JPH0572680B2 - - Google Patents

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JPH0572680B2
JPH0572680B2 JP60148639A JP14863985A JPH0572680B2 JP H0572680 B2 JPH0572680 B2 JP H0572680B2 JP 60148639 A JP60148639 A JP 60148639A JP 14863985 A JP14863985 A JP 14863985A JP H0572680 B2 JPH0572680 B2 JP H0572680B2
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drain
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Katsushi Hoshi
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Nippon Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356069Bistable circuits using additional transistors in the feedback circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356017Bistable circuits using additional transistors in the input circuit
    • H03K3/356052Bistable circuits using additional transistors in the input circuit using pass gates

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  • Logic Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は入力インバータ回路に関し、特に外部
入力電圧と基準電圧とを比較増幅する入力インバ
ータ回路に関する。
〔従来の技術〕
第3図および第4図は従来の入力インバータ回
路の一例を示すブロツク図および回路図である。
現在、メモリ集積回路の分野において数多くの
入力インバータ回路が考案され用いられている。
入力インバータ回路の特性においては、安定かつ
正常に動作するために、入力レベル判定における
不感帯幅が狭いこと、外部入力の電圧のラツチ機
能を有すること、回路構成が簡素であり、かつ低
消費電流であること、などが要求される。以下の
説明は、すべて絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのうち代表的なMOSトランジスタ(以下
MOSTと称す)で、かつNチヤンネルMOSTを
用いて行う。しかし、回路的には、Pチヤンネル
MOST、さらにはバイポーラトランジスタでも
本質的には同様である。
第3図に示す従来の入力インバータ回路は、外
部入力電圧VINおよび基準電圧Vrefをそれぞれラ
ツチするエンハンスメント型MOSトランジスタ
(以下EMOSTと称す)J17およびJ18、ゲート
EMOSTJ17のソースに接続されるEMOSTJ19
ゲートをEMOSTJ18をのソースに接続される
EMOSTJ20、外部入力電圧VTNおよび基準電圧
Vrefにより生じた差電圧を比較、増幅する差電圧
増幅フリツプフロツプ回路1および差電圧増幅フ
リツプフロツプ回路1の出力を電流増幅する出力
電流増幅フリツプフロツプ回路5から構成され
る。ここで基準電圧Vrefは、この入力インバータ
回路が構成されている半導体基板と同一基板の他
の場所に設けられている図示しない基準電圧発生
回路から出力されている。この入力インバータ回
路は、この基準電圧Vrefをリフアレンスレベルと
して外部入力電圧VINとの判定に用いることが特
徴である。
第4図の回路は、従来の5ボルト単一電源の集
積回路であるMOSダイナミツクランダムアクセ
スメモリにおいて用いられており、EMOSTJ5
J12により差電圧増幅フリツプフロツプ回路1を
構成し、EMOSTJ21〜J32により出力電流増幅フ
リツプフロツプ回路5を構成している。
次に、この従来の入力インバータ回路の動作に
ついて説明する。
初期にプリチヤーシ信号φP2がEMOSTのしき
い値VTレベルを十分越える高い電圧(以下高レ
ベルと称す)であることから、プリチヤージ信号
φP2をゲート入力とするEMOSTJ9、J10、J29
J30、J31およびJ32活性化され、節点N1およびN2
は高レベル、節点N5およびN6、出力信号φ12およ
02はしきい値VTレベルより低い電圧(以下低
レベルと称す)となり、その後ブリチヤージ信号
φP2は低レベルとなる。ラツチ信号φLが高レベル
から低レベルになると、外部入力電圧VINおよび
基準電圧Vrefの電圧が節点N3および節点N4
各々ラツチされる。第1の活性化信号φ21が低レ
ベルから高レベルになるとき、節点信号N02およ
02の電位が上昇する。このとき、外部入力電
圧VINがラツチされた節点N3をゲート入力とする
EMOSTJ19と、基準電圧Vrefの電圧がラツチされ
た節点N4をゲート入力とするEMOSTJ20により
節点信号N0202の間に差電圧が生ずる。この
節点信号N0202の間の差電位により、フリツ
プフロツプを構成するEMOSTJ7およびJ8が作動
し、節点信号N0202のうちの低い電圧である
一方の節点信号を低レベルにする。そして節点信
号N02および02をゲート入力とするEMOSTJ12
およびJ11により節点N2およびN1の一方が低レベ
ルとなり、節点N2およびN1をゲート入力とする
EMOSTJ6およびJ5の一方が非活性化(以下オフ
と称す)される。続いて第2の活性化信号φ22
低レベルから高レベルになると、節点N02および
02をゲート入力とするEMOSTJ21およびJ22
一方の活性化されたEMOSTを通して節点N5
よびN6の一方の節点が高レベルとなる。節点N5
およびN6をゲート入力とするEMOSTJ25および
J26の一方のEMOSTが活性化され、出力信号φ02
および02の一方が電流増幅された信号として出
力される。このとき、出力信号φ02は外部入力電
圧VINと同相、出力信号02は外部入力電圧VIN
逆相の増幅された信号が出力される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の入力インバータ回路は、外部入
力電圧が高レベルの場合、一方の節点信号が高レ
ベルとなるが、基準電圧をゲート入力とする
EMOSTが常に活性化状態にあるため、一方の節
点信号の高レベルを大地電流に流して消費電流が
増大してしまい、さらにこのEMOSTが常に活性
化状態にあるため、差電圧増幅フリツプフロツプ
回路には外部入力の情報を保持することができな
いので、出力電流増幅回路内に外部入力の情報を
保持するフリツプフロツプが必要となり、そのた
め出力電流増幅回路が複雑となり、使用する
EMOSTも多く必要とする欠点を有している。さ
らに、差電圧増幅フリツプフロツプ回路の活性化
時に、外部入力電圧が変化した場合に差電圧増幅
を正常に行うため、さらに2個のEMOSTと、こ
れらのゲート入力であるラツチ信号とを必要とす
る欠点を有している。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の入力インバータ回路は、活性化信号を
ドレイン、第1節点をゲート、第3節点をソース
に接続する第3のトランジスタJ5と;第3節点を
ドレイン、第4節点をゲート、第1電源をソース
に接続する第4のトランジスタJ7と;活性化信号
をドレイン、第2節点をゲート、第4節点をソー
スに接続する第5のトランジスタJ6と;第4節点
をドレイン、第3節点をゲート、第1電源をソー
スに接続する第6のトランジスタJ8と;第2電源
をドレイン、プリチヤージ信号をゲート、第1節
点をソースに接続する第7のトランジスタJ9と;
第1節点をドレイン、第4節点をゲート、第1電
源をソースに接続する8のトランジスタJ11と;
第2電源をドレイン、プリチヤージ信号をゲー
ト、第2節点をソースに接続する第9のトランジ
スタJ10と;第2節点をドレイン、第3節点をゲ
ート、第1電源をソースに接続する第10のトラン
ジスタJ12とで構成され、外部入力電圧と基準電
圧とを比較増幅する差電圧増幅フリツプフロツプ
回路ならびに出力電流増幅回路を有する入力イン
バータ回路において、前記外部入力電圧をゲート
に入力し前記第1電源にソースを接続する第1の
トランジスタJ3と、一端を前記第1のトランジス
タのドレインに他端を前記差電圧増幅フリツクフ
ロツプ回路にそれぞれ接続し前記差電圧増幅フリ
ツプフロツプ回路の前記第1節点の信号により制
御される第1のゲートJ1と、前記基準電圧をゲー
トに入力し前記第1電源にソースを接続する第2
のトランジスタJ4と、一端を前記第2のトランジ
スタのドレインに他端を前記差電圧増幅フリツプ
フロツプ回路にそれぞれ接続し前記差電圧増幅フ
リツプフロツプ回路の前記第2節点の信号により
制御される第2のゲートJ2とを備えている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第1図および第2図は、本発明の一実施例のブ
ロツク図および回路図である。
本実施例は、差電圧増幅フリツプフロツプ回路
1および出力電流増幅回路2を主構成要素として
構成され、第1の活性化信号φ11の入力により、
図示しない基準電圧発生回路から入力される基準
電圧Vrefと外部入力電圧VINとを比較し、増幅さ
れた信号を受け、第2の活性化信号φ12の入力に
より電流増幅された信号を出力する入力インバー
タ回路において、外部入力電圧VINと基準電圧
Vrefとに応答して、外部入力電圧VINをゲート入
力とするEMOSTJ3と基準電圧Vrefをゲート入力
とするEMOSTJ4のそれぞれのドレイン電流の制
御を行なう第1ゲート3および第2ゲート4を設
けることにより構成されている。本実施例におい
てEMOSTJ3およびJ4は、差電圧増幅フリツプフ
ロツプ回路1内の節点の電圧を初期において低レ
ベルに入力する。
外部入力電圧VINおよび基準電圧Vrefをゲート
入力とするEMOSTJ3およびJ4で生ずる差電圧増
幅フリツプフロツプ回路1内の信号により、第1
ゲート3および第2ゲート4に流れる電流を制御
し、差電圧増幅フリツプフロツプ回路1を安定に
動作させ、外部入力電圧VINの情報を差電圧増幅
フリツプフロツプ回路1内に保持することができ
るのである。
第2図を用いて本実施例の動作について説明す
る。
初期にプリチヤージ信号φP1が低レベルから高
レベルになり、プリチヤージ信号φP1をゲート入
力するとEMOSTJ9、J10、J15およびJ16により、
節点N1およびN2は高レベル、出力信号φ01および
φ01は低レベルとなり、その後、プリチヤージ信
号φP1は高レベルから低レベルとなる。第1の活
性化信号φ11が低レベルから高レベルになるとき、
外部入力電圧VINおよび基準電圧Vrefをゲート入
力とするEMOSTJ3およびJ4により節点信号N01
および01に差電圧が生じ、この差電圧をフリツ
プフロツプを構成するEMOSTJ7およびJ8が増幅
し、節点信号N01および01の一方を低レベルに
する。これと平行して、節点N1およびN2は、節
点信号01およびN01をゲート入力とする
EMOSTJ11およびJ12により一方を低レベルにさ
れ、節点N1およびN2をゲート入力とする
EMOSTJ1およびJ2の一方をオフする。第2の活
性化信号φ12が低レベルから高レベルになると、
節点信号N01および01をゲート入力とする
EMOSTJ13およびJ14の一方を通して、出力信号
φ01および01の一方が電流増幅された信号とし
て出力される。このとき、出力信号φ01は外部入
力電圧VINに同相、出力信号01は外部入力電圧
VINに逆相となる。
このように、差電圧増幅フリツプフロツプ回路
1内の信号である節点N1およびN2の出力をゲー
ト入力とする第1ゲートおよび第2ゲートを用い
て、差電圧増幅フリツプフロツプ回路1で低レベ
ルと判定される外部入力電圧VINまたは基準電圧
Vrefをゲート入力とするEMOSTJ3またはJ4の一
方のソース電流をオフすることで、差動圧増幅フ
リツプフロツプ回路1内に外部入力電圧VINの情
報を保持することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、外部入力電圧お
よび基準電圧をそれぞれゲート入力とする2個の
EMOSTのそれぞれのソース電流の制御を行う2
個のゲートを設けることにより、差電圧増幅フリ
ツプフロツプ回路内に外部入力の情報を保持する
ことができ、さらにラチ回路および出力電流増幅
回路の簡素化ならびに回路全体の低消費電流化が
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例のブロ
ツク図および回路図、第3図および第4図は従来
の入力インバータ回路の一例を示すブロツク図お
よび回路図である。 1……差電圧増幅フリツプフロツプ回路、2…
…出力電流増幅回路、3……第1ゲート、4……
第2ゲート、5……出力電流増幅フリツプフロツ
プ回路、J1〜J32……MOSトランジスタ(エンハ
ンスメント型)、N1〜N6……節点、N0101
N0202……節点信号、φ11,φ21……第1の活
性化信号、φ12,φ22……第2の活性化信号、φP1
φP2……プリチヤージ信号、φ0101,φ0202
……出力信号、φL……ラツチ信号、VIN……外部
入力電圧、Vref……基準電圧。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 活性化信号をドレイン、第1節点をゲート、
    第3節点をソースに接続する第3のトランジスタ
    J5と;第3節点をドレイン、第4節点をゲート、
    第1電源をソースに接続する第4のトランジスタ
    J7と;活性化信号をドレイン、第2節点をゲー
    ト、第4節点をソースに接続する第5のトランジ
    スタJ6と;第4節点をドレイン、第3節点をゲー
    ト、第1電源をソースに接続する第6のトランジ
    スタJ8と;第2電源をドレイン、プリチヤージ信
    号をゲート、第1節点をソースに接続する第7の
    トランジスタJ9と;第1節点をドレイン、第4節
    点をゲート、第1電源をソースに接続する第8の
    トランジスタJ11と;第2電源をドレイン、プリ
    チヤージ信号をゲート、第2節点をソースに接続
    する第9のトランジスタJ10と;第2節点をドレ
    イン、第3節点をゲート、第1電源をソースに接
    続する第10のトラジスタJ12とで構成され、外部
    入力電圧と基準電圧とを比較増幅する差電圧増幅
    フリツプフロツプ回路ならびに出力電流増幅回路
    を有する入力インバータ回路において、前記外部
    入力電圧をゲートに入力し前記第1電源にソース
    を接続する第1のトランジスタJ3と、一端を前記
    第1のトランジスタのドレインに他端を前記差電
    圧増幅フリツプフロツプ回路にそれぞれ接続し前
    記差電圧増幅フリツプフロツプ回路の前記第1節
    点の信号により制御される第1のゲートJ1と、前
    記基準電圧をゲートに入力し前記第1電源にソー
    スを接続する第2のトランジスタJ4と、一端を前
    記第2のトランジスタのドレインに他端を前記差
    電圧増幅フリツプフロツプ回路にそれぞれ接続し
    前記差電圧増幅フリツプフロツプ回路の前記第2
    節点の信号により制御される第2のゲートJ2とを
    備えることを特徴とする入力インバータ回路。
JP60148639A 1985-07-05 1985-07-05 入力インバ−タ回路 Granted JPS628614A (ja)

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62205597A (ja) * 1986-03-05 1987-09-10 Toshiba Corp 半導体感知増幅回路
JPH0799627B2 (ja) * 1987-01-23 1995-10-25 松下電器産業株式会社 半導体メモリの書き込み読み出し回路
US4918663A (en) * 1987-09-16 1990-04-17 Motorola, Inc. Latch-up control for a CMOS memory with a pumped well
JPH0284811A (ja) * 1988-01-30 1990-03-26 Nec Corp 入力インバータ回路
US4897567A (en) * 1988-10-13 1990-01-30 Harris Corporation Fast level translator circuit
US5097157A (en) * 1990-11-01 1992-03-17 Hewlett-Packard Company Fast cmos bus receiver for detecting low voltage swings
JPH0539023U (ja) * 1991-10-24 1993-05-25 ヤマハ株式会社 遠隔制御装置
US5280205A (en) * 1992-04-16 1994-01-18 Micron Technology, Inc. Fast sense amplifier
WO1995022206A1 (en) * 1994-02-15 1995-08-17 Rambus, Inc. Delay-locked loop
JP3724654B2 (ja) * 1995-07-06 2005-12-07 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
JP3625930B2 (ja) * 1995-10-26 2005-03-02 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
US5874840A (en) * 1996-04-26 1999-02-23 International Business Machines Corporation Differential source follower with body effect compensation
US6492844B2 (en) * 2000-02-02 2002-12-10 Broadcom Corporation Single-ended sense amplifier with sample-and-hold reference
US8164362B2 (en) * 2000-02-02 2012-04-24 Broadcom Corporation Single-ended sense amplifier with sample-and-hold reference
US6675272B2 (en) 2001-04-24 2004-01-06 Rambus Inc. Method and apparatus for coordinating memory operations among diversely-located memory components
US7301831B2 (en) 2004-09-15 2007-11-27 Rambus Inc. Memory systems with variable delays for write data signals

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56117391A (en) * 1980-02-20 1981-09-14 Oki Electric Ind Co Ltd Buffer circuit
JPS58121196A (ja) * 1982-01-13 1983-07-19 Nec Corp バツフア回路

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56130885A (en) * 1980-03-18 1981-10-14 Fujitsu Ltd Address buffer circuit
JPS5794986A (en) * 1980-12-02 1982-06-12 Nec Corp Semiconductor circuit
JPS57147194A (en) * 1981-03-05 1982-09-10 Fujitsu Ltd Address buffer
JPS58133024A (ja) * 1982-02-03 1983-08-08 Nec Corp バツフア回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56117391A (en) * 1980-02-20 1981-09-14 Oki Electric Ind Co Ltd Buffer circuit
JPS58121196A (ja) * 1982-01-13 1983-07-19 Nec Corp バツフア回路

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Publication number Publication date
US4785206A (en) 1988-11-15
JPS628614A (ja) 1987-01-16

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