JPH0550153B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0550153B2
JPH0550153B2 JP12896983A JP12896983A JPH0550153B2 JP H0550153 B2 JPH0550153 B2 JP H0550153B2 JP 12896983 A JP12896983 A JP 12896983A JP 12896983 A JP12896983 A JP 12896983A JP H0550153 B2 JPH0550153 B2 JP H0550153B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
parts
scribing
emitting diodes
emitting parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP12896983A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6020590A (ja
Inventor
Hiromi Takasu
Toshihiko Ishii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Tottori Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Sanyo Electric Co Ltd, Tottori Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Denki Co Ltd filed Critical Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP58128969A priority Critical patent/JPS6020590A/ja
Publication of JPS6020590A publication Critical patent/JPS6020590A/ja
Publication of JPH0550153B2 publication Critical patent/JPH0550153B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は連接的に有効な発光ダイオードの切断
方法に関する。
(ロ) 従来技術 従来LEDプリンタヘツド等に用いる発光ダイ
オードアレイは、第1図に示すように複数の棒状
の発光ダイオード16,16を発光部12,12
…のドツトピツチが等間隔になるように連接して
いたが、そのドツトピツチが1/8乃至1/16mmとな
ると連接部分17の余裕が20乃至100μmと小さ
くなる。このような発光ダイオード16,16は
ウエハに等間隔で多数の発光部を整列して設けた
あとダイジング法等で切断していたが、上述の如
くドツトピツチが狭くなると発光部に歪を残して
輝度低下や寿命が短かくなる等の不都合を生じ
る。そこで、スクライブ法で切断すると発光部に
歪を生じないが、斜めに割れてバリ等が生じる
と、分割した同士しか等間隔配置できない。
(ハ) 発明の目的 本発明は上述の欠点を改めるためになされたも
ので、スクライブ法をへき開方向に適用すれば上
記のバリ等は概ね5μm以下におさまることに着
目してなされたものである。
(ニ) 発明の構成 本発明はウエハ上に多数の発光部を設けると
き、スクライブ予定箇所のみ他の箇所の間隔より
狭くしておいてスクライブを行なうものである。
(ホ) 実施例 第2図は本発明に適用する発光ダイオードウエ
ハの要部平面図で、GaAs、GaAsP等のウエハ1
上に拡散等により多数の発光部2,2…を整列し
て設け、その発光部2,2…にアルミニウム等か
らなる給電路3,3…を蒸着等で設けてある。
A4版用LEDプリンタヘツド、ドツトピツチ1/10
mmの場合を例にとると、長さ8mmの発光ダイオー
ド6,6…を28個連接する必要がある。そこ例え
ば一辺50μmの発光部2,2…を100μmの間隔d1
で整列させるが、スクライブ予定箇所4において
は間隔d2を70乃至80μmとしておく。スクライブ
はスクライブ予定箇所4,5,5にダイヤモンド
スクライバで切傷をつけ加圧して分断する。この
スクライブ予定箇所4を結晶のへき開面に一致さ
せておけば、スクライブをして1.0mm×8.0mmの発
光ダイオード6,6…を切り出した時に、連接部
の余裕は最大30μm最小10μm得られるので、発
光部2,2…を等間隔に保つたまま連接配置でき
る。また図示していないが裏面電極を分割予定箇
所をはずすように設けるとバリは少なくなる。
(ヘ) 発明の効果 以上の如く本発明は、多数の発光部の整列ピツ
チより狭い特定部分に於て、へき開方向に略一致
してスクライブすることにより、スクライブによ
るバリ等が小さくなる。更に、スクライブされた
複数の発光ダイオードの端縁にバリ等が生じて
も、複数の発光ダイオードを離して配置できる。
何故ならば特定部分は整列ピツチよりも狭いの
で、隣接する発光ダイオードの発光部のピツチを
整列ピツチと同一にできるからである。従つて整
列ピツチを狭くしても、すべてのドツトピツチを
一定に保つことができる。故に隣接する発光ダイ
オードの端に位置する二つの発光部による二つの
発光像の間に、白い線等の不所望の表示が表われ
なくなり、印字品質が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は連接した発光ダイオードの断面図、第
2図は本発明に適用する発光ダイオードウエハの
要部平面図ある。 1……ウエハ、2,2……発光部、3,3……
給電路、4,5,5……スクライブ予定箇所、
6,6……発光ダイオード。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 整列された多数の発光部を有し、その発光部
    の整列ピツチを特定部分のみ他より狭くし、その
    狭い整列ピツチ部分にへき開方向に略一致したス
    クライブ箇所を設けた事を特徴とする発光ダイオ
    ードの切断方法。
JP58128969A 1983-07-14 1983-07-14 発光ダイオ−ドの切断方法 Granted JPS6020590A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58128969A JPS6020590A (ja) 1983-07-14 1983-07-14 発光ダイオ−ドの切断方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58128969A JPS6020590A (ja) 1983-07-14 1983-07-14 発光ダイオ−ドの切断方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59158049A Division JPS6052068A (ja) 1984-07-27 1984-07-27 発光ダイオ−ド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6020590A JPS6020590A (ja) 1985-02-01
JPH0550153B2 true JPH0550153B2 (ja) 1993-07-28

Family

ID=14997882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58128969A Granted JPS6020590A (ja) 1983-07-14 1983-07-14 発光ダイオ−ドの切断方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6020590A (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6070780A (ja) * 1983-09-27 1985-04-22 Toshiba Corp モノリシック発光素子アレイ
JPH0714113Y2 (ja) * 1988-06-03 1995-04-05 株式会社ユニシアジェックス 流量制御装置
US4997792A (en) * 1989-11-21 1991-03-05 Eastman Kodak Company Method for separation of diode array chips during fabrication thereof
US5053836A (en) * 1989-11-21 1991-10-01 Eastman Kodak Company Cleaving of diode arrays with scribing channels

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56174870U (ja) * 1980-05-28 1981-12-23

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6020590A (ja) 1985-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4306351A (en) Method for producing a semiconductor laser element
JPH0611071B2 (ja) 化合物半導体基板の分割方法
JP6265175B2 (ja) 半導体素子の製造方法
JPH0550153B2 (ja)
JP3421523B2 (ja) ウエハーの分割方法
JPS6052068A (ja) 発光ダイオ−ド
JP2004260083A (ja) ウェハの切断方法および発光素子アレイチップ
JPH06204336A (ja) 半導体基板の分割方法
JP2703232B2 (ja) 発光ダイオードアレイ及びその製造法
JPH0233948A (ja) 光半導体装置の製造方法
JP3856639B2 (ja) 半導体発光素子の製造方法
JPH02260670A (ja) 発光ダイオードアレイチップ
JPH0210879A (ja) 発光ダイオードアレイ
US11769853B2 (en) Light emitting element
JPS6164176A (ja) 発光ダイオ−ドの分割方法
JP2527580B2 (ja) 光プリンタ用発光ダイオ―ドアレイ
JPS63112172A (ja) Ledアレイヘツド
JPH05152611A (ja) Ledアレイプリントヘツドにおけるled半導体チツプの製造方法
JPH09323444A (ja) Ledアレイチップおよびledアレイチップの実装構造
JPS61113256A (ja) 化合物半導体の分割方法
JPH09270528A (ja) 発光ダイオード素子及びその製造方法
JP2006278357A (ja) 半導体チップの製造方法
JPH07201783A (ja) 化合物半導体の分割方法
JPH07235697A (ja) 高密度発光ダイオードアレイ
JP2001250981A (ja) 発光素子アレイチップおよびその製造方法