JPH05506887A - 金の無電流析出のための水性浴の組合せ - Google Patents

金の無電流析出のための水性浴の組合せ

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 金の無電流析出のための水性浴の組合せ本発明は、無電流で金を析出させるため の水性浴の組合せ及びこの組合せの使用に関する。
金層を製造するために、化学還元による金属他塔を使用することは、一般に公知 である(Golclie、Gold alsOberflaeche、tech nisches und dekoratives Vergolden、 1 983ン。アニオン、ジスルフィド金(1)酸塩を含有し、寄生電流を有さない 金層は、東独特許(DD−PS)第150762号、同第240915号又は同 第244768号明細書から公知である。更に、ジシアノ金(1)酸カリウムを 含有する寄生電流を有さない金層は、東独特許(DD−PS)第273651号 又は米国特許(US−PS)第3506462号明細書中に記載されている。ニ ッケル層表面上に析出させる際に金めつきの際の難点が生じる。ニッケル表面又 はニッケル合金表面上に析出が起こらないか(米国特許(U S −P S ) 第1322203号明細書)又はセメンチージョン析出が起こり(米国特許(U S−PS)第3123484号明細書)、これは、薄い金層の析出のみを許す( 東独特許(DD−PS)第265915号明細書)。更に、金のセメンチージョ ンは、長い処理時間の際に、金層の接着力の低化をもたらす欠点を有する。
チップもしくはワイヤへの接合には、金総厚0.2〜3.0μmが必要である。
しかしながら、そのために記載の、より高い析出速度を存する電解質は、限られ てのみ安定である(Rich、D、W、、Proc、Am、Elekctrap l、。
Soc、 1971.58頁及び米国特許(US−PS)第4169171号明 細書〕。被覆されるべきでない平面を塗覆するためのアルカリ可溶性のホトレジ スト又は−ラッカーは、しばしば選択的な被覆作業に使用される。
従ってアルカリ性領域、> p H9で働く金−電解質は、使用することはでき ない(Dekkte、Stromlose Beschichtung、Eug en G、Leuze Verlag 1988.74〜78頁)。東独特許( DD−PS)第263307号明細書中にも高い析出速度を有する化学還元性金 層が記載されている。
しかしながら、これらの浴の欠点は、同時にセメンチージョンの析出工程が起こ ることである。
従って本発明の課題は、特に短い析出時間で、接着堅固に結合可能な金層〉0. 2μmの安定な析出を達成することである。
この課題は、本発明により、金塩としてのアニオン、ジスルフィド金(1)酸塩 口Au (S 01) 213−1安定剤としてのアルカリ金属亜硫酸塩及び/ 又は亜硫酸アンモニウム(SOI)2−及び還元剤を含有する前浴友び金塩とし てのアニオン、ジシアノ金(1)酸塩[:Au (CN)=]−1安定剤として のチオ尿素又はその誘導体及びコバルト(+1)塩、場合により錯化剤及び場合 によりニッケル(11)塩を含有する主塔からなる金−電屏質一組合せにより解 決される。
前浴中に含有される金−電解質、ジスルフィド金(1)酸塩は、そのアンモニウ ム塩又はアルカリ塩の形で使用することができる。前浴の還元剤としては、例え ばアルデヒド及びアルデヒド−スルフィト−付加生成物が好適である。特に好適 なのは、ホルムアルデヒド(メタナール)及び付加生成物ホルムアルデヒド/亜 硫酸ナトリウム(Rongal it@ )である。
場合により前浴に錯化剤、例えばエチレンジアミンを添加してもよい。
主塔で使用される金アニオン、ジシアノ金(1)酸塩は、そのアンモニウム塩又 はアルカリ塩の形でも使用することができる。主塔に、安定剤としてチオ尿素又 はその誘導体、例えばチオセミカルバジドが添加される。
電解質に、主塔の主成分として、コバルトCI+)塩、例えばハロゲン化コバル ト(H)、硫酸コバルト(11)、硝酸コバルト(II)、ギ酸コバルト(11 )又は酢酸コバルト(II)を添加する。
析出速度を高めるために、場合により主塔にニッケル塩、例えばハロゲン化ニッ ケル(II)、特に有利に塩化ニッケル(Iりを添加することができる。
ニッケル表面又はニッケル合金表面の被覆のためには、付加的に酸洗液を使用す ることが必要でありうる。
この酸洗液は、ヒドロキシカルボン酸又はその塩及び塩化アンモニウムからなる 。好適なヒドロキシカルボン酸としては、例えば酒石酸又はクエン酸を挙げるこ とができる。
存在するニッケル表面又はニッケル合金表面が、金被覆の際に、高いセメンチー ジョンを示し、かつ酸性電解質溶液により付加的にニッケル層の溶解が起こる場 合に酸洗液を使用すべきである。アルカリ−又はアンモニウム−カルボン酸から なる溶液、例えばpH6〜8の塩化アンモニウムを有するクエン酸ナトリウムは ニッケル表面又はニッケル合金表面及びニッケル層表面を不活性にする。セメン チージョン速度は、これにより減じられる。
アルカリ−又はアンモニウム−カルボン酸及び塩化アンモニウムも含有する、最 大pHa迄の中性領域で作用する金−ストライク−電解質は、金層の付着性析出 を保証する。不活性ニッケル層(例えば金層の下で選択的に)の付加的な溶解は 、起こらない、vMな前金層は、ニッケル表面を酸性の金−主塔一電解質中での 選択的溶解から保護する。酸性の金−主塔一電解質は、チオ尿素又はその誘導体 の使用により付加的に安定され、その際、安定な場合に、電解質中のニッケルイ オンの適合された濃度により、接触還元反応の加速、従って析出速度2μm/h が達成される。
金の再会めつきの場合の前処理溶液及び/又は金めっきされた表面により、主命 (Hauptgo ld)の析出の開始反応は、促進されうる。前処理溶液は、 重金属イオン、例えば酸性環境のNi”−イオンからなり、これは、金表面に吸 着され、表面電位を変化させる。
本発明は、更に、本発明による電解質組合せ及び場合により酸洗液を使用して金 を析出する方法に関する実施例: 例1 本発明対象物は、伝導性にされたセラミックーチップ−支持体−外被上に金層を 析出させるのに特に好適学還元性ニッケルーリン一層及び金(2〜3μm)で金 属化する。
ニッケルーリン層は、先ず次の酸洗液:クエン酸ナトリウム Log/l 塩化アンモニウム 15 g / 1 で、室温で30秒間処理する。
引き続いて本発明による組合せで、金めつきを行うa)金−前浴一電屏買:30 分間、60℃Na5A u (S Os ) lとしての金 0.6g/lメタ ナール 0.1g/l クエン酸ナトリウム 10.0g/l Na、SOs 5.0 g/l エチレンジアミン 0.84g/I NH,CI 15.0 g/l b)金−主塔一電解質=90分間、82〜84℃KAu (CN)= 5.0  g/l チオ塚素 24.8g/l CoC1,・6H2020,Og/I N I Clx ・6H2010,Og/ 1クエン酸二水素アンモニウム 2 0.0g/lチップ接合面上にチップを合金させる際に、共晶回流(eutek tisches Umfltessen)> 75%が達成された。
チップの引裂強さは、2ONを上回る。超音波ワイヤボンディングの際に、接続 ワイヤの高い強度が得られた(引張試験 9.2±1.1CN)。
例2 部分的にアルカリ溶解性の固体レジスト(Festresist) rリストン  3615(Riston 3615@)」で被覆された小型導板は、存在する 、化学還元でニッケル被覆された銅−接触層構造上に選択的に金めつきされる。
例1と同じ酸洗液。引き続いて次の本発明による組合せを用いて金めつきを行う :a)金−前浴一電解貿:15分間、60℃、クエン酸を用いてpH5,1 (N H4) s A u (S Ox ) !としての金 1.0g/l メタナール 0.15g/] クエン酸ナトリウム 15.0 g/lNa2S0. 7.0 g/ 1 エチレンジアミン 0.84g/I NH,CI 10.0 g/l b)金−主沼一電解質:30分間、82〜84℃KAu (CN)= 4.0  g/l チオ尿素 20゜Og/I CoCIt ・6HxO20−Og/ IN I Cl 2 ・6 HlO15 −Og / 1クエン酸二水素アンモニウム 15.0g/IN1ヨPアーAu 一層系の付着性は、ステイルン引張テスト(Stirnabzugstast) を用いて、130ON/cm!であった。超音波併用熱圧着法(Thermos onic−Verfahren)で接合されたAu−ワイヤ(φ 20μm)は 、引き裂き強さ9.1土1.3cN(引張試験)を示した。Au一層は、リフロ ーはんだ付は可能(reflowloetbar)である(導板屈曲テストで制 御)。
例3 A l 20 s−セラミック上の条導体配線は、層系Ni、Pアーガルバニi l (galv、cu) −N ixP、−Auで構成されるべきである。リフ トオフ技術を用いて先ずガルバニ鋼を包含する帯状導体構造を製造する。ホトラ ッカーを除去した後に、層系Ni、P、−ガルバニ鋼を、アルカリ性電解質から のNi、Pアで被覆し、本発明による次の組合せで金めっきする。
a)金−前浴一電解質、30分間、60℃、例2と類似しているが、次のものを 用いる、(N H4) x A u (S Os ) 2としての金 1.2g /l クエン酸二水素アンモニウム 20.0g/l(クエン酸ナトリウムの代わり) b)金層の前処理溶液:4分、82〜84℃15%塩酸中に溶かされた NiC1,・6 HzO15、Og/ ICo C1x ・6 Hx O20、 Og / IC)、金−主塔一電解質二30分間、82〜84℃KAu (CN )! 7.0g/ 1 チオ床素 25.Og/I Co Cl 2 ・6 Hz O15−Og / IN i Cl 2・6Hi O15,Og/lクエン酸二水素アンモニウム 20.0g71層系の付着性は 、1800±100N/cmlであった(スティルン引張テスト)。
例4 レーザー金属化により、アルカリ性電解質からNt、Pアー構造をA I 20  s−セラミック上に製造する。ワイヤポンドアイランド(Drahtbond insel)の製造のためにこの構造に金めつきする。
特別な酸洗液は、使用しない。
引き続いて本発明による組合せで金めつきを行う。
a)金−前浴一電解質:15分間、60℃(NH4) xAu (SOs)z としての金 2.0g/l メタナール O,l g/l クエン酸ナトリウム 10゜Og/I NazS0. 5.0 g/l エチレンジアミン 0゜84g/I NH,C115,Og/l b)金−主塔一電解質:30分間、82〜84℃、NH,OHを用いてpH5 KAu ((:N)、 5.0g/l 千オ尿素 24.8g/I CoCt、−6H,020,Og/I N iClx ・6HzOL 0.0 g/ 1クエン酸二水素アンモニウム  20.0g/IICチップを接着により固定する。Ni、P、−Au一層系と2 5umアルシル(AISil)−ワイヤとの超音波接合は、付着性7.5±0. 6CN(引張試験)を示した。
要 約 書 本発明は、無電流で金を析出するための、特にニッケルー及びニッケル合金層上 に金を析出するための水性浴の組合せに関する。この組合せは、前浴及び主塔及 び場合により酸洗液及び前も理からなる。得られた金層は、チップ及びワイヤに 接着可能である。
手続補正書 平成4年12月21日

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.金の無電流析出のための水性浴の組合せにおいて、これは、ジスルフィド金 (I)酸塩[Au(SO3)2]3−、安定剤としての亜硫酸アルカリ金属又は 亜硫酸アンモニウム、還元剤及び錯化剤を有する前被覆浴及びジシアノ金(I) 酸塩[Au(CN)2]−、コバルト(II)塩及びチオ尿素を有する主浴から なることを特徴とする、金の無電流析出のための水性浴の組合せ。
  2. 2.主浴は、付加的にニッケル(II)塩を含有する、請求項1記載の組合せ。
  3. 3.前被覆浴は、Na3[Au(SO3)2]としての金0.3〜2.0g/I 、Na2SO33〜15g/1、エチレンジアミン0.05〜1.0g/l、メ タナール0.1〜0.5g/l、NH4Cl10〜25g/I及びヒドロキシカ ルボン酸の塩5〜25g/Iを含有する、請求項1又は2記載の組合せ。
  4. 4.主浴は、K[Au(CN)2]3〜10g/I、チオ尿素5〜25g/1、 CoCI2・6H2O10〜30g/I、NiCl2・6H2O5〜15g/l 及びヒドロキシカルボン酸のアンモニウム塩10〜30g/Iを含有する、請求 項1から3までのいずれか1項記載の組合せ。
  5. 5.ヒドロキシカルボン酸又はその塩及びNH4Clを含有する酸洗液で前処理 されたNi−文はNi−合金表面上に無電流で金を析出させるための、請求項1 から4までのいずれか1項記載の組合せの使用。
  6. 6.ヒドロキシカルボン酸又はその塩1〜10g/I及びNH4Cl5〜25g /lを含有する酸洗液を使用する、請求項5記載の使用。
  7. 7.酸性のNi(II)−及び/又はCo(II)−イオン含有溶液で前処理さ れた、金めっきすべき表面への請求項1から4までのいずれか1項記載の組合せ の使用。
  8. 8.60〜90℃まで加熱された、NiCl2−6H2O10〜30g/I及び CoCl2−6H2O5〜15g/I前処理溶液を使用する、請求項7記載の使 用。
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