘ線強度との関係を定めて求め、また下層メツ
キ被膜の組成及び付着量については低角度及び高
角度の入射角又は取出角において下層メツキ被膜
からの下層メツキ金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強
度を測定し、予め定められている上記低、高入射
角又は取出角における上記Ｋ系列螢光Ｘ線強度と
上層、下層メツキ被膜の組成及び付着量との関係
式により求めるようにしたので、２層メツキ被膜
の上層、下層メツキ被膜の組成及びメツキ付着量
を鋼板メツキラインにおいて上層形成後の一箇所
で一つの分析装置で測定でき、設備費を軽減でき
るとともに分析装置の維持管理を簡素化できる効
果がある。更に小さい方の取出角は下層メツキ被
膜又は下地金属の影響を最も低くして選定してい
るので、鋼板上の鉄合金２層メツキのように上層
メツキ被膜、下層メツキ被膜、更には下地金属に
共通する成分が含まれていても各被膜の組成、付
着量を求めることができる。
ツキ被膜の組成及びメツキ付着量を、上層メツキ
被膜の組成については下層メツキ被膜からの螢光
Ｘ線強度が最低となる入射角、取出角により上層
メツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度を測定し
て定め、上層メツキ被膜の付着量については高角
度側の入射角及び／又は取出角において入射角及
び／又は取出角と上層メツキ金属元素のＬ系列螢
光Ｘ線強度との関係を定めて求め、また下層メツ
キ被膜の組成及び付着量については低角度及び高
角度の入射角又は取出角において下層メツキ被膜
からの下層メツキ金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強
度を測定し、予め定められている上記低、高入射
角又は取出角における上記Ｋ系列螢光Ｘ線強度と
上層、下層メツキ被膜の組成及び付着量との関係
式により求めるようにしたので、２層メツキ被膜
の上層、下層メツキ被膜の組成及びメツキ付着量
を鋼板メツキラインにおいて上層形成後の一箇所
で一つの分析装置で測定でき、設備費を軽減でき
るとともに分析装置の維持管理を簡素化できる効
果がある。更に小さい方の取出角は下層メツキ被
膜又は下地金属の影響を最も低くして選定してい
るので、鋼板上の鉄合金２層メツキのように上層
メツキ被膜、下層メツキ被膜、更には下地金属に
共通する成分が含まれていても各被膜の組成、付
着量を求めることができる。
第１図は本発明方法における２層メツキ被膜に
入射された励起Ｘ線及び２層メツキ被膜内から取
り出された螢光Ｘ線の経路を示す模式的断面図、
第２図は本発明方法における上層メツキ被膜の
Fe組成とZnLα系列螢光Ｘ線強度との関係の検量
線を示すグラフ、第３図は本発明の方法における
上層メツキ被膜のFe組成比が80％、90％である
場合のメツキ付着量と取出角とZnLα螢光Ｘ線強
度との関係の検量線を示すグラフ、第４図は本発
明に係る螢光Ｘ線分析装置を模式的に示す平面
図、第５図は本発明の効果の説明図である。 １……Ｘ線照射室、２……試料、３……Ｘ線管
球、５……分光器、１１……演算器。
入射された励起Ｘ線及び２層メツキ被膜内から取
り出された螢光Ｘ線の経路を示す模式的断面図、
第２図は本発明方法における上層メツキ被膜の
Fe組成とZnLα系列螢光Ｘ線強度との関係の検量
線を示すグラフ、第３図は本発明の方法における
上層メツキ被膜のFe組成比が80％、90％である
場合のメツキ付着量と取出角とZnLα螢光Ｘ線強
度との関係の検量線を示すグラフ、第４図は本発
明に係る螢光Ｘ線分析装置を模式的に示す平面
図、第５図は本発明の効果の説明図である。 １……Ｘ線照射室、２……試料、３……Ｘ線管
球、５……分光器、１１……演算器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 純金属又は合金で２層にメツキしたメツキ被
膜の上層被膜の組成及びメツキ付着量を、メツキ
被膜に励起Ｘ線を照射し、これによつてメツキ被
膜内から射出される螢光Ｘ線の強度を測定して求
める２層メツキ被膜の螢光Ｘ線分析方法におい
て、 下層メツキ被膜内からの螢光Ｘ線強度が最低と
なる入射角及び取出角にて上層メツキ金属元素の
Ｌ系列の螢光Ｘ線強度を求め、 該螢光Ｘ線強度と、予め求めておいたＬ系列螢
光Ｘ線強度と上層メツキ層の組成との関係を示す
検量線とにより上層メツキ被膜の組成を求め、 前記入射角、取出角よりも高角度側の複数の位
置で上層メツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度
を測定して該螢光Ｘ線強度と入射角又は取出角と
の関係を特定し、 この関係と、前述の如くして求めた上層メツキ
被膜の組成について予め求めておいたメツキ付着
量と入射角又は取出角と上層メツキ金属元素のＬ
系列螢光Ｘ線強度との関係とに基づいて上層メツ
キ被膜のメツキ付着量を求めることを特徴とする
２層メツキ被膜の螢光Ｘ線分析方法。 ２ 純金属又は合金で２層にメツキしたメツキ被
膜の上層並びに下層の被膜の組成及びメツキ付着
量を、メツキ被膜に励起Ｘ線を照射し、これによ
つてメツキ被膜内から射出される螢光Ｘ線の強度
を測定して求める２層メツキ被膜の螢光Ｘ線分析
方法において、 下層メツキ被膜内からの螢光Ｘ線強度が最低と
なる入射角及び取出角にて上層メツキ金属元素の
Ｌ系列の螢光Ｘ線強度を求め、 該螢光Ｘ線強度と、予め求めておいたＬ系列螢
光Ｘ線強度と上層メツキ層の組成との関係を示す
検量線とにより上層メツキ被膜の組成を求め、 前記入射角、取出角よりも高角度側の複数の位
置で上層メツキ金属元素のＬ系列の螢光Ｘ線強度
を測定して該螢光Ｘ線強度と入射角又は取出角と
の関係を特定し、 この関係と、前述のごとくして求めた上層メツ
キ被膜の組成について予め求めておいたメツキ付
着量と入射角又は取出角と上層メツキ金属元素の
Ｌ系列の螢光Ｘ線強度との関係とに基づいて上層
メツキ被膜のメツキ付着量を求め、 下層メツキ金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強度を
下地金属の同元素のＫ系列の螢光Ｘ線強度が最低
となる入射角、取出角と、これと異なる入射角又
は取出角について求め、 該螢光Ｘ線強度と上層メツキ被膜の組成値、メ
ツキ付着量値とを、予め求めておいた下層メツキ
金属元素のＫ系列の螢光Ｘ線強度と上層、下層メ
ツキ被膜の組成及び付着量との関係式に代入して
下層メツキ被膜の組成及びメツキ付着量を求める
ことを特徴とする２層メツキ被膜の螢光Ｘ線分析
方法。 ３ 純金属又は合金で下地金属に２層メツキした
メツキ材の上層、下層のメツキ被膜の組成及びメ
ツキ付着量を定量する装置であつて、 前記上層又は下層のメツキ被膜に励起Ｘ線を入
射するＸ線発生器と、 上層又は下層のメツキ被膜にて発生した螢光Ｘ
線を分光する分光結晶と、 分光された螢光Ｘ線の強度を検出する螢光Ｘ線
検出器とを具備し、 前記Ｘ線発生器、分光結晶及び螢光Ｘ線検出器
は励起Ｘ線の入射角、メツキ被膜からの螢光Ｘ線
の取出角の変更を可能とすべく相互の角度位置が
変更可能に設けられていることを特徴とする２層
メツキ被膜の螢光Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25469784A JPS61132847A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ２層メツキ被膜の螢光ｘ線分析方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25469784A JPS61132847A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ２層メツキ被膜の螢光ｘ線分析方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61132847A JPS61132847A (ja) | 1986-06-20 |
| JPH0576574B2 true JPH0576574B2 (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=17268598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25469784A Granted JPS61132847A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ２層メツキ被膜の螢光ｘ線分析方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61132847A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63167251A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-11 | Shimadzu Corp | Ｘ線分析装置 |
| US5877498A (en) * | 1992-09-28 | 1999-03-02 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for X-ray analyses |
| US5481109A (en) * | 1992-09-28 | 1996-01-02 | Hitachi, Ltd. | Surface analysis method and apparatus for carrying out the same |
| WO2012008513A1 (ja) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | 株式会社堀場製作所 | 蛍光ｘ線検出方法及び蛍光ｘ線検出装置 |
| JP7054717B2 (ja) | 2020-03-27 | 2022-04-14 | 日本電子株式会社 | 分析方法および蛍光ｘ線分析装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5429843A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Nippon Steel Corp | Controlling method for composition and thickness of plated multicomponent alloy films |
| JPS58219403A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-20 | Aloka Co Ltd | 積層被膜の膜厚測定方法 |
| JPS59195146A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | メツキ被膜の螢光ｘ線分析法 |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25469784A patent/JPS61132847A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5429843A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Nippon Steel Corp | Controlling method for composition and thickness of plated multicomponent alloy films |
| JPS58219403A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-20 | Aloka Co Ltd | 積層被膜の膜厚測定方法 |
| JPS59195146A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | メツキ被膜の螢光ｘ線分析法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61132847A (ja) | 1986-06-20 |
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